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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXBN42N170A IXBN42N170A IXYS Description: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170A IXBN75N170A IXYS 98938.pdf Description: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06 IXYS L024.pdf Description: IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-07 IXYS L024.pdf Description: IC SGL DIODE BOD 0.9A 700V FP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08 IXBOD1-08 IXYS IXBOD1.pdf Description: TVS DEVICE MIXED 800V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 800V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.41 EUR
10+21.51 EUR
100+18.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-09 IXBOD1-09 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bdb2ff13-fe36-4f76-b330-b8cce34a17c6&filename=littelfuse-power-semiconductors-ixbod1-datasheet Description: TVS DEVICE MIXED 900V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 900V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.66 EUR
10+21.72 EUR
100+18.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10 IXBOD1-10 IXYS L024.pdf Description: IC SGL DIODE BOD 0.9A 1000V FP
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-13R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1300V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-13RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1300V
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IXBOD1-14R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-14RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1400V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-15R IXBOD1-15R IXYS IXBOD1_DS.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-15RD IXYS IXBOD1_DS.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-16R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-16RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1600V
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IXBOD1-17R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1700V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-17RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1700V
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IXBOD1-18R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1800V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-18RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1800V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-19R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1900V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-19RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1900V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-20R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2000V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-20RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2000V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-21R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-21RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-22R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-22RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-23R IXYS IXBOD1_DS.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2300V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-23RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2300V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-24R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2400V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-24RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2400V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-25R IXYS IXBOD1_DS.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-25RD IXBOD1-25RD IXYS IXBOD1_DS.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-26R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-26RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-28R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2800V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-28RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-30R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3000V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-30RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3000V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-32R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-32RD IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-34R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3400V
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IXBOD1-36R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-38R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-40R IXYS L024.pdf Description: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-42R IXYS IXBOD1_DS.pdf Description: TVS DEVICE MIXED 4200V BOD
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 4200V (4.2kV)
Supplier Device Package: BOD
Number of Circuits: 4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBP5N160G IXBP5N160G IXYS Description: IGBT 1600V 5.7A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT10N170 IXBT10N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_10n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 20A 140W TO268
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170 IXBT42N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 80A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170A IXBT42N170A IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170a_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 42A 357W TO268
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT6N170 IXBT6N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_6n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 12A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 17 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.41 EUR
10+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXC611P1 IXC611P1 IXYS Description: IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXC611S1 IXC611S1 IXYS Description: IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXC611S1T/R IXC611S1T/R IXYS Description: IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCP01N90E IXCP01N90E IXYS IXCP%2CIXCY%2001N90E.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 250MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCY01N90E IXCY01N90E IXYS IXCP,IXCY 01N90E.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 250MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCY30M45 IXCY30M45 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCY40M45 IXCY40M45 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN42N170A
IXBN42N170A
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170A 98938.pdf
IXBN75N170A
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06 L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-07 L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC SGL DIODE BOD 0.9A 700V FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08 IXBOD1.pdf
IXBOD1-08
Hersteller: IXYS
Description: TVS DEVICE MIXED 800V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 800V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.41 EUR
10+21.51 EUR
100+18.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-09 media?resourcetype=datasheets&itemid=bdb2ff13-fe36-4f76-b330-b8cce34a17c6&filename=littelfuse-power-semiconductors-ixbod1-datasheet
IXBOD1-09
Hersteller: IXYS
Description: TVS DEVICE MIXED 900V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 900V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.66 EUR
10+21.72 EUR
100+18.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10 L024.pdf
IXBOD1-10
Hersteller: IXYS
Description: IC SGL DIODE BOD 0.9A 1000V FP
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12R L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12RD L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-13R L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1300V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-13RD L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1300V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-14R L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-14RD L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-15R IXBOD1_DS.pdf
IXBOD1-15R
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-15RD IXBOD1_DS.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-16R L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-16RD L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-17R L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1700V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-17RD L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-18R L024.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1800V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1800V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1900V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1900V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2000V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2000V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2100V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2200V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2300V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2400V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2400V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2500V
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IXBOD1-25RD
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2500V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2600V
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Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2600V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2800V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3000V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3000V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3200V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3200V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3400V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V
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Hersteller: IXYS
Description: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V
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IXBOD1-42R IXBOD1_DS.pdf
Hersteller: IXYS
Description: TVS DEVICE MIXED 4200V BOD
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 4200V (4.2kV)
Supplier Device Package: BOD
Number of Circuits: 4
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IXBP5N160G
IXBP5N160G
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1600V 5.7A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
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IXBT10N170 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_10n170_datasheet.pdf.pdf
IXBT10N170
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 20A 140W TO268
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IXBT42N170 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170_datasheet.pdf.pdf
IXBT42N170
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 80A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
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IXBT42N170A littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170a_datasheet.pdf.pdf
IXBT42N170A
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 42A 357W TO268
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IXBT6N170 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_6n170_datasheet.pdf.pdf
IXBT6N170
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 12A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 17 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
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IXC611P1
IXC611P1
Hersteller: IXYS
Description: IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP
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IXC611S1
IXC611S1
Hersteller: IXYS
Description: IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC
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IXC611S1T/R
IXC611S1T/R
Hersteller: IXYS
Description: IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC
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IXCP01N90E IXCP%2CIXCY%2001N90E.pdf
IXCP01N90E
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 250MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 25 V
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IXCY01N90E IXCP,IXCY 01N90E.pdf
IXCY01N90E
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 250MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 25 V
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IXCY30M45
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY40M45
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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