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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTH4N100L IXYS IXTH4N100L THT N channel transistors
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IXTH4N150 IXYS IXTH4N150 THT N channel transistors
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IXTH500N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTH500N04T2 THT N channel transistors
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IXTH50N30L2 IXYS IXTH50N30L2 THT N channel transistors
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IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.26 EUR
8+9.61 EUR
510+9.45 EUR
1020+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH52N65X IXTH52N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B49515820&compId=IXTH52N65X.pdf?ci_sign=09c23fcab68d044a472f91698252bd936ba7f5b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 52A; 660W; TO247-3; 435ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 52A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 435ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH52P10P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF IXTH52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.91 EUR
11+6.74 EUR
12+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTH60N20L2 IXTH60N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48B420A555820&compId=IXTH(T%2CQ)60N20L2.pdf?ci_sign=9511c8ae4df23ad4a63fbb7619d2375ceff89442 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Reverse recovery time: 330ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH62N65X2 IXTH62N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B4952B820&compId=IXTH62N65X2.pdf?ci_sign=36d0efac15306422ef53e7207db6fd4a2fefb0ff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; 780W; TO247-3; 445ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 445ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH64N10L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-64n10-datasheet?assetguid=a1e25d44-0822-4e78-891f-7558ffeb21d4 IXTH64N10L2 THT N channel transistors
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IXTH64N65X IXTH64N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B49541820&compId=IXTH64N65X.pdf?ci_sign=2d5ecb91f4102aa63d6a702790599bedd7c56077 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf IXTH68P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.62 EUR
5+15.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXTH6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf IXTH6N100D2 THT N channel transistors
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IXTH6N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf IXTH6N120 THT N channel transistors
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IXTH6N150 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n150_datasheet.pdf.pdf IXTH6N150 THT N channel transistors
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IXTH6N50D2 IXTH6N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.72 EUR
11+6.84 EUR
12+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTH75N10L2 IXTH75N10L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993960D1A4DD498BF&compId=IXT_75N10L2.pdf?ci_sign=14d46f1640fe8dff3fd9c2e86627011d0edde846 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXTH76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTH76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.56 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTH76P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf IXTH76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.32 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTH80N075L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880 IXTH80N075L2 THT N channel transistors
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.81 EUR
9+7.98 EUR
10+7.55 EUR
510+7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTH80N20L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_80n20l_datasheet.pdf.pdf IXTH80N20L THT N channel transistors
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IXTH80N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth80n65x2_datasheet.pdf.pdf IXTH80N65X2 THT N channel transistors
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IXTH88N15 IXYS 99034.pdf IXTH88N15 THT N channel transistors
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IXTH88N30P IXYS a IXTH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXTH8P50 IXYS 94534.pdf IXTH8P50 THT P channel transistors
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.17 EUR
9+8.27 EUR
10+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 144ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.06 EUR
8+9.09 EUR
120+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH96N20P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n20p-datasheet?assetguid=f01cf09b-9474-4d8a-b705-45c8df47cc7e IXTH96N20P THT N channel transistors
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IXTH96N25T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9 IXTH96N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.12 EUR
12+6.21 EUR
13+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTH96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTH96P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.65 EUR
11+6.65 EUR
510+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTJ4N150 IXYS IXTJ4N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150 IXYS DS100448A(IXTJ6N150).pdf IXTJ6N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25P IXTK100N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90F1896B593E27&compId=IXTK100N25P-DTE.pdf?ci_sign=ca4a750df92eea9f262967bae79b2712e1f8dcc2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtk102n30p_datasheet.pdf.pdf IXTK102N30P THT N channel transistors
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IXTK102N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTK102N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 420ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N20P IXTK120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF910BFD6664FE27&compId=IXTK120N25P-DTE.pdf?ci_sign=9477a8a3509209b374b486a84ef243ec93f2a551 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
100+14.13 EUR
250+13.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB29CD38EED8BF&compId=IXT_120N65X2.pdf?ci_sign=ba45e36110c138614c3f7686f328897e9b74d68c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Gate charge: 230nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e IXTK120P20T THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N20P IXTK140N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF91769AF6A03E27&compId=IXTK140N20P-DTE.pdf?ci_sign=08600a905672f16d4200168350a2bb2948e0f97d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N30P IXTK140N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917BA10D161E27&compId=IXTK140N30P-DTE.pdf?ci_sign=0539e3c51f0d1e46075142cd98d33da5a34d86f9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.24Ω
