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IXFP16N50P IXFP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
18+4.15 EUR
50+3.27 EUR
100+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.13 EUR
17+4.38 EUR
50+3.86 EUR
100+3.65 EUR
250+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.34 EUR
50+3.98 EUR
100+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.75 EUR
13+5.71 EUR
15+4.99 EUR
50+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N60P3 IXFP22N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.58 EUR
15+4.78 EUR
50+4.16 EUR
100+3.89 EUR
250+3.52 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.82 EUR
15+4.85 EUR
50+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB2D04AD8BB8BF&compId=IXFP22N65X2M.pdf?ci_sign=641ab7467b1b0dee58df8d256bcf0bafa48e6d62 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.42 EUR
19+3.83 EUR
50+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFP26N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.8 EUR
22+3.27 EUR
24+3.09 EUR
100+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.7 EUR
10+8.62 EUR
50+7.58 EUR
100+7.11 EUR
250+6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS 238_K248734.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.01 EUR
10+8.34 EUR
50+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP30N25X3 IXFP30N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC427F861F7820&compId=IXFA(P%2CY)30N25X3.pdf?ci_sign=ae8a69574c4f05e2b40aab94d30059204cd230fc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.91 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.61 EUR
13+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP36N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_36n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFP36N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.43 EUR
23+3.12 EUR
25+2.95 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP38N30X3 IXFP38N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBADFCE7F4B8BF&compId=IXF_38N30X3.pdf?ci_sign=1109e99730c8ed475df2ed7e746e482190ba3431 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.12 EUR
16+4.6 EUR
18+4.08 EUR
50+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP38N30X3M IXFP38N30X3M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB3F631E6D8BF&compId=IXFP38N30X3M.pdf?ci_sign=76d575cc16e861382b12e8f0daa79094585c8fd8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.99 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100P IXFP4N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D504A4ED455820&compId=IXFA(P)4N100P.pdf?ci_sign=3bc1928e6ac9c7c21646c91f222f882230a1532c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.18 EUR
20+3.76 EUR
22+3.32 EUR
50+3 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFP4N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.55 EUR
25+2.96 EUR
26+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP50N20X3 IXFP50N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
50+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3 IXYS IXFP56N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.12 EUR
10+7.19 EUR
11+6.79 EUR
50+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp56n30x3m_datasheet.pdf.pdf IXFP56N30X3M THT N channel transistors
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.3 EUR
10+7.15 EUR
100+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.86 EUR
20+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48077B3DDB820&compId=IXFA(P%2CQ)60N25X3.pdf?ci_sign=40bf31d6f48e6a29413d60f94152aaab04d45448 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
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IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A59820&compId=IXFP60N25X3M.pdf?ci_sign=313b25dbeb5aa4d0c3060d4a0514a7fa0f1de198 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFP6N120P IXFP6N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFP76N15T2 IXFP76N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D41BF38A751820&compId=IXFA(H%2CP)76N15T2.pdf?ci_sign=e58b954c14aed23e6b59d6e696317db032e28994 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 150V
Reverse recovery time: 69ns
Gate charge: 97nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 350W
Kind of package: tube
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IXFP7N100P IXFP7N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
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IXFP80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFP80N25X3 THT N channel transistors
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IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
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29+2.5 EUR
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IXFP90N20X3 IXFP90N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB8178012838BF&compId=IXF_90N20X3.pdf?ci_sign=cd4eb69bd34dd603e68d972f3c7cec2471da9466 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
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IXFQ140N20X3 IXFQ140N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
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30+10.18 EUR
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IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.62 EUR
16+4.59 EUR
30+4.19 EUR
120+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.74 EUR
10+10.54 EUR
30+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFQ60N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.26 EUR
10+7.52 EUR
11+7.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ72N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.65 EUR
13+5.51 EUR
120+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ72N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.81 EUR
8+8.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ8N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf IXFQ8N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
4+17.88 EUR
11+6.51 EUR
510+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ90N20X3 IXYS IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.77 EUR
9+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ94N30P3 IXYS IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
30+10.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR102N30P IXFR102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A9B820&compId=IXFR102N30P.pdf?ci_sign=67b3ad18f9a19046de4d38e27866ae8ae91d5664 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.63 EUR
5+17.49 EUR
10+15.86 EUR
30+15.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6ADD820&compId=IXFR15N100Q3.pdf?ci_sign=1631e85c6cd029ee05ddbc6ee962f904f9e0e8af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.91 EUR
10+18.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR16N120P IXYS DS99897B(IXFR16N120P).pdf IXFR16N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.41 EUR
8+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR18N90P IXFR18N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B09820&compId=IXFR18N90P.pdf?ci_sign=630c9b0ce412688e2b82a725d5ca14f372c1c7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.79 EUR
6+14.19 EUR
10+12.47 EUR
30+11.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR20N120P IXFR20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B4B820&compId=IXFR20N120P.pdf?ci_sign=3ec4bae68a596108eefc3f91613f3b2a858b33a0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.49 EUR
