Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FIO50-12BD | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ IGBT Type: NPT Switching Energy: 4.6mJ (on), 2.2mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 200 W |
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FMD21-05QC | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V |
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FMD40-06KC | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V |
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FMD80-0045PS | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 110A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V |
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FMK75-01F | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Active |
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FMM150-0075P | IXYS |
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FMM300-0055P | IXYS |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 150A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Obsolete |
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FMM65-015P | IXYS |
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FMM75-01F | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Active |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FSS100-008A | IXYS |
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FUE30-12N1 | IXYS |
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FUO22-12N | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Three Phase Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV Current - Average Rectified (Io): 28 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 2082 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FUO22-16N | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Three Phase Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV Current - Average Rectified (Io): 28 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V |
auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FUO50-16N | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Three Phase Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV Current - Average Rectified (Io): 50 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FUS45-0045B | IXYS |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GBO25-12NO1 | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBO Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: 4-SIP Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GBO25-16NO1 | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBO Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: 4-SIP Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GDBD4410 | IXYS |
Description: EVAL BOARD FOR IXBD4410 IXBD4411 Packaging: Box Function: High and Low Side Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: IXBD4410, IXBD4411 Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Obsolete Contents: Board(s) |
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GWM160-0055P3 | IXYS |
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GWM70-01P2 | IXYS |
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HTZ110A16K | IXYS |
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HTZ110A19K | IXYS |
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HTZ110A22K | IXYS |
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HTZ110A25K | IXYS |
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HTZ120A32K | IXYS |
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HTZ120A38K | IXYS |
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HTZ120A44K | IXYS |
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HTZ120A51K | IXYS |
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HTZ130B24K | IXYS |
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HTZ130B28K | IXYS |
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HTZ130B33K | IXYS |
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HTZ130B38K | IXYS |
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HTZ150C6K | IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 6000 V |
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HTZ150C7K | IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 7200 V |
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HTZ150C8K | IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 8400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 8400 V |
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HTZ150C9K | IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 9600 V |
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HTZ160C12K | IXYS |
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HTZ160C14K | IXYS |
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HTZ160C17K | IXYS |
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HTZ160C19K | IXYS |
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HTZ170C2.4K | IXYS |
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HTZ170C2.8K | IXYS |
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HTZ170C2K | IXYS |
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HTZ180D22K | IXYS |
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HTZ180D26K | IXYS |
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HTZ180D30K | IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.3A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 22 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30000 V |
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HTZ180D35K | IXYS |
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HTZ240F10K | IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.7A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10000 V |
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HTZ240F12K | IXYS |
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HTZ240F14K | IXYS |
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HTZ240F16K | IXYS |
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HTZ250G28K | IXYS |
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HTZ250G33K | IXYS |
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HTZ250G39K | IXYS |
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HTZ250G44K | IXYS |
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HTZ260G14K | IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 14000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 14000 V |
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HTZ260G16K | IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 16800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 16800 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
HTZ260G19K | IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 19600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 19600 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
HTZ260G22K | IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 22400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 22400 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
HTZ270H40K | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
FIO50-12BD |
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Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Description: IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FMD21-05QC |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FMD40-06KC |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 38A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 600V 38A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FMD80-0045PS |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 150A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 55V 150A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FMK75-01F |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FMM150-0075P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5
Description: MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FMM300-0055P |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 150A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 150A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FMM65-015P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
Description: MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FMM75-01F |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 39.60 EUR |
10+ | 36.53 EUR |
100+ | 31.19 EUR |
FSS100-008A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ISOPLUS
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ISOPLUS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FUE30-12N1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PAC
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A I4-PAC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FUO22-12N |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 34.53 EUR |
25+ | 22.19 EUR |
100+ | 19.64 EUR |
FUO22-16N |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 28A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 28 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.62 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 31.28 EUR |
25+ | 25.32 EUR |
100+ | 23.83 EUR |
FUO50-16N |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 50A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 50A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 35.20 EUR |
10+ | 31.28 EUR |
100+ | 27.36 EUR |
FUS45-0045B |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 45V 45A I4-PAC
Description: BRIDGE RECT 3P 45V 45A I4-PAC
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GBO25-12NO1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 25A 4-SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBO
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 25A 4-SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBO
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 19.43 EUR |
16+ | 13.30 EUR |
