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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA90N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
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IXTA90N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.41 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
1000+4.76 EUR
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IXTB30N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B916FF820&compId=IXTB30N100L.pdf?ci_sign=733db101b859fd094ce1250c8d84c21345092274 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L IXTB62N50L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91715820&compId=IXTB62N50L.pdf?ci_sign=66200fb3788cd98b8ebf33594da493e1a774227b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.1Ω
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 550nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+39.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTF02N450 IXYS IXTF02N450 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTF1R4N450 IXYS IXTF1R4N450 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTF200N10T IXYS DS99747B(IXTF200N10T).pdf IXTF200N10T THT N channel transistors
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IXTF2N300P3 IXYS DS100712(IXTF2N300P3).pdf IXTF2N300P3 THT N channel transistors
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IXTF6N200P3 IXYS DS100716(IXTF6N200P3).pdf IXTF6N200P3 THT N channel transistors
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IXTH02N250 IXYS IXTx02N250%28S%29.pdf IXTH02N250 THT N channel transistors
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IXTH02N450HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_02n450hv_datasheet.pdf.pdf IXTH02N450HV THT N channel transistors
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IXTH04N300P3HV IXTH04N300P3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917AF820&compId=IXTH04N300P3HV.pdf?ci_sign=462da40c2776e8330cfe3a15d83a604a60b6a8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 0.4A; 104W; TO247HV; 1.1us
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain-source voltage: 3kV
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 190Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247HV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH06N220P3HV IXTH06N220P3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917C5820&compId=IXTH06N220P3HV.pdf?ci_sign=c5544d6a368be1812460f8c612b16431ae5057b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2.2kV; 0.38A; Idm: 1.2A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 2.2kV
Drain current: 0.38A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.4nC
Technology: Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Reverse recovery time: 1.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3125E13B47820&compId=IXTH(T)10N100D2.pdf?ci_sign=fea7a32eed96d4aca8c20c0d37bcc4194c5ed7a0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50P IXTH10P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO247-3
Reverse recovery time: 414ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.55 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
270+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E678466B5B8BF&compId=IXT_10P60.pdf?ci_sign=1f66270f133ab710d995425d2a54122a9b741bbc Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N10L2 IXTH110N10L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A32F17C5AFB820&compId=IXTH(T)110N10L2.pdf?ci_sign=77ea8838b7a67aed409c2ff62bff94f2ca25fbfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO247-3; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 230ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25T IXTH110N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917DB820&compId=IXTH110N25T.pdf?ci_sign=70bf22a6c770d2e1a644817b2000fd043bc19e40 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.65 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
510+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29204E7FB2FFDF19A99005056AB752F&compId=DS94535L(IXTH-T11P50).pdf?ci_sign=75e2ecd6057bd9959b8b067840c0bc20763188af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.17 EUR
7+10.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065T IXTH120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100L IXTH12N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917F1820&compId=IXTH12N100L.pdf?ci_sign=063f94f56b2999358eaa03eb222f63a951994af2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N150 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth12n150_datasheet.pdf.pdf IXTH12N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N65X2 IXTH12N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91807820&compId=IXTH12N70X2.pdf?ci_sign=98c9b07086da1e62cdc3bf271cfc9a447d4cf5d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Power dissipation: 180W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH130N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf.pdf IXTH130N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140N075L2 IXYS IXTH140N075L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05T IXTH140P05T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0BDE6F66F58BF&compId=IXT_140P05T.pdf?ci_sign=268333924a43654bc82c3125d67058d0e0a6216e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.63 EUR
9+8.31 EUR
30+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T IXTH140P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04D36549478BF&compId=IXT_140P10T.pdf?ci_sign=82e79b46bffa7ad38449867cfa0dd075c83d0c9f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
10+15.97 EUR
30+15.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.73 EUR
9+8.21 EUR
30+8.15 EUR
120+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 940ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N20D2 IXTH16N20D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35574B86DF820&compId=IXTH(T)16N20D2.pdf?ci_sign=5ea239bb12406bc8372f9c07c4aea2c2ac1c0344 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 607ns
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH16N50D2 IXTH16N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH16P60P IXTH16P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXTH1N170DHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf IXTH1N170DHV THT N channel transistors
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IXTH1N200P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf IXTH1N200P3 THT N channel transistors
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IXTH1N200P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf IXTH1N200P3HV THT N channel transistors
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IXTH1N300P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTH1N300P3HV THT N channel transistors
