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IXTK140N20P IXTK140N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF91769AF6A03E27&compId=IXTK140N20P-DTE.pdf?ci_sign=08600a905672f16d4200168350a2bb2948e0f97d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N30P IXYS a IXTK140N30P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 IXTK170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.45 EUR
7+11.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170P10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170p10p-datasheet?assetguid=68622d8b-7303-4f51-80e6-161b6a15098f IXTK170P10P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK17N120L IXYS IXTK17N120L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15P IXTK180N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9188AFD9C59E27&compId=IXTK180N15P-DTE.pdf?ci_sign=2ad7003b8dcc314cadea14ef7581e19529865817 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.91 EUR
5+14.71 EUR
6+13.91 EUR
10+13.51 EUR
25+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2 IXTK200N10L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB34B86A2118BF&compId=IXT_200N10L2.pdf?ci_sign=49250d98063d2d45ebec8fdfc12b5a8fca96c13d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 540nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 245ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.06 EUR
5+14.41 EUR
6+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150 IXTK20N150 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD34BF01127820&compId=IXTK(X)20N150.pdf?ci_sign=5b2aa8b5101db2e0624fd882f4176f4c1fee0d13 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
5+28.94 EUR
10+27.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100L IXTK22N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf IXTK240N075L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.98 EUR
10+19.48 EUR
25+19.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250L IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=697abaf0-8e4f-4022-850a-2222f0e095db&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_3n250l_datasheet.pdf IXTK3N250L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6 IXTK40P50P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50L IXYS 38fac45f75894f078db00809a75465c2.pdf IXTK46N50L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK550N055T2 IXTK550N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B03B813A9820&compId=IXTK(X)550N055T2.pdf?ci_sign=f1ad32c02f9d29b7483f944fa5a5ab884958f33f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 550A; 1250W; TO264; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_600n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTK600N04T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf IXTK60N50L2 THT N channel transistors
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IXTK82N25P IXYS a IXTK82N25P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf IXTK8N150L THT N channel transistors
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IXTK90N25L2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Linear-IXT-90N25-Datasheet.PDF?assetguid=85B50793-C43C-4B40-A84C-3DCCA3D22A7B IXTK90N25L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794AD067C676748&compId=IXTK90P20P.pdf?ci_sign=ed63f46a927f39a8d31abb3fd7ed4da28939b52c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.13 EUR
10+19.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450 IXYS IXTL2N450 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470 IXYS IXTL2N470 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9E6330B4C1820&compId=IXTN102N65X2.pdf?ci_sign=9e7b58dfb51537d8509f57c064d3549be58d17de Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 204A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 450ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8D4C2C0D3B820&compId=IXTN110N20L2.pdf?ci_sign=22d1ef7a7256a11bcc8df888639ad4005a52d7b3 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 420ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Linear L2™
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn170p10p-datasheet?assetguid=a5324887-08b2-496a-afd1-beb2354decfc IXTN170P10P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120L IXTN17N120L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA81B9EFCD51820&compId=IXTN17N120L.pdf?ci_sign=67609d109998c6dd7eef97d1d408d6559bb9508b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 0.9Ω
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Technology: Linear™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.83µs
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2 IXYS DS100238IXTN200N10L2.pdf IXTN200N10L2 Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
100+50.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn200n10t-datasheet?assetguid=c78c43fa-9c23-4a31-a344-9f883b414062 IXTN200N10T Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949FD586272748&compId=IXTN210P10T.pdf?ci_sign=c7eaa6ff621298b381d20e5aabc3375642501283 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -800A
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 830W
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100L IXTN22N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA743238E52B820&compId=IXTN22N100L.pdf?ci_sign=bd0f90a435af556a9c7a240091db1d3ed3d343fd Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 22A; SOT227B; screw; Idm: 50A; 700W
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.6Ω
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100L IXTN30N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA762DDC51FD820&compId=IXTN30N100L.pdf?ci_sign=1267cd27b10289fdcc054aa2d6c82d9805b1b00e Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Linear™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN32P60P IXYS DS99991(IXTN32P60P).pdf IXTN32P60P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN46N50L IXTN46N50L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9230E5AE5F820&compId=IXTN46N50L.pdf?ci_sign=9ab81abbb1adcc6fd1ccf3ad5339605b98bf9c2d Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 46A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN550N055T2 IXTN550N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C3A24CD3A38BF&compId=IXTN550N055T2.pdf?ci_sign=2324e5fc4b6c33e3b1310d090cd76dd431fc6848 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 55V; 550A; SOT227B; screw; Idm: 1.65kA
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 1.65kA
Power dissipation: 940W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN600N04T2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn600n04t2-datasheet?assetguid=ce9fe6c5-553e-48d1-b7ff-931b370a3ea5 IXTN600N04T2 Transistor modules MOSFET
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IXTN60N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn60n50_datasheet.pdf.pdf IXTN60N50L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN62N50L IXTN62N50L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9392E61DBF820&compId=IXTN62N50L.pdf?ci_sign=53a17ba4d1e62ccd79aaf2583022167ac9112e55 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 62A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.1Ω
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 550nC
