Seite 1 nach 1

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
AUIRF2804S	Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC On-state resistance: 2mΩ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF350	Infineon (IRF)	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 150W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 14A Power dissipation: 150W Case: TO3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7103PBF	Infineon (IRF)	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.13Ω Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 12nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB23N20DPBF	Infineon (IRF)	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 24A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR2405PBF	Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 70nC On-state resistance: 16mΩ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRGB20B60PD1PBF	Infineon (IRF)	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 215W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 215W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLML2502TRPBF	Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 45mΩ Gate charge: 8nC Gate-source voltage: ±12V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF2804S

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04DFEC1617BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804.pdf?ci_sign=1a9d3c5de401577578ccc09d152c5c33c6d2dbde

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF350

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EBFB088ECF1A6F5005056AB5A8F&compId=jantx2n6768.pdf?ci_sign=8e6f100d11f0516163ae6afdeb1c9ddab6355f2f

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF7103PBF

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020EA6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7103.pdf?ci_sign=ffa8d0ccd2eb5a18b14023c4e9782fbcc0de0fd2

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB23N20DPBF

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B695F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb23n20d.pdf?ci_sign=1ca50372e1988e8ccbb6817c94dc65387ac00fcf

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFR2405PBF

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C117F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr2405.pdf?ci_sign=aad40c755f38681b306cae62eab26e3965d0f88c

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 16mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRGB20B60PD1PBF

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 215W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLML2502TRPBF

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825FCF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2502gpbf.pdf?ci_sign=7cd78ffae573a198f13da6c3bbdc34d8bfad9a85

Hersteller: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 45mΩ
Gate charge: 8nC
Gate-source voltage: ±12V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH