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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTH12N100L IXTH12N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917F1820&compId=IXTH12N100L.pdf?ci_sign=063f94f56b2999358eaa03eb222f63a951994af2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N150 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth12n150_datasheet.pdf.pdf IXTH12N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N65X2 IXTH12N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91807820&compId=IXTH12N70X2.pdf?ci_sign=98c9b07086da1e62cdc3bf271cfc9a447d4cf5d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Power dissipation: 180W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH130N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf.pdf IXTH130N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140N075L2 IXYS IXTH140N075L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05T IXTH140P05T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0BDE6F66F58BF&compId=IXT_140P05T.pdf?ci_sign=268333924a43654bc82c3125d67058d0e0a6216e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.04 EUR
9+8.31 EUR
30+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T IXTH140P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04D36549478BF&compId=IXT_140P10T.pdf?ci_sign=82e79b46bffa7ad38449867cfa0dd075c83d0c9f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
510+15.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.81 EUR
9+8.21 EUR
270+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2 IXTH16N10D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D34AD59A155820&compId=IXTH(T)16N10D2.pdf?ci_sign=75a0ea05d6af26676ff9c6e7db44e6130fed3d9a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 940ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N20D2 IXTH16N20D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35574B86DF820&compId=IXTH(T)16N20D2.pdf?ci_sign=5ea239bb12406bc8372f9c07c4aea2c2ac1c0344 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 607ns
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N50D2 IXTH16N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 130ns
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P60P IXTH16P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N170DHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf IXTH1N170DHV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf IXTH1N200P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf IXTH1N200P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N300P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTH1N300P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N450HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n450hv_datasheet.pdf.pdf IXTH1N450HV THT N channel transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+45.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH200N10T IXYS IXTH200N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.38 EUR
9+8.15 EUR
10+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.4 EUR
10+7.22 EUR
270+7.06 EUR
510+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28496EC34885820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X2.pdf?ci_sign=16011adda623c5560128f4bf46728ed354eb2f2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89 IXTH20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.77 EUR
7+10.41 EUR
8+9.85 EUR
510+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH22N50P IXTH22N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.27Ω
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH240N15X4 IXTH240N15X4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893FF06D6A1820&compId=IXTH240N15X4_HV.pdf?ci_sign=6c49c71e701458fcf3a6a27674e191c3a96a46b4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
On-state resistance: 4.4mΩ
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.92 EUR
6+12.01 EUR
30+11.9 EUR
60+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N50L IXTH24N50L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91825820&compId=IXTH24N50L.pdf?ci_sign=65ce4971a8a2ba17892d822e535deeccc62d7f59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N65X2 IXTH24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Technology: X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 390ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.145Ω
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24P20 IXYS IXTH24P20 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH260N055T2 IXTH260N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B9183B820&compId=IXTH260N055T2.pdf?ci_sign=37da9bdeca5f2967218f2665567ee32f4d9d1a34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60P IXTH26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D522F688F8B820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)26N60P_S.pdf?ci_sign=00e2f7b4fe95c5c6f2d8b57fcefc771d8841088e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26P20P IXTH26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH270N04T4 IXTH270N04T4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Reverse recovery time: 48ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH2N150L IXYS IXTH2N150L THT N channel transistors
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IXTH2N170D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f IXTH2N170D2 THT N channel transistors
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IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28667F1F8651820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L2.pdf?ci_sign=f4abf34c80c9751d46cbc3378dba3ec8f6362d00 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
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IXTH30N50P IXYS a IXTH30N50P THT N channel transistors
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IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Reverse recovery time: 710ns
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IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
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IXTH32N65X IXTH32N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
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IXTH32P20T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF IXTH32P20T THT P channel transistors
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IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99396442E3226F8BF&compId=IXT_34N65X2.pdf?ci_sign=0ea056e8008ffbda4aac0eaac650eb7fba1e7e65 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
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IXTH360N055T2 IXTH360N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF1C858E7B820&compId=IXTH(T)360N055T2.pdf?ci_sign=23fb805fbce6e75a57fc84bdd4dfce3194e210b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Reverse recovery time: 78ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 935W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 330nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
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IXTH36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXTH36N50P THT N channel transistors
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IXTH36P15P IXTH36P15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
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IXTH38N30L2 IXYS IXTH38N30L2 THT N channel transistors
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IXTH3N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf IXTH3N100P THT N channel transistors
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IXTH3N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf IXTH3N120 THT N channel transistors
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IXTH3N150 IXTH3N150 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B494D3820&compId=IXTH3N150.pdf?ci_sign=9f26c436d8a2db1056604f21919c428f65c6491b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
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IXTH3N200P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n200p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTH3N200P3HV THT N channel transistors
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IXTH40N50L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40n50-datasheet?assetguid=3c13a1c7-ab77-4d0f-811a-1876fcfa2bcc IXTH40N50L2 THT N channel transistors
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IXTH420N04T2 IXTH420N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B494E9820&compId=IXTH420N04T2.pdf?ci_sign=9304d2c9a0f1384c4669abc672571b3f8ebff765 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; 935W; TO247-3; 74ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 420A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 74ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH440N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTH440N055T2 THT N channel transistors
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IXTH44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTH44P15T THT P channel transistors
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IXTH450P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf IXTH450P2 THT N channel transistors
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IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
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6+12.13 EUR
8+9.21 EUR
9+8.69 EUR
120+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
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6+13.71 EUR
7+10.44 EUR
8+9.87 EUR
30+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917F1820&compId=IXTH12N100L.pdf?ci_sign=063f94f56b2999358eaa03eb222f63a951994af2
IXTH12N100L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N150 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth12n150_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH12N150 THT N channel transistors
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IXTH12N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295
IXTH12N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N70X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91807820&compId=IXTH12N70X2.pdf?ci_sign=98c9b07086da1e62cdc3bf271cfc9a447d4cf5d4