Technology: Linear™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN80N30L2 IXYS IXTN80N30L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN8N150L IXYS IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
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IXTN90N25L2 IXTN90N25L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8E2E048735820&compId=IXTN90N25L2.pdf?ci_sign=6a285a5bc74e4e1c8e1650aa50849cbbf7eb30a3 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A
Drain current: 90A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 640nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 360A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 266ns
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN90P20P IXTN90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979492C3F64C2748&compId=IXTN90P20P.pdf?ci_sign=a8e50718a247f46e2906074292bba4b1736a5cc4 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -270A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.52 EUR
12+6.19 EUR
13+5.86 EUR
50+5.65 EUR
100+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTP02N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 IXTP02N120P THT N channel transistors
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IXTP02N50D IXTP02N50D IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B49599820&compId=IXTP02N50D.pdf?ci_sign=7c63629b80656d24b64dc55efa4f5870d4ea98b3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.2A; 25W; TO220AB; 5ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 30Ω
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 5ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP05N100 IXTP05N100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP05N100M IXTP05N100M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B495AF820&compId=IXTP05N100M.pdf?ci_sign=22dedd1505f2893fd7c4f30fd914ac61d85a74fc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP05N100P IXTP05N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12CB820&compId=IXTP05N100P.pdf?ci_sign=d4781f4c3352d29dcd458ddadab27f78de1e370d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP06N120P IXYS IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf IXTP06N120P THT N channel transistors
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IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
100+1.96 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.6 EUR
31+2.36 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
250+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf IXTP08N120P THT N channel transistors
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IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.59 EUR
35+2.07 EUR
37+1.96 EUR
100+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15T IXTP102N15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12E1820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)102N15T.pdf?ci_sign=a7dd4f01d2a4226a8b0a38e27af5b16600fca392 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 102A
Power dissipation: 455W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 97ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF91769AF6A03E27&compId=IXTK140N20P-DTE.pdf?ci_sign=08600a905672f16d4200168350a2bb2948e0f97d
IXTK140N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N30P a
Hersteller: IXYS
IXTK140N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Hersteller: IXYS
IXTK170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.45 EUR
7+11.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170p10p-datasheet?assetguid=68622d8b-7303-4f51-80e6-161b6a15098f
Hersteller: IXYS
IXTK170P10P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK17N120L
Hersteller: IXYS
IXTK17N120L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9188AFD9C59E27&compId=IXTK180N15P-DTE.pdf?ci_sign=2ad7003b8dcc314cadea14ef7581e19529865817
IXTK180N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.91 EUR
5+14.71 EUR
6+13.91 EUR
10+13.51 EUR
25+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB34B86A2118BF&compId=IXT_200N10L2.pdf?ci_sign=49250d98063d2d45ebec8fdfc12b5a8fca96c13d
IXTK200N10L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 540nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 245ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d
IXTK200N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.06 EUR
5+14.41 EUR
6+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD34BF01127820&compId=IXTK(X)20N150.pdf?ci_sign=5b2aa8b5101db2e0624fd882f4176f4c1fee0d13
IXTK20N150
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8
IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
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IXTK22N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8
IXTK22N100L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
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IXTK240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK240N075L2 THT N channel transistors
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IXTK32P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529
IXTK32P60P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
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IXTK3N250L media?resourcetype=datasheets&itemid=697abaf0-8e4f-4022-850a-2222f0e095db&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_3n250l_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK3N250L THT N channel transistors
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IXTK40P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6
Hersteller: IXYS
IXTK40P50P THT P channel transistors
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IXTK46N50L 38fac45f75894f078db00809a75465c2.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK46N50L THT N channel transistors
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IXTK550N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B03B813A9820&compId=IXTK(X)550N055T2.pdf?ci_sign=f1ad32c02f9d29b7483f944fa5a5ab884958f33f
IXTK550N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 550A; 1250W; TO264; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
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IXTK600N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_600n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK600N04T2 THT N channel transistors
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IXTK60N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK60N50L2 THT N channel transistors
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IXTK82N25P a
Hersteller: IXYS
IXTK82N25P THT N channel transistors
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IXTK8N150L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK8N150L THT N channel transistors
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IXTK90N25L2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Linear-IXT-90N25-Datasheet.PDF?assetguid=85B50793-C43C-4B40-A84C-3DCCA3D22A7B
Hersteller: IXYS
IXTK90N25L2 THT N channel transistors
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IXTK90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794AD067C676748&compId=IXTK90P20P.pdf?ci_sign=ed63f46a927f39a8d31abb3fd7ed4da28939b52c
