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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTP10P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 IXTP10P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.85 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
250+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTP120N04T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n075t2_datasheet.pdf.pdf IXTP120N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf IXTP120P065T THT P channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.41 EUR
15+5.00 EUR
16+4.73 EUR
1000+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS IXTA12N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2 IXTP12N65X2 IXYS IXT_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2M IXTP12N65X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2 IXTP12N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.13 EUR
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2M IXTP12N70X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N10T IXTP130N10T IXYS IXTA(P)130N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
7+10.21 EUR
17+4.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N15X4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf IXTP130N15X4 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.11 EUR
13+5.52 EUR
14+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTP140N055T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf IXTP140N12T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21 IXTP140P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.98 EUR
12+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P IXYS a IXTP14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PM IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp14n60pm_datasheet.pdf.pdf IXTP14N60PM THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.79 EUR
16+4.46 EUR
500+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS IXTH(P)150N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.11 EUR
10+7.26 EUR
11+6.86 EUR
50+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP150N15X4A IXYS IXTP150N15X4A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS IXT_15P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.21 EUR
24+3.07 EUR
25+2.90 EUR
250+2.87 EUR
500+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2 IXTP160N04T2 IXYS IXTA(P)160N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 430W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 132nC
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.23 EUR
19+3.93 EUR
20+3.72 EUR
500+3.70 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS IXTP16N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.46 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
1000+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF IXTP170N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.23 EUR
24+2.99 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-180n10t-datasheet?assetguid=a45c8ae2-5c3f-4d3f-be24-0a3d6e97b45b IXTP180N10T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS IXT_18P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Reverse recovery time: 62ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf IXTP1N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120P IXYS IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf IXTP1N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80P IXYS DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf IXTP1N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf IXTP1R4N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf IXTP1R4N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0 IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.20 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.46 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2 IXYS DS99919B(IXTA-TP200N055T2).pdf IXTP200N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X IXTP20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2 IXTP20N65X2 IXYS IXTA(H,P)20N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2M IXTP20N65X2M IXYS IXTP20N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XM IXYS IXTP20N65XM THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2 IXTP220N04T2 IXYS IXTA(P)220N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.21 EUR
23+3.17 EUR
24+3.00 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTP230N04T4 THT N channel transistors
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IXTP230N04T4M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp230n04t4m_datasheet.pdf.pdf IXTP230N04T4M THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 IXYS IXTA(P)230N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.65 EUR
11+6.89 EUR
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.34 EUR
16+4.58 EUR
17+4.32 EUR
100+4.18 EUR
500+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.43 EUR
20+3.59 EUR
22+3.40 EUR
100+3.39 EUR
250+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf IXTP24P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS IXTA(P)260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10T IXTP26P10T IXYS IXT_26P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.22 EUR
19+3.80 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.07 EUR
13+5.58 EUR
14+5.28 EUR
500+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTP270N04T4 THT N channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.56 EUR
23+3.25 EUR
24+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065T IXTP28P065T IXYS IXT_28P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100P IXTP2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO220AB; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 IXYS IXTP(Y)2N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS IXT_2R4N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.32 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
500+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP300N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTP300N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf IXTP32N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N65X IXTP32N65X IXYS IXTH(P,Q)32N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N65XM IXTP32N65XM IXYS IXTP32N65XM.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 78W; TO220FP; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 78W
Case: TO220FP
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTP32P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
34+2.10 EUR
2000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634
Hersteller: IXYS
IXTP10P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.85 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2 IXTA(P)110N055T2.pdf
IXTP110N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
250+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP120N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP120N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP120P065T THT P channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.41 EUR
15+5.00 EUR
16+4.73 EUR
1000+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50P IXTA12N50P-DTE.pdf
IXTP12N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2 IXT_12N65X2.pdf
IXTP12N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N70X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N70X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N10T IXTA(P)130N10T.pdf
IXTP130N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
7+10.21 EUR
17+4.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N15X4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP130N15X4 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.11 EUR
13+5.52 EUR
14+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP140N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP140N12T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
Hersteller: IXYS
IXTP140P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.98 EUR
12+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P a
Hersteller: IXYS
IXTP14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PM littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp14n60pm_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP14N60PM THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.79 EUR
16+4.46 EUR
500+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP150N15X4 IXTH(P)150N15X4.pdf
IXTP150N15X4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.11 EUR
10+7.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP150N15X4A
Hersteller: IXYS
IXTP150N15X4A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTP15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15T IXT_15P15T.pdf
IXTP15P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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24+3.07 EUR
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500+2.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2 IXTA(P)160N04T2.pdf
IXTP160N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T IXT_160N10T.pdf
IXTP160N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 430W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 132nC
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.23 EUR
19+3.93 EUR
20+3.72 EUR
500+3.70 EUR
1000+3.58 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50P IXTP16N50P-DTE.pdf
IXTP16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.46 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
1000+3.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2 media?resourcetype=datasheets&itemid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTP170N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
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17+4.23 EUR
24+2.99 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-180n10t-datasheet?assetguid=a45c8ae2-5c3f-4d3f-be24-0a3d6e97b45b
Hersteller: IXYS
IXTP180N10T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T IXT_18P10T.pdf
IXTP18P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Reverse recovery time: 62ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1N100P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120P IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80P DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1N80P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1R4N100P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1R4N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0
Hersteller: IXYS
IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.20 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Hersteller: IXYS
IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2 DS99919B(IXTA-TP200N055T2).pdf
Hersteller: IXYS
IXTP200N055T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTP20N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2 IXTA(H,P)20N65X2.pdf
IXTP20N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2M IXTP20N65X2M.pdf
IXTP20N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XM
Hersteller: IXYS
IXTP20N65XM THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2 IXTA(P)220N04T2.pdf
IXTP220N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.21 EUR
23+3.17 EUR
24+3.00 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP230N04T4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp230n04t4m_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP230N04T4M THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2 IXTA(P)230N075T2.pdf
IXTP230N075T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.65 EUR
11+6.89 EUR
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.34 EUR
16+4.58 EUR
17+4.32 EUR
100+4.18 EUR
500+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.43 EUR
20+3.59 EUR
22+3.40 EUR
100+3.39 EUR
250+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP24P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2 IXTA(P)260N055T2.pdf
IXTP260N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10T IXT_26P10T.pdf
IXTP26P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.22 EUR
19+3.80 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTP26P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.07 EUR
13+5.58 EUR
14+5.28 EUR
500+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP270N04T4 THT N channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.56 EUR
23+3.25 EUR
24+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065T IXT_28P065T.pdf
IXTP28P065T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTP2N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO220AB; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N65X2 IXTP(Y)2N65X2.pdf
IXTP2N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120P IXT_2R4N120P.pdf
IXTP2R4N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.32 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
500+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP300N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP300N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP32N20T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N65X IXTH(P,Q)32N65X.pdf
IXTP32N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N65XM IXTP32N65XM.pdf
IXTP32N65XM
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 78W; TO220FP; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 78W
Case: TO220FP
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP32P05T THT P channel transistors
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