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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTK170N10P IXTK170N10P IXYS IXTK170N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 170A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 120ns
Case: TO264
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.26 EUR
7+10.41 EUR
25+10.28 EUR
100+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170P10P IXTK170P10P IXYS IXTK170P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: -170A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 176ns
Case: TO264
Gate charge: 240nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK17N120L IXTK17N120L IXYS IXTK(X)17N120L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 17A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Reverse recovery time: 1.83µs
Case: TO264
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15P IXTK180N15P IXYS IXTK180N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.91 EUR
5+14.84 EUR
6+14.04 EUR
10+13.51 EUR
25+13.50 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2 IXTK200N10L2 IXYS IXT_200N10L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 245ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 540nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS IXTK200N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.06 EUR
5+14.41 EUR
6+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150 IXTK20N150 IXYS IXTK(X)20N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS IXTK210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.00 EUR
100+27.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100L IXTK22N100L IXYS IXTK(X)22N100L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf IXTK240N075L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS IXTK32P60P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.96 EUR
25+19.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250L IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=697abaf0-8e4f-4022-850a-2222f0e095db&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_3n250l_datasheet.pdf IXTK3N250L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6 IXTK40P50P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtk46n50l_datasheet.pdf.pdf IXTK46N50L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTK550N055T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_600n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTK600N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf IXTK60N50L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25P IXYS a IXTK82N25P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf IXTK8N150L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2 IXTK90N25L2 IXYS IXTK(X)90N25L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS IXTK90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO264
Gate charge: 205nC
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.16 EUR
10+20.05 EUR
25+19.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450 IXYS IXTL2N450 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470 IXYS IXTL2N470 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 IXYS IXTN102N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Pulsed drain current: 204A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 IXYS IXTN110N20L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 500nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 275A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 420ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn170p10p-datasheet?assetguid=a5324887-08b2-496a-afd1-beb2354decfc IXTN170P10P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn17n120l_datasheet.pdf.pdf IXTN17N120L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2 IXTN200N10L2 IXYS IXTN200N10L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 178A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
On-state resistance: 11mΩ
Gate charge: 540nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 245ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10T IXTN200N10T IXYS IXTN200N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: SOT227B
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 76ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: TrenchMV™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS IXTN210P10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: -800A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100L IXTN22N100L IXYS IXTN22N100L.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 22A; SOT227B; screw; Idm: 50A; 700W
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.6Ω
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100L IXYS IXTN30N100L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN32P60P IXYS DS99991(IXTN32P60P).pdf IXTN32P60P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN46N50L IXTN46N50L IXYS IXTN46N50L.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 46A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 100A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 0.6µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTN550N055T2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN600N04T2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn600n04t2-datasheet?assetguid=ce9fe6c5-553e-48d1-b7ff-931b370a3ea5 IXTN600N04T2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn60n50_datasheet.pdf.pdf IXTN60N50L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn62n50l_datasheet.pdf.pdf IXTN62N50L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN80N30L2 IXTN80N30L2 IXYS IXTN80N30L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 735W
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 660nC
Reverse recovery time: 485ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150L IXYS IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c62d818e-4862-4ab8-af50-06096819ed00&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-linear-ixtn90n25-datasheet IXTN90N25L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20P IXTN90P20P IXYS IXTN90P20P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: -90A
Drain-source voltage: -200V
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
Semiconductor structure: single transistor
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -270A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.17 EUR
12+6.19 EUR
13+5.86 EUR
250+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 IXTP02N120P THT N channel transistors
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IXTP05N100 IXTP05N100 IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP05N100M IXTP05N100M IXYS IXTP05N100M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100P IXTP05N100P IXYS IXTP05N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP06N120P IXYS IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf IXTP06N120P THT N channel transistors
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IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
500+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS IXTA(P,Y)08N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 42W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.60 EUR
31+2.36 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
250+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf IXTP08N120P THT N channel transistors
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IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.72 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 34ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IXTP102N15T IXYS DS99661B(IXTA-TH-TP-TQ102N15T).pdf IXTP102N15T THT N channel transistors
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IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS IXTP10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP10P15T IXYS DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf IXTP10P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IXTK170N10P IXTK170N10P-DTE.pdf
IXTK170N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 170A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 120ns
Case: TO264
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.26 EUR
7+10.41 EUR
25+10.28 EUR
100+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTK170P10P IXTK170P10P.pdf
IXTK170P10P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: -170A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 176ns
Case: TO264
Gate charge: 240nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK17N120L IXTK(X)17N120L.pdf
IXTK17N120L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 17A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Reverse recovery time: 1.83µs
Case: TO264
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTK180N15P IXTK180N15P-DTE.pdf
IXTK180N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.91 EUR
5+14.84 EUR
6+14.04 EUR
10+13.51 EUR
25+13.50 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXTK200N10L2 IXT_200N10L2.pdf
IXTK200N10L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 245ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 540nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10P IXTK200N10P-DTE.pdf
IXTK200N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.06 EUR
5+14.41 EUR
6+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150 IXTK(X)20N150.pdf
IXTK20N150
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T IXTK210P10T.pdf
IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.00 EUR
100+27.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100L IXTK(X)22N100L.pdf
IXTK22N100L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK240N075L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P IXTK32P60P.pdf
IXTK32P60P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.96 EUR
25+19.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250L media?resourcetype=datasheets&itemid=697abaf0-8e4f-4022-850a-2222f0e095db&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_3n250l_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK3N250L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6
Hersteller: IXYS
IXTK40P50P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtk46n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK46N50L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK550N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_600n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK600N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK60N50L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25P a
Hersteller: IXYS
IXTK82N25P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK8N150L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2 IXTK(X)90N25L2.pdf
IXTK90N25L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P IXTK90P20P.pdf
IXTK90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO264
Gate charge: 205nC
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.16 EUR
10+20.05 EUR
25+19.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450
Hersteller: IXYS
IXTL2N450 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470
Hersteller: IXYS
IXTL2N470 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2.pdf
IXTN102N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Pulsed drain current: 204A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2.pdf
IXTN110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 500nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 275A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 420ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixtn170p10p-datasheet?assetguid=a5324887-08b2-496a-afd1-beb2354decfc
Hersteller: IXYS
IXTN170P10P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn17n120l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN17N120L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2 IXTN200N10L2.pdf
IXTN200N10L2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 178A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
On-state resistance: 11mΩ
Gate charge: 540nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 245ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10T IXTN200N10T.pdf
IXTN200N10T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: SOT227B
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 76ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: TrenchMV™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10T IXTN210P10T.pdf
IXTN210P10T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: -800A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN22N100L IXTN22N100L.pdf
IXTN22N100L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 22A; SOT227B; screw; Idm: 50A; 700W
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.6Ω
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN30N100L
Hersteller: IXYS
IXTN30N100L Transistor modules MOSFET
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IXTN32P60P DS99991(IXTN32P60P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTN32P60P Transistor modules MOSFET
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IXTN40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
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IXTN46N50L IXTN46N50L.pdf
IXTN46N50L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 46A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 100A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 0.6µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN550N055T2 Transistor modules MOSFET
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IXTN600N04T2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtn600n04t2-datasheet?assetguid=ce9fe6c5-553e-48d1-b7ff-931b370a3ea5
Hersteller: IXYS
IXTN600N04T2 Transistor modules MOSFET
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IXTN60N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn60n50_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN60N50L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN62N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn62n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN62N50L Transistor modules MOSFET
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IXTN80N30L2 IXTN80N30L2.pdf
IXTN80N30L2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 735W
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 660nC
Reverse recovery time: 485ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN8N150L
Hersteller: IXYS
IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
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IXTN90N25L2 media?resourcetype=datasheets&itemid=c62d818e-4862-4ab8-af50-06096819ed00&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-linear-ixtn90n25-datasheet
Hersteller: IXYS
IXTN90N25L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN90P20P IXTN90P20P.pdf
IXTN90P20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: -90A
Drain-source voltage: -200V
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
Semiconductor structure: single transistor
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -270A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTP01N100D
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.17 EUR
12+6.19 EUR
13+5.86 EUR
250+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
Hersteller: IXYS
IXTP02N120P THT N channel transistors
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IXTP02N50D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5
Hersteller: IXYS
IXTP02N50D THT N channel transistors
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IXTP05N100 IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTP05N100
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100M IXTP05N100M.pdf
IXTP05N100M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100P IXTP05N100P.pdf
IXTP05N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120P IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP06N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTP08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
500+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100P IXTA(P,Y)08N100P.pdf
IXTP08N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 42W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.60 EUR
31+2.36 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
250+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP08N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTP08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.72 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTP100N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 34ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15T DS99661B(IXTA-TH-TP-TQ102N15T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTP102N15T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P IXTP10N60P.pdf
IXTP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15T DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTP10P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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