IXTK90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
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IXTL2N450
Hersteller: IXYS
IXTL2N450 THT N channel transistors
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IXTL2N470
Hersteller: IXYS
IXTL2N470 THT N channel transistors
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IXTN102N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9E6330B4C1820&compId=IXTN102N65X2.pdf?ci_sign=9e7b58dfb51537d8509f57c064d3549be58d17de
IXTN102N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 204A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 450ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8D4C2C0D3B820&compId=IXTN110N20L2.pdf?ci_sign=22d1ef7a7256a11bcc8df888639ad4005a52d7b3
IXTN110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 420ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Linear L2™
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixtn170p10p-datasheet?assetguid=a5324887-08b2-496a-afd1-beb2354decfc
Hersteller: IXYS
IXTN170P10P Transistor modules MOSFET
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IXTN17N120L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA81B9EFCD51820&compId=IXTN17N120L.pdf?ci_sign=67609d109998c6dd7eef97d1d408d6559bb9508b
IXTN17N120L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 0.9Ω
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Technology: Linear™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.83µs
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2 DS100238IXTN200N10L2.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN200N10L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN200N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixtn200n10t-datasheet?assetguid=c78c43fa-9c23-4a31-a344-9f883b414062
Hersteller: IXYS
IXTN200N10T Transistor modules MOSFET
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IXTN210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949FD586272748&compId=IXTN210P10T.pdf?ci_sign=c7eaa6ff621298b381d20e5aabc3375642501283
IXTN210P10T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -800A
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 830W
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA743238E52B820&compId=IXTN22N100L.pdf?ci_sign=bd0f90a435af556a9c7a240091db1d3ed3d343fd
IXTN22N100L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 22A; SOT227B; screw; Idm: 50A; 700W
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.6Ω
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA762DDC51FD820&compId=IXTN30N100L.pdf?ci_sign=1267cd27b10289fdcc054aa2d6c82d9805b1b00e
IXTN30N100L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Linear™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN32P60P DS99991(IXTN32P60P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTN32P60P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN46N50L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9230E5AE5F820&compId=IXTN46N50L.pdf?ci_sign=9ab81abbb1adcc6fd1ccf3ad5339605b98bf9c2d
IXTN46N50L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 46A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN550N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C3A24CD3A38BF&compId=IXTN550N055T2.pdf?ci_sign=2324e5fc4b6c33e3b1310d090cd76dd431fc6848
IXTN550N055T2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 55V; 550A; SOT227B; screw; Idm: 1.65kA
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 1.65kA
Power dissipation: 940W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN600N04T2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtn600n04t2-datasheet?assetguid=ce9fe6c5-553e-48d1-b7ff-931b370a3ea5
Hersteller: IXYS
IXTN600N04T2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn60n50_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN60N50L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9392E61DBF820&compId=IXTN62N50L.pdf?ci_sign=53a17ba4d1e62ccd79aaf2583022167ac9112e55
IXTN62N50L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 62A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.1Ω
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 550nC
Technology: Linear™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN80N30L2
Hersteller: IXYS
IXTN80N30L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150L
Hersteller: IXYS
IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8E2E048735820&compId=IXTN90N25L2.pdf?ci_sign=6a285a5bc74e4e1c8e1650aa50849cbbf7eb30a3
IXTN90N25L2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A
Drain current: 90A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 640nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 360A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 266ns
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979492C3F64C2748&compId=IXTN90P20P.pdf?ci_sign=a8e50718a247f46e2906074292bba4b1736a5cc4
IXTN90P20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -270A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf
IXTP01N100D
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
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Anzahl Preis
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12+6.19 EUR
13+5.86 EUR
50+5.65 EUR
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IXTP02N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
Hersteller: IXYS
IXTP02N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTP02N50D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B49599820&compId=IXTP02N50D.pdf?ci_sign=7c63629b80656d24b64dc55efa4f5870d4ea98b3
IXTP02N50D
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.2A; 25W; TO220AB; 5ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 30Ω
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 5ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f
IXTP05N100
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B495AF820&compId=IXTP05N100M.pdf?ci_sign=22dedd1505f2893fd7c4f30fd914ac61d85a74fc
IXTP05N100M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12CB820&compId=IXTP05N100P.pdf?ci_sign=d4781f4c3352d29dcd458ddadab27f78de1e370d
IXTP05N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120P IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP06N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTP08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
100+1.96 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a
IXTP08N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.6 EUR
31+2.36 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
250+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP08N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c
IXTP08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
35+2.07 EUR
37+1.96 EUR
100+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003
IXTP100N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12E1820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)102N15T.pdf?ci_sign=a7dd4f01d2a4226a8b0a38e27af5b16600fca392
IXTP102N15T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 102A
Power dissipation: 455W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 97ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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