Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTH1N200P3HV | IXYS |
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IXTH1N300P3HV | IXYS |
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IXTH1N450HV | IXYS |
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auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH200N10T | IXYS | IXTH200N10T THT N channel transistors |
auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH20N65X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.35µs Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 35nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH20N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.35µs Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 27nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXTH20P50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO247-3 Case: TO247-3 Reverse recovery time: 406ns Drain-source voltage: -500V Drain current: -20A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 103nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH22N50P | IXYS |
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IXTH240N15X4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 940W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 130ns Drain-source voltage: 150V Drain current: 240A On-state resistance: 4.4mΩ Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 195nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH24N50L | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXTH24N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 36nC Technology: X2-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 390ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.145Ω Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXTH24P20 | IXYS | IXTH24P20 THT P channel transistors |
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IXTH260N055T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 260A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 60ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH26N60P | IXYS |
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IXTH26P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 56nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 240ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH270N04T4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns Reverse recovery time: 48ns Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 182nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH2N150L | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2A; 290W; TO247-3; 1.86us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 On-state resistance: 15Ω Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 1.86µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH2N170D2 | IXYS |
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IXTH2N300P3HV | IXYS |
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IXTH2R4N120P | IXYS |
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IXTH300N04T2 | IXYS |
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IXTH30N50L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.215Ω Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH30N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH30N60L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 335nC Reverse recovery time: 710ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH30N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 82nC Reverse recovery time: 0.5µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH32N65X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 32A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH32P20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns Mounting: THT Reverse recovery time: 190ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -32A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH340N04T4 | IXYS |
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IXTH34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 390ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH360N055T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 360A Power dissipation: 935W Case: TO247-3 On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 78ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH36N50P | IXYS |
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IXTH36P10 | IXYS |
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IXTH36P15P | IXYS |
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IXTH38N30L2 | IXYS | IXTH38N30L2 THT N channel transistors |
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IXTH3N100P | IXYS |
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auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH3N120 | IXYS |
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IXTH3N150 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 38.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH3N200P3HV | IXYS |
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IXTH40N50L2 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXTH420N04T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; 935W; TO247-3; 74ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 420A Power dissipation: 935W Case: TO247-3 On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 74ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
IXTH440N055T2 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTH44P15T | IXYS |
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auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH450P2 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXTH48N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH48P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 103nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 260ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -48A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 462W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH4N100L | IXYS | IXTH4N100L THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTH4N150 | IXYS | IXTH4N150 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTH500N04T2 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTH50N30L2 | IXYS | IXTH50N30L2 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXTH50P10 | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns Reverse recovery time: 180ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH52N65X | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXTH52P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 120ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 60nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH60N20L2 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTH62N65X2 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTH64N10L2 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXTH64N65X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 64A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
IXTH68P20T | IXYS |
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auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH6N100D2 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTH6N120 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTH6N150 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IXTH1N200P3HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH1N200P3HV THT N channel transistors
IXTH1N200P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH1N300P3HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH1N300P3HV THT N channel transistors
IXTH1N300P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH1N450HV |
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Hersteller: IXYS
IXTH1N450HV THT N channel transistors
IXTH1N450HV THT N channel transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 45.29 EUR |
IXTH200N10T |
Hersteller: IXYS
IXTH200N10T THT N channel transistors
IXTH200N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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6+ | 12.38 EUR |
9+ | 8.15 EUR |
10+ | 7.71 EUR |
IXTH20N65X |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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7+ | 10.40 EUR |
10+ | 7.28 EUR |
270+ | 7.06 EUR |
510+ | 6.95 EUR |
IXTH20N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH20P50P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO247-3
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 406ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -20A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO247-3
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 406ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -20A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.57 EUR |
8+ | 9.48 EUR |
60+ | 9.37 EUR |
510+ | 9.12 EUR |
IXTH22N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH22N50P THT N channel transistors
IXTH22N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTH240N15X4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
On-state resistance: 4.4mΩ
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
On-state resistance: 4.4mΩ
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.92 EUR |
6+ | 12.03 EUR |
30+ | 11.90 EUR |
60+ | 11.57 EUR |
IXTH24N50L |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTH24N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Technology: X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 390ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.145Ω
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Technology: X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 390ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.145Ω
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXTH24P20 |
Hersteller: IXYS
IXTH24P20 THT P channel transistors
IXTH24P20 THT P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTH260N055T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTH26N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH26N60P THT N channel transistors
IXTH26N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTH26P20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTH270N04T4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Reverse recovery time: 48ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Reverse recovery time: 48ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
30+ | 3.56 EUR |
IXTH2N150L |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2A; 290W; TO247-3; 1.86us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1.86µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2A; 290W; TO247-3; 1.86us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1.86µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH2N170D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH2N170D2 THT N channel transistors
IXTH2N170D2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTH2N300P3HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH2N300P3HV THT N channel transistors
IXTH2N300P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH2R4N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH2R4N120P THT N channel transistors
IXTH2R4N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH300N04T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH300N04T2 THT N channel transistors
IXTH300N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH30N50L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH30N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH30N60L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH30N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.10 EUR |
8+ | 9.38 EUR |
9+ | 8.88 EUR |
IXTH32N65X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.12 EUR |
11+ | 6.54 EUR |
12+ | 6.18 EUR |
IXTH32P20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH340N04T4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH340N04T4 THT N channel transistors
IXTH340N04T4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH34N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH360N055T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH36N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH36N50P THT N channel transistors
IXTH36N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH36P10 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH36P10 THT P channel transistors
IXTH36P10 THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH36P15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH36P15P THT P channel transistors
IXTH36P15P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH38N30L2 |
Hersteller: IXYS
IXTH38N30L2 THT N channel transistors
IXTH38N30L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH3N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH3N100P THT N channel transistors
IXTH3N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.91 EUR |
16+ | 4.69 EUR |
17+ | 4.43 EUR |
IXTH3N120 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH3N120 THT N channel transistors
IXTH3N120 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH3N150 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH3N200P3HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH3N200P3HV THT N channel transistors
IXTH3N200P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH40N50L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH40N50L2 THT N channel transistors
IXTH40N50L2 THT N channel transistors
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IXTH420N04T2 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; 935W; TO247-3; 74ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 420A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 74ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; 935W; TO247-3; 74ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 420A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 74ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH440N055T2 |
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Hersteller: IXYS
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
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IXTH44P15T |
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Hersteller: IXYS
IXTH44P15T THT P channel transistors
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auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.30 EUR |
11+ | 6.68 EUR |
IXTH450P2 |
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Hersteller: IXYS
IXTH450P2 THT N channel transistors
IXTH450P2 THT N channel transistors
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IXTH48N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 278 Stücke:
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---|---|
6+ | 12.13 EUR |
8+ | 9.24 EUR |
9+ | 8.72 EUR |
120+ | 8.37 EUR |
IXTH48P20P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.24 EUR |
7+ | 10.42 EUR |
8+ | 9.87 EUR |
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IXTH4N100L |
Hersteller: IXYS
IXTH4N100L THT N channel transistors
IXTH4N100L THT N channel transistors
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IXTH4N150 |
Hersteller: IXYS
IXTH4N150 THT N channel transistors
IXTH4N150 THT N channel transistors
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IXTH500N04T2 |
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Hersteller: IXYS
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
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IXTH50N30L2 |
Hersteller: IXYS
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
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IXTH50P10 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.26 EUR |
7+ | 10.22 EUR |
8+ | 9.67 EUR |
510+ | 9.45 EUR |
1020+ | 9.24 EUR |
IXTH52N65X |
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Hersteller: IXYS
IXTH52N65X THT N channel transistors
IXTH52N65X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTH52P10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.41 EUR |
11+ | 6.75 EUR |
12+ | 6.38 EUR |
IXTH60N20L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH60N20L2 THT N channel transistors
IXTH60N20L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH62N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH62N65X2 THT N channel transistors
IXTH62N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH64N10L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH64N65X |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTH68P20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH68P20T THT P channel transistors
IXTH68P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 22.62 EUR |
5+ | 15.93 EUR |
IXTH6N100D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH6N120 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH6N120 THT N channel transistors
IXTH6N120 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH6N150 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH6N150 THT N channel transistors
IXTH6N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH