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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTK90N25L2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Linear-IXT-90N25-Datasheet.PDF?assetguid=85B50793-C43C-4B40-A84C-3DCCA3D22A7B IXTK90N25L2 THT N channel transistors
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IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794AD067C676748&compId=IXTK90P20P.pdf?ci_sign=ed63f46a927f39a8d31abb3fd7ed4da28939b52c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.26 EUR
10+19.48 EUR
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IXTL2N450 IXYS IXTL2N450 THT N channel transistors
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IXTL2N470 IXYS IXTL2N470 THT N channel transistors
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IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9E6330B4C1820&compId=IXTN102N65X2.pdf?ci_sign=9e7b58dfb51537d8509f57c064d3549be58d17de Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 204A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 450ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8D4C2C0D3B820&compId=IXTN110N20L2.pdf?ci_sign=22d1ef7a7256a11bcc8df888639ad4005a52d7b3 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 420ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Linear L2™
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
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IXTN170P10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn170p10p-datasheet?assetguid=a5324887-08b2-496a-afd1-beb2354decfc IXTN170P10P Transistor modules MOSFET
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IXTN17N120L IXTN17N120L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA81B9EFCD51820&compId=IXTN17N120L.pdf?ci_sign=67609d109998c6dd7eef97d1d408d6559bb9508b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 0.9Ω
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Technology: Linear™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.83µs
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN200N10L2 IXYS IXTN200N10L2 Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
100+50.24 EUR
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IXTN200N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn200n10t-datasheet?assetguid=c78c43fa-9c23-4a31-a344-9f883b414062 IXTN200N10T Transistor modules MOSFET
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IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949FD586272748&compId=IXTN210P10T.pdf?ci_sign=c7eaa6ff621298b381d20e5aabc3375642501283 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: -800A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN22N100L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn22n100l_datasheet.pdf.pdf IXTN22N100L Transistor modules MOSFET
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IXTN240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN30N100L IXTN30N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA762DDC51FD820&compId=IXTN30N100L.pdf?ci_sign=1267cd27b10289fdcc054aa2d6c82d9805b1b00e Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Linear™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN32P60P IXTN32P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949C94D6AA0748&compId=IXTN32P60P.pdf?ci_sign=035c5f108d26aae1df24efb3d52a2cd107ac837f Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -600V; -32A; SOT227B; screw; Idm: -96A
Case: SOT227B
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -96A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 890W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
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IXTN46N50L IXTN46N50L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9230E5AE5F820&compId=IXTN46N50L.pdf?ci_sign=9ab81abbb1adcc6fd1ccf3ad5339605b98bf9c2d Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 46A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTN550N055T2 Transistor modules MOSFET
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IXTN600N04T2 IXTN600N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF5F55F2CE31820&compId=IXTN600N04T2.pdf?ci_sign=21248338ae2fa9deea23c6d6848e893366c6ced4 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 40V; 600A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
On-state resistance: 1.3mΩ
Power dissipation: 940W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 590nC
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1.8kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN60N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn60n50_datasheet.pdf.pdf IXTN60N50L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN62N50L IXTN62N50L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9392E61DBF820&compId=IXTN62N50L.pdf?ci_sign=53a17ba4d1e62ccd79aaf2583022167ac9112e55 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 62A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.1Ω
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 550nC
Technology: Linear™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN80N30L2 IXYS IXTN80N30L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN8N150L IXYS IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
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IXTN90N25L2 IXTN90N25L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8E2E048735820&compId=IXTN90N25L2.pdf?ci_sign=6a285a5bc74e4e1c8e1650aa50849cbbf7eb30a3 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A
Drain current: 90A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 640nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 360A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 266ns
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20P IXTN90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979492C3F64C2748&compId=IXTN90P20P.pdf?ci_sign=a8e50718a247f46e2906074292bba4b1736a5cc4 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -270A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.17 EUR
12+6.19 EUR
13+5.85 EUR
250+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTP02N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 IXTP02N120P THT N channel transistors
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IXTP02N50D IXTP02N50D IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B49599820&compId=IXTP02N50D.pdf?ci_sign=7c63629b80656d24b64dc55efa4f5870d4ea98b3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.2A; 25W; TO220AB; 5ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 30Ω
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 5ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100 IXTP05N100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100M IXTP05N100M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B495AF820&compId=IXTP05N100M.pdf?ci_sign=22dedd1505f2893fd7c4f30fd914ac61d85a74fc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100P IXTP05N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12CB820&compId=IXTP05N100P.pdf?ci_sign=d4781f4c3352d29dcd458ddadab27f78de1e370d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTP06N120P IXYS IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf IXTP06N120P THT N channel transistors
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IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
100+1.96 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.6 EUR
31+2.36 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
250+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf IXTP08N120P THT N channel transistors