3+32.72 EUR
10+28.94 EUR
30+26.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR20N80P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B63DCDB6-3E62-405C-8F21-37A96C622526&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFR20N80P-Datasheet.PDF IXFR20N80P THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.01 EUR
8+9.42 EUR
9+8.91 EUR
30+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR230N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfr230n20t_datasheet.pdf.pdf IXFR230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.32 EUR
3+24.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B8D820&compId=IXFR24N100Q3.pdf?ci_sign=ca4e72774d87e585c7a699e877221fe57b34009d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+41.03 EUR
3+36.99 EUR
10+32.59 EUR
30+29.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.41 EUR
6+12.93 EUR
10+11.43 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFR26N100P IXFR26N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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2+51.59 EUR
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IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
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6+12.24 EUR
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IXFR32N100Q3 IXFR32N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C11820&compId=IXFR32N100Q3.pdf?ci_sign=207d43adf354c4b1b1b46c20c722f96e3911f588 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 195nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+55.26 EUR
3+49.76 EUR
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IXFR44N50Q IXFR44N50Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6CAB820&compId=IXFR44N50Q.pdf?ci_sign=99a97c2b9e5d063cf27fe5a4fef4e55efd7f134a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.06 EUR
30+21.88 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
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IXFR80N50Q3 IXFR80N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC611820&compId=IXFR80N50Q3.pdf?ci_sign=196a018cdeecf0092ac54030991190e895b55b65 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.01 EUR
10+34.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFT120N15P IXFT120N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.54 EUR
10+10.34 EUR
30+8.12 EUR
270+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAAA7C92A91820&compId=IXFH(T%2CQ)120N25X3_HV.pdf?ci_sign=f0265349042830fefde5800576c2580ffda544fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268HV
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.81 EUR
30+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Reverse recovery time: 145ns
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.5 EUR
30+15.13 EUR
120+15.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7
IXFP16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
18+4.15 EUR
50+3.27 EUR
100+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da
IXFP16N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
17+4.38 EUR
50+3.86 EUR
100+3.65 EUR
250+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFP16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
50+3.98 EUR
100+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe
IXFP180N10T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.75 EUR
13+5.71 EUR
15+4.99 EUR
50+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f
IXFP20N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e
IXFP22N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.58 EUR
15+4.78 EUR
50+4.16 EUR
100+3.89 EUR
250+3.52 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a
IXFP22N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.82 EUR
15+4.85 EUR
50+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB2D04AD8BB8BF&compId=IXFP22N65X2M.pdf?ci_sign=641ab7467b1b0dee58df8d256bcf0bafa48e6d62
IXFP22N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.42 EUR
19+3.83 EUR
50+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP26N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.8 EUR
22+3.27 EUR
24+3.09 EUR
100+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFP26N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.7 EUR
10+8.62 EUR
50+7.58 EUR
100+7.11 EUR
250+6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N65X2 238_K248734.pdf
IXFP26N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.01 EUR
10+8.34 EUR
50+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP30N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC427F861F7820&compId=IXFA(P%2CY)30N25X3.pdf?ci_sign=ae8a69574c4f05e2b40aab94d30059204cd230fc
IXFP30N25X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.91 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFP34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.61 EUR
13+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP36N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_36n20x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP36N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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17+4.43 EUR
23+3.12 EUR
25+2.95 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP38N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBADFCE7F4B8BF&compId=IXF_38N30X3.pdf?ci_sign=1109e99730c8ed475df2ed7e746e482190ba3431 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFP38N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.12 EUR
16+4.6 EUR
18+4.08 EUR
50+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP38N30X3M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB3F631E6D8BF&compId=IXFP38N30X3M.pdf?ci_sign=76d575cc16e861382b12e8f0daa79094585c8fd8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFP38N30X3M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.99 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D504A4ED455820&compId=IXFA(P)4N100P.pdf?ci_sign=3bc1928e6ac9c7c21646c91f222f882230a1532c
IXFP4N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.18 EUR
20+3.76 EUR
22+3.32 EUR
50+3 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP4N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.55 EUR
25+2.96 EUR
26+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP50N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d
IXFP50N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
50+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3
Hersteller: IXYS
IXFP56N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.12 EUR
10+7.19 EUR
11+6.79 EUR
50+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP56N30X3M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp56n30x3m_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP56N30X3M THT N channel transistors
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.3 EUR
10+7.15 EUR
100+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af
IXFP5N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.86 EUR
20+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48077B3DDB820&compId=IXFA(P%2CQ)60N25X3.pdf?ci_sign=40bf31d6f48e6a29413d60f94152aaab04d45448
IXFP60N25X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.44 EUR
9+8.79 EUR
10+7.78 EUR
50+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A59820&compId=IXFP60N25X3M.pdf?ci_sign=313b25dbeb5aa4d0c3060d4a0514a7fa0f1de198
IXFP60N25X3M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.55 EUR
10+7.58 EUR
12+6.15 EUR
50+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP6N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34
IXFP6N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.2 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
50+7.56 EUR
100+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP76N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D41BF38A751820&compId=IXFA(H%2CP)76N15T2.pdf?ci_sign=e58b954c14aed23e6b59d6e696317db032e28994
IXFP76N15T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 150V
Reverse recovery time: 69ns
Gate charge: 97nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 350W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.76 EUR
19+3.96 EUR
20+3.75 EUR
250+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181
IXFP7N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFP7N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
50+2.6 EUR
100+2.33 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP80N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12 EUR
10+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFP8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
26+2.77 EUR
29+2.5 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP90N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB8178012838BF&compId=IXF_90N20X3.pdf?ci_sign=cd4eb69bd34dd603e68d972f3c7cec2471da9466 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFP90N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.65 EUR
12+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ140N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFQ140N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.96 EUR
7+11.48 EUR
10+10.31 EUR
30+10.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ20N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33
IXFQ20N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.62 EUR
16+4.59 EUR
30+4.19 EUR
120+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.74 EUR
10+10.54 EUR
30+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
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IXFQ72N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n20x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFQ72N20X3 THT N channel transistors
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IXFQ72N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFQ72N30X3 THT N channel transistors
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IXFQ8N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFQ8N85X THT N channel transistors
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IXFQ90N20X3
Hersteller: IXYS
IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
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IXFQ94N30P3
Hersteller: IXYS
IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
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IXFR102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A9B820&compId=IXFR102N30P.pdf?ci_sign=67b3ad18f9a19046de4d38e27866ae8ae91d5664
IXFR102N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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10+15.86 EUR
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IXFR15N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6ADD820&compId=IXFR15N100Q3.pdf?ci_sign=1631e85c6cd029ee05ddbc6ee962f904f9e0e8af
IXFR15N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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4+21.91 EUR
10+18.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFR16N120P DS99897B(IXFR16N120P).pdf
Hersteller: IXYS
IXFR16N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR18N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B09820&compId=IXFR18N90P.pdf?ci_sign=630c9b0ce412688e2b82a725d5ca14f372c1c7c0
IXFR18N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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6+14.19 EUR
10+12.47 EUR
30+11.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B4B820&compId=IXFR20N120P.pdf?ci_sign=3ec4bae68a596108eefc3f91613f3b2a858b33a0
IXFR20N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2+36.49 EUR
3+32.72 EUR
10+28.94 EUR
30+26.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR20N80P media?resourcetype=datasheets&itemid=B63DCDB6-3E62-405C-8F21-37A96C622526&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFR20N80P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXFR20N80P THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
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6+12.01 EUR
8+9.42 EUR
9+8.91 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR230N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfr230n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR230N20T THT N channel transistors
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2+37.32 EUR
3+24.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B8D820&compId=IXFR24N100Q3.pdf?ci_sign=ca4e72774d87e585c7a699e877221fe57b34009d
IXFR24N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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Anzahl Preis
2+41.03 EUR
3+36.99 EUR
10+32.59 EUR
30+29.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721
IXFR24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.41 EUR
6+12.93 EUR
10+11.43 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR26N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4
IXFR26N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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Anzahl Preis
2+51.59 EUR
3+46.43 EUR
10+41.03 EUR
30+36.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR26N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr26n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR26N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+42.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.24 EUR
10+10.81 EUR
30+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C11820&compId=IXFR32N100Q3.pdf?ci_sign=207d43adf354c4b1b1b46c20c722f96e3911f588
IXFR32N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 195nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+55.26 EUR
3+49.76 EUR
10+43.93 EUR
30+39.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6CAB820&compId=IXFR44N50Q.pdf?ci_sign=99a97c2b9e5d063cf27fe5a4fef4e55efd7f134a
IXFR44N50Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.06 EUR
30+21.88 EUR
120+21.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC611820&compId=IXFR80N50Q3.pdf?ci_sign=196a018cdeecf0092ac54030991190e895b55b65
IXFR80N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.01 EUR
10+34.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052
IXFT120N15P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.54 EUR
10+10.34 EUR
30+8.12 EUR
270+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAAA7C92A91820&compId=IXFH(T%2CQ)120N25X3_HV.pdf?ci_sign=f0265349042830fefde5800576c2580ffda544fa
IXFT120N25X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268HV
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.81 EUR
30+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFT120N30X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Reverse recovery time: 145ns
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.5 EUR
30+15.13 EUR
120+15.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd
IXFT140N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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