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VUO52-22NO1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=10EEB412-5AB9-49EA-9FFB-9C193B8DDEAC&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO52-22NO1-Datasheet VUO52-22NO1 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 37 Stücke:
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2+48.33 EUR
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VUO62-12NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf VUO62-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 15 Stücke:
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2+37.11 EUR
3+35.09 EUR
10+34.42 EUR
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VUO68-08NO7 IXYS VUO68-08NO7.pdf VUO68-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 7 Stücke:
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4+21.18 EUR
5+14.89 EUR
100+14.49 EUR
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VUO68-12NO7 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=96176953-915C-4B07-B937-EDD0762CC4B8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO68-12NO7-Datasheet VUO68-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 10 Stücke:
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4+21.18 EUR
5+15.66 EUR
25+15.49 EUR
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VUO68-16NO7 VUO68-16NO7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2920A1362DBFCF19A99005056AB752F&compId=VUO68-16NO7.pdf?ci_sign=fbd0ecee230da44ce53781abb73e734948a92ccc Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 68A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 68A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Electrical mounting: THT
Version: module
Max. forward voltage: 1.5V
Leads: wire Ø 1.5mm
Case: ECO-PAC 1
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
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4+18.86 EUR
5+17.59 EUR
10+16.55 EUR
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VUO80-12NO1 IXYS VUO80-12NO1.pdf VUO80-12NO1 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 38 Stücke:
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2+36.81 EUR
3+34.81 EUR
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VUO80-16NO1 IXYS VUO80-16NO1.pdf VUO80-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 43 Stücke:
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2+38.67 EUR
10+38.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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VUO82-08NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf VUO82-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 9 Stücke:
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2+38.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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VUO82-12NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf description VUO82-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 16 Stücke:
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2+40.6 EUR
10+39.04 EUR
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VUO82-14NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf VUO82-14NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 16 Stücke:
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2+42.53 EUR
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VUO82-16NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf VUO82-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 29 Stücke:
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2+44.47 EUR
10+43.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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VUO82-18NO7 IXYS VUO62%2CVU082.pdf VUO82-18NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 4 Stücke:
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2+46.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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VUO86-16NO7 VUO86-16NO7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588F7C6A4B9FAE469&compId=VUO86-16NO7.pdf?ci_sign=a88f7f008cedc2c13da3d6b2ce3fe715a9f7945d Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 86A; Ifsm: 550A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 86A
Max. forward impulse current: 0.55kA
Electrical mounting: THT
Version: module
Max. forward voltage: 1.51V
Leads: wire Ø 1.5mm
Case: ECO-PAC 1
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.84 EUR
5+17.1 EUR
10+15.17 EUR
25+14.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VVZ40-16IO1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=A99B4C28-9320-4BC5-9C0A-A515F5BA588A&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VVZ40-16io1-Datasheet VVZ40-16IO1 Three phase controlled bridge rectif.
