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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXGF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf20n300_datasheet.pdf.pdf IXGF20N300 THT IGBT transistors
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IXGF32N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf IXGF32N170 THT IGBT transistors
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IXGH10N170 IXGH10N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAED5175596B820&compId=IXGH(t)10N170.pdf?ci_sign=3b7d3b6c182f8b0f27b026b278621c2bcff2c55b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3
Technology: NPT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 630ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH10N170A IXGH10N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Technology: NPT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH120N30B3 IXGH120N30B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE9057987A0B820&compId=IXGH120N30B3.pdf?ci_sign=5d584af9080f9df46127c6c1317b6168218acf27 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 120A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 356ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGH120N30C3 IXGH120N30C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE90C387DF7F820&compId=IXGH120N30C3.pdf?ci_sign=65f99932f05996cb78f8e73991c500d0b7beb82f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 120A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 233ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGH12N120A3 IXGH12N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB6BEF0478F820&compId=IXGA(p%2Ch)12N120A3.pdf?ci_sign=7ff57f903aa71d4892f3c9c90fda1c4b6514c180 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170A IXGH16N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.27 EUR
12+6.28 EUR
13+5.93 EUR
120+5.83 EUR
300+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXGH24N120C3 IXGH24N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5CADD2F75820&compId=IXGA(H%2CP)24N120C3.pdf?ci_sign=785f3a362f18759e260d7ef53ed0e9570b89a777 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH24N120C3H1 IXGH24N120C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC643B46CF7820&compId=IXGH24N120C3H1.pdf?ci_sign=95a98f3d1dbb0fddb85353b16ef19a08cf4ab3eb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT; Sonic FRD™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 IXGH24N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3D3296E6F820&compId=IXGH(T)24N170.pdf?ci_sign=bcf829c7a280c895f4c01ef3c947f0ab37ed7901 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.12 EUR
5+17.13 EUR
10+16.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXGH24N170A IXGH24N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3FCFE5B71820&compId=IXGH(T)24N170A.pdf?ci_sign=d7f55190fb1ae41de43c5d2e465d23d3a7cfcd72 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 456ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH25N160 IXGH25N160 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE2D104B897820&compId=IXGH(T)25N160.pdf?ci_sign=cb53774ff2fd2307076286b94f4d40db8e75e75f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 283ns
Turn-off time: 526ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH25N250 IXGH25N250 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB00DD7512F1820&compId=IXGH25N250.pdf?ci_sign=37672af961a987aa06f6a3c92f025fec780b03e0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 301ns
Turn-off time: 409ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA0D5F6D5F1820&compId=IXGH28N60B3D1.pdf?ci_sign=6f6b95dccb0524e7c091ba3fc038cb10729717c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PolarHV™; 600V; 28A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PolarHV™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH2N250 IXGH2N250 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAFE9F6304CF820&compId=IXGH2N250.pdf?ci_sign=139bab15db439c626267cbd44ebcd44f0138782d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 2A
Power dissipation: 32W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 13.5A
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACA06EEB189820&compId=IXGH(t)30N120B3D1.pdf?ci_sign=f005ac054c26db1cc4211835ea92d6b297ff6ef3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120C3H1 IXGH30N120C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACA4B1CC0B7820&compId=IXGH30N120C3H1.pdf?ci_sign=694f2b1a47c19f56311ca2c2939981f504873c81 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 415ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3 IXGH32N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACC2AE51233820&compId=IXGH(t)32N120A3.pdf?ci_sign=146fd5db7b9b749a16964dac4288ffe02f291c06 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 239ns
Turn-off time: 1.38µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170 IXGH32N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF680363E99820&compId=IXGH(t)32N170.pdf?ci_sign=9963563482ba752aee4d73fdf7543cee510e34e6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170A IXGH32N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF6B9E68B0F820&compId=IXGH(t)32N170a.pdf?ci_sign=20f3ac78b03e514554c84896e87e65060d55b472 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.85 EUR
15+4.85 EUR
16+4.58 EUR
30+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
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Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
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Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
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Kind of package: tube
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Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
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Kind of package: tube
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Collector-emitter voltage: 1.2kV
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IXGH40N120C3 IXGH40N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF007F4611820&compId=IXGH40N120C3.pdf?ci_sign=714914cb8f64354bd66f866a923e86117151cff6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
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Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
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IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF2BC4DE99820&compId=IXGH40N120C3D1.pdf?ci_sign=9086ec5b6a009987b2652c18dc4656beb34eaf8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
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IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
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IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF9565086117820&compId=IXGH48N60A3D1.pdf?ci_sign=79ff2f016eec2a4ab098ef5c133c0a1a4d151380 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
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IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
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IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
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IXGH4N250C IXYS DS100320(IXGH-GT4N250C).pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 57nC
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH50N120C3 IXGH50N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD246A67187820&compId=IXGH50N120C3.pdf?ci_sign=38e9870a4fb4296be0a0bbda74474af0275c3fb6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 485ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 IXGH50N90B2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAABAECC3241820&compId=IXGH(T)50N90B2.pdf?ci_sign=069ecfae63b9b0cb00f5b2086e78ae27d0bcd488 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Gate charge: 135nC
Turn-off time: 820ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 900V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
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10+7.19 EUR
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IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A96FD8C4E898BF&compId=IXG_50N90B2D1.pdf?ci_sign=f4cd4c51dbcce9e2ffad27c4bb510a6a965450cf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Gate charge: 135nC
Turn-off time: 820ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 900V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
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8+9.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH6N170 IXGH6N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A99DD112ACB8BF&compId=IXG_6N170.pdf?ci_sign=da939209e45ad284a3aacd5ea8533deede4f01af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 6A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 0.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH6N170A IXGH6N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE62EB13C77820&compId=IXGh(T)6N170A.pdf?ci_sign=e3be7b7321a119c55baa6fb6dbef9aed2b2b65e8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 6A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 14A
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60A3 IXGH72N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.24 EUR
9+8.18 EUR
10+7.74 EUR
120+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60C3 IXGH72N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA8AE8E972D820&compId=IXGH72N60C3.pdf?ci_sign=e7439d07a94ee0168475277f41a96e4f84faad59 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH90N60B3 IXYS DS99994(IXGH90N60B3).pdf IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGK100N170 IXGK100N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0A6DAFB799820&compId=IXGK(X)100N170.pdf?ci_sign=c8053da6d72a2c79586ce8a850d84b1d66a7da31 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO264
Kind of package: tube
Turn-on time: 285ns
Gate charge: 425nC
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 830W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK120N120A3 IXGK120N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE298DEDCD820&compId=IXGK(x)120N120A3.pdf?ci_sign=c7a8186a489035ec0ead3df55bd4f31bb6ed73dd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK120N120B3 IXGK120N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE7EA92E47820&compId=IXGK(x)120N120B3.pdf?ci_sign=66d03d7a35e3abfe1e2dfa50266727cc891d888d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGK320N60B3 IXYS IXGK320N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK400N30A3 IXGK400N30A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE928C3F5451820&compId=IXGK(X)400N30A3.pdf?ci_sign=620a1db92159c5e67eff60170c2cd1cd5ba80b7c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 560nC
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 565ns
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 300V
Pulsed collector current: 1.2kA
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGK50N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXGK50N120C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK55N120A3H1 IXGK55N120A3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 1253ns
Collector current: 55A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Pulsed collector current: 400A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAEEB2C2E5D820&compId=IXGK(X)72N60B3H1.pdf?ci_sign=a5aba8865088ad6a2ff712e7b9f0f02cb4b7ffac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK75N250 IXYS IXGK75N250 THT IGBT transistors
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IXGK82N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
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IXGK82N120B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120b3_datasheet.pdf.pdf IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
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IXGN100N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn100n170-datasheet?assetguid=200685c0-86dc-48d9-bd31-8fe7d5b93562 IXGN100N170 IGBT modules
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IXGN200N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n170-datasheet?assetguid=7e04c6cf-4f13-4544-a332-6f459d9482a9 IXGN200N170 IGBT modules
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IXGN200N60B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n60b3-datasheet?assetguid=afbc1b0a-9329-4956-9583-cb1d3432b70c IXGN200N60B3 IGBT modules
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IXGN320N60A3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn320n60a3-datasheet?assetguid=231d72ae-a2f0-4d0a-8cc9-6874d5202487 IXGN320N60A3 IGBT modules
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IXGN400N60A3 IXGN400N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2ECD2BBEEB820&compId=IXGN400N60A3.pdf?ci_sign=8a21fca6ac60404c1a68085a303adb5a72c3c627 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 190A
Power dissipation: 830W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SOT227B
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IXGF20N300 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf20n300_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGF20N300 THT IGBT transistors
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IXGF32N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGF32N170 THT IGBT transistors
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IXGH10N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAED5175596B820&compId=IXGH(t)10N170.pdf?ci_sign=3b7d3b6c182f8b0f27b026b278621c2bcff2c55b
IXGH10N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3
Technology: NPT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 630ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH10N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252
IXGH10N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Technology: NPT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE9057987A0B820&compId=IXGH120N30B3.pdf?ci_sign=5d584af9080f9df46127c6c1317b6168218acf27
IXGH120N30B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 120A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 356ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH120N30C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE90C387DF7F820&compId=IXGH120N30C3.pdf?ci_sign=65f99932f05996cb78f8e73991c500d0b7beb82f
IXGH120N30C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 120A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 233ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH12N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB6BEF0478F820&compId=IXGA(p%2Ch)12N120A3.pdf?ci_sign=7ff57f903aa71d4892f3c9c90fda1c4b6514c180
IXGH12N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH16N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616
IXGH16N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38
IXGH16N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGH20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
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7+11.27 EUR
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13+5.93 EUR
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300+5.71 EUR
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IXGH24N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5CADD2F75820&compId=IXGA(H%2CP)24N120C3.pdf?ci_sign=785f3a362f18759e260d7ef53ed0e9570b89a777
IXGH24N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC643B46CF7820&compId=IXGH24N120C3H1.pdf?ci_sign=95a98f3d1dbb0fddb85353b16ef19a08cf4ab3eb
IXGH24N120C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT; Sonic FRD™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3D3296E6F820&compId=IXGH(T)24N170.pdf?ci_sign=bcf829c7a280c895f4c01ef3c947f0ab37ed7901
IXGH24N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.12 EUR
5+17.13 EUR
10+16.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3FCFE5B71820&compId=IXGH(T)24N170A.pdf?ci_sign=d7f55190fb1ae41de43c5d2e465d23d3a7cfcd72
IXGH24N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 456ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH25N160 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE2D104B897820&compId=IXGH(T)25N160.pdf?ci_sign=cb53774ff2fd2307076286b94f4d40db8e75e75f
IXGH25N160
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 283ns
Turn-off time: 526ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH25N250 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB00DD7512F1820&compId=IXGH25N250.pdf?ci_sign=37672af961a987aa06f6a3c92f025fec780b03e0
IXGH25N250
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 301ns
Turn-off time: 409ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA0D5F6D5F1820&compId=IXGH28N60B3D1.pdf?ci_sign=6f6b95dccb0524e7c091ba3fc038cb10729717c2
IXGH28N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PolarHV™; 600V; 28A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PolarHV™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH2N250 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAFE9F6304CF820&compId=IXGH2N250.pdf?ci_sign=139bab15db439c626267cbd44ebcd44f0138782d
IXGH2N250
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 2A
Power dissipation: 32W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 13.5A
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACA06EEB189820&compId=IXGH(t)30N120B3D1.pdf?ci_sign=f005ac054c26db1cc4211835ea92d6b297ff6ef3
IXGH30N120B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACA4B1CC0B7820&compId=IXGH30N120C3H1.pdf?ci_sign=694f2b1a47c19f56311ca2c2939981f504873c81
IXGH30N120C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 415ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACC2AE51233820&compId=IXGH(t)32N120A3.pdf?ci_sign=146fd5db7b9b749a16964dac4288ffe02f291c06
IXGH32N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 239ns
Turn-off time: 1.38µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF680363E99820&compId=IXGH(t)32N170.pdf?ci_sign=9963563482ba752aee4d73fdf7543cee510e34e6
IXGH32N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF6B9E68B0F820&compId=IXGH(t)32N170a.pdf?ci_sign=20f3ac78b03e514554c84896e87e65060d55b472
IXGH32N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.85 EUR
15+4.85 EUR
16+4.58 EUR
30+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACDC24CE18D820&compId=IXGH(T)40N120A2.pdf?ci_sign=203d3ce5808c7efb2301acda4bb7953fc1c64a9b
IXGH40N120A2
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACE7B86DFC1820&compId=IXGH40N120B2D1.pdf?ci_sign=f69cd0ee46700a68335dcbe7633483cd24211c52
IXGH40N120B2D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF007F4611820&compId=IXGH40N120C3.pdf?ci_sign=714914cb8f64354bd66f866a923e86117151cff6
IXGH40N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF2BC4DE99820&compId=IXGH40N120C3D1.pdf?ci_sign=9086ec5b6a009987b2652c18dc4656beb34eaf8b
IXGH40N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGH48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF9565086117820&compId=IXGH48N60A3D1.pdf?ci_sign=79ff2f016eec2a4ab098ef5c133c0a1a4d151380
IXGH48N60A3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.91 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.23 EUR
9+8.32 EUR
10+7.86 EUR
30+7.58 EUR
120+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH4N250C DS100320(IXGH-GT4N250C).pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 57nC
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD246A67187820&compId=IXGH50N120C3.pdf?ci_sign=38e9870a4fb4296be0a0bbda74474af0275c3fb6
IXGH50N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 485ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAABAECC3241820&compId=IXGH(T)50N90B2.pdf?ci_sign=069ecfae63b9b0cb00f5b2086e78ae27d0bcd488
IXGH50N90B2
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Gate charge: 135nC
Turn-off time: 820ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 900V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.15 EUR
10+7.19 EUR
11+6.79 EUR
30+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A96FD8C4E898BF&compId=IXG_50N90B2D1.pdf?ci_sign=f4cd4c51dbcce9e2ffad27c4bb510a6a965450cf
IXGH50N90B2D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Gate charge: 135nC
Turn-off time: 820ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 900V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.92 EUR
8+9.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH6N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A99DD112ACB8BF&compId=IXG_6N170.pdf?ci_sign=da939209e45ad284a3aacd5ea8533deede4f01af
IXGH6N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 6A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 0.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH6N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE62EB13C77820&compId=IXGh(T)6N170A.pdf?ci_sign=e3be7b7321a119c55baa6fb6dbef9aed2b2b65e8
IXGH6N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 6A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 14A
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e
IXGH72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.24 EUR
9+8.18 EUR
10+7.74 EUR
120+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA8AE8E972D820&compId=IXGH72N60C3.pdf?ci_sign=e7439d07a94ee0168475277f41a96e4f84faad59
IXGH72N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH90N60B3 DS99994(IXGH90N60B3).pdf
Hersteller: IXYS
IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
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IXGK100N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0A6DAFB799820&compId=IXGK(X)100N170.pdf?ci_sign=c8053da6d72a2c79586ce8a850d84b1d66a7da31
IXGK100N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO264
Kind of package: tube
Turn-on time: 285ns
Gate charge: 425nC
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 830W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK120N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE298DEDCD820&compId=IXGK(x)120N120A3.pdf?ci_sign=c7a8186a489035ec0ead3df55bd4f31bb6ed73dd
IXGK120N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK120N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE7EA92E47820&compId=IXGK(x)120N120B3.pdf?ci_sign=66d03d7a35e3abfe1e2dfa50266727cc891d888d
IXGK120N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK320N60B3
Hersteller: IXYS
IXGK320N60B3 THT IGBT transistors
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IXGK400N30A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE928C3F5451820&compId=IXGK(X)400N30A3.pdf?ci_sign=620a1db92159c5e67eff60170c2cd1cd5ba80b7c
IXGK400N30A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 560nC
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 565ns
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 300V
Pulsed collector current: 1.2kA
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK50N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGK50N120C3H1 THT IGBT transistors
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IXGK55N120A3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba
IXGK55N120A3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 1253ns
Collector current: 55A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Pulsed collector current: 400A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK72N60B3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAEEB2C2E5D820&compId=IXGK(X)72N60B3H1.pdf?ci_sign=a5aba8865088ad6a2ff712e7b9f0f02cb4b7ffac
IXGK72N60B3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK75N250
Hersteller: IXYS
IXGK75N250 THT IGBT transistors
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IXGK82N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
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IXGK82N120B3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
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IXGN100N170 littelfuse-discrete-igbts-ixgn100n170-datasheet?assetguid=200685c0-86dc-48d9-bd31-8fe7d5b93562
Hersteller: IXYS
IXGN100N170 IGBT modules
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IXGN200N170 littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n170-datasheet?assetguid=7e04c6cf-4f13-4544-a332-6f459d9482a9
Hersteller: IXYS
IXGN200N170 IGBT modules
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IXGN200N60B3 littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n60b3-datasheet?assetguid=afbc1b0a-9329-4956-9583-cb1d3432b70c
Hersteller: IXYS
IXGN200N60B3 IGBT modules
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IXGN320N60A3 littelfuse-discrete-igbts-ixgn320n60a3-datasheet?assetguid=231d72ae-a2f0-4d0a-8cc9-6874d5202487
Hersteller: IXYS
IXGN320N60A3 IGBT modules
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IXGN400N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2ECD2BBEEB820&compId=IXGN400N60A3.pdf?ci_sign=8a21fca6ac60404c1a68085a303adb5a72c3c627
IXGN400N60A3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 190A
Power dissipation: 830W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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