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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRF240	Infineon (IRF)	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 125W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 125W Case: TO3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB31N20DPBF	Infineon (IRF)	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 31A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 82mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PC50WPBF	Infineon (IRF)	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 27A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 27A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRGB20B60PD1PBF	Infineon (IRF)	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 215W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 215W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRL1404ZSPBF	Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 790A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLL014NPBF	Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 2A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate-source voltage: ±16V Gate charge: 9.5nC On-state resistance: 0.14Ω	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF240

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 125W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 125W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube

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IRFB31N20DPBF

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Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IRG4PC50WPBF

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E83594C24F1A6F5005056AB5A8F&compId=irg4pc50w.pdf?ci_sign=a4c09cc8951079bc7cd3b6689957abe2bbebe598

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 27A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 27A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Kind of package: tube

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IRGB20B60PD1PBF

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 215W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube

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IRL1404ZSPBF

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

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IRLL014NPBF

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825AFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irll014n.pdf?ci_sign=81e5b8465477fd181094b39f17e1ca58ac3541f1

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 0.14Ω

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