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+46.4 EUR
10+45.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VWO35-08ho7 IXYS VWO35-08HO7.pdf VWO35-08HO7 Thyristor modules
auf Bestellung 23 Stücke:
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3+28.93 EUR
4+19.33 EUR
100+19.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XAA117 XAA117 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B495B30F36C0C7&compId=XAA117.pdf?ci_sign=77132553ff3a4f20566f562d6dd863227af09005 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
50+2.72 EUR
250+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XAA117P XAA117P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B495B30F36C0C7&compId=XAA117.pdf?ci_sign=77132553ff3a4f20566f562d6dd863227af09005 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
50+2.72 EUR
250+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XAA117S XAA117S IXYS XAA117.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.59 EUR
50+3.02 EUR
250+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XAA170 IXYS littelfuse-integrated-circuits-xaa170-datasheet?assetguid=e8f02f01-5ba4-4188-bf4f-96e953e7b306 XAA170 One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.85 EUR
18+4.16 EUR
19+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XAA170S IXYS XAA170.pdf XAA170S One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.12 EUR
18+4.16 EUR
19+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XBB170 XBB170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B495B30F3A00C7&compId=XBB170.pdf?ci_sign=00fa93de2696ad932ea5cc4d0329771fb18f0a2c Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.99 EUR
14+5.23 EUR
250+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XBB170P IXYS XBB170P One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.74 EUR
15+4.89 EUR
16+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XBB170S IXYS XBB170S One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.74 EUR
15+4.89 EUR
16+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XCA170 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0752b126-0ddf-488c-a08c-3a813a64ef47&filename=littelfuse-integrated-circuits-xca170-datasheet XCA170 One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
35+2.06 EUR
37+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XCA170S IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0752b126-0ddf-488c-a08c-3a813a64ef47&filename=littelfuse-integrated-circuits-xca170-datasheet XCA170S One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.55 EUR
35+2.07 EUR
37+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XS170S IXYS XS170.pdf XS170S One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.99 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N120B Ixys littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N60 Ixys crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.25 EUR
8+9.14 EUR
10+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.74 EUR
10+10.54 EUR
30+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60X IXFQ50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N60X IXFQ60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.64 EUR
11+6.75 EUR
12+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.13 EUR
26+2.77 EUR
29+2.5 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.12 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS IXTP8N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.66 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS IXYP10N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.53 EUR
6+12.28 EUR
10+10.93 EUR
30+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.25 EUR
5+23.01 EUR
10+20.62 EUR
25+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.13 EUR
16+4.48 EUR
22+3.35 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.08 EUR
17+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.19 EUR
25+2.89 EUR
29+2.53 EUR
50+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS IXYP15N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 122ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 102ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS IXYP15N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 122ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS16-0045A DSS16-0045A IXYS DSS16-0045A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS16-0045AS-TUB IXYS DSS16-0045A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO52-22NO1 media?resourcetype=datasheets&itemid=10EEB412-5AB9-49EA-9FFB-9C193B8DDEAC&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO52-22NO1-Datasheet
Hersteller: IXYS
VUO52-22NO1 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+48.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO62-12NO7 VUO62%2CVU082.pdf
Hersteller: IXYS
VUO62-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.11 EUR
3+35.09 EUR
10+34.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO68-08NO7 VUO68-08NO7.pdf
Hersteller: IXYS
VUO68-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.18 EUR
5+14.89 EUR
100+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO68-12NO7 media?resourcetype=datasheets&itemid=96176953-915C-4B07-B937-EDD0762CC4B8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO68-12NO7-Datasheet
Hersteller: IXYS
VUO68-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.18 EUR
5+15.66 EUR
25+15.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO68-16NO7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2920A1362DBFCF19A99005056AB752F&compId=VUO68-16NO7.pdf?ci_sign=fbd0ecee230da44ce53781abb73e734948a92ccc
VUO68-16NO7
Hersteller: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 68A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 68A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Electrical mounting: THT
Version: module
Max. forward voltage: 1.5V
Leads: wire Ø 1.5mm
Case: ECO-PAC 1
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.86 EUR
5+17.59 EUR
10+16.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO80-12NO1 VUO80-12NO1.pdf
Hersteller: IXYS
VUO80-12NO1 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.81 EUR
3+34.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO80-16NO1 VUO80-16NO1.pdf
Hersteller: IXYS
VUO80-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.67 EUR
10+38.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO82-08NO7 VUO62%2CVU082.pdf
Hersteller: IXYS
VUO82-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO82-12NO7 description VUO62%2CVU082.pdf
Hersteller: IXYS
VUO82-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+40.6 EUR
10+39.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO82-14NO7 VUO62%2CVU082.pdf
Hersteller: IXYS
VUO82-14NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+42.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO82-16NO7 VUO62%2CVU082.pdf
Hersteller: IXYS
VUO82-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.47 EUR
10+43.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO82-18NO7 VUO62%2CVU082.pdf
Hersteller: IXYS
VUO82-18NO7 Three phase diode bridge rectifiers
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VUO86-16NO7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588F7C6A4B9FAE469&compId=VUO86-16NO7.pdf?ci_sign=a88f7f008cedc2c13da3d6b2ce3fe715a9f7945d
VUO86-16NO7
Hersteller: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 86A; Ifsm: 550A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 86A
Max. forward impulse current: 0.55kA
Electrical mounting: THT
Version: module
Max. forward voltage: 1.51V
Leads: wire Ø 1.5mm
Case: ECO-PAC 1
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.84 EUR
5+17.1 EUR
10+15.17 EUR
25+14.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VVZ40-16IO1 media?resourcetype=datasheets&itemid=A99B4C28-9320-4BC5-9C0A-A515F5BA588A&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VVZ40-16io1-Datasheet
Hersteller: IXYS
VVZ40-16IO1 Three phase controlled bridge rectif.
