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IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.25 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
25+7.45 EUR
30+7.34 EUR
90+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.48 EUR
9+8.32 EUR
10+7.86 EUR
120+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH4N250C IXYS DS100320(IXGH-GT4N250C).pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 57nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 8A
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N120C3 IXGH50N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD246A67187820&compId=IXGH50N120C3.pdf?ci_sign=38e9870a4fb4296be0a0bbda74474af0275c3fb6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 IXGH50N90B2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAABAECC3241820&compId=IXGH(T)50N90B2.pdf?ci_sign=069ecfae63b9b0cb00f5b2086e78ae27d0bcd488 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.87 EUR
10+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A96FD8C4E898BF&compId=IXG_50N90B2D1.pdf?ci_sign=f4cd4c51dbcce9e2ffad27c4bb510a6a965450cf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.48 EUR
8+9.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH6N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_6n170_datasheet.pdf.pdf IXGH6N170 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH6N170A IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-6n170a-datasheet?assetguid=5de179be-aea0-4959-b274-7db95f1aa43e IXGH6N170A THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60A3 IXGH72N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.24 EUR
9+8.18 EUR
10+7.74 EUR
120+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60C3 IXGH72N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA8AE8E972D820&compId=IXGH72N60C3.pdf?ci_sign=e7439d07a94ee0168475277f41a96e4f84faad59 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH90N60B3 IXYS DS99994(IXGH90N60B3).pdf IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK100N170 IXGK100N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0A6DAFB799820&compId=IXGK(X)100N170.pdf?ci_sign=c8053da6d72a2c79586ce8a850d84b1d66a7da31 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK120N120A3 IXGK120N120A3 IXYS IXGK(x)120N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK120N120B3 IXGK120N120B3 IXYS IXGK(x)120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 370A
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK320N60B3 IXGK320N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3FAC0877D7820&compId=IXGK(x)320N60B3.pdf?ci_sign=7f3fb659fb9326cceb8b246edbd061c9df14d441 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK400N30A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgx400n30a_datasheet.pdf.pdf IXGK400N30A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK50N120C3H1 IXGK50N120C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD2F4A1BC0B820&compId=IXGK(X)50N120C3H1.pdf?ci_sign=61c063dc7fba9e54ef68ca4e62646d9c16039893 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK55N120A3H1 IXGK55N120A3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAEEB2C2E5D820&compId=IXGK(X)72N60B3H1.pdf?ci_sign=a5aba8865088ad6a2ff712e7b9f0f02cb4b7ffac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK75N250 IXGK75N250 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB03F9BBFA01820&compId=IXGK75N250.pdf?ci_sign=be8461cff61548ebe11396ab45f12949d639eeef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 530A
Turn-on time: 280ns
Turn-off time: 725ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 410nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK82N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK82N120B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120b3_datasheet.pdf.pdf IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN100N170 IXYS IXGN100N170 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N170 IXYS IXGN200N170 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3ABB94C6CA26FE1EC&compId=ixgn200n60b3.pdf?ci_sign=d01a746c4ff41454ca16c191f704bec2cc169241 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+58.80 EUR
3+58.14 EUR
10+56.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24A5A494CF5EA&compId=IXGN320N60A3.pdf?ci_sign=8c00fe99a78f366bfbcabca8ada5fcc764beacac Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 170A
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn400n60a3_datasheet.pdf.pdf IXGN400N60A3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60B3 IXYS IXGN400N60B3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN50N120C3H1 IXGN50N120C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2F25A1C1F1820&compId=IXGN50N120C3H1.pdf?ci_sign=3d94cccf132c01d4c993945a04d3f247f8047107 Category: IGBT modules
Description: Single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B; screw; 460W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 460W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2FA2829F3B820&compId=IXGN72N60C3H1.pdf?ci_sign=0baf9eb2a151751236ca0716618ffe401a388905 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 52A
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP12N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGP12N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
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IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGP24N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf IXGP24N120C3 THT IGBT transistors
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IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 IXYS IXGA(H,P)30N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGP36N60A3 IXGP36N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AEA0378A51C3820&compId=IXGA(P%2CH)36N60A3.pdf?ci_sign=ba06c4deb17583973f6fa92da2d0c294ed9e4688 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 220W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 220W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 1µs
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IXGP42N30C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh42n30c3_datasheet.pdf.pdf IXGP42N30C3 THT IGBT transistors
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IXGP48N60A3 IXYS IXGP48N60A3 THT IGBT transistors
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IXGR24N120C3D1 IXGR24N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC6F05F14E3820&compId=IXGR24N120C3D1.pdf?ci_sign=af08643f59ea5edc5b65e80d47d0185b2b6c112f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGR32N90B2D1 IXGR32N90B2D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAAA0C3ABDBB820&compId=IXGR32N90B2D1.pdf?ci_sign=4e3505393e88d60d0432f68251c3df3d2cf69303 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: HiPerFAST™; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 22A
Power dissipation: 160W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 42ns
Turn-off time: 690ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGR55N120A3H1 IXGR55N120A3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD491737D79820&compId=IXGR55N120A3H1.pdf?ci_sign=8ff4a90dc5b497cce2442de4bf97526e3dcdb303 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 330A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGR6N170A IXGR6N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE50C49C1F3820&compId=IXGR6N170A.pdf?ci_sign=8948416bce328945a3a4ac2809f5d3317343395b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 2.5A; 50W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR72N60B3H1 IXGR72N60B3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAFC0A869B5820&compId=IXGR72N60B3H1.pdf?ci_sign=3c041375a94491207a4b390f85ce524a1ae5bf68 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGT10N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb IXGT10N170 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170A IXYS 98991.pdf IXGT10N170A SMD IGBT transistors
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IXGT16N170 IXGT16N170 IXYS IXGH16N170-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170A IXGT16N170A IXYS IXGH(t)16N170A_H1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170AH1 IXGT16N170AH1 IXYS IXGH(t)16N170A_H1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170 IXYS DS98994A(IXGH-T24N170).pdf IXGT24N170 SMD IGBT transistors
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IXGT24N170A IXYS 98995.pdf IXGT24N170A SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N160 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf IXGT25N160 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N120B3D1 IXGT30N120B3D1 IXYS IXGH(t)30N120B3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
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IXGT32N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf IXGT32N170 SMD IGBT transistors
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IXGT32N170A IXYS 98942.pdf IXGT32N170A SMD IGBT transistors
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IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.05 EUR
12+6.06 EUR
30+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT6N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_6n170_datasheet.pdf.pdf IXGT6N170 SMD IGBT transistors
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IXGT6N170A IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-6n170-datasheet?assetguid=d2aa0a4b-a2a5-4d3c-b4a9-b7da563ee3f8 IXGT6N170A SMD IGBT transistors
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IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.25 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
25+7.45 EUR
30+7.34 EUR
90+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.48 EUR
9+8.32 EUR
10+7.86 EUR
120+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH4N250C DS100320(IXGH-GT4N250C).pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 57nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 8A
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD246A67187820&compId=IXGH50N120C3.pdf?ci_sign=38e9870a4fb4296be0a0bbda74474af0275c3fb6
IXGH50N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAABAECC3241820&compId=IXGH(T)50N90B2.pdf?ci_sign=069ecfae63b9b0cb00f5b2086e78ae27d0bcd488
IXGH50N90B2
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.87 EUR
10+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A96FD8C4E898BF&compId=IXG_50N90B2D1.pdf?ci_sign=f4cd4c51dbcce9e2ffad27c4bb510a6a965450cf
IXGH50N90B2D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.48 EUR
8+9.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH6N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_6n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH6N170 THT IGBT transistors
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IXGH6N170A littelfuse-discrete-igbts-ixg-6n170a-datasheet?assetguid=5de179be-aea0-4959-b274-7db95f1aa43e
Hersteller: IXYS
IXGH6N170A THT IGBT transistors
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IXGH72N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e
IXGH72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH72N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA8AE8E972D820&compId=IXGH72N60C3.pdf?ci_sign=e7439d07a94ee0168475277f41a96e4f84faad59
IXGH72N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH90N60B3 DS99994(IXGH90N60B3).pdf
Hersteller: IXYS
IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
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IXGK100N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0A6DAFB799820&compId=IXGK(X)100N170.pdf?ci_sign=c8053da6d72a2c79586ce8a850d84b1d66a7da31
IXGK100N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK120N120A3 IXGK(x)120N120A3.pdf
IXGK120N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK120N120B3 IXGK(x)120N120B3.pdf
IXGK120N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 370A
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK320N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3FAC0877D7820&compId=IXGK(x)320N60B3.pdf?ci_sign=7f3fb659fb9326cceb8b246edbd061c9df14d441
IXGK320N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK400N30A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgx400n30a_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGK400N30A3 THT IGBT transistors
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IXGK50N120C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD2F4A1BC0B820&compId=IXGK(X)50N120C3H1.pdf?ci_sign=61c063dc7fba9e54ef68ca4e62646d9c16039893
IXGK50N120C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK55N120A3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba
IXGK55N120A3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK72N60B3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAEEB2C2E5D820&compId=IXGK(X)72N60B3H1.pdf?ci_sign=a5aba8865088ad6a2ff712e7b9f0f02cb4b7ffac
IXGK72N60B3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK75N250 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB03F9BBFA01820&compId=IXGK75N250.pdf?ci_sign=be8461cff61548ebe11396ab45f12949d639eeef
IXGK75N250
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 530A
Turn-on time: 280ns
Turn-off time: 725ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 410nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK82N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK82N120B3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN100N170
Hersteller: IXYS
IXGN100N170 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N170
Hersteller: IXYS
IXGN200N170 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3ABB94C6CA26FE1EC&compId=ixgn200n60b3.pdf?ci_sign=d01a746c4ff41454ca16c191f704bec2cc169241
IXGN200N60B3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+58.80 EUR
3+58.14 EUR
10+56.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN320N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24A5A494CF5EA&compId=IXGN320N60A3.pdf?ci_sign=8c00fe99a78f366bfbcabca8ada5fcc764beacac
IXGN320N60A3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 170A
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn400n60a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGN400N60A3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60B3
Hersteller: IXYS
IXGN400N60B3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN50N120C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2F25A1C1F1820&compId=IXGN50N120C3H1.pdf?ci_sign=3d94cccf132c01d4c993945a04d3f247f8047107
IXGN50N120C3H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B; screw; 460W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 460W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2FA2829F3B820&compId=IXGN72N60C3H1.pdf?ci_sign=0baf9eb2a151751236ca0716618ffe401a388905
IXGN72N60C3H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 52A
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP12N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGP12N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.05 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
500+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f
IXGP20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.88 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP24N120C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGP24N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP30N120B3 IXGA(H,P)30N120B3.pdf
IXGP30N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.58 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP36N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AEA0378A51C3820&compId=IXGA(P%2CH)36N60A3.pdf?ci_sign=ba06c4deb17583973f6fa92da2d0c294ed9e4688
IXGP36N60A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 220W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 220W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP42N30C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh42n30c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGP42N30C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP48N60A3
Hersteller: IXYS
IXGP48N60A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR24N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC6F05F14E3820&compId=IXGR24N120C3D1.pdf?ci_sign=af08643f59ea5edc5b65e80d47d0185b2b6c112f
IXGR24N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR32N90B2D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAAA0C3ABDBB820&compId=IXGR32N90B2D1.pdf?ci_sign=4e3505393e88d60d0432f68251c3df3d2cf69303
IXGR32N90B2D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: HiPerFAST™; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 22A
Power dissipation: 160W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 42ns
Turn-off time: 690ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR55N120A3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD491737D79820&compId=IXGR55N120A3H1.pdf?ci_sign=8ff4a90dc5b497cce2442de4bf97526e3dcdb303
IXGR55N120A3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 330A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR6N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE50C49C1F3820&compId=IXGR6N170A.pdf?ci_sign=8948416bce328945a3a4ac2809f5d3317343395b
IXGR6N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 2.5A; 50W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR72N60B3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAFC0A869B5820&compId=IXGR72N60B3H1.pdf?ci_sign=3c041375a94491207a4b390f85ce524a1ae5bf68
IXGR72N60B3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb
Hersteller: IXYS
IXGT10N170 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170A 98991.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT10N170A SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170 IXGH16N170-DTE.pdf
IXGT16N170
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170A IXGH(t)16N170A_H1.pdf
IXGT16N170A
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170AH1 IXGH(t)16N170A_H1.pdf
IXGT16N170AH1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170 DS98994A(IXGH-T24N170).pdf
Hersteller: IXYS
IXGT24N170 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170A 98995.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT24N170A SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N160 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT25N160 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N120B3D1 IXGH(t)30N120B3D1.pdf
IXGT30N120B3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT32N170 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170A 98942.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT32N170A SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.05 EUR
12+6.06 EUR
30+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT6N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_6n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT6N170 SMD IGBT transistors
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IXGT6N170A littelfuse-discrete-igbts-ixg-6n170-datasheet?assetguid=d2aa0a4b-a2a5-4d3c-b4a9-b7da563ee3f8
Hersteller: IXYS
IXGT6N170A SMD IGBT transistors
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