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.59 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
100+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IXTP102N15T IXTP102N15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12E1820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)102N15T.pdf?ci_sign=a7dd4f01d2a4226a8b0a38e27af5b16600fca392 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 102A
Power dissipation: 455W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 97ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12F7820&compId=IXTP10N60P.pdf?ci_sign=c8a5cd7138ab74dee443f89a317f173a43bfad11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP10P15T IXTP10P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.55 EUR
14+5.32 EUR
15+5.02 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A327B8DD935820&compId=IXTA(P)110N055T2.pdf?ci_sign=95ba3ca6ece76e436480df8f9f361f529bc19588 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
250+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTP120N04T2 IXTP120N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA2CF46A37D820&compId=IXTA(P)120N04T2.pdf?ci_sign=9781234723d86244a767988de041b1dde0e2fcc1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns
Reverse recovery time: 35ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 6.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP120N075T2 IXTP120N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA3439A5B43820&compId=IXTA(P)120N075T2.pdf?ci_sign=a989206584ccedc296376c463764890b543910ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.04 EUR
15+5.02 EUR
16+4.73 EUR
500+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.5Ω
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
21+3.46 EUR
26+2.76 EUR
28+2.6 EUR
250+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IXTP12N65X2 IXTP12N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP12N65X2M IXTP12N65X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 17.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP12N70X2 IXTP12N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IXTP12N70X2M IXTP12N70X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb IXTP130N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
17+4.2 EUR
50+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N15X4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf IXTP130N15X4 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.11 EUR
13+5.52 EUR
14+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTP140N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N12T2 IXTP140N12T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDE4D4C598B820&compId=IXTA(P)140N12T2.pdf?ci_sign=96847b55de5591e2d4cc16630b5a64962539e9ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 577W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 174nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 65ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0BDE6F66F58BF&compId=IXT_140P05T.pdf?ci_sign=268333924a43654bc82c3125d67058d0e0a6216e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.48 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
500+5.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P IXYS a IXTP14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PM IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp14n60pm_datasheet.pdf.pdf IXTP14N60PM THT N channel transistors
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IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.79 EUR
16+4.46 EUR
500+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893A5E251C9820&compId=IXTH(P)150N15X4.pdf?ci_sign=e12fd6602b056817d889d35f60740c06e4058b1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.27 EUR
10+7.26 EUR
11+6.86 EUR
50+6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTK90N25L2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Linear-IXT-90N25-Datasheet.PDF?assetguid=85B50793-C43C-4B40-A84C-3DCCA3D22A7B
Hersteller: IXYS
IXTK90N25L2 THT N channel transistors
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IXTK90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794AD067C676748&compId=IXTK90P20P.pdf?ci_sign=ed63f46a927f39a8d31abb3fd7ed4da28939b52c
IXTK90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.26 EUR
10+19.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXTL2N450
Hersteller: IXYS
IXTL2N450 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470
Hersteller: IXYS
IXTL2N470 THT N channel transistors
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IXTN102N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9E6330B4C1820&compId=IXTN102N65X2.pdf?ci_sign=9e7b58dfb51537d8509f57c064d3549be58d17de
IXTN102N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 204A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 450ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN110N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8D4C2C0D3B820&compId=IXTN110N20L2.pdf?ci_sign=22d1ef7a7256a11bcc8df888639ad4005a52d7b3
IXTN110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 420ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Linear L2™
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
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IXTN170P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixtn170p10p-datasheet?assetguid=a5324887-08b2-496a-afd1-beb2354decfc
Hersteller: IXYS
IXTN170P10P Transistor modules MOSFET
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IXTN17N120L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA81B9EFCD51820&compId=IXTN17N120L.pdf?ci_sign=67609d109998c6dd7eef97d1d408d6559bb9508b
IXTN17N120L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 0.9Ω
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Technology: Linear™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.83µs
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN200N10L2
Hersteller: IXYS
IXTN200N10L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN200N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixtn200n10t-datasheet?assetguid=c78c43fa-9c23-4a31-a344-9f883b414062
Hersteller: IXYS
IXTN200N10T Transistor modules MOSFET
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IXTN210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949FD586272748&compId=IXTN210P10T.pdf?ci_sign=c7eaa6ff621298b381d20e5aabc3375642501283
IXTN210P10T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: -800A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN22N100L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn22n100l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN22N100L Transistor modules MOSFET
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IXTN240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN30N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA762DDC51FD820&compId=IXTN30N100L.pdf?ci_sign=1267cd27b10289fdcc054aa2d6c82d9805b1b00e
IXTN30N100L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Linear™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN32P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949C94D6AA0748&compId=IXTN32P60P.pdf?ci_sign=035c5f108d26aae1df24efb3d52a2cd107ac837f
IXTN32P60P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -600V; -32A; SOT227B; screw; Idm: -96A
Case: SOT227B
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -96A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 890W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
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IXTN46N50L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9230E5AE5F820&compId=IXTN46N50L.pdf?ci_sign=9ab81abbb1adcc6fd1ccf3ad5339605b98bf9c2d
