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MBR500100CTR MBR500100CTR GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R
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MBR500150CT MBR500150CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Forward
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MBR500150CT MBR500150CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR500150CTR MBR500150CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Reverse
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MBR500150CTR MBR500150CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR500200CT MBR500200CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR500200CT MBR500200CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 500A Forward
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MBR500200CTR MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR500200CTR MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 500A Reverse
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MBR50020CT MBR50020CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ct-1856964.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 20P/14R
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MBR50020CT MBR50020CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR50020CTR MBR50020CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR50020CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 20P/14R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR50030CT MBR50030CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50030CT MBR50030CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 30P/21R
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50030CTR MBR50030CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50030CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 30P/21R
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MBR50035CT MBR50035CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR50035CT MBR50035CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR50035CTR MBR50035CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50035CTR MBR50035CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50040CT MBR50040CT GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 40P/28R
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MBR50040CTR MBR50040CTR GeneSiC Semiconductor mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 40P/28R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR50045CT MBR50045CT GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR50045CT MBR50045CT GeneSiC Semiconductor 36162342817812584mbr50045ct_thru_mbr500100ctr.pdf Diode Schottky 45V 500A 3-Pin Twin Tower
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR50045CTR MBR50045CTR GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
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MBR50060CT MBR50060CT GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 600V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50060CT MBR50060CT GeneSiC Semiconductor mbr50060ct-1856859.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 60P42RV
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR50060CTR MBR50060CTR GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 60P42RV
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR50060CTR MBR50060CTR GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 600V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR50080CT MBR50080CT GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50080CT MBR50080CT GeneSiC Semiconductor mbr50080ct-1857065.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50080CTR MBR50080CTR GeneSiC Semiconductor mbr50080ctr-1856785.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50080CTR MBR50080CTR GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600100CT MBR600100CT GeneSiC Semiconductor 36162469669457432mbr60045ct_thru_mbr600100ctr.pdf Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600100CT MBR600100CT GeneSiC Semiconductor mbr600100ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600100CTR MBR600100CTR GeneSiC Semiconductor mbr600100ctr-3481478.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600150CT MBR600150CT GeneSiC Semiconductor mbr600150ct-3478296.pdf Diode Modules 150V 600A Forward
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600150CTR MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor mbr600150ctr-3480969.pdf Diode Modules 150V 600A Reverse
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR600200CT MBR600200CT GeneSiC Semiconductor mbr600150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600200CT MBR600200CT GeneSiC Semiconductor mbr600200ct.pdf Diode Modules 150V 600A Forward
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600200CTR MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor mbr600150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600200CTR MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor mbr600200ctr.pdf Diode Modules 150V 600A Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR60020CT MBR60020CT GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR60020CT MBR60020CT GeneSiC Semiconductor mbr60020ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR60020CTL MBR60020CTL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTL.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR60020CTL GeneSiC Semiconductor mbr60020ct(r)l-541935.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 600A Forward
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR60020CTR MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR60020CTR MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor mbr60020ct(r)l-541935.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 600A Reverse
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MBR60020CTRL MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR60030CT MBR60030CT GeneSiC Semiconductor mbr60030ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 30P/21
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MBR60030CTL GeneSiC Semiconductor mbr60030ct(r)l-541998.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V 600A Forward
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MBR60030CTR MBR60030CTR GeneSiC Semiconductor mbr60030ctr-3479355.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 30P/21
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR60030CTRL MBR60030CTRL GeneSiC Semiconductor mbr60030ct(r)l-541998.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V 600A Reverse
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MBR60035CT MBR60035CT GeneSiC Semiconductor mbr60035ct-1856786.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 35P/25R
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR60035CTL GeneSiC Semiconductor mbr60035ct(r)l-541938.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V 600A Forward
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MBR60035CTR MBR60035CTR GeneSiC Semiconductor mbr60035ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 35P/25
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR60035CTRL MBR60035CTRL GeneSiC Semiconductor mbr60035ct(r)l-541938.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V 600A Reverse
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MBR60040CT MBR60040CT GeneSiC Semiconductor mbr60040ct-3482371.pdf Diode Modules 40V 600A Schottky Recovery
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MBR500100CTR mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR500100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R
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MBR500150CT mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Forward
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MBR500150CT mbr500150ctr.pdf
MBR500150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR500150CTR mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Reverse
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MBR500150CTR mbr500150ctr.pdf
MBR500150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR500200CT mbr500150ctr.pdf
MBR500200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR500200CT mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 500A Forward
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MBR500200CTR mbr500150ctr.pdf
MBR500200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR500200CTR mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 500A Reverse
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MBR50020CT mbr50020ct-1856964.pdf
MBR50020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 20P/14R
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MBR50020CT mbr50020ctr.pdf
MBR50020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR50020CTR mbr50020ctr.pdf
MBR50020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR50020CTR mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 20P/14R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR50030CT mbr50020ctr.pdf
MBR50030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR50030CT mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
MBR50030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 30P/21R
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50030CTR mbr50020ctr.pdf
MBR50030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR50030CTR mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 30P/21R
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MBR50035CT mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
MBR50035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50035CT mbr50020ctr.pdf
MBR50035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50035CTR mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
MBR50035CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R
Produkt ist nicht verfügbar
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MBR50035CTR mbr50020ctr.pdf
MBR50035CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50040CT mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
MBR50040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 40P/28R
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MBR50040CTR mbr50020ct_thru_mbr50040ctr-911292.pdf
MBR50040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 40P/28R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR50045CT mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR50045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR50045CT 36162342817812584mbr50045ct_thru_mbr500100ctr.pdf
MBR50045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 500A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50045CTR mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR50045CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
Produkt ist nicht verfügbar
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MBR50060CT mbr500100ctr.pdf
MBR50060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 600V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50060CT mbr50060ct-1856859.pdf
MBR50060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 60P42RV
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR50060CTR mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR50060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 60P42RV
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR50060CTR mbr500100ctr.pdf
MBR50060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 600V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50080CT mbr500100ctr.pdf
MBR50080CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50080CT mbr50080ct-1857065.pdf
MBR50080CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50080CTR mbr50080ctr-1856785.pdf
MBR50080CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 80P56RV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR50080CTR mbr500100ctr.pdf
MBR50080CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 250A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600100CT 36162469669457432mbr60045ct_thru_mbr600100ctr.pdf
MBR600100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600100CT mbr600100ct.pdf
MBR600100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600100CTR mbr600100ctr-3481478.pdf
MBR600100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600150CT mbr600150ct-3478296.pdf
MBR600150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 600A Forward
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600150CTR mbr600150ctr-3480969.pdf
MBR600150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 600A Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600200CT mbr600150ct.pdf
MBR600200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR600200CT mbr600200ct.pdf
MBR600200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 600A Forward
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MBR600200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR600200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 600A Reverse
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MBR60020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MBR60020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14
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MBR60020CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 600A Forward
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MBR60020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR60020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 600A Reverse
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MBR60020CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR60030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 30P/21
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 600A Forward
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MBR60030CTR mbr60030ctr-3479355.pdf
MBR60030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 30P/21
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MBR60030CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 600A Reverse
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MBR60035CT mbr60035ct-1856786.pdf
MBR60035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 35P/25R
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 600A Forward
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MBR60035CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 35P/25
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MBR60035CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 600A Reverse
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MBR60040CT mbr60040ct-3482371.pdf
MBR60040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 600A Schottky Recovery
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