Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFT150N25X3HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A Case: TO268HV Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 154nC Reverse recovery time: 140ns On-state resistance: 9mΩ Drain current: 150A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 735W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT150N30X3HV | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 150A Power dissipation: 890W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 254nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 167ns Technology: HiPerFET™; X3-Class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT15N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 690W Case: TO268 On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT16N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A On-state resistance: 0.95Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 660W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT16N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Power dissipation: 460W Case: TO268 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT170N25X3HV | IXYS | IXFT170N25X3HV SMD N channel transistors |
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IXFT180N20X3HV | IXYS | IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT18N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC On-state resistance: 0.66Ω Drain current: 18A Power dissipation: 830W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Case: TO268 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT20N100P | IXYS |
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IXFT20N80P | IXYS | IXFT20N80P SMD N channel transistors |
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IXFT220N20X3HV | IXYS |
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IXFT24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO268 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT24N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate charge: 130nC Reverse recovery time: 300ns Power dissipation: 660W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT26N60P | IXYS |
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IXFT30N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 460W Case: TO268 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT30N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 690W Case: TO268 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT30N85XHV | IXYS | IXFT30N85XHV SMD N channel transistors |
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IXFT320N10T2 | IXYS |
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IXFT340N075T2 | IXYS | IXFT340N075T2 SMD N channel transistors |
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IXFT36N50P | IXYS | IXFT36N50P SMD N channel transistors |
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IXFT36N60P | IXYS | IXFT36N60P SMD N channel transistors |
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IXFT400N075T2 | IXYS |
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IXFT40N85XHV | IXYS |
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IXFT42N50P2 | IXYS |
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IXFT44N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268 Case: TO268 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 98nC On-state resistance: 0.14Ω Drain current: 44A Power dissipation: 650W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT44N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268 Case: TO268 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 93nC On-state resistance: 0.14Ω Drain current: 44A Power dissipation: 830W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT50N30Q3 | IXYS | IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors |
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IXFT50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO268 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT50N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 195ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT50N85XHV | IXYS | IXFT50N85XHV SMD N channel transistors |
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IXFT52N50P2 | IXYS | IXFT52N50P2 SMD N channel transistors |
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IXFT60N50P3 | IXYS | IXFT60N50P3 SMD N channel transistors |
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IXFT60N60X3HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO268HV Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT60N65X2HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 180ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT69N30P | IXYS |
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IXFT70N20Q3 | IXYS | IXFT70N20Q3 SMD N channel transistors |
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IXFT70N30Q3 | IXYS | IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors |
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IXFT80N65X2HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT86N30T | IXYS | IXFT86N30T SMD N channel transistors |
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IXFT88N30P | IXYS |
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IXFT94N30P3 | IXYS | IXFT94N30P3 SMD N channel transistors |
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IXFT94N30T | IXYS |
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IXFT96N20P | IXYS | IXFT96N20P SMD N channel transistors |
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IXFX100N65X2 | IXYS |
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IXFX120N25P | IXYS |
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IXFX120N30P3 | IXYS | IXFX120N30P3 THT N channel transistors |
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IXFX120N30T | IXYS | IXFX120N30T THT N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IXFX120N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 220ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX140N25T | IXYS | IXFX140N25T THT N channel transistors |
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IXFX140N30P | IXYS | IXFX140N30P THT N channel transistors |
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IXFX150N30P3 | IXYS | IXFX150N30P3 THT N channel transistors |
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IXFX160N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Case: PLUS247™ On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 376nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX170N20P | IXYS | IXFX170N20P THT N channel transistors |
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IXFX170N20T | IXYS | IXFX170N20T THT N channel transistors |
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IXFX180N15P | IXYS | IXFX180N15P THT N channel transistors |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX180N25T | IXYS | IXFX180N25T THT N channel transistors |
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IXFX200N10P | IXYS | IXFX200N10P THT N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IXFX20N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Power dissipation: 780W Case: PLUS247™ On-state resistance: 570mΩ Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 300ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX210N30X3 | IXYS | IXFX210N30X3 THT N channel transistors |
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IXFX220N17T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™ Drain-source voltage: 170V Drain current: 220A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 500nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: PLUS247™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT150N25X3HV |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT150N30X3HV |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 21.65 EUR |
10+ | 20.82 EUR |
IXFT15N100Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT16N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT16N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT170N25X3HV |
Hersteller: IXYS
IXFT170N25X3HV SMD N channel transistors
IXFT170N25X3HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT180N20X3HV |
Hersteller: IXYS
IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors
IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 21.74 EUR |
5+ | 15.64 EUR |
IXFT18N100Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT20N100P |
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Hersteller: IXYS
IXFT20N100P SMD N channel transistors
IXFT20N100P SMD N channel transistors
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IXFT20N80P |
Hersteller: IXYS
IXFT20N80P SMD N channel transistors
IXFT20N80P SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT220N20X3HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT220N20X3HV SMD N channel transistors
IXFT220N20X3HV SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT24N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT24N90P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 130nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 130nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.46 EUR |
6+ | 13.67 EUR |
10+ | 13.16 EUR |
30+ | 13.14 EUR |
IXFT26N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT26N60P SMD N channel transistors
IXFT26N60P SMD N channel transistors
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IXFT30N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT30N50Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFT30N85XHV |
Hersteller: IXYS
IXFT30N85XHV SMD N channel transistors
IXFT30N85XHV SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT320N10T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT320N10T2 SMD N channel transistors
IXFT320N10T2 SMD N channel transistors
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IXFT340N075T2 |
Hersteller: IXYS
IXFT340N075T2 SMD N channel transistors
IXFT340N075T2 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT36N50P |
Hersteller: IXYS
IXFT36N50P SMD N channel transistors
IXFT36N50P SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT36N60P |
Hersteller: IXYS
IXFT36N60P SMD N channel transistors
IXFT36N60P SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT400N075T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT400N075T2 SMD N channel transistors
IXFT400N075T2 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT40N85XHV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT40N85XHV SMD N channel transistors
IXFT40N85XHV SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT42N50P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT42N50P2 SMD N channel transistors
IXFT42N50P2 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFT44N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Case: TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Case: TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFT44N50Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Case: TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Case: TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFT50N30Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXFT50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.97 EUR |
7+ | 10.64 EUR |
8+ | 10.05 EUR |
IXFT50N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.43 EUR |
7+ | 11.13 EUR |
10+ | 11.11 EUR |
IXFT50N85XHV |
Hersteller: IXYS
IXFT50N85XHV SMD N channel transistors
IXFT50N85XHV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT52N50P2 |
Hersteller: IXYS
IXFT52N50P2 SMD N channel transistors
IXFT52N50P2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT60N50P3 |
Hersteller: IXYS
IXFT60N50P3 SMD N channel transistors
IXFT60N50P3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT60N60X3HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT60N65X2HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.71 EUR |
7+ | 11.07 EUR |
IXFT69N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT69N30P SMD N channel transistors
IXFT69N30P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT70N20Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFT70N20Q3 SMD N channel transistors
IXFT70N20Q3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT70N30Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT80N65X2HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT86N30T |
Hersteller: IXYS
IXFT86N30T SMD N channel transistors
IXFT86N30T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT88N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT88N30P SMD N channel transistors
IXFT88N30P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT94N30P3 |
Hersteller: IXYS
IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT94N30T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT94N30T SMD N channel transistors
IXFT94N30T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT96N20P |
Hersteller: IXYS
IXFT96N20P SMD N channel transistors
IXFT96N20P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX100N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFX100N65X2 THT N channel transistors
IXFX100N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX120N25P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFX120N25P THT N channel transistors
IXFX120N25P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX120N30P3 |
Hersteller: IXYS
IXFX120N30P3 THT N channel transistors
IXFX120N30P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX120N30T |
Hersteller: IXYS
IXFX120N30T THT N channel transistors
IXFX120N30T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX120N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX140N25T |
Hersteller: IXYS
IXFX140N25T THT N channel transistors
IXFX140N25T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX140N30P |
Hersteller: IXYS
IXFX140N30P THT N channel transistors
IXFX140N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX150N30P3 |
Hersteller: IXYS
IXFX150N30P3 THT N channel transistors
IXFX150N30P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX160N30T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX170N20P |
Hersteller: IXYS
IXFX170N20P THT N channel transistors
IXFX170N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX170N20T |
Hersteller: IXYS
IXFX170N20T THT N channel transistors
IXFX170N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX180N15P |
Hersteller: IXYS
IXFX180N15P THT N channel transistors
IXFX180N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 21.59 EUR |
5+ | 14.7 EUR |
6+ | 13.9 EUR |
IXFX180N25T |
Hersteller: IXYS
IXFX180N25T THT N channel transistors
IXFX180N25T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX200N10P |
Hersteller: IXYS
IXFX200N10P THT N channel transistors
IXFX200N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX20N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
2+ | 35.75 EUR |
30+ | 25.14 EUR |
IXFX210N30X3 |
Hersteller: IXYS
IXFX210N30X3 THT N channel transistors
IXFX210N30X3 THT N channel transistors
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IXFX220N17T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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