GBO25-16NO1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 25A 4SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBO
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V
Description: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 25A 4SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBO
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 18.52 EUR |
16+ | 12.68 EUR |
GDBD4410 |
Hersteller: IXYS
Description: EVAL BOARD FOR IXBD4410 IXBD4411
Packaging: Box
Function: High and Low Side Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IXBD4410, IXBD4411
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR IXBD4410 IXBD4411
Packaging: Box
Function: High and Low Side Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IXBD4410, IXBD4411
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GWM160-0055P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
Description: MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GWM70-01P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
Description: MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ110A16K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 16KV 3.5A
Description: DIODE MODULE 16KV 3.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ110A19K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 19KV 3.5A
Description: DIODE MODULE 19KV 3.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ110A22K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 22KV 3.5A
Description: DIODE MODULE 22KV 3.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ110A25K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 25KV 3.5A
Description: DIODE MODULE 25KV 3.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ120A32K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 32KV 2A
Description: DIODE MODULE 32KV 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ120A38K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 38KV 2A
Description: DIODE MODULE 38KV 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ120A44K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 44KV 2A
Description: DIODE MODULE 44KV 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ120A51K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 51KV 2A
Description: DIODE MODULE 51KV 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ130B24K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE RECT MOD 24000V 1A HTZ
Description: DIODE RECT MOD 24000V 1A HTZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ130B28K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 28KV 1A
Description: DIODE MODULE 28KV 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ130B33K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 33KV 1A
Description: DIODE MODULE 33KV 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ130B38K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 38KV 1A
Description: DIODE MODULE 38KV 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ150C6K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 6000V 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 6000 V
Description: DIODE MODULE GP 6000V 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 6000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ150C7K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 7.2KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 7200 V
Description: DIODE MODULE 7.2KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 7200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ150C8K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 8.4KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 8400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 8400 V
Description: DIODE MODULE 8.4KV 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 8400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 8400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ150C9K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 9600V 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 9600 V
Description: DIODE MODULE GP 9600V 3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 9600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ160C12K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ160C14K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 14.4KV 1.7A
Description: DIODE MODULE 14.4KV 1.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ160C17K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 16.8KV 1.7A
Description: DIODE MODULE 16.8KV 1.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ160C19K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 19.2KV 1.7A
Description: DIODE MODULE 19.2KV 1.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ170C2.4K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.4KV 10A
Description: DIODE MODULE 2.4KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ170C2.8K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.8KV 10A
Description: DIODE MODULE 2.8KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ170C2K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 10A
Description: DIODE MODULE 2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ180D22K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 22KV 1.3A
Description: DIODE MODULE 22KV 1.3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ180D26K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 26KV 1.3A
Description: DIODE MODULE 26KV 1.3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ180D30K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 30KV 1.3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 22 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30000 V
Description: DIODE MODULE 30KV 1.3A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.3A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 22 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ180D35K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 35KV 1.3A
Description: DIODE MODULE 35KV 1.3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
HTZ240F10K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 10000V 1.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10000 V
Description: DIODE MODULE GP 10000V 1.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10000 V
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HTZ240F12K |
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Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
Description: DIODE MODULE 12KV 1.7A
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HTZ240F14K |
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Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 14KV 1.7A
Description: DIODE MODULE 14KV 1.7A
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HTZ240F16K |
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Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 16KV 1.7A
Description: DIODE MODULE 16KV 1.7A
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HTZ250G28K |
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Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 28KV 2.7A
Description: DIODE MODULE 28KV 2.7A
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HTZ250G33K |
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Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 33.6KV 2.7A
Description: DIODE MODULE 33.6KV 2.7A
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Stück im Wert von UAH
HTZ250G39K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 39.2KV 2.7A
Description: DIODE MODULE 39.2KV 2.7A
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Stück im Wert von UAH
HTZ250G44K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 44.8KV 2.7A
Description: DIODE MODULE 44.8KV 2.7A
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Stück im Wert von UAH
HTZ260G14K |
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Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 14KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 14000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 14000 V
Description: DIODE MODULE 14KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 14000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 14000 V
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Stück im Wert von UAH
HTZ260G16K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 16.8KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 16800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 16800 V
Description: DIODE MODULE 16.8KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 16800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 16800 V
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Stück im Wert von UAH
HTZ260G19K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 19.6KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 19600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 19600 V
Description: DIODE MODULE 19.6KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 19600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 19600 V
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Stück im Wert von UAH
HTZ260G22K |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 22.4KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 22400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 22400 V
Description: DIODE MODULE 22.4KV 4.7A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4.7A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 22400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 16 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 22400 V
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Stück im Wert von UAH
HTZ270H40K |
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Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 40KV 3.4A
Description: DIODE MODULE 40KV 3.4A
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Stück im Wert von UAH