IXTN46N50L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 46A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN550N055T2 Transistor modules MOSFET
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IXTN600N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF5F55F2CE31820&compId=IXTN600N04T2.pdf?ci_sign=21248338ae2fa9deea23c6d6848e893366c6ced4
IXTN600N04T2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 40V; 600A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
On-state resistance: 1.3mΩ
Power dissipation: 940W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 590nC
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1.8kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN60N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn60n50_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN60N50L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN62N50L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9392E61DBF820&compId=IXTN62N50L.pdf?ci_sign=53a17ba4d1e62ccd79aaf2583022167ac9112e55
IXTN62N50L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 62A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.1Ω
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 550nC
Technology: Linear™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN80N30L2
Hersteller: IXYS
IXTN80N30L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150L
Hersteller: IXYS
IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
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IXTN90N25L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8E2E048735820&compId=IXTN90N25L2.pdf?ci_sign=6a285a5bc74e4e1c8e1650aa50849cbbf7eb30a3
IXTN90N25L2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A
Drain current: 90A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 640nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 360A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 266ns
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979492C3F64C2748&compId=IXTN90P20P.pdf?ci_sign=a8e50718a247f46e2906074292bba4b1736a5cc4
IXTN90P20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -270A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf
IXTP01N100D
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.17 EUR
12+6.19 EUR
13+5.85 EUR
250+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTP02N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
Hersteller: IXYS
IXTP02N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B49599820&compId=IXTP02N50D.pdf?ci_sign=7c63629b80656d24b64dc55efa4f5870d4ea98b3
IXTP02N50D
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.2A; 25W; TO220AB; 5ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 30Ω
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 5ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f
IXTP05N100
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B495AF820&compId=IXTP05N100M.pdf?ci_sign=22dedd1505f2893fd7c4f30fd914ac61d85a74fc
IXTP05N100M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12CB820&compId=IXTP05N100P.pdf?ci_sign=d4781f4c3352d29dcd458ddadab27f78de1e370d
IXTP05N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120P IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP06N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTP08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
100+1.96 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IXTP08N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a
IXTP08N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.6 EUR
31+2.36 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
250+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP08N120P THT N channel transistors
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IXTP08N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c
IXTP08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003
IXTP100N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12E1820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)102N15T.pdf?ci_sign=a7dd4f01d2a4226a8b0a38e27af5b16600fca392
IXTP102N15T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 102A
Power dissipation: 455W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 97ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12F7820&compId=IXTP10N60P.pdf?ci_sign=c8a5cd7138ab74dee443f89a317f173a43bfad11
IXTP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af
IXTP10P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e
IXTP10P50P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.55 EUR
14+5.32 EUR
15+5.02 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A327B8DD935820&compId=IXTA(P)110N055T2.pdf?ci_sign=95ba3ca6ece76e436480df8f9f361f529bc19588
IXTP110N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
250+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA2CF46A37D820&compId=IXTA(P)120N04T2.pdf?ci_sign=9781234723d86244a767988de041b1dde0e2fcc1
IXTP120N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns
Reverse recovery time: 35ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 6.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA3439A5B43820&compId=IXTA(P)120N075T2.pdf?ci_sign=a989206584ccedc296376c463764890b543910ce
IXTP120N075T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTP120P065T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.04 EUR
15+5.02 EUR
16+4.73 EUR
500+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8
IXTP12N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.5Ω
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
21+3.46 EUR
26+2.76 EUR
28+2.6 EUR
250+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295
IXTP12N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 17.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N70X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N70X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb
Hersteller: IXYS
IXTP130N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
17+4.2 EUR
50+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N15X4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP130N15X4 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.11 EUR
13+5.52 EUR
14+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP140N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDE4D4C598B820&compId=IXTA(P)140N12T2.pdf?ci_sign=96847b55de5591e2d4cc16630b5a64962539e9ba
IXTP140N12T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 577W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 174nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 65ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0BDE6F66F58BF&compId=IXT_140P05T.pdf?ci_sign=268333924a43654bc82c3125d67058d0e0a6216e
IXTP140P05T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.48 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
500+5.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P a
Hersteller: IXYS
IXTP14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PM littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp14n60pm_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP14N60PM THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.79 EUR
16+4.46 EUR
500+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP150N15X4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893A5E251C9820&compId=IXTH(P)150N15X4.pdf?ci_sign=e12fd6602b056817d889d35f60740c06e4058b1c
IXTP150N15X4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.27 EUR
10+7.26 EUR
11+6.86 EUR
50+6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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