IXTH12N70X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Power dissipation: 180W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH130N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH130N20T THT N channel transistors
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IXTH140N075L2
Hersteller: IXYS
IXTH140N075L2 THT N channel transistors
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IXTH140P05T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0BDE6F66F58BF&compId=IXT_140P05T.pdf?ci_sign=268333924a43654bc82c3125d67058d0e0a6216e
IXTH140P05T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.04 EUR
9+8.31 EUR
30+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTH140P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04D36549478BF&compId=IXT_140P10T.pdf?ci_sign=82e79b46bffa7ad38449867cfa0dd075c83d0c9f
IXTH140P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
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Anzahl Preis
4+17.88 EUR
510+15.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXTH15N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203
IXTH15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.81 EUR
9+8.21 EUR
270+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D34AD59A155820&compId=IXTH(T)16N10D2.pdf?ci_sign=75a0ea05d6af26676ff9c6e7db44e6130fed3d9a
IXTH16N10D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 940ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N20D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35574B86DF820&compId=IXTH(T)16N20D2.pdf?ci_sign=5ea239bb12406bc8372f9c07c4aea2c2ac1c0344
IXTH16N20D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 607ns
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005
IXTH16N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 130ns
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957
IXTH16P60P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N170DHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N170DHV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N200P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N200P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N300P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N300P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N450HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n450hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N450HV THT N channel transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+45.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH200N10T
Hersteller: IXYS
IXTH200N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.38 EUR
9+8.15 EUR
10+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c
IXTH20N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.4 EUR
10+7.22 EUR
270+7.06 EUR
510+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28496EC34885820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X2.pdf?ci_sign=16011adda623c5560128f4bf46728ed354eb2f2f
IXTH20N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89
Hersteller: IXYS
IXTH20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.77 EUR
7+10.41 EUR
8+9.85 EUR
510+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH22N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073
IXTH22N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.27Ω
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH240N15X4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893FF06D6A1820&compId=IXTH240N15X4_HV.pdf?ci_sign=6c49c71e701458fcf3a6a27674e191c3a96a46b4
IXTH240N15X4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
On-state resistance: 4.4mΩ
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.92 EUR
6+12.01 EUR
30+11.9 EUR
60+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N50L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91825820&compId=IXTH24N50L.pdf?ci_sign=65ce4971a8a2ba17892d822e535deeccc62d7f59
IXTH24N50L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTH24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Technology: X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 390ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.145Ω
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24P20
Hersteller: IXYS
IXTH24P20 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH260N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B9183B820&compId=IXTH260N055T2.pdf?ci_sign=37da9bdeca5f2967218f2665567ee32f4d9d1a34
IXTH260N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D522F688F8B820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)26N60P_S.pdf?ci_sign=00e2f7b4fe95c5c6f2d8b57fcefc771d8841088e
IXTH26N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTH26P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH270N04T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81
IXTH270N04T4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Reverse recovery time: 48ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
30+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N150L
Hersteller: IXYS
IXTH2N150L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N170D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f
Hersteller: IXYS
IXTH2N170D2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N300P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2n300p3hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH2N300P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2R4N120P DS99873B(IXTA-H-P2R4N120P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTH2R4N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH300N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth300n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH300N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28667F1F8651820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L2.pdf?ci_sign=f4abf34c80c9751d46cbc3378dba3ec8f6362d00
IXTH30N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50P a
Hersteller: IXYS
IXTH30N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0
IXTH30N60L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.84 EUR
8+9.38 EUR
9+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718
IXTH32N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
11+6.55 EUR
12+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32P20T media?resourcetype=datasheets&itemid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTH32P20T THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH340N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH340N04T4 THT N channel transistors
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IXTH34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99396442E3226F8BF&compId=IXT_34N65X2.pdf?ci_sign=0ea056e8008ffbda4aac0eaac650eb7fba1e7e65
IXTH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH360N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF1C858E7B820&compId=IXTH(T)360N055T2.pdf?ci_sign=23fb805fbce6e75a57fc84bdd4dfce3194e210b5
IXTH360N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Reverse recovery time: 78ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 935W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 330nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH36N50P THT N channel transistors
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IXTH36P10 98908.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH36P10 THT P channel transistors
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IXTH36P15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2
IXTH36P15P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH38N30L2
Hersteller: IXYS
IXTH38N30L2 THT N channel transistors
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IXTH3N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH3N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.91 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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IXTH3N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH3N120 THT N channel transistors
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IXTH3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B494D3820&compId=IXTH3N150.pdf?ci_sign=9f26c436d8a2db1056604f21919c428f65c6491b
IXTH3N150
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH3N200P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n200p3hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH3N200P3HV THT N channel transistors
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IXTH40N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40n50-datasheet?assetguid=3c13a1c7-ab77-4d0f-811a-1876fcfa2bcc
Hersteller: IXYS
IXTH40N50L2 THT N channel transistors
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IXTH420N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B494E9820&compId=IXTH420N04T2.pdf?ci_sign=9304d2c9a0f1384c4669abc672571b3f8ebff765
IXTH420N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; 935W; TO247-3; 74ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 420A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 74ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH440N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
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IXTH44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTH44P15T THT P channel transistors
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8+9.3 EUR
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IXTH450P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH450P2 THT N channel transistors
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IXTH48N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675
IXTH48N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.13 EUR
8+9.21 EUR
9+8.69 EUR
120+8.37 EUR
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IXTH48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e
IXTH48P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
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Anzahl Preis
6+13.71 EUR
7+10.44 EUR
8+9.87 EUR
30+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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