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IXCP20M45A IXCP20M45A IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB
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IXCP30M35 IXCP30M35 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB
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IXCP30M45 IXCP30M45 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB
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IXCP30M45A IXCP30M45A IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB
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IXCP40M35 IXCP40M35 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB
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IXCP60M45 IXCP60M45 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB
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IXCY02M35 IXCY02M35 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY02M35A IXCY02M35A IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY02M45 IXCY02M45 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY10M35 IXCY10M35 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY10M35A IXCY10M35A IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY10M35S IXCY10M35S IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY10M45 IXCY10M45 IXYS Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Output: 60mA
Function: Current Regulator
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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IXCY10M45A IXCY10M45A IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY20M35 IXCY20M35 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY20M35A IXCY20M35A IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY20M45 IXCY20M45 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY20M45A IXCY20M45A IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY30M35 IXCY30M35 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY30M45A IXCY30M45A IXYS Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Output: 30mA
Function: Current Regulator
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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IXCY40M35 IXCY40M35 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY50M35 IXCY50M35 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY50M35A IXCY50M35A IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY50M45 IXCY50M45 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY50M45A IXCY50M45A IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY60M35 IXCY60M35 IXYS 98703.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXDA20N120AS-TUBE IXDA20N120AS-TUBE IXYS IXDA20N120AS.pdf Description: IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
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IXDI409SIA IXDI409SIA IXYS 99054.pdf Description: IC MOSFET DVR 9A INV 8-SOIC
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IXFA102N15T IXFA102N15T IXYS DS100045A(IXFA-H-P102N15T).pdf Description: MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
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IXFA130N10T IXFA130N10T IXYS 171448766littelfusediscretemosfetsnchanneltrenchgate.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
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IXFB210N20P IXFB210N20P IXYS DS100018AIXFB210N20P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
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IXFB30N120Q2 IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
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IXFC13N50 IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC15N80Q IXFC15N80Q IXYS Description: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
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IXFC24N50 IXFC24N50 IXYS IXFC26N50%2C_IXFC24N50.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
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IXFC26N50 IXFC26N50 IXYS IXFC26N50%2C_IXFC24N50.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC40N30Q IXFC40N30Q IXYS Description: MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC60N20 IXFC60N20 IXYS IXFC60N20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC80N08 IXFC80N08 IXYS IXFC80N08%2C85.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC80N085 IXFC80N085 IXYS IXFC80N085.pdf Description: MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC80N10 IXFC80N10 IXYS Description: MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE180N10 IXFE180N10 IXYS IXFE180N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE180N20 IXFE180N20 IXYS IXFE180N20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE24N100 IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE36N100 IXFE36N100 IXYS IXFE34_36N100.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCP20M45A 98703.pdf
IXCP20M45A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCP30M35 98703.pdf
IXCP30M35
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB
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IXCP30M35A
Hersteller: IXYS
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IXCP30M45
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IXCP40M35
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IXCP40M35A
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IXCP40M45
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IXCP40M45A
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IXCP50M35
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IXCP50M35A
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IXCP50M45
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IXCP50M45A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB
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IXCP60M35
Hersteller: IXYS
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IXCP60M45
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB
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IXCY02M35
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY02M35A
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IXCY02M45
Hersteller: IXYS
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IXCY02M45A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY100M35
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY100M45
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY10M35
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY10M35A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY10M35S
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY10M45
IXCY10M45
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Output: 60mA
Function: Current Regulator
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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IXCY10M45A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY20M35
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY20M35A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY20M45 98703.pdf
IXCY20M45
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY20M45A 98703.pdf
IXCY20M45A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY30M35
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY30M35A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY30M45A
IXCY30M45A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Output: 30mA
Function: Current Regulator
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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IXCY40M35 98703.pdf
IXCY40M35
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY40M35A 98703.pdf
IXCY40M35A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY40M45A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY50M35
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY50M35A 98703.pdf
IXCY50M35A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY50M45 98703.pdf
IXCY50M45
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY50M45A
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXCY60M35 98703.pdf
IXCY60M35
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR DPAK
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IXDA20N120AS-TUBE IXDA20N120AS.pdf
IXDA20N120AS-TUBE
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
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IXDI409SIA 99054.pdf
IXDI409SIA
Hersteller: IXYS
Description: IC MOSFET DVR 9A INV 8-SOIC
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IXFA102N15T DS100045A(IXFA-H-P102N15T).pdf
IXFA102N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
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IXFA130N10T 171448766littelfusediscretemosfetsnchanneltrenchgate.pdf
IXFA130N10T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N20P DS100018AIXFB210N20P.pdf
IXFB210N20P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120Q2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC13N50
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IXFC15N80Q
IXFC15N80Q
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC24N50 IXFC26N50%2C_IXFC24N50.pdf
IXFC24N50
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC26N50 IXFC26N50%2C_IXFC24N50.pdf
IXFC26N50
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC40N30Q
IXFC40N30Q
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC60N20 IXFC60N20.pdf
IXFC60N20
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC80N08 IXFC80N08%2C85.pdf
IXFC80N08
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC80N085 IXFC80N085.pdf
IXFC80N085
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC80N10
IXFC80N10
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE180N10 IXFE180N10.pdf
IXFE180N10
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE180N20 IXFE180N20.pdf
IXFE180N20
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE24N100
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE36N100 IXFE34_36N100.pdf
IXFE36N100
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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