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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	IRG4BC30KDPBF	Infineon (IRF)	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 100W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IRLML6402TRPBF	Infineon (IRF)	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.7A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 8nC On-state resistance: 65mΩ Gate-source voltage: ±12V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRG4BC30KDPBF

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 100W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLML6402TRPBF

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±12V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH