Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFT70N20Q3 | IXYS | IXFT70N20Q3 SMD N channel transistors |
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IXFT70N30Q3 | IXYS | IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors |
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IXFT80N65X2HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT86N30T | IXYS | IXFT86N30T SMD N channel transistors |
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IXFT88N30P | IXYS |
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IXFT94N30P3 | IXYS | IXFT94N30P3 SMD N channel transistors |
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IXFT94N30T | IXYS |
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IXFT96N20P | IXYS | IXFT96N20P SMD N channel transistors |
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IXFX100N65X2 | IXYS |
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IXFX120N25P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A Power dissipation: 700W Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX120N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Power dissipation: 1.13kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX120N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Power dissipation: 960W Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 265nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX120N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 220ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX140N25T | IXYS | IXFX140N25T THT N channel transistors |
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IXFX140N30P | IXYS | IXFX140N30P THT N channel transistors |
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IXFX150N30P3 | IXYS | IXFX150N30P3 THT N channel transistors |
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IXFX160N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™ Mounting: THT Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 376nC On-state resistance: 19mΩ Kind of channel: enhancement Case: PLUS247™ Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Drain-source voltage: 300V Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX170N20P | IXYS | IXFX170N20P THT N channel transistors |
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IXFX170N20T | IXYS | IXFX170N20T THT N channel transistors |
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IXFX180N15P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 180A Power dissipation: 830W Case: PLUS247™ On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX180N25T | IXYS | IXFX180N25T THT N channel transistors |
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IXFX200N10P | IXYS | IXFX200N10P THT N channel transistors |
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IXFX20N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Power dissipation: 780W Case: PLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 570mΩ Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX210N30X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; 190ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX220N17T2 | IXYS | IXFX220N17T2 THT N channel transistors |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX230N20T | IXYS | IXFX230N20T THT N channel transistors |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX240N15T2 | IXYS | IXFX240N15T2 THT N channel transistors |
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IXFX240N25X3 | IXYS | IXFX240N25X3 THT N channel transistors |
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IXFX24N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 24A Power dissipation: 1kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXFX250N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 250A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX26N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™ Case: PLUS247™ Mounting: THT On-state resistance: 390mΩ Drain current: 26A Power dissipation: 780W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 197nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX26N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; PLUS247™ Case: PLUS247™ Mounting: THT On-state resistance: 0.5Ω Drain current: 26A Power dissipation: 960W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 255nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX27N80Q | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX300N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 300A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 170ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX320N17T2 | IXYS | IXFX320N17T2 THT N channel transistors |
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IXFX32N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 32A Power dissipation: 960W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX32N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 32A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 195nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX32N80P | IXYS | IXFX32N80P THT N channel transistors |
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IXFX32N80Q3 | IXYS | IXFX32N80Q3 THT N channel transistors |
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IXFX32N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™ Polarisation: unipolar Gate charge: 215nC On-state resistance: 0.3Ω Drain current: 32A Power dissipation: 960W Drain-source voltage: 900V Case: PLUS247™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX34N80 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 34A Power dissipation: 568W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX360N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 525nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX360N15T2 | IXYS | IXFX360N15T2 THT N channel transistors |
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IXFX400N15X3 | IXYS |
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IXFX40N90P | IXYS | IXFX40N90P THT N channel transistors |
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IXFX420N10T | IXYS |
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IXFX44N60 | IXYS |
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IXFX44N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 1.04kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 198nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX44N80Q3 | IXYS |
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IXFX48N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 48A; 830W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 830W Case: PLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXFX48N60Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 1kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX520N075T2 | IXYS |
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IXFX55N50 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 55A Power dissipation: 520W Case: PLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXFX64N50P | IXYS |
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IXFX64N50Q3 | IXYS | IXFX64N50Q3 THT N channel transistors |
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IXFX64N60P | IXYS |
