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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+26.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CLA30E1200HB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200HB-Datasheet?assetguid=e5a919d0-df83-4f7b-913c-d9845e6ef7f6 Thyristor; 47A; 1200V; 28mA;   CLA30E1200HB TYCLA30e1200hb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CLA30E1200PB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200PB-Datasheet?assetguid=a4d05f17-646e-47d1-8dd8-9de3c784ec65 Thyristor; 47A; 1200V; 30mA;   CLA30E1200PB TYCLA30e1200pb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CLA80E1200HF IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA80E1200HF-Datasheet?assetguid=f217bcf4-024a-43c9-8152-4bd306c33ce3 Thyristor; 126A; 1200V; 38mA;   CLA80E1200HF TYCLA80e1200hf
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+16.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS19-08ho1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet Thyristor; 31A; 800V; 28mA;   CS19-08HO1 TYCS19-08ho1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS19-12HO1 IXYS littelfuse-power-semiconductors-cs19-08ho1-datasheet?assetguid=d1c925b9-0721-4534-9592-e4d653ae10b8 description It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA;   CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS20-14IO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-14io1-Datasheet?assetguid=e7e461a9-3eb6-43bb-bfd3-e125ab52c7ad It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA   CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS20-16IO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-16io1-Datasheet?assetguid=51acf299-9569-46ae-83ea-5ba21942b78d It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA   CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCC26-12io8B IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MCC26-12io8B-Datasheet?assetguid=fe28ac91-2f65-410b-974c-88ca4527e67b Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A   MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+62.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1303G IXYS CPC1303.pdf Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1303GR IXYS CPC1303.pdf Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1006N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1006n-datasheet?assetguid=62c4d3a3-07a8-4904-8267-d2dbcff34e41 SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1008NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476 SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1014NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1014n-datasheet?assetguid=f8c29b23-94fc-4306-8fcd-2632e2f7140d 400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1017NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1017NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1018NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1125N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1125n-series-datasheet?assetguid=3df1af1c-e64d-4dc9-bd80-e20ab839a1e0 Relay SSR 50mA 1.4V DC-IN 0.1A 400V DC-OUT 4-Pin SOP Odpowiednik: CPC1125NTR; CPC1125N P CPC1125N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1561BTR IXYS CPC1561B.pdf 1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+27.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N120B Ixys littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N60 Ixys crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.25 EUR
8+9.14 EUR
10+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.74 EUR
10+10.54 EUR
30+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60X IXFQ50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N60X IXFQ60N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.64 EUR
11+6.75 EUR
12+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.13 EUR
26+2.77 EUR
29+2.5 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.8 EUR
34+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13A7820&compId=IXTP8N65X2M.pdf?ci_sign=b4a625e99f92e8aa92ba736cfa192d6931540cee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
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IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.66 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE44886FEA55820&compId=IXYP10N65C3.pdf?ci_sign=4e0aa075c2a195cc2704f868d1af1be03e9c7e07 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
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IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA0F0323D6D820&compId=IXXH110N65C4.pdf?ci_sign=8ec837af6c06b7dcd16b77603711edf90d67ba2e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.53 EUR
6+12.28 EUR
10+10.93 EUR
30+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.25 EUR
5+23.01 EUR
10+20.62 EUR
25+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.13 EUR
16+4.48 EUR
22+3.35 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.08 EUR
17+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
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IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.19 EUR
25+2.89 EUR
29+2.53 EUR
50+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE460C3F81DF820&compId=IXYP15N65C3.pdf?ci_sign=0272b873844fa4af108434b0a500ae4f9784baa3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
Produkt ist nicht verfügbar
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IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE4058AF680B820&compId=IXYP15N65C3D1M.pdf?ci_sign=71e42345e6a97e4ab412adb420898f2de3276576 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
Produkt ist nicht verfügbar
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DSS16-0045A DSS16-0045A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991CAAB4DF27278BF&compId=DSS16-0045A.pdf?ci_sign=be22f8c98ae3ed3ba152a63ad4439153b2b3fa17 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.5 EUR
52+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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DSS16-0045AS-TUB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991CAAB4DF27278BF&compId=DSS16-0045A.pdf?ci_sign=be22f8c98ae3ed3ba152a63ad4439153b2b3fa17 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
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IXFP20N50P3M IXFP20N50P3M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A01820&compId=IXFP20N50P3M.pdf?ci_sign=daf243b3c5aeb07723405bcf7dfe109d66779993 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.62 EUR
16+4.59 EUR
30+4.19 EUR
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IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+7.15 EUR
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IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 6 Stücke:
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6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Hersteller: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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2+26.65 EUR
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CLA30E1200HB Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200HB-Datasheet?assetguid=e5a919d0-df83-4f7b-913c-d9845e6ef7f6
Hersteller: IXYS
Thyristor; 47A; 1200V; 28mA;   CLA30E1200HB TYCLA30e1200hb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
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5+7.24 EUR
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CLA30E1200PB Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200PB-Datasheet?assetguid=a4d05f17-646e-47d1-8dd8-9de3c784ec65
Hersteller: IXYS
Thyristor; 47A; 1200V; 30mA;   CLA30E1200PB TYCLA30e1200pb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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5+7.34 EUR
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CLA80E1200HF Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA80E1200HF-Datasheet?assetguid=f217bcf4-024a-43c9-8152-4bd306c33ce3
Hersteller: IXYS
Thyristor; 126A; 1200V; 38mA;   CLA80E1200HF TYCLA80e1200hf
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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2+16.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CS19-08ho1 media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet
Hersteller: IXYS
Thyristor; 31A; 800V; 28mA;   CS19-08HO1 TYCS19-08ho1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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CS19-12HO1 description littelfuse-power-semiconductors-cs19-08ho1-datasheet?assetguid=d1c925b9-0721-4534-9592-e4d653ae10b8
Hersteller: IXYS
It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA;   CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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CS20-14IO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-14io1-Datasheet?assetguid=e7e461a9-3eb6-43bb-bfd3-e125ab52c7ad
Hersteller: IXYS
