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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRF240	Infineon (IRF)	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 125W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 125W Case: TO3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7425PBF	Infineon (IRF)	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 87nC On-state resistance: 8.2mΩ Gate-source voltage: ±12V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRGB15B60KDPBF	Infineon (IRF)	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 31A; 139W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 31A Power dissipation: 139W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLL014NPBF	Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 2A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate-source voltage: ±16V Gate charge: 9.5nC On-state resistance: 0.14Ω	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF240

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 125W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 125W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube

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IRF7425PBF

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate-source voltage: ±12V

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IRGB15B60KDPBF

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 31A; 139W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 31A
Power dissipation: 139W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube

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IRLL014NPBF

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825AFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irll014n.pdf?ci_sign=81e5b8465477fd181094b39f17e1ca58ac3541f1

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 0.14Ω

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