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IXFX64N60P3 | IXYS |
![]() |
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IXFX66N85X | IXYS | IXFX66N85X THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFX74N50P2 | IXYS | IXFX74N50P2 THT N channel transistors |
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IXFX78N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 78A Power dissipation: 1.13kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT70N20Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFT70N20Q3 SMD N channel transistors
IXFT70N20Q3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT70N30Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT80N65X2HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFT86N30T |
Hersteller: IXYS
IXFT86N30T SMD N channel transistors
IXFT86N30T SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT88N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT88N30P SMD N channel transistors
IXFT88N30P SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT94N30P3 |
Hersteller: IXYS
IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT94N30T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT94N30T SMD N channel transistors
IXFT94N30T SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT96N20P |
Hersteller: IXYS
IXFT96N20P SMD N channel transistors
IXFT96N20P SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFX100N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFX100N65X2 THT N channel transistors
IXFX100N65X2 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFX120N25P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFX120N30P3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFX120N30T |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX120N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX140N25T |
Hersteller: IXYS
IXFX140N25T THT N channel transistors
IXFX140N25T THT N channel transistors
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IXFX140N30P |
Hersteller: IXYS
IXFX140N30P THT N channel transistors
IXFX140N30P THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFX150N30P3 |
Hersteller: IXYS
IXFX150N30P3 THT N channel transistors
IXFX150N30P3 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFX160N30T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 376nC
On-state resistance: 19mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 376nC
On-state resistance: 19mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFX170N20P |
Hersteller: IXYS
IXFX170N20P THT N channel transistors
IXFX170N20P THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFX170N20T |
Hersteller: IXYS
IXFX170N20T THT N channel transistors
IXFX170N20T THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFX180N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
IXFX180N25T |
Hersteller: IXYS
IXFX180N25T THT N channel transistors
IXFX180N25T THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFX200N10P |
Hersteller: IXYS
IXFX200N10P THT N channel transistors
IXFX200N10P THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFX20N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
2+ | 35.75 EUR |
30+ | 25.14 EUR |
IXFX210N30X3 |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXFX220N17T2 |
Hersteller: IXYS
IXFX220N17T2 THT N channel transistors
IXFX220N17T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.87 EUR |
6+ | 12.63 EUR |
30+ | 12.61 EUR |
IXFX230N20T |
Hersteller: IXYS
IXFX230N20T THT N channel transistors
IXFX230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 32.46 EUR |
4+ | 21.22 EUR |
IXFX240N15T2 |
Hersteller: IXYS
IXFX240N15T2 THT N channel transistors
IXFX240N15T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX240N25X3 |
Hersteller: IXYS
IXFX240N25X3 THT N channel transistors
IXFX240N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX24N100Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX250N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX26N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX26N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX27N80Q |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 24.72 EUR |
4+ | 23.38 EUR |
30+ | 23.09 EUR |
120+ | 22.48 EUR |
IXFX300N20X3 |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 32.5 EUR |
10+ | 31.32 EUR |
30+ | 31.25 EUR |
IXFX320N17T2 |
Hersteller: IXYS
IXFX320N17T2 THT N channel transistors
IXFX320N17T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX32N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX32N100Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX32N80P |
Hersteller: IXYS
IXFX32N80P THT N channel transistors
IXFX32N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX32N80Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFX32N80Q3 THT N channel transistors
IXFX32N80Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX32N90P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX34N80 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX360N10T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.36 EUR |
6+ | 12.41 EUR |
7+ | 11.74 EUR |
IXFX360N15T2 |
Hersteller: IXYS
IXFX360N15T2 THT N channel transistors
IXFX360N15T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX400N15X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFX400N15X3 THT N channel transistors
IXFX400N15X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX40N90P |
Hersteller: IXYS
IXFX40N90P THT N channel transistors
IXFX40N90P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX420N10T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFX420N10T THT N channel transistors
IXFX420N10T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX44N60 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFX44N60 THT N channel transistors
IXFX44N60 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX44N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX44N80Q3 |
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Hersteller: IXYS
IXFX44N80Q3 THT N channel transistors
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IXFX48N60P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 48A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 48A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFX48N60Q3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX520N075T2 |
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Hersteller: IXYS
IXFX520N075T2 THT N channel transistors
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IXFX55N50 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFX64N50P |
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Hersteller: IXYS
IXFX64N50P THT N channel transistors
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IXFX64N50Q3 |
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IXFX64N50Q3 THT N channel transistors
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IXFX66N85X |
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IXFX74N50P2 |
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IXFX74N50P2 THT N channel transistors
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IXFX78N50P3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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