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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFN38N100P IXYS IXFN38N100P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN400N15X3 IXFN400N15X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8C41411F51820&compId=IXFN400N15X3.pdf?ci_sign=13beb68d32a85f3cbcfc07159506072e1f87ebdc Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 400A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 400A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 132ns
Gate charge: 365nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+52.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110P IXFN40N110P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA812D6D7BDF820&compId=IXFN40N110P.pdf?ci_sign=6226376dd3ad6996a210b08f7f2500c2f3b3461c Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA817BC850F1820&compId=IXFN40N110Q3.pdf?ci_sign=2c2fccbdd7e7ae4e20d8d950b06dc1a068f013a8 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N90P IXYS DS100062AIXFN40N90P.pdf IXFN40N90P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC87B9628D208143&compId=IXFN420N10T.pdf?ci_sign=b6ca25fc8c12b8d526ebadade3bda0c6322075d3 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n100p_datasheet.pdf.pdf IXFN44N100P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA77628F9891820&compId=IXFN44N100Q3.pdf?ci_sign=50013891e5e63e84eaa5c1c71ffceb0e2e5badb1 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.54 EUR
300+68.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C9A3C8EBA98BF&compId=IXFN44N80P.pdf?ci_sign=e5454b9129ad828efae0eebe210c810d51dfce0d description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.29 EUR
3+35.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80Q3 IXFN44N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9F937B909F820&compId=IXFN44N80Q3.pdf?ci_sign=fd80aa4819d75a8d19acc0bc3f82bfef6bd57b62 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 37A; SOT227B; screw; Idm: 130A
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN48N60P IXYS description IXFN48N60P Transistor modules MOSFET
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IXFN50N120SIC IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=33f7d771-ce0f-41aa-bfb2-afd78da82db4&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SiC-Datasheet IXFN50N120SIC Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N120SK IXFN50N120SK IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
Gate charge: 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 54ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+90.66 EUR
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IXFN520N075T2 IXYS IXFN520N075T2.pdf IXFN520N075T2 Transistor modules MOSFET
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IXFN52N100X IXFN52N100X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA7BFE6B4303820&compId=IXFN52N100X.pdf?ci_sign=6faa9317751d0bee219574a5021961c804a68910 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 44A; SOT227B; screw; Idm: 100A; 830W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.125Ω
Gate charge: 245nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 260ns
Technology: HiPerFET™; X-Class
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN52N90P IXFN52N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA73091FE0E9820&compId=IXFN52N90P.pdf?ci_sign=c876402e11ac92f3ff5099168a1ab66cd6829552 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 43A; SOT227B; screw; Idm: 104A
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 104A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 43A
On-state resistance: 0.16Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F24B9F9CDFB820&compId=IXFN60N80P.pdf?ci_sign=559fd8e3a46ccaf185911c21319f68de98543251 description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+47.43 EUR
10+45.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN62N80Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn62n80q3_datasheet.pdf.pdf IXFN62N80Q3 Transistor modules MOSFET
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IXFN64N50P IXFN64N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF92724B3D05820&compId=IXFN64N50P.pdf?ci_sign=745dacaa39587d6945ae1a13a81afae1ffc43c43 description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS IXFN64N60P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 96mΩ
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 200nC
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N85X IXFN66N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA70A95430AF820&compId=IXFN66N85X.pdf?ci_sign=2d203018ce9c13744ae92c3349badbac31ecd4da Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+46.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50_datasheet.pdf.pdf description IXFN80N50 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0b471f88-2d6e-442f-90e8-b1ac1356d3ae&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfn80n50p-datasheet IXFN80N50P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFN80N50Q3 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9D7CE511A5820&compId=IXFN80N60P3.pdf?ci_sign=8a40d9f6e2d287d4560f0df449c58f73299f151f Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60P IXYS description IXFN82N60P Transistor modules MOSFET
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IXFN82N60Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn82n60q3_datasheet.pdf.pdf IXFN82N60Q3 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N170SK IXFN90N170SK IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=45fac7dc-a118-4a13-b201-c36d3f84bf39&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520ixfn90n170sk%2520datasheet.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 67A; SOT227B; screw; SiC; 376nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 67A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 23mΩ