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IXTH1N450HV IXTH1N450HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDC022763C7820&compId=IXTH(T)1N450HV.pdf?ci_sign=1a542cb69701b4bb55549a4f2857e06f4cbbbc22 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.75µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+45.35 EUR
10+44.83 EUR
30+43.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXTH200N10T IXYS IXTH200N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.38 EUR
9+8.15 EUR
10+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.4 EUR
10+7.24 EUR
270+7.06 EUR
510+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28496EC34885820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X2.pdf?ci_sign=16011adda623c5560128f4bf46728ed354eb2f2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH20P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89 IXTH20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.77 EUR
7+10.41 EUR
8+9.85 EUR
510+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH22N50P IXTH22N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH240N15X4 IXTH240N15X4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893FF06D6A1820&compId=IXTH240N15X4_HV.pdf?ci_sign=6c49c71e701458fcf3a6a27674e191c3a96a46b4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
On-state resistance: 4.4mΩ
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.59 EUR
6+12.01 EUR
30+11.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXTH24N50L IXTH24N50L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91825820&compId=IXTH24N50L.pdf?ci_sign=65ce4971a8a2ba17892d822e535deeccc62d7f59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH24N65X2 IXTH24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXTH24P20 IXYS IXTH24P20 THT P channel transistors
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IXTH260N055T2 IXTH260N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B9183B820&compId=IXTH260N055T2.pdf?ci_sign=37da9bdeca5f2967218f2665567ee32f4d9d1a34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH26N60P IXTH26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D522F688F8B820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)26N60P_S.pdf?ci_sign=00e2f7b4fe95c5c6f2d8b57fcefc771d8841088e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26P20P IXTH26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH270N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTH270N04T4 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.22 EUR
17+4.23 EUR
18+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXTH2N150L IXYS IXTH2N150L THT N channel transistors
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IXTH2N170D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f IXTH2N170D2 THT N channel transistors
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IXTH2N300P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2n300p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTH2N300P3HV THT N channel transistors
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IXTH2R4N120P IXYS DS99873B(IXTA-H-P2R4N120P).pdf IXTH2R4N120P THT N channel transistors
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IXTH300N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth300n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTH300N04T2 THT N channel transistors
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IXTH30N50L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891 IXTH30N50L2 THT N channel transistors
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IXTH30N50P IXYS a IXTH30N50P THT N channel transistors
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IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA90N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
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IXTA90N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTA96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.41 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTB30N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B916FF820&compId=IXTB30N100L.pdf?ci_sign=733db101b859fd094ce1250c8d84c21345092274
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91715820&compId=IXTB62N50L.pdf?ci_sign=66200fb3788cd98b8ebf33594da493e1a774227b
IXTB62N50L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.1Ω
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 550nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+39.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXTF02N450
Hersteller: IXYS
IXTF02N450 THT N channel transistors
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IXTF1R4N450
Hersteller: IXYS
IXTF1R4N450 THT N channel transistors
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IXTF200N10T DS99747B(IXTF200N10T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTF200N10T THT N channel transistors
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IXTF2N300P3 DS100712(IXTF2N300P3).pdf
Hersteller: IXYS
IXTF2N300P3 THT N channel transistors
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IXTF6N200P3 DS100716(IXTF6N200P3).pdf
Hersteller: IXYS
IXTF6N200P3 THT N channel transistors
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IXTH02N250 IXTx02N250%28S%29.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH02N250 THT N channel transistors
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IXTH02N450HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_02n450hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH02N450HV THT N channel transistors
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IXTH04N300P3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917AF820&compId=IXTH04N300P3HV.pdf?ci_sign=462da40c2776e8330cfe3a15d83a604a60b6a8ac
IXTH04N300P3HV
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 0.4A; 104W; TO247HV; 1.1us
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain-source voltage: 3kV
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 190Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247HV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH06N220P3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917C5820&compId=IXTH06N220P3HV.pdf?ci_sign=c5544d6a368be1812460f8c612b16431ae5057b8
IXTH06N220P3HV
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2.2kV; 0.38A; Idm: 1.2A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 2.2kV
Drain current: 0.38A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.4nC
Technology: Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Reverse recovery time: 1.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3125E13B47820&compId=IXTH(T)10N100D2.pdf?ci_sign=fea7a32eed96d4aca8c20c0d37bcc4194c5ed7a0
IXTH10N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e
IXTH10P50P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO247-3
Reverse recovery time: 414ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.55 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
270+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E678466B5B8BF&compId=IXT_10P60.pdf?ci_sign=1f66270f133ab710d995425d2a54122a9b741bbc