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.4 EUR
10+45.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VWO35-08ho7 VWO35-08HO7.pdf
Hersteller: IXYS
VWO35-08HO7 Thyristor modules
auf Bestellung 23 Stücke:
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3+28.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XAA117 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B495B30F36C0C7&compId=XAA117.pdf?ci_sign=77132553ff3a4f20566f562d6dd863227af09005
XAA117
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
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Anzahl Preis
18+4.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XAA117P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B495B30F36C0C7&compId=XAA117.pdf?ci_sign=77132553ff3a4f20566f562d6dd863227af09005
XAA117P
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
On-state resistance: 16Ω
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.13 EUR
50+2.72 EUR
250+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XAA117S XAA117.pdf
XAA117S
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
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Anzahl Preis
16+4.59 EUR
50+3.02 EUR
250+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XAA170 littelfuse-integrated-circuits-xaa170-datasheet?assetguid=e8f02f01-5ba4-4188-bf4f-96e953e7b306
Hersteller: IXYS
XAA170 One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 250 Stücke:
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18+4.16 EUR
19+3.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XAA170S XAA170.pdf
Hersteller: IXYS
XAA170S One Phase Solid State Relays
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8+9.12 EUR
18+4.16 EUR
19+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XBB170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B495B30F3A00C7&compId=XBB170.pdf?ci_sign=00fa93de2696ad932ea5cc4d0329771fb18f0a2c
XBB170
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
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Anzahl Preis
12+5.99 EUR
14+5.23 EUR
250+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XBB170P
Hersteller: IXYS
XBB170P One Phase Solid State Relays
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7+10.74 EUR
15+4.89 EUR
16+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XBB170S
Hersteller: IXYS
XBB170S One Phase Solid State Relays
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7+10.74 EUR
15+4.89 EUR
16+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XCA170 media?resourcetype=datasheets&itemid=0752b126-0ddf-488c-a08c-3a813a64ef47&filename=littelfuse-integrated-circuits-xca170-datasheet
Hersteller: IXYS
XCA170 One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 239 Stücke:
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22+3.27 EUR
35+2.06 EUR
37+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XCA170S media?resourcetype=datasheets&itemid=0752b126-0ddf-488c-a08c-3a813a64ef47&filename=littelfuse-integrated-circuits-xca170-datasheet
Hersteller: IXYS
XCA170S One Phase Solid State Relays
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Anzahl Preis
16+4.55 EUR
35+2.07 EUR
37+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XS170S XS170.pdf
Hersteller: IXYS
XS170S One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 249 Stücke:
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Anzahl Preis
15+4.99 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N120B littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Ixys
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N60 crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Ixys
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.25 EUR
8+9.14 EUR
10+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.74 EUR
10+10.54 EUR
30+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFQ50N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767
IXFN56N90P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFH60N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFQ60N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.64 EUR
11+6.75 EUR
12+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKH24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKP24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFP8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
26+2.77 EUR
29+2.5 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.12 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M.pdf
IXTP8N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3.pdf
IXYP10N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.53 EUR
6+12.28 EUR
10+10.93 EUR
30+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.25 EUR
5+23.01 EUR
10+20.62 EUR
25+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
16+4.48 EUR
22+3.35 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
17+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
25+2.89 EUR
29+2.53 EUR
50+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3.pdf
IXYP15N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 122ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYP15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 102ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M.pdf
IXYP15N65C3D1M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 122ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS16-0045A DSS16-0045A.pdf
DSS16-0045A
Hersteller: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS16-0045AS-TUB DSS16-0045A.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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