It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA   CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
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4+10.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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CS20-16IO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-16io1-Datasheet?assetguid=51acf299-9569-46ae-83ea-5ba21942b78d
Hersteller: IXYS
It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA   CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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4+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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MCC26-12io8B Littelfuse-Power-Semiconductors-MCC26-12io8B-Datasheet?assetguid=fe28ac91-2f65-410b-974c-88ca4527e67b
Hersteller: IXYS
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A   MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+62.64 EUR
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CPC1303G CPC1303.pdf
Hersteller: IXYS
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
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20+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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CPC1303GR CPC1303.pdf
Hersteller: IXYS
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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20+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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CPC1006N littelfuse-integrated-circuits-cpc1006n-datasheet?assetguid=62c4d3a3-07a8-4904-8267-d2dbcff34e41
Hersteller: IXYS
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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CPC1008NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476
Hersteller: IXYS
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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CPC1014NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1014n-datasheet?assetguid=f8c29b23-94fc-4306-8fcd-2632e2f7140d
Hersteller: IXYS
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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CPC1017NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de
Hersteller: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
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50+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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CPC1017NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de
Hersteller: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Anzahl Preis
50+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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CPC1018NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f
Hersteller: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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CPC1125N littelfuse-integrated-circuits-cpc1125n-series-datasheet?assetguid=3df1af1c-e64d-4dc9-bd80-e20ab839a1e0
Hersteller: IXYS
Relay SSR 50mA 1.4V DC-IN 0.1A 400V DC-OUT 4-Pin SOP Odpowiednik: CPC1125NTR; CPC1125N P CPC1125N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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CPC1561BTR CPC1561B.pdf
Hersteller: IXYS
1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+27.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXGH28N120B littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Ixys
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH20N60 crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Ixys
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.25 EUR
8+9.14 EUR
10+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.74 EUR
10+10.54 EUR
30+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFQ50N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
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IXFN56N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767
IXFN56N90P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
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IXFH60N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d
IXFH60N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
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IXFH60N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFQ60N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d
IXFQ60N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
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IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGH60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
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IXGT60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.64 EUR
11+6.75 EUR
12+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXKH24N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34
IXKH24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34
IXKP24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
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IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
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IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IXFA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5
IXFA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFP8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
26+2.77 EUR
29+2.5 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IXFY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
34+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13A7820&compId=IXTP8N65X2M.pdf?ci_sign=b4a625e99f92e8aa92ba736cfa192d6931540cee
IXTP8N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
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IXTY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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IXYP10N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE44886FEA55820&compId=IXYP10N65C3.pdf?ci_sign=4e0aa075c2a195cc2704f868d1af1be03e9c7e07
IXYP10N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365
IXYP10N65C3D1M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IXXH110N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA0F0323D6D820&compId=IXXH110N65C4.pdf?ci_sign=8ec837af6c06b7dcd16b77603711edf90d67ba2e
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.53 EUR
6+12.28 EUR
10+10.93 EUR
30+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.25 EUR
5+23.01 EUR
10+20.62 EUR
25+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
16+4.48 EUR
22+3.35 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
17+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFP10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
25+2.89 EUR
29+2.53 EUR
50+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE460C3F81DF820&compId=IXYP15N65C3.pdf?ci_sign=0272b873844fa4af108434b0a500ae4f9784baa3
IXYP15N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYP15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE4058AF680B820&compId=IXYP15N65C3D1M.pdf?ci_sign=71e42345e6a97e4ab412adb420898f2de3276576
IXYP15N65C3D1M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS16-0045A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991CAAB4DF27278BF&compId=DSS16-0045A.pdf?ci_sign=be22f8c98ae3ed3ba152a63ad4439153b2b3fa17
DSS16-0045A
Hersteller: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
auf Bestellung 52 Stücke:
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48+1.5 EUR
52+1.37 EUR
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DSS16-0045AS-TUB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991CAAB4DF27278BF&compId=DSS16-0045A.pdf?ci_sign=be22f8c98ae3ed3ba152a63ad4439153b2b3fa17
Hersteller: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
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IXFA20N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33
IXFA20N50P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFH20N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33
IXFH20N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
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Anzahl Preis
1+71.5 EUR
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IXFP20N50P3M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A01820&compId=IXFP20N50P3M.pdf?ci_sign=daf243b3c5aeb07723405bcf7dfe109d66779993
IXFP20N50P3M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ20N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33
IXFQ20N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 224 Stücke:
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Anzahl Preis
11+6.62 EUR
16+4.59 EUR
30+4.19 EUR
120+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXTA4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 6 Stücke:
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6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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