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IXTH32P20T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF IXTH32P20T THT P channel transistors
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IXTH340N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_340n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTH340N04T4 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS IXT_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH360N055T2 IXTH360N055T2 IXYS IXTH(T)360N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXTH36N50P THT N channel transistors
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IXTH36P10 IXYS 98908.pdf IXTH36P10 THT P channel transistors
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IXTH36P15P IXYS DS99791D(IXTA-P-H-Q36P15P).pdf IXTH36P15P THT P channel transistors
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IXTH38N30L2 IXYS IXTH38N30L2 THT N channel transistors
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IXTH3N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf IXTH3N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.91 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXTH3N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf IXTH3N120 THT N channel transistors
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IXTH3N150 IXTH3N150 IXYS IXTH3N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N200P3HV IXTH3N200P3HV IXYS IXTH(T)3N200P3HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 520W
Case: TO247HV
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH40N50L2 IXTH40N50L2 IXYS IXTH(T,Q)40N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH420N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth420n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTH420N04T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH440N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTH440N055T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTH44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.30 EUR
11+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH450P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf IXTH450P2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS IXTH48N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.13 EUR
8+9.21 EUR
9+8.71 EUR
25+8.69 EUR
120+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS IXT_48P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: -48A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.24 EUR
7+10.44 EUR
8+9.87 EUR
510+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH4N100L IXYS IXTH4N100L THT N channel transistors
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IXTH4N150 IXTH4N150 IXYS IXTH4N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO247-3
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH500N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTH500N04T2 THT N channel transistors
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IXTH50N30L2 IXYS IXTH50N30L2 THT N channel transistors
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IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.26 EUR
8+9.61 EUR
510+9.45 EUR
1020+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH52N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth52n65x_datasheet.pdf.pdf IXTH52N65X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH52P10P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF IXTH52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.91 EUR
11+6.74 EUR
12+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTH60N20L2 IXTH60N20L2 IXYS IXTH(T,Q)60N20L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTH62N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-64n10-datasheet?assetguid=a1e25d44-0822-4e78-891f-7558ffeb21d4 IXTH64N10L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65X IXTH64N65X IXYS IXTH64N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf IXTH68P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.62 EUR
5+15.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf IXTH6N100D2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf IXTH6N120 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n150_datasheet.pdf.pdf IXTH6N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTH6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.41 EUR
10+7.39 EUR
11+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf IXTH75N10L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTH76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.56 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf IXTH76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.32 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.88 EUR
9+7.99 EUR
10+7.56 EUR
510+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N20L IXTH80N20L IXYS IXTH(T)80N20L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth80n65x2_datasheet.pdf.pdf IXTH80N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N15 IXYS 99034.pdf IXTH88N15 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N30P IXYS a IXTH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50 IXTH8P50 IXYS IXT_8P50.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO247-3; 400ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.27 EUR
9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
120+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-90p10p-datasheet?assetguid=611756b4-09a2-467d-8210-fa4410afc035 IXTH90P10P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N20P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n20p-datasheet?assetguid=f01cf09b-9474-4d8a-b705-45c8df47cc7e IXTH96N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N25T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9 IXTH96N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.12 EUR
12+6.21 EUR
13+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTH96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTH96P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.65 EUR
11+6.65 EUR
510+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTJ4N150 IXTJ4N150 IXYS IXTJ4N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150 IXTJ6N150 IXYS IXTJ6N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTK100N25P IXTK100N25P IXYS IXTK100N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.49 EUR
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IXTK102N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtk102n30p_datasheet.pdf.pdf IXTK102N30P THT N channel transistors
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IXTK102N65X2 IXTK102N65X2 IXYS IXTK(X)102N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 IXYS IXT_110N20L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_120n20p_datasheet.pdf.pdf IXTK120N20P THT N channel transistors
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IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS IXTK120N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
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IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 IXYS IXT_120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Gate charge: 230nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e IXTK120P20T THT P channel transistors
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IXTK140N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtk140n20p_datasheet.pdf.pdf IXTK140N20P THT N channel transistors
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IXTK140N30P IXYS a IXTK140N30P THT N channel transistors
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IXTH32P20T media?resourcetype=datasheets&itemid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTH32P20T THT P channel transistors