IXTH10P60
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N10L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A32F17C5AFB820&compId=IXTH(T)110N10L2.pdf?ci_sign=77ea8838b7a67aed409c2ff62bff94f2ca25fbfe
IXTH110N10L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO247-3; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 230ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917DB820&compId=IXTH110N25T.pdf?ci_sign=70bf22a6c770d2e1a644817b2000fd043bc19e40
IXTH110N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.65 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
510+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29204E7FB2FFDF19A99005056AB752F&compId=DS94535L(IXTH-T11P50).pdf?ci_sign=75e2ecd6057bd9959b8b067840c0bc20763188af
IXTH11P50
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.17 EUR
7+10.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTH120P065T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917F1820&compId=IXTH12N100L.pdf?ci_sign=063f94f56b2999358eaa03eb222f63a951994af2
IXTH12N100L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N150 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth12n150_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH12N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295
IXTH12N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N70X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91807820&compId=IXTH12N70X2.pdf?ci_sign=98c9b07086da1e62cdc3bf271cfc9a447d4cf5d4
IXTH12N70X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Power dissipation: 180W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH130N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH130N20T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140N075L2
Hersteller: IXYS
IXTH140N075L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0BDE6F66F58BF&compId=IXT_140P05T.pdf?ci_sign=268333924a43654bc82c3125d67058d0e0a6216e
IXTH140P05T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.63 EUR
9+8.31 EUR
30+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04D36549478BF&compId=IXT_140P10T.pdf?ci_sign=82e79b46bffa7ad38449867cfa0dd075c83d0c9f
IXTH140P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
10+15.97 EUR
30+15.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203
IXTH15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.73 EUR
9+8.21 EUR
30+8.15 EUR
120+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 940ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N20D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35574B86DF820&compId=IXTH(T)16N20D2.pdf?ci_sign=5ea239bb12406bc8372f9c07c4aea2c2ac1c0344
IXTH16N20D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 607ns
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005
IXTH16N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957
IXTH16P60P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N170DHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N170DHV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N200P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N200P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N300P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N300P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N450HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDC022763C7820&compId=IXTH(T)1N450HV.pdf?ci_sign=1a542cb69701b4bb55549a4f2857e06f4cbbbc22
IXTH1N450HV
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.75µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+45.35 EUR
10+44.83 EUR
30+43.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH200N10T
Hersteller: IXYS
IXTH200N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.38 EUR
9+8.15 EUR
10+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c
IXTH20N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.4 EUR
10+7.24 EUR
270+7.06 EUR
510+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28496EC34885820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X2.pdf?ci_sign=16011adda623c5560128f4bf46728ed354eb2f2f
IXTH20N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89
Hersteller: IXYS
IXTH20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 461 Stücke:
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6+13.77 EUR
7+10.41 EUR
8+9.85 EUR
510+9.75 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH22N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073
IXTH22N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH240N15X4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893FF06D6A1820&compId=IXTH240N15X4_HV.pdf?ci_sign=6c49c71e701458fcf3a6a27674e191c3a96a46b4
IXTH240N15X4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
On-state resistance: 4.4mΩ
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.59 EUR
6+12.01 EUR
30+11.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N50L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91825820&compId=IXTH24N50L.pdf?ci_sign=65ce4971a8a2ba17892d822e535deeccc62d7f59
IXTH24N50L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTH24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24P20
Hersteller: IXYS
IXTH24P20 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH260N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B9183B820&compId=IXTH260N055T2.pdf?ci_sign=37da9bdeca5f2967218f2665567ee32f4d9d1a34
IXTH260N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTH26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D522F688F8B820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)26N60P_S.pdf?ci_sign=00e2f7b4fe95c5c6f2d8b57fcefc771d8841088e
IXTH26N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTH26P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTH270N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH270N04T4 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.22 EUR
17+4.23 EUR
18+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXTH2N150L
Hersteller: IXYS
IXTH2N150L THT N channel transistors
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IXTH2N170D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f
Hersteller: IXYS
IXTH2N170D2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N300P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2n300p3hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH2N300P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2R4N120P DS99873B(IXTA-H-P2R4N120P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTH2R4N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH300N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth300n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH300N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891
Hersteller: IXYS
IXTH30N50L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50P a
Hersteller: IXYS
IXTH30N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0
IXTH30N60L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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