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 185nC
Case: TO264
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK170N10P IXTK170N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Drain current: 170A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.26 EUR
7+10.38 EUR
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100+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTK170P10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170p10p-datasheet?assetguid=68622d8b-7303-4f51-80e6-161b6a15098f IXTK170P10P THT P channel transistors
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IXTK17N120L IXYS IXTK17N120L THT N channel transistors
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IXTK180N15P IXTK180N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9188AFD9C59E27&compId=IXTK180N15P-DTE.pdf?ci_sign=2ad7003b8dcc314cadea14ef7581e19529865817 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.91 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
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IXTK200N10L2 IXTK200N10L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB34B86A2118BF&compId=IXT_200N10L2.pdf?ci_sign=49250d98063d2d45ebec8fdfc12b5a8fca96c13d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 540nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 245ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.06 EUR
5+14.41 EUR
6+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXTK20N150 IXTK20N150 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD34BF01127820&compId=IXTK(X)20N150.pdf?ci_sign=5b2aa8b5101db2e0624fd882f4176f4c1fee0d13 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
100+27.88 EUR
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IXTK22N100L IXTK22N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf IXTK240N075L2 THT N channel transistors
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IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.98 EUR
10+19.48 EUR
25+19.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXTK3N250L IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=697abaf0-8e4f-4022-850a-2222f0e095db&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_3n250l_datasheet.pdf IXTK3N250L THT N channel transistors
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IXTK40P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6 IXTK40P50P THT P channel transistors
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IXTK46N50L IXYS 38fac45f75894f078db00809a75465c2.pdf IXTK46N50L THT N channel transistors
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IXTK550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTK550N055T2 THT N channel transistors
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IXTK600N04T2 IXTK600N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49FEAF5633820&compId=IXTK(X)600N04T2.pdf?ci_sign=31b642072eb49cef1a86e3e7413c5068bef4c432 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 590nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK60N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf IXTK60N50L2 THT N channel transistors
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IXTK82N25P IXYS a IXTK82N25P THT N channel transistors
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IXTK8N150L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf IXTK8N150L THT N channel transistors
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IXTH4N100L
Hersteller: IXYS
IXTH4N100L THT N channel transistors
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IXTH4N150
Hersteller: IXYS
IXTH4N150 THT N channel transistors
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IXTH500N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
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IXTH50N30L2
Hersteller: IXYS
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
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IXTH50P10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b
IXTH50P10
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.26 EUR
8+9.61 EUR
510+9.45 EUR
1020+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH52N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B49515820&compId=IXTH52N65X.pdf?ci_sign=09c23fcab68d044a472f91698252bd936ba7f5b5
IXTH52N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 52A; 660W; TO247-3; 435ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 52A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 435ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH52P10P media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTH52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.91 EUR
11+6.74 EUR
12+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48B420A555820&compId=IXTH(T%2CQ)60N20L2.pdf?ci_sign=9511c8ae4df23ad4a63fbb7619d2375ceff89442
IXTH60N20L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Reverse recovery time: 330ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B4952B820&compId=IXTH62N65X2.pdf?ci_sign=36d0efac15306422ef53e7207db6fd4a2fefb0ff
IXTH62N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; 780W; TO247-3; 445ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 445ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-64n10-datasheet?assetguid=a1e25d44-0822-4e78-891f-7558ffeb21d4
Hersteller: IXYS
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B49541820&compId=IXTH64N65X.pdf?ci_sign=2d5ecb91f4102aa63d6a702790599bedd7c56077
IXTH64N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTH68P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH68P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.62 EUR
5+15.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXTH6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH6N120 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n150_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH6N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187
IXTH6N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.72 EUR
11+6.84 EUR
12+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993960D1A4DD498BF&compId=IXT_75N10L2.pdf?ci_sign=14d46f1640fe8dff3fd9c2e86627011d0edde846
IXTH75N10L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTH76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTH76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.56 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTH76P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.32 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTH80N075L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880
Hersteller: IXYS
IXTH80N075L2 THT N channel transistors
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.81 EUR
9+7.98 EUR
10+7.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N20L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_80n20l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH80N20L THT N channel transistors
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IXTH80N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth80n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH80N65X2 THT N channel transistors
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IXTH88N15 99034.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH88N15 THT N channel transistors
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IXTH88N30P a
Hersteller: IXYS
IXTH88N30P THT N channel transistors
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3+23.84 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50 94534.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH8P50 THT P channel transistors
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6+12.17 EUR
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IXTH90P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108
IXTH90P10P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 144ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.06 EUR
8+9.09 EUR
120+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH96N20P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n20p-datasheet?assetguid=f01cf09b-9474-4d8a-b705-45c8df47cc7e
Hersteller: IXYS
IXTH96N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N25T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9
Hersteller: IXYS
IXTH96N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 229 Stücke:
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8+9.12 EUR
12+6.21 EUR
13+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH96P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 367 Stücke:
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8+9.65 EUR
11+6.65 EUR
510+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150
Hersteller: IXYS
IXTJ4N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150 DS100448A(IXTJ6N150).pdf
Hersteller: IXYS
IXTJ6N150 THT N channel transistors
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IXTK100N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90F1896B593E27&compId=IXTK100N25P-DTE.pdf?ci_sign=ca4a750df92eea9f262967bae79b2712e1f8dcc2
IXTK100N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtk102n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK102N30P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTK102N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b
IXTK110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 420ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3
IXTK120N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF910BFD6664FE27&compId=IXTK120N25P-DTE.pdf?ci_sign=9477a8a3509209b374b486a84ef243ec93f2a551
IXTK120N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
100+14.13 EUR
250+13.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB29CD38EED8BF&compId=IXT_120N65X2.pdf?ci_sign=ba45e36110c138614c3f7686f328897e9b74d68c
IXTK120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Gate charge: 230nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e
Hersteller: IXYS
IXTK120P20T THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF91769AF6A03E27&compId=IXTK140N20P-DTE.pdf?ci_sign=08600a905672f16d4200168350a2bb2948e0f97d
IXTK140N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917BA10D161E27&compId=IXTK140N30P-DTE.pdf?ci_sign=0539e3c51f0d1e46075142cd98d33da5a34d86f9
IXTK140N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.24Ω
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 185nC
Case: TO264
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191
IXTK170N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Drain current: 170A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.26 EUR
7+10.38 EUR
25+10.28 EUR
100+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170p10p-datasheet?assetguid=68622d8b-7303-4f51-80e6-161b6a15098f
Hersteller: IXYS
IXTK170P10P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK17N120L
Hersteller: IXYS
IXTK17N120L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9188AFD9C59E27&compId=IXTK180N15P-DTE.pdf?ci_sign=2ad7003b8dcc314cadea14ef7581e19529865817
IXTK180N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.91 EUR
5+14.71 EUR
6+13.91 EUR
10+13.51 EUR
25+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB34B86A2118BF&compId=IXT_200N10L2.pdf?ci_sign=49250d98063d2d45ebec8fdfc12b5a8fca96c13d
IXTK200N10L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 540nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 245ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d
IXTK200N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.06 EUR
5+14.41 EUR
6+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD34BF01127820&compId=IXTK(X)20N150.pdf?ci_sign=5b2aa8b5101db2e0624fd882f4176f4c1fee0d13
IXTK20N150
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8
IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
100+27.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8
IXTK22N100L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK240N075L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529
IXTK32P60P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.98 EUR
10+19.48 EUR
25+19.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250L media?resourcetype=datasheets&itemid=697abaf0-8e4f-4022-850a-2222f0e095db&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_3n250l_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK3N250L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6
Hersteller: IXYS
IXTK40P50P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50L 38fac45f75894f078db00809a75465c2.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK46N50L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK550N055T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49FEAF5633820&compId=IXTK(X)600N04T2.pdf?ci_sign=31b642072eb49cef1a86e3e7413c5068bef4c432
IXTK600N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 590nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK60N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK60N50L2 THT N channel transistors
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IXTK82N25P a
Hersteller: IXYS
IXTK82N25P THT N channel transistors
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IXTK8N150L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK8N150L THT N channel transistors
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