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IXTH340N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH340N04T4 THT N channel transistors
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IXTH34N65X2 IXT_34N65X2.pdf
IXTH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH360N055T2 IXTH(T)360N055T2.pdf
IXTH360N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH36N50P THT N channel transistors
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IXTH36P10 98908.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH36P10 THT P channel transistors
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IXTH36P15P DS99791D(IXTA-P-H-Q36P15P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTH36P15P THT P channel transistors
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IXTH38N30L2
Hersteller: IXYS
IXTH38N30L2 THT N channel transistors
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IXTH3N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH3N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
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IXTH3N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH3N120 THT N channel transistors
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IXTH3N150 IXTH3N150.pdf
IXTH3N150
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N200P3HV IXTH(T)3N200P3HV.pdf
IXTH3N200P3HV
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 520W
Case: TO247HV
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH40N50L2 IXTH(T,Q)40N50L2.pdf
IXTH40N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH420N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth420n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH420N04T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH440N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTH44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.30 EUR
11+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH450P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH450P2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2.pdf
IXTH48N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.13 EUR
8+9.21 EUR
9+8.71 EUR
25+8.69 EUR
120+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20P IXT_48P20P.pdf
IXTH48P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: -48A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.24 EUR
7+10.44 EUR
8+9.87 EUR
510+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH4N100L
Hersteller: IXYS
IXTH4N100L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH4N150 IXTH4N150.pdf
IXTH4N150
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO247-3
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH500N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50N30L2
Hersteller: IXYS
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50P10 IXT_50P10.pdf
IXTH50P10
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.26 EUR
8+9.61 EUR
510+9.45 EUR
1020+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH52N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth52n65x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH52N65X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH52P10P media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTH52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.91 EUR
11+6.74 EUR
12+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2 IXTH(T,Q)60N20L2.pdf
IXTH60N20L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTH62N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-64n10-datasheet?assetguid=a1e25d44-0822-4e78-891f-7558ffeb21d4
Hersteller: IXYS
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65X IXTH64N65X.pdf
IXTH64N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH68P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.62 EUR
5+15.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH6N120 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n150_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH6N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Hersteller: IXYS
IXTH6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.41 EUR
10+7.39 EUR
11+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH75N10L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTH76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.56 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.32 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTH80N075L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.88 EUR
9+7.99 EUR
10+7.56 EUR
510+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N20L IXTH(T)80N20L.pdf
IXTH80N20L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth80n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH80N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N15 99034.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH88N15 THT N channel transistors
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IXTH88N30P a
Hersteller: IXYS
IXTH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50 IXT_8P50.pdf
IXTH8P50
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO247-3; 400ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
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Anzahl Preis
7+11.27 EUR
9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
120+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-90p10p-datasheet?assetguid=611756b4-09a2-467d-8210-fa4410afc035
Hersteller: IXYS
IXTH90P10P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N20P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n20p-datasheet?assetguid=f01cf09b-9474-4d8a-b705-45c8df47cc7e
Hersteller: IXYS
IXTH96N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N25T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9
Hersteller: IXYS
IXTH96N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
12+6.21 EUR
13+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTH96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH96P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.65 EUR
11+6.65 EUR
510+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150 IXTJ4N150.pdf
IXTJ4N150
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150 IXTJ6N150.pdf
IXTJ6N150
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25P IXTK100N25P-DTE.pdf
IXTK100N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.49 EUR
7+11.18 EUR
10+11.17 EUR
100+10.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtk102n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK102N30P THT N channel transistors
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IXTK102N65X2 IXTK(X)102N65X2.pdf
IXTK102N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK110N20L2 IXT_110N20L2.pdf
IXTK110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK120N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_120n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK120N20P THT N channel transistors
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IXTK120N25P IXTK120N25P-DTE.pdf
IXTK120N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.30 EUR
100+14.13 EUR
250+13.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N65X2 IXT_120N65X2.pdf
IXTK120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Gate charge: 230nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e
Hersteller: IXYS
IXTK120P20T THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtk140n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK140N20P THT N channel transistors
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IXTK140N30P a
Hersteller: IXYS
IXTK140N30P THT N channel transistors
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