Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXGA20N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: tube Turn-off time: 720ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 61ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGA24N120C3 | IXYS |
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IXGA30N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGA42N30C3 | IXYS |
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IXGA48N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 48A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 925ns Technology: GenX3™; PT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGF20N300 | IXYS |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGF32N170 | IXYS |
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IXGH10N170 | IXYS |
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IXGH10N170A | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 5A Pulsed collector current: 20A Turn-on time: 107ns Turn-off time: 240ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 140W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 29nC Technology: NPT Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH120N30B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 540W Kind of package: tube Gate charge: 225nC Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 300V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 480A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 356ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH120N30C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 540W Kind of package: tube Gate charge: 230nC Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 300V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 66ns Turn-off time: 233ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH12N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 100W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 20.4nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 202ns Turn-off time: 1545ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 12A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH16N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 16A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Turn-on time: 90ns Turn-off time: 1.6µs Features of semiconductor devices: high voltage Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH16N170A | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 11A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 35ns Turn-off time: 298ns Features of semiconductor devices: high voltage Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH20N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Turn-off time: 1.53µs Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 66ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH24N120C3 | IXYS |
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IXGH24N120C3H1 | IXYS |
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IXGH24N170 | IXYS |
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auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH24N170A | IXYS |
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IXGH25N160 | IXYS |
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IXGH25N250 | IXYS |
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IXGH28N60B3D1 | IXYS |
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IXGH2N250 | IXYS |
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auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH30N120B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH30N120C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 24A Pulsed collector current: 115A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 415ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH32N120A3 | IXYS |
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IXGH32N170 | IXYS |
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auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH32N170A | IXYS | IXGH32N170A THT IGBT transistors |
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IXGH36N60B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 350ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH36N60B3C1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 350ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH40N120A2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Technology: PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 55ns Turn-off time: 2.3µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH40N120B2D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 138nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 79ns Turn-off time: 770ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH40N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 475ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH40N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 475ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH48N60A3 | IXYS |
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IXGH48N60A3D1 | IXYS |
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IXGH48N60B3C1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 48ns Turn-off time: 347ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH48N60B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 44ns Turn-off time: 347ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH48N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 45ns Turn-off time: 187ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 48A Pulsed collector current: 250A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH4N250C | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage Mounting: THT Power dissipation: 150W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 57nC Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 13A Pulsed collector current: 8A Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH50N120C3 | IXYS |
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IXGH50N90B2 | IXYS |
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auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH50N90B2D1 | IXYS |
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auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH60N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH6N170 | IXYS |
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IXGH6N170A | IXYS |
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IXGH72N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 72A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 885ns Technology: GenX3™; XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH72N60C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 72A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 360A Mounting: THT Gate charge: 174nC Kind of package: tube Turn-on time: 62ns Turn-off time: 244ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH90N60B3 | IXYS |
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IXGK100N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 285ns Turn-off time: 720ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 830W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 425nC Technology: NPT Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK120N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 830W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 420nC Kind of package: tube Turn-off time: 1365ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 105ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK120N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 830W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-off time: 885ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 370A Turn-on time: 122ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK320N60B3 | IXYS | IXGK320N60B3 THT IGBT transistors |
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IXGK400N30A3 | IXYS |
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IXGK50N120C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO264 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 460W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 196nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 240A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 485ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK55N120A3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 460W Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: GenX3™; PT Case: TO264 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 55A Pulsed collector current: 400A Turn-on time: 70ns Turn-off time: 1253ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK72N60B3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 72A Power dissipation: 540W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Turn-on time: 63ns Turn-off time: 370ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK75N250 | IXYS | IXGK75N250 THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGK82N120A3 | IXYS |
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IXGK82N120B3 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IXGA20N120B3 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGA24N120C3 |
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Hersteller: IXYS
IXGA24N120C3 SMD IGBT transistors
IXGA24N120C3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGA30N120B3 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGA42N30C3 |
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Hersteller: IXYS
IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGA48N60A3 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.13 EUR |
13+ | 5.52 EUR |
16+ | 4.55 EUR |
17+ | 4.3 EUR |
IXGF20N300 |
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Hersteller: IXYS
IXGF20N300 THT IGBT transistors
IXGF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 84.08 EUR |
2+ | 51.98 EUR |
IXGF32N170 |
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Hersteller: IXYS
IXGF32N170 THT IGBT transistors
IXGF32N170 THT IGBT transistors
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IXGH10N170 |
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Hersteller: IXYS
IXGH10N170 THT IGBT transistors
IXGH10N170 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGH10N170A |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
30+ | 7.06 EUR |
IXGH120N30B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 356ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 356ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXGH120N30C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Kind of package: tube
Gate charge: 230nC
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 233ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Kind of package: tube
Gate charge: 230nC
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 233ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXGH12N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXGH16N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
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Case: TO247-3
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Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH16N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
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Case: TO247-3
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Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXGH20N120A3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.27 EUR |
12+ | 6.28 EUR |
13+ | 5.93 EUR |
120+ | 5.83 EUR |
300+ | 5.71 EUR |
IXGH24N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH24N120C3 THT IGBT transistors
IXGH24N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGH24N120C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH24N120C3H1 THT IGBT transistors
IXGH24N120C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH24N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH24N170 THT IGBT transistors
IXGH24N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 25.88 EUR |
4+ | 18.53 EUR |
IXGH24N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH24N170A THT IGBT transistors
IXGH24N170A THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGH25N160 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH25N160 THT IGBT transistors
IXGH25N160 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGH25N250 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH25N250 THT IGBT transistors
IXGH25N250 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH28N60B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH2N250 |
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Hersteller: IXYS
IXGH2N250 THT IGBT transistors
IXGH2N250 THT IGBT transistors
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 20.31 EUR |
5+ | 14.49 EUR |
IXGH30N120B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH30N120C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 415ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 415ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH32N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH32N120A3 THT IGBT transistors
IXGH32N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH32N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH32N170 THT IGBT transistors
IXGH32N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 34.75 EUR |
4+ | 22.21 EUR |
IXGH32N170A |
Hersteller: IXYS
IXGH32N170A THT IGBT transistors
IXGH32N170A THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH36N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.85 EUR |
15+ | 4.85 EUR |
16+ | 4.59 EUR |
30+ | 4.4 EUR |
IXGH36N60B3C1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
IXGH40N120A2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Technology: PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Technology: PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH40N120B2D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH40N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH40N120C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 52ns
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IXGH48N60A3 |
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Hersteller: IXYS
IXGH48N60A3 THT IGBT transistors
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IXGH48N60A3D1 |
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Hersteller: IXYS
IXGH48N60A3D1 THT IGBT transistors
IXGH48N60A3D1 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGH48N60B3C1 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.49 EUR |
IXGH48N60B3D1 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.91 EUR |
9+ | 7.98 EUR |
10+ | 7.55 EUR |
30+ | 7.54 EUR |
IXGH48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.23 EUR |
9+ | 8.32 EUR |
10+ | 7.86 EUR |
30+ | 7.58 EUR |
120+ | 7.56 EUR |
IXGH4N250C |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 57nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 8A
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 57nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 8A
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH50N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH50N120C3 THT IGBT transistors
IXGH50N120C3 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGH50N90B2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH50N90B2 THT IGBT transistors
IXGH50N90B2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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7+ | 11.44 EUR |
10+ | 7.35 EUR |
IXGH50N90B2D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH50N90B2D1 THT IGBT transistors
IXGH50N90B2D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.2 EUR |
8+ | 9.14 EUR |
IXGH60N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH6N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH6N170 THT IGBT transistors
IXGH6N170 THT IGBT transistors
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IXGH6N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH6N170A THT IGBT transistors
IXGH6N170A THT IGBT transistors
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IXGH72N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.24 EUR |
9+ | 8.18 EUR |
10+ | 7.74 EUR |
120+ | 7.68 EUR |
IXGH72N60C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGH90N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGK100N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK120N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK120N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 370A
Turn-on time: 122ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 370A
Turn-on time: 122ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK320N60B3 |
Hersteller: IXYS
IXGK320N60B3 THT IGBT transistors
IXGK320N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK400N30A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGK400N30A3 THT IGBT transistors
IXGK400N30A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK50N120C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK55N120A3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK72N60B3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK75N250 |
Hersteller: IXYS
IXGK75N250 THT IGBT transistors
IXGK75N250 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK82N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK82N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH