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AUIRF2804S AUIRF2804S Infineon (IRF) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04DFEC1617BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804.pdf?ci_sign=1a9d3c5de401577578ccc09d152c5c33c6d2dbde Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF240 IRF240 Infineon (IRF) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB8CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf240.pdf?ci_sign=b6b82cf2743ea4004300ef15307f152a80add23e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 125W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 125W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
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IRF7425PBF IRF7425PBF Infineon (IRF) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E4D16F119F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=81dddf218e1b31c29598ff40a3f7ac4bdc2728db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate charge: 87nC
Gate-source voltage: ±12V
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IRG4BC20UDPBF IRG4BC20UDPBF Infineon (IRF) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505651F1A6F5005056AB5A8F&compId=irg4bc20ud.pdf?ci_sign=616ccab44e5e21b54f86bb4508ad123679c25a8a description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 60W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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IRGB20B60PD1PBF IRGB20B60PD1PBF Infineon (IRF) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221DA6B22A5DCF1A303005056AB0C4F&compId=irgb20b60pd1pbf.pdf?ci_sign=0679f6e61a511364256320e70a92aa6777682d80 description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 215W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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AUIRF2804S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04DFEC1617BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804.pdf?ci_sign=1a9d3c5de401577578ccc09d152c5c33c6d2dbde
AUIRF2804S
Hersteller: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
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IRF240 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB8CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf240.pdf?ci_sign=b6b82cf2743ea4004300ef15307f152a80add23e
IRF240
Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 125W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 125W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
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IRF7425PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E4D16F119F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=81dddf218e1b31c29598ff40a3f7ac4bdc2728db
IRF7425PBF
Hersteller: Infineon (IRF)
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate charge: 87nC
Gate-source voltage: ±12V
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IRG4BC20UDPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505651F1A6F5005056AB5A8F&compId=irg4bc20ud.pdf?ci_sign=616ccab44e5e21b54f86bb4508ad123679c25a8a
IRG4BC20UDPBF
Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 60W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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IRGB20B60PD1PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221DA6B22A5DCF1A303005056AB0C4F&compId=irgb20b60pd1pbf.pdf?ci_sign=0679f6e61a511364256320e70a92aa6777682d80
IRGB20B60PD1PBF
Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 215W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH