Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTA26P10T | IXYS |
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IXTA26P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns On-state resistance: 0.17Ω Technology: PolarP™ Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA270N04T4 | IXYS |
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IXTA270N04T4-7 | IXYS | IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors |
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IXTA28P065T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -28A Power dissipation: 83W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 31ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA2N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 86W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 800ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA300N04T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 53ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA32N20T | IXYS |
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IXTA32P05T | IXYS |
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auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA32P20T | IXYS |
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IXTA340N04T4 | IXYS |
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IXTA340N04T4-7 | IXYS |
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IXTA34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO263 On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA36N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Technology: PolarHT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA36P15P | IXYS |
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auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA380N036T4-7 | IXYS |
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IXTA3N100D2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA3N100D2HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263HV On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA3N100P | IXYS |
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IXTA3N120 | IXYS |
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IXTA3N120HV | IXYS |
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IXTA3N150HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 38.6nC Reverse recovery time: 900ns Drain current: 3A Power dissipation: 250W Drain-source voltage: 1.5kV Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA3N50D2 | IXYS |
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IXTA3N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 70W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA42N25P | IXYS |
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IXTA44P15T | IXYS |
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auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA460P2 | IXYS |
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IXTA48N20T | IXYS |
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IXTA48P05T | IXYS |
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IXTA4N150HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A Power dissipation: 280W Case: TO263 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 44.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA4N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Technology: X2-Class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA4N70X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA4N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 560ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA50N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns Technology: PolarHT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA50N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 166ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA52P10P | IXYS |
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IXTA60N10T | IXYS |
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IXTA60N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns Kind of package: tube Mounting: SMD Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Gate charge: 73nC Reverse recovery time: 118ns On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 500W Kind of channel: enhancement Case: TO263 Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA62N15P | IXYS |
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IXTA64N10L2 | IXYS |
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IXTA6N100D2 | IXYS |
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IXTA6N50D2 | IXYS |
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auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA70N075T2 | IXYS |
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IXTA75N10P | IXYS |
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IXTA76N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 76A Power dissipation: 460W Case: TO263 On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 148ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IXTA76P10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Power dissipation: 298W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA80N075L2 | IXYS |
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auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA80N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 230W Case: TO263 On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 100ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IXTA80N12T2 | IXYS | IXTA80N12T2 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTA86N20T | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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IXTA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA8N70X2 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IXTA90N055T2 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IXTA90N20X3 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IXTA96P085T | IXYS |
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auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTB30N100L | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us Drain-source voltage: 1kV Drain current: 30A Case: PLUS264™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 800W Kind of channel: enhancement Gate charge: 545nC Reverse recovery time: 1µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: linear power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IXTB62N50L | IXYS |
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auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTF02N450 | IXYS | IXTF02N450 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IXTF1R4N450 | IXYS | IXTF1R4N450 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IXTF200N10T | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IXTA26P10T |
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Hersteller: IXYS
IXTA26P10T SMD P channel transistors
IXTA26P10T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA26P20P |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 8.65 EUR |
12+ | 5.98 EUR |
13+ | 5.65 EUR |
50+ | 5.46 EUR |
100+ | 5.43 EUR |
IXTA270N04T4 |
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Hersteller: IXYS
IXTA270N04T4 SMD N channel transistors
IXTA270N04T4 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA270N04T4-7 |
Hersteller: IXYS
IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors
IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA28P065T |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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19+ | 3.82 EUR |
33+ | 2.19 EUR |
35+ | 2.07 EUR |
250+ | 2.04 EUR |
500+ | 1.99 EUR |
IXTA2N100P |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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22+ | 3.32 EUR |
25+ | 2.92 EUR |
28+ | 2.63 EUR |
29+ | 2.49 EUR |
50+ | 2.46 EUR |
IXTA300N04T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 53ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 53ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA32N20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA32N20T SMD N channel transistors
IXTA32N20T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA32P05T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA32P05T SMD P channel transistors
IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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27+ | 2.66 EUR |
36+ | 2 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
IXTA32P20T |
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Hersteller: IXYS
IXTA32P20T SMD P channel transistors
IXTA32P20T SMD P channel transistors
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IXTA340N04T4 |
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Hersteller: IXYS
IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTA340N04T4-7 |
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Hersteller: IXYS
IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTA34N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTA36N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.88 EUR |
18+ | 4 EUR |
20+ | 3.65 EUR |
IXTA36P15P |
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Hersteller: IXYS
IXTA36P15P SMD P channel transistors
IXTA36P15P SMD P channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.19 EUR |
13+ | 5.65 EUR |
14+ | 5.35 EUR |
50+ | 5.32 EUR |
IXTA380N036T4-7 |
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Hersteller: IXYS
IXTA380N036T4-7 SMD N channel transistors
IXTA380N036T4-7 SMD N channel transistors
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IXTA3N100D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
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IXTA3N100D2HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXTA3N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA3N100P SMD N channel transistors
IXTA3N100P SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTA3N120 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA3N120 SMD N channel transistors
IXTA3N120 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTA3N120HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA3N120HV SMD N channel transistors
IXTA3N120HV SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTA3N150HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.58 EUR |
8+ | 9.45 EUR |
50+ | 9.17 EUR |
IXTA3N50D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA3N50D2 SMD N channel transistors
IXTA3N50D2 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTA3N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.15 EUR |
IXTA42N25P |
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Hersteller: IXYS
IXTA42N25P SMD N channel transistors
IXTA42N25P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA44P15T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA44P15T SMD P channel transistors
IXTA44P15T SMD P channel transistors
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.68 EUR |
14+ | 5.21 EUR |
15+ | 4.92 EUR |
1000+ | 4.79 EUR |
IXTA460P2 |
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Hersteller: IXYS
IXTA460P2 SMD N channel transistors
IXTA460P2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTA48N20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA48N20T SMD N channel transistors
IXTA48N20T SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTA48P05T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA48P05T SMD P channel transistors
IXTA48P05T SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTA4N150HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTA4N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.15 EUR |
15+ | 4.76 EUR |
39+ | 1.83 EUR |
500+ | 1.12 EUR |
1000+ | 1.09 EUR |
IXTA4N70X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.89 EUR |
28+ | 2.6 EUR |
32+ | 2.27 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
50+ | 2.07 EUR |
IXTA4N80P |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA50N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA50N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA52P10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA52P10P SMD P channel transistors
IXTA52P10P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA60N10T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA60N10T SMD N channel transistors
IXTA60N10T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA60N20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
11+ | 6.51 EUR |
IXTA62N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA62N15P SMD N channel transistors
IXTA62N15P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA64N10L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA6N100D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA6N50D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.7 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
500+ | 7.84 EUR |
IXTA70N075T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA70N075T2 SMD N channel transistors
IXTA70N075T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA75N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA75N10P SMD N channel transistors
IXTA75N10P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA76N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTA76P10T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.75 EUR |
10+ | 7.86 EUR |
14+ | 5.15 EUR |
15+ | 4.88 EUR |
50+ | 4.82 EUR |
100+ | 4.69 EUR |
IXTA80N075L2 |
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Hersteller: IXYS
IXTA80N075L2 SMD N channel transistors
IXTA80N075L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.23 EUR |
6+ | 12.27 EUR |
1000+ | 11.8 EUR |
IXTA80N10T |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA80N12T2 |
Hersteller: IXYS
IXTA80N12T2 SMD N channel transistors
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IXTA86N20T |
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Hersteller: IXYS
IXTA86N20T SMD N channel transistors
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IXTA8N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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26+ | 2.8 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
300+ | 1.36 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
IXTA8N70X2 |
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Hersteller: IXYS
IXTA8N70X2 SMD N channel transistors
IXTA8N70X2 SMD N channel transistors
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IXTA90N055T2 |
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Hersteller: IXYS
IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
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IXTA90N20X3 |
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Hersteller: IXYS
IXTA90N20X3 SMD N channel transistors
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IXTA96P085T |
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Hersteller: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.41 EUR |
14+ | 5.15 EUR |
15+ | 4.86 EUR |
1000+ | 4.76 EUR |
IXTB30N100L |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 800W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 1µs
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 800W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 1µs
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTB62N50L |
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Hersteller: IXYS
IXTB62N50L THT N channel transistors
IXTB62N50L THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 89.23 EUR |
2+ | 63.78 EUR |
IXTF02N450 |
Hersteller: IXYS
IXTF02N450 THT N channel transistors
IXTF02N450 THT N channel transistors
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IXTF1R4N450 |
Hersteller: IXYS
IXTF1R4N450 THT N channel transistors
IXTF1R4N450 THT N channel transistors
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IXTF200N10T |
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Hersteller: IXYS
IXTF200N10T THT N channel transistors
IXTF200N10T THT N channel transistors
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