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MBR12020CT MBR12020CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CTR MBR12020CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ctr.pdf Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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MBR12030CT MBR12030CT GeneSiC Semiconductor mbr12030ct-3477499.pdf Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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MBR12030CT MBR12030CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12030CTR MBR12030CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CTR MBR12030CTR GeneSiC Semiconductor mbr12030ctr-3480013.pdf Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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MBR12035CT MBR12035CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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MBR12035CT MBR12035CT GeneSiC Semiconductor mbr12035ct-3477925.pdf Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
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MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor mbr12035ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12035 CTR MBR12035 CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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MBR12035CTR MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor mbr12035ctr-3477929.pdf Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
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MBR12040CT MBR12040CT GeneSiC Semiconductor mbr12040ct-3481306.pdf Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12040CT MBR12040CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12040CTR MBR12040CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12040CTR MBR12040CTR GeneSiC Semiconductor mbr12040ctr-3477666.pdf Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
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MBR12045CT MBR12045CT GeneSiC Semiconductor mbr12045ct.pdf Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
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MBR12045CTR MBR12045CTR GeneSiC Semiconductor mbr12045ctr.pdf Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
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MBR12060CT MBR12060CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12060CT MBR12060CT GeneSiC Semiconductor mbr12060ct.pdf Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
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MBR12060CTR MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor mbr12060ctr.pdf Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
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MBR12060CTR MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12080CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12080CT MBR12080CT GeneSiC Semiconductor mbr12080ct-3479664.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
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MBR12080CTR MBR12080CTR GeneSiC Semiconductor mbr12080ctr-3477932.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
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MBR12080CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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MBR200100CT MBR200100CT GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
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MBR200100CTR MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor mbr200100ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
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MBR200100CTS MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor 52mbr200100cts.pdf Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
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MBR200100CTS MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor mbr200100cts-1856734.pdf Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR200150CT MBR200150CT GeneSiC Semiconductor mbr200150ct.pdf Diode Modules 150V 200A Forward
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MBR200150CTR MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor mbr200150ctr.pdf Diode Modules 150V 200A Reverse
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MBR200200CT MBR200200CT GeneSiC Semiconductor mbr200200ct.pdf Diode Modules 200V 200A Forward
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MBR200200CTR MBR200200CTR GeneSiC Semiconductor mbr200200ctr.pdf Diode Modules 200V 200A Reverse
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MBR20020CT MBR20020CT GeneSiC Semiconductor mbr20020ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
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MBR20020CTR MBR20020CTR GeneSiC Semiconductor mbr20020ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
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MBR20030CT MBR20030CT GeneSiC Semiconductor mbr20030ct.pdf Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
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MBR20030CTR MBR20030CTR GeneSiC Semiconductor mbr20030ctr.pdf Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
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MBR20035CT MBR20035CT GeneSiC Semiconductor mbr20035ct.pdf Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
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MBR20035CTR MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor mbr20035ctr.pdf Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
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MBR20040CT MBR20040CT GeneSiC Semiconductor mbr20040ct.pdf Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
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MBR20040CTR MBR20040CTR GeneSiC Semiconductor mbr20040ctr.pdf Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
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MBR20045CT MBR20045CT GeneSiC Semiconductor mbr20080ct.pdf Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+201.5 EUR
2+187.32 EUR
3+174.63 EUR
5+163.16 EUR
10+152.68 EUR
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MBR20045CT MBR20045CT GeneSiC Semiconductor mbr20045ct.pdf Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+143.19 EUR
10+125.05 EUR
25+118.24 EUR
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MBR20045CTR MBR20045CTR GeneSiC Semiconductor mbr20045ctr.pdf Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
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MBR20060CT MBR20060CT GeneSiC Semiconductor mbr20060ct.pdf Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+143.19 EUR
10+125.05 EUR
25+118.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20060CTR MBR20060CTR GeneSiC Semiconductor mbr20060ctr.pdf Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
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MBR20080CT MBR20080CT GeneSiC Semiconductor mbr20080ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20080CTR MBR20080CTR GeneSiC Semiconductor mbr20080ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
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MBR2X030A045 MBR2X030A045 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a045.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.97 EUR
10+59.32 EUR
25+55.86 EUR
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MBR2X030A045 MBR2X030A045 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a045-2451698.pdf Diode Modules 45V 60A Fwd Schottky
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MBR2X030A060 MBR2X030A060 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a060-3479265.pdf Diode Modules 60V 60A Fwd Schottky
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MBR2X030A060 MBR2X030A060 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a060.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X030A080 MBR2X030A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a080.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X030A080 MBR2X030A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a080-2451465.pdf Diode Modules 80V 60A Fwd Schottky
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MBR2X030A100 MBR2X030A100 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a100.pdf Diode Modules 100V 60A Fwd Schottky
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.68 EUR
10+59.07 EUR
25+55.63 EUR
104+53.13 EUR
260+52.78 EUR
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MBR2X050A045 MBR2X050A045 GeneSiC Semiconductor mbr2x050a045-3480522.pdf Diode Modules 45V 100A Fwd Schottky
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X050A045 MBR2X050A045 GeneSiC Semiconductor mbr2x050a045.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
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MBR2X050A060 MBR2X050A060 GeneSiC Semiconductor mbr2x050a060.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X050A060 MBR2X050A060 GeneSiC Semiconductor mbr2x050a060-3480929.pdf Diode Modules 60V 100A Fwd Schottky
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X050A080 MBR2X050A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x050a080-3481467.pdf Diode Modules 80V 100A Fwd Schottky
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CT mbr12020ct.pdf
MBR12020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CTR mbr12020ctr.pdf
MBR12020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MBR12030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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MBR12030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MBR12030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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MBR12030CTR mbr12030ctr-3480013.pdf
MBR12030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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MBR12035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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MBR12035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
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MBR12035CTR mbr12035ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12035 CTR mbr12020ct.pdf
MBR12035 CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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MBR12035CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
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MBR12040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
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MBR12040CT mbr12020ct.pdf
MBR12040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12040CTR mbr12020ct.pdf
MBR12040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
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MBR12045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
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MBR12045CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
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MBR12060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
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MBR12060CTR mbr12060ctr.pdf
MBR12060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
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MBR12060CTR mbr120100ct.pdf
MBR12060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12080CT mbr120100ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12080CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
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MBR12080CTR mbr12080ctr-3477932.pdf
MBR12080CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
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MBR12080CTR mbr120100ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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MBR200100CT mbr200100ct.pdf
MBR200100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
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MBR200100CTR mbr200100ctr.pdf
MBR200100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
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MBR200100CTS
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
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MBR200100CTS
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR200150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 200A Forward
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MBR200150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 200A Reverse
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MBR200200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Forward
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MBR200200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Reverse
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MBR20020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
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MBR20020CTR mbr20020ctr.pdf
MBR20020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
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MBR20030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
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MBR20030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
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MBR20035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
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MBR20035CTR mbr20035ctr.pdf
MBR20035CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
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MBR20040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
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MBR20040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
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MBR20045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+201.5 EUR
2+187.32 EUR
3+174.63 EUR
5+163.16 EUR
10+152.68 EUR
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MBR20045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+143.19 EUR
10+125.05 EUR
25+118.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MBR20045CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
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MBR20060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+143.19 EUR
10+125.05 EUR
25+118.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20060CTR mbr20060ctr.pdf
MBR20060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
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MBR20080CT mbr20080ct.pdf
MBR20080CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20080CTR mbr20080ctr.pdf
MBR20080CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
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MBR2X030A045 mbr2x030a045.pdf
MBR2X030A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+68.97 EUR
10+59.32 EUR
25+55.86 EUR
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MBR2X030A045 mbr2x030a045-2451698.pdf
MBR2X030A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 60A Fwd Schottky
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MBR2X030A060 mbr2x030a060-3479265.pdf
MBR2X030A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 60A Fwd Schottky
Produkt ist nicht verfügbar
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MBR2X030A060 mbr2x030a060.pdf
MBR2X030A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
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MBR2X030A080 mbr2x030a080.pdf
MBR2X030A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
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MBR2X030A080 mbr2x030a080-2451465.pdf
MBR2X030A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 80V 60A Fwd Schottky
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MBR2X030A100 mbr2x030a100.pdf
MBR2X030A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 60A Fwd Schottky
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+68.68 EUR
10+59.07 EUR
25+55.63 EUR
104+53.13 EUR
260+52.78 EUR
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MBR2X050A045 mbr2x050a045-3480522.pdf
MBR2X050A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 100A Fwd Schottky
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MBR2X050A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
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MBR2X050A060 mbr2x050a060.pdf
MBR2X050A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
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MBR2X050A060 mbr2x050a060-3480929.pdf
MBR2X050A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 100A Fwd Schottky
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MBR2X050A080 mbr2x050a080-3481467.pdf
MBR2X050A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 80V 100A Fwd Schottky
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