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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFH94N30P3 IXYS IXFH94N30P3 THT N channel transistors
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IXFH94N30T IXYS DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf IXFH94N30T THT N channel transistors
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IXFH96N15P IXYS 99208.pdf IXFH96N15P THT N channel transistors
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IXFH96N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH96N20P THT N channel transistors
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IXFH98N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf IXFH98N60X3 THT N channel transistors
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IXFJ20N85X IXYS DS100772A(IXFJ20N85X).pdf IXFJ20N85X THT N channel transistors
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IXFJ26N50P3 IXFJ26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB693B12D7660C4&compId=IXFJ26N50P3.pdf?ci_sign=5ef1ecd6bc543a0395eb4820b9ef6d4f9818ecfb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: ISO247™
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFJ80N25X3 IXYS PCIM_Highlights_2017.pdf IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
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IXFK100N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFK100N65X2 THT N channel transistors
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IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
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4+19.99 EUR
5+14.3 EUR
25+13.66 EUR
100+13.38 EUR
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IXFK120N20P IXFK120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 152nC
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 714W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N25P IXFK120N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9FC6E4A3B820&compId=IXFK(X)120N25P.pdf?ci_sign=3134161775411c290289e374cd33f69b9f8de3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 700W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N30P3 IXFK120N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD4792F693820&compId=IXFK(X)120N30P3.pdf?ci_sign=6c727e8884ef3f66572a5b3f0eace2ea8daa052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N30T IXFK120N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 265nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
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auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
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IXFK120N65X2 IXFK120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N20P IXFK140N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94595727F820&compId=IXFK140N20P.pdf?ci_sign=d20ac8ee9e68221e8632f05c33f67c84eb8fecee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25T IXYS IXFK140N25T THT N channel transistors
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IXFK140N30P IXFK140N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5FBBF2FB0F8BF&compId=IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf?ci_sign=6d081054787efa2c56b843d54a6d6c3f464460d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 140A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.59 EUR
10+19.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.35 EUR
25+19.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3 IXYS IXFK150N30X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK160N30T IXFK160N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CE9C427165138BF&compId=IXF_160N30T.pdf?ci_sign=23e001151aa4a4de2e7e32da29e7d4519594f256 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10P IXFK170N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA4D451E02B38BF&compId=IXFH170N10P_IXFK170N10P.pdf?ci_sign=8e0c57b7145cd2d707e91251170b8da9af42fcd8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.85 EUR
6+12.56 EUR
7+11.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFK170N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_170n20p_datasheet.pdf.pdf IXFK170N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20T IXYS DS100131IXFKFX170N20T.pdf IXFK170N20T THT N channel transistors
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IXFK170N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFK170N25X3 THT N channel transistors
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IXFK180N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk180n15p_datasheet.pdf.pdf IXFK180N15P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T IXYS IXFK180N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.17 EUR
4+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK200N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_200n10p_datasheet.pdf.pdf IXFK200N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK20N120P IXFK20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB2D57B02A78BF&compId=IXF_210N30X3.pdf?ci_sign=b936bb2c259b202c476c66a13724d25b3b29cb21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 210A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.25kW
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
25+30.63 EUR
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IXFK220N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_220n15p_datasheet.pdf.pdf IXFK220N15P THT N channel transistors
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IXFK220N17T2 IXYS IXFK220N17T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK220N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-220n20x3-datasheet?assetguid=6f4e90fe-6272-422e-a0c7-6b3f43b68d9b IXFK220N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.6 EUR
4+19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK230N20T IXYS IXFK230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.9 EUR
3+24.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK240N15T2 IXYS IXFK240N15T2 THT N channel transistors
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IXFK240N25X3 IXYS IXFK240N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+49.19 EUR
3+31.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N100Q3 IXFK24N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCD172354D3820&compId=IXFK(X)24N100Q3.pdf?ci_sign=d4b7827559308d1b5d73efbdd785ff703ce77315 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.95 EUR
4+22.64 EUR
10+22.29 EUR
25+21.74 EUR
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IXFK26N100P IXFK26N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED0210783C38BF&compId=IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf?ci_sign=e3bbcbcc0f83667d3f1a627314a9d5c5be08eed7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK26N120P IXFK26N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28579882FBC9820&compId=IXFK(X)26N120P.pdf?ci_sign=b487e0c929a7e7b9a742cefa0bc697ee9564f6a4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK27N80Q IXFK27N80Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK300N20X3 IXFK300N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB1B71634818BF&compId=IXF_300N20X3.pdf?ci_sign=d7ceaf98ba04f28d6cca73c11a6a109100fa462b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; TO264
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 170ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
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IXFK320N17T2 IXYS IXFK320N17T2 THT N channel transistors
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IXFK32N100P IXFK32N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC1DC4FAEC1820&compId=IXFK(X)32N100P.pdf?ci_sign=d4d0595112cc0bc4e87edb1f70eff260601fd64c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK32N100Q3 IXFK32N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A93A81055778BF&compId=IXF_32N100Q3.pdf?ci_sign=e4e37fba8c821b262a57b3694710db983ba811c8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFK32N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n80p_datasheet.pdf.pdf IXFK32N80P THT N channel transistors
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IXFK32N80Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n80q3_datasheet.pdf.pdf IXFK32N80Q3 THT N channel transistors
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IXFK32N90P IXFK32N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
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IXFK34N80 IXFK34N80 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK360N10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_360n10t_datasheet.pdf.pdf IXFK360N10T THT N channel transistors
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IXFK360N15T2 IXYS IXFK360N15T2 THT N channel transistors
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IXFK36N60P IXFK36N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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IXFK400N15X3 IXYS IXFK400N15X3 THT N channel transistors
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IXFK40N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_40n90p_datasheet.pdf.pdf IXFK40N90P THT N channel transistors
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IXFK420N10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-420N10T-Datasheet.PDF?assetguid=66E9EFFA-EA29-41CF-B69F-2D3D50A2CD8A IXFK420N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
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4+18.73 EUR
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IXFK44N50P IXFK44N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.66 EUR
10+18.9 EUR
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IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3
Hersteller: IXYS
IXFH94N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.44 EUR
7+11.24 EUR
1020+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30T DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf
Hersteller: IXYS
IXFH94N30T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15P 99208.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
8+8.94 EUR
30+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.03 EUR
10+7.46 EUR
1020+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH98N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH98N60X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85X DS100772A(IXFJ20N85X).pdf
Hersteller: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
30+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB693B12D7660C4&compId=IXFJ26N50P3.pdf?ci_sign=5ef1ecd6bc543a0395eb4820b9ef6d4f9818ecfb
IXFJ26N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: ISO247™
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ80N25X3 PCIM_Highlights_2017.pdf
Hersteller: IXYS
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK100N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
500+16.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948
IXFK102N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.99 EUR
5+14.3 EUR
25+13.66 EUR
100+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee
IXFK120N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 152nC
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 714W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9FC6E4A3B820&compId=IXFK(X)120N25P.pdf?ci_sign=3134161775411c290289e374cd33f69b9f8de3e4
IXFK120N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 700W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD4792F693820&compId=IXFK(X)120N30P3.pdf?ci_sign=6c727e8884ef3f66572a5b3f0eace2ea8daa052b
IXFK120N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0
IXFK120N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 265nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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IXFK120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a
IXFK120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94595727F820&compId=IXFK140N20P.pdf?ci_sign=d20ac8ee9e68221e8632f05c33f67c84eb8fecee
IXFK140N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25T
Hersteller: IXYS
IXFK140N25T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5FBBF2FB0F8BF&compId=IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf?ci_sign=6d081054787efa2c56b843d54a6d6c3f464460d2
IXFK140N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 140A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.59 EUR
10+19.81 EUR
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IXFK150N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c
IXFK150N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.35 EUR
25+19.69 EUR
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IXFK150N30X3
Hersteller: IXYS
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK160N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CE9C427165138BF&compId=IXF_160N30T.pdf?ci_sign=23e001151aa4a4de2e7e32da29e7d4519594f256
IXFK160N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA4D451E02B38BF&compId=IXFH170N10P_IXFK170N10P.pdf?ci_sign=8e0c57b7145cd2d707e91251170b8da9af42fcd8
IXFK170N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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5+16.85 EUR
6+12.56 EUR
7+11.87 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_170n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK170N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20T DS100131IXFKFX170N20T.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK170N20T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk180n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK180N15P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T
Hersteller: IXYS
IXFK180N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
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3+26.17 EUR
4+18.72 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK200N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_200n10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK200N10P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba
IXFK20N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK210N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB2D57B02A78BF&compId=IXF_210N30X3.pdf?ci_sign=b936bb2c259b202c476c66a13724d25b3b29cb21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFK210N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 210A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.25kW
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
25+30.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK220N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_220n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK220N15P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK220N17T2
Hersteller: IXYS
IXFK220N17T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK220N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-220n20x3-datasheet?assetguid=6f4e90fe-6272-422e-a0c7-6b3f43b68d9b
Hersteller: IXYS
IXFK220N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.6 EUR
4+19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK230N20T
Hersteller: IXYS
IXFK230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.9 EUR
3+24.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK240N15T2
Hersteller: IXYS
IXFK240N15T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK240N25X3
Hersteller: IXYS
IXFK240N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+49.19 EUR
3+31.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCD172354D3820&compId=IXFK(X)24N100Q3.pdf?ci_sign=d4b7827559308d1b5d73efbdd785ff703ce77315
IXFK24N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFK24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK250N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043
IXFK250N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.95 EUR
4+22.64 EUR
10+22.29 EUR
25+21.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK26N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED0210783C38BF&compId=IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf?ci_sign=e3bbcbcc0f83667d3f1a627314a9d5c5be08eed7
IXFK26N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK26N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28579882FBC9820&compId=IXFK(X)26N120P.pdf?ci_sign=b487e0c929a7e7b9a742cefa0bc697ee9564f6a4
IXFK26N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK27N80Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd
IXFK27N80Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK300N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB1B71634818BF&compId=IXF_300N20X3.pdf?ci_sign=d7ceaf98ba04f28d6cca73c11a6a109100fa462b
IXFK300N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; TO264
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 170ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK320N17T2
Hersteller: IXYS
IXFK320N17T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK32N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC1DC4FAEC1820&compId=IXFK(X)32N100P.pdf?ci_sign=d4d0595112cc0bc4e87edb1f70eff260601fd64c
IXFK32N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK32N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A93A81055778BF&compId=IXF_32N100Q3.pdf?ci_sign=e4e37fba8c821b262a57b3694710db983ba811c8
IXFK32N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK32N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n80p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK32N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK32N80Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n80q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK32N80Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.32 EUR
3+26.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK32N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5
IXFK32N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK34N80 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0
IXFK34N80
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK360N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_360n10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK