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IXGH48N60B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 347ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH48N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 250A Turn-on time: 45ns Turn-off time: 187ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH4N250C | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage Mounting: THT Power dissipation: 150W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 57nC Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 13A Pulsed collector current: 8A Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH50N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 250A Turn-on time: 55ns Turn-off time: 485ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 460W Kind of package: tube Gate charge: 196nC Technology: GenX3™; PT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH50N90B2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 48ns Turn-off time: 820ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 400W Kind of package: tube Gate charge: 135nC Technology: HiPerFAST™; XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH50N90B2D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 48ns Turn-off time: 820ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 400W Kind of package: tube Gate charge: 135nC Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH60N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH6N170 | IXYS |
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IXGH6N170A | IXYS |
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IXGH72N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-off time: 885ns Technology: GenX3™; XPT™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 72A Pulsed collector current: 400A Turn-on time: 61ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH72N60C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 72A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 360A Mounting: THT Gate charge: 174nC Kind of package: tube Turn-on time: 62ns Turn-off time: 244ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH90N60B3 | IXYS |
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IXGK100N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 285ns Turn-off time: 720ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 830W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 425nC Technology: NPT Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK120N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 830W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 420nC Kind of package: tube Collector current: 120A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 105ns Turn-off time: 1365ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK120N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 830W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector current: 120A Pulsed collector current: 370A Turn-on time: 122ns Turn-off time: 885ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK320N60B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 1.7kW Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 585nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 320A Pulsed collector current: 1.2kA Turn-on time: 107ns Turn-off time: 595ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK400N30A3 | IXYS |
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IXGK50N120C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 240A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 485ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 460W Kind of package: tube Gate charge: 196nC Technology: GenX3™; PT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK55N120A3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 460W Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: GenX3™; PT Case: TO264 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 55A Pulsed collector current: 400A Turn-on time: 70ns Turn-off time: 1253ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK72N60B3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 72A Power dissipation: 540W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Turn-on time: 63ns Turn-off time: 370ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK75N250 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 530A Turn-on time: 280ns Turn-off time: 725ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 780W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 410nC Technology: NPT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGK82N120A3 | IXYS |
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IXGK82N120B3 | IXYS |
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IXGN100N170 | IXYS | IXGN100N170 IGBT modules |
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IXGN200N170 | IXYS | IXGN200N170 IGBT modules |
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IXGN200N60B3 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 830W Mechanical mounting: screw Technology: GenX3™; PT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGN320N60A3 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 735W Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 170A Pulsed collector current: 1.2kA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGN400N60A3 | IXYS |
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IXGN400N60B3 | IXYS | IXGN400N60B3 IGBT modules |
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IXGN50N120C3H1 | IXYS |
![]() Description: Single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B; screw; 460W Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 240A Power dissipation: 460W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: GenX3™; PT Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGN72N60C3H1 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W Technology: GenX3™; PT Collector current: 52A Power dissipation: 360W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 360A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGP12N120A3 | IXYS |
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IXGP20N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 50nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 66ns Turn-off time: 1.53µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGP20N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 51nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 61ns Turn-off time: 720ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGP24N120C3 | IXYS |
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IXGP30N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGP36N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 220W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A Power dissipation: 220W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 43ns Turn-off time: 1µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGP42N30C3 | IXYS |
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IXGP48N60A3 | IXYS | IXGP48N60A3 THT IGBT transistors |
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IXGR24N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 200W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 24A Power dissipation: 200W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 96A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 430ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGR32N90B2D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: HiPerFAST™; PT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 22A Power dissipation: 160W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Turn-on time: 42ns Turn-off time: 690ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGR48N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 26A Power dissipation: 125W Case: ISOPLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 230A Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 187ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGR55N120A3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 200W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 330A Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Turn-on time: 70ns Turn-off time: 1253ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGR6N170A | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 2.5A; 50W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: THT Gate charge: 18.5nC Kind of package: tube Turn-on time: 91ns Turn-off time: 271ns Features of semiconductor devices: high voltage Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXGR72N60B3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 200W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Turn-on time: 63ns Turn-off time: 370ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGT10N170 | IXYS |
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IXGT10N170A | IXYS |
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IXGT16N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 16A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 90ns Turn-off time: 1.6µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 78nC Technology: NPT Mounting: SMD Case: TO268 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGT16N170A | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 11A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 35ns Turn-off time: 298ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 70nC Technology: NPT Mounting: SMD Case: TO268 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGT16N170AH1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 11A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 35ns Turn-off time: 298ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 70nC Technology: NPT Mounting: SMD Case: TO268 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGT24N170 | IXYS |
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IXGT24N170A | IXYS |
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IXGT25N160 | IXYS |
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IXGT30N120B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGT32N120A3 | IXYS |
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IXGT32N170 | IXYS |
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IXGT32N170A | IXYS |
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IXGT60N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGT6N170 | IXYS |
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IXGT6N170A | IXYS |
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IXGH48N60B3D1 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.25 EUR |
9+ | 7.98 EUR |
10+ | 7.54 EUR |
25+ | 7.45 EUR |
30+ | 7.34 EUR |
90+ | 7.25 EUR |
IXGH48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.48 EUR |
9+ | 8.32 EUR |
10+ | 7.86 EUR |
120+ | 7.82 EUR |
IXGH4N250C |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 57nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 8A
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 57nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 8A
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH50N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH50N90B2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.87 EUR |
10+ | 7.36 EUR |
IXGH50N90B2D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.48 EUR |
8+ | 9.14 EUR |
IXGH60N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGH6N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH6N170 THT IGBT transistors
IXGH6N170 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH6N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH6N170A THT IGBT transistors
IXGH6N170A THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH72N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.24 EUR |
9+ | 8.18 EUR |
10+ | 7.74 EUR |
120+ | 7.68 EUR |
IXGH72N60C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH90N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK100N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK120N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK120N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 370A
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 370A
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK320N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK400N30A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGK400N30A3 THT IGBT transistors
IXGK400N30A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK50N120C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK55N120A3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK72N60B3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK75N250 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 530A
Turn-on time: 280ns
Turn-off time: 725ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 410nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 530A
Turn-on time: 280ns
Turn-off time: 725ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 410nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK82N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGK82N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGN100N170 |
Hersteller: IXYS
IXGN100N170 IGBT modules
IXGN100N170 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGN200N170 |
Hersteller: IXYS
IXGN200N170 IGBT modules
IXGN200N170 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGN200N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 58.80 EUR |
3+ | 58.14 EUR |
10+ | 56.54 EUR |
IXGN320N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 170A
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 170A
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGN400N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGN400N60A3 IGBT modules
IXGN400N60A3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGN400N60B3 |
Hersteller: IXYS
IXGN400N60B3 IGBT modules
IXGN400N60B3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGN50N120C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B; screw; 460W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 460W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B; screw; 460W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 460W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGN72N60C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 52A
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 52A
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXGP12N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGP12N120A3 THT IGBT transistors
IXGP12N120A3 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGP20N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.05 EUR |
15+ | 4.90 EUR |
16+ | 4.63 EUR |
500+ | 4.43 EUR |
IXGP20N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.88 EUR |
15+ | 4.90 EUR |
16+ | 4.63 EUR |
500+ | 4.42 EUR |
IXGP24N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGP24N120C3 THT IGBT transistors
IXGP24N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGP30N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.58 EUR |
12+ | 6.12 EUR |
IXGP36N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 220W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 220W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 220W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 220W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGP42N30C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGP42N30C3 THT IGBT transistors
IXGP42N30C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGP48N60A3 |
Hersteller: IXYS
IXGP48N60A3 THT IGBT transistors
IXGP48N60A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGR24N120C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGR32N90B2D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: HiPerFAST™; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 22A
Power dissipation: 160W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 42ns
Turn-off time: 690ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: HiPerFAST™; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 22A
Power dissipation: 160W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 42ns
Turn-off time: 690ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 23.22 EUR |
5+ | 14.89 EUR |
IXGR55N120A3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 330A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 330A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGR6N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 2.5A; 50W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 2.5A; 50W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGR72N60B3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT10N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT10N170 SMD IGBT transistors
IXGT10N170 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT10N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT10N170A SMD IGBT transistors
IXGT10N170A SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT16N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT16N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT16N170AH1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT24N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT24N170 SMD IGBT transistors
IXGT24N170 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT24N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT24N170A SMD IGBT transistors
IXGT24N170A SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT25N160 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT25N160 SMD IGBT transistors
IXGT25N160 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT30N120B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT32N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT32N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT32N170 SMD IGBT transistors
IXGT32N170 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT32N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT32N170A SMD IGBT transistors
IXGT32N170A SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT60N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 8.05 EUR |
12+ | 6.06 EUR |
30+ | 5.98 EUR |
IXGT6N170 |
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Hersteller: IXYS
IXGT6N170 SMD IGBT transistors
IXGT6N170 SMD IGBT transistors
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IXGT6N170A |
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IXGT6N170A SMD IGBT transistors
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