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 376nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN90N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn90n85x_datasheet.pdf.pdf IXFN90N85X Transistor modules MOSFET
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IXFN94N50P2 IXFN94N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF94851C85C9820&compId=IXFN94N50P2.pdf?ci_sign=b5e82c7c0a663d279bb749f56b7c4afad245c689 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 68A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 55mΩ
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP102N15T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_102n15t_datasheet.pdf.pdf IXFP102N15T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3172A28B93820&compId=IXFA(P)10N60P.pdf?ci_sign=de7479bbe4bb559868fc81e62408fc15628ae2c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
23+3.13 EUR
27+2.73 EUR
28+2.59 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFP110N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_110n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFP110N15T2 THT N channel transistors
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IXFP12N50P IXFP12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7AEFCAC3138BF&compId=IXF_12N50P.pdf?ci_sign=3dd36ef8468ec34dac25b7833e04dbc62f9852a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.5Ω
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C8FFDBA138BF&compId=IXF_12N65X2.pdf?ci_sign=ce18cc3b712789b5603f50a0d9269fb42c4ab943 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.03 EUR
25+2.96 EUR
26+2.8 EUR
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IXFP12N65X2M IXFP12N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097D0E76B22B8BF&compId=IXFP12N65X2M.pdf?ci_sign=4004da86a326be7c04a430838db3746583c9ea73 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFP130N10T2 IXFP130N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDDFC904CE7820&compId=IXFA(P)130N10T2.pdf?ci_sign=9f7a4995595efb7e18b0a338b9a9c0baa1ff9a83 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.49 EUR
18+4.03 EUR
20+3.58 EUR
21+3.45 EUR
50+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IXFP130N15X3 IXFP130N15X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7C22BFC8958BF&compId=IXF_130N15X3.pdf?ci_sign=ad746508387e68354eb422c9054cf3e95160f569 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO220AB; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 80ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 9mΩ
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFP14N60P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf IXFP14N60P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
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5+14.3 EUR
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IXFP14N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_14n85x_datasheet.pdf.pdf IXFP14N85X THT N channel transistors
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IXFP14N85XM IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp14n85xm_datasheet.pdf.pdf IXFP14N85XM THT N channel transistors
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.51 EUR
15+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXFP16N50P IXFP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.22 EUR
20+3.58 EUR
22+3.39 EUR
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.13 EUR
19+3.78 EUR
20+3.58 EUR
250+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.92 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 66ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IXFP18N65X2 IXYS Smart%20Building%20Application%20Guide.pdf IXFP18N65X2 THT N channel transistors
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IXFP18N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp18n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=1472e3a2-00ef-43b9-be11-5dfc49693d88 IXFP18N65X2M THT N channel transistors
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IXFP20N50P3M IXFP20N50P3M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A01820&compId=IXFP20N50P3M.pdf?ci_sign=daf243b3c5aeb07723405bcf7dfe109d66779993 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IXFP220N06T3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_220n06t3_datasheet.pdf.pdf IXFP220N06T3 THT N channel transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.52 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N60P3 IXFP22N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.58 EUR
20+3.7 EUR
21+3.49 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.68 EUR
17+4.38 EUR
18+4.13 EUR
100+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB2D04AD8BB8BF&compId=IXFP22N65X2M.pdf?ci_sign=641ab7467b1b0dee58df8d256bcf0bafa48e6d62 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.23 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.33 EUR
500+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXFP230N075T2 IXFP230N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD0BBC1F507820&compId=IXFA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=a193bb6c937ab8a381de2b728ab686af5cf3de01 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP24N60X IXFP24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFP26N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.38 EUR
21+3.52 EUR
22+3.33 EUR
50+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IXFP26N50P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n50p3_datasheet.pdf.pdf IXFP26N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.01 EUR
10+7.25 EUR
11+6.85 EUR
1000+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFN38N100P
Hersteller: IXYS
IXFN38N100P Transistor modules MOSFET
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IXFN400N15X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8C41411F51820&compId=IXFN400N15X3.pdf?ci_sign=13beb68d32a85f3cbcfc07159506072e1f87ebdc
IXFN400N15X3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 400A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 400A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 132ns
Gate charge: 365nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+52.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA812D6D7BDF820&compId=IXFN40N110P.pdf?ci_sign=6226376dd3ad6996a210b08f7f2500c2f3b3461c
IXFN40N110P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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IXFN40N110Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA817BC850F1820&compId=IXFN40N110Q3.pdf?ci_sign=2c2fccbdd7e7ae4e20d8d950b06dc1a068f013a8
IXFN40N110Q3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
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IXFN40N90P DS100062AIXFN40N90P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN40N90P Transistor modules MOSFET
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IXFN420N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC87B9628D208143&compId=IXFN420N10T.pdf?ci_sign=b6ca25fc8c12b8d526ebadade3bda0c6322075d3
IXFN420N10T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN44N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN44N100P Transistor modules MOSFET
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IXFN44N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA77628F9891820&compId=IXFN44N100Q3.pdf?ci_sign=50013891e5e63e84eaa5c1c71ffceb0e2e5badb1
IXFN44N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.54 EUR
300+68.78 EUR
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IXFN44N80P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C9A3C8EBA98BF&compId=IXFN44N80P.pdf?ci_sign=e5454b9129ad828efae0eebe210c810d51dfce0d
IXFN44N80P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.29 EUR
3+35.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9F937B909F820&compId=IXFN44N80Q3.pdf?ci_sign=fd80aa4819d75a8d19acc0bc3f82bfef6bd57b62
IXFN44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 37A; SOT227B; screw; Idm: 130A
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN48N60P description
Hersteller: IXYS
IXFN48N60P Transistor modules MOSFET
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IXFN50N120SIC media?resourcetype=datasheets&itemid=33f7d771-ce0f-41aa-bfb2-afd78da82db4&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SiC-Datasheet
Hersteller: IXYS
IXFN50N120SIC Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N120SK media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet
IXFN50N120SK
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
Gate charge: 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 54ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+90.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN520N075T2 Transistor modules MOSFET
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IXFN52N100X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA7BFE6B4303820&compId=IXFN52N100X.pdf?ci_sign=6faa9317751d0bee219574a5021961c804a68910
IXFN52N100X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 44A; SOT227B; screw; Idm: 100A; 830W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.125Ω
Gate charge: 245nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 260ns
Technology: HiPerFET™; X-Class
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN52N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA73091FE0E9820&compId=IXFN52N90P.pdf?ci_sign=c876402e11ac92f3ff5099168a1ab66cd6829552
IXFN52N90P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 43A; SOT227B; screw; Idm: 104A
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 104A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 43A
On-state resistance: 0.16Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767
IXFN56N90P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F24B9F9CDFB820&compId=IXFN60N80P.pdf?ci_sign=559fd8e3a46ccaf185911c21319f68de98543251
IXFN60N80P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+47.43 EUR
10+45.62 EUR
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IXFN62N80Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn62n80q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN62N80Q3 Transistor modules MOSFET
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IXFN64N50P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF92724B3D05820&compId=IXFN64N50P.pdf?ci_sign=745dacaa39587d6945ae1a13a81afae1ffc43c43
IXFN64N50P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60P description IXFN64N60P.pdf
IXFN64N60P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 96mΩ
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 200nC
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA70A95430AF820&compId=IXFN66N85X.pdf?ci_sign=2d203018ce9c13744ae92c3349badbac31ecd4da
IXFN66N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50 description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN80N50 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50P media?resourcetype=datasheets&itemid=0b471f88-2d6e-442f-90e8-b1ac1356d3ae&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfn80n50p-datasheet
Hersteller: IXYS
IXFN80N50P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN80N50Q3 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9D7CE511A5820&compId=IXFN80N60P3.pdf?ci_sign=8a40d9f6e2d287d4560f0df449c58f73299f151f
IXFN80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60P description
Hersteller: IXYS
IXFN82N60P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn82n60q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN82N60Q3 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N170SK media?resourcetype=datasheets&itemid=45fac7dc-a118-4a13-b201-c36d3f84bf39&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520ixfn90n170sk%2520datasheet.pdf
IXFN90N170SK
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 67A; SOT227B; screw; SiC; 376nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 67A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 23mΩ
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 376nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn90n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN90N85X Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN94N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF94851C85C9820&compId=IXFN94N50P2.pdf?ci_sign=b5e82c7c0a663d279bb749f56b7c4afad245c689
IXFN94N50P2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 68A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 55mΩ
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP102N15T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_102n15t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP102N15T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3172A28B93820&compId=IXFA(P)10N60P.pdf?ci_sign=de7479bbe4bb559868fc81e62408fc15628ae2c2
IXFP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
23+3.13 EUR
27+2.73 EUR
28+2.59 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFP10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_110n15t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP110N15T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7AEFCAC3138BF&compId=IXF_12N50P.pdf?ci_sign=3dd36ef8468ec34dac25b7833e04dbc62f9852a3
IXFP12N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.5Ω
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C8FFDBA138BF&compId=IXF_12N65X2.pdf?ci_sign=ce18cc3b712789b5603f50a0d9269fb42c4ab943
IXFP12N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.03 EUR
25+2.96 EUR
26+2.8 EUR
100+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097D0E76B22B8BF&compId=IXFP12N65X2M.pdf?ci_sign=4004da86a326be7c04a430838db3746583c9ea73
IXFP12N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDDFC904CE7820&compId=IXFA(P)130N10T2.pdf?ci_sign=9f7a4995595efb7e18b0a338b9a9c0baa1ff9a83
IXFP130N10T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.49 EUR
18+4.03 EUR
20+3.58 EUR
21+3.45 EUR
50+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N15X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7C22BFC8958BF&compId=IXF_130N15X3.pdf?ci_sign=ad746508387e68354eb422c9054cf3e95160f569
IXFP130N15X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO220AB; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 80ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 9mΩ
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP14N60P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
5+14.3 EUR
13+5.51 EUR
1000+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_14n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP14N85X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N85XM littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp14n85xm_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP14N85XM THT N channel transistors
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.51 EUR
15+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7
IXFP16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.22 EUR
20+3.58 EUR
22+3.39 EUR
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da
IXFP16N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
19+3.78 EUR
20+3.58 EUR
250+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFP16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.92 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe
IXFP180N10T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 66ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N65X2 Smart%20Building%20Application%20Guide.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP18N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp18n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=1472e3a2-00ef-43b9-be11-5dfc49693d88
Hersteller: IXYS
IXFP18N65X2M THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N50P3M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A01820&compId=IXFP20N50P3M.pdf?ci_sign=daf243b3c5aeb07723405bcf7dfe109d66779993
IXFP20N50P3M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f
IXFP20N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP220N06T3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_220n06t3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP220N06T3 THT N channel transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.52 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e
IXFP22N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.58 EUR
20+3.7 EUR
21+3.49 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a
IXFP22N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.68 EUR
17+4.38 EUR
18+4.13 EUR
100+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB2D04AD8BB8BF&compId=IXFP22N65X2M.pdf?ci_sign=641ab7467b1b0dee58df8d256bcf0bafa48e6d62
IXFP22N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.23 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.33 EUR
500+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP230N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD0BBC1F507820&compId=IXFA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=a193bb6c937ab8a381de2b728ab686af5cf3de01
IXFP230N075T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFP24N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP26N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
21+3.52 EUR
22+3.33 EUR
50+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n50p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP26N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.01 EUR
10+7.25 EUR
11+6.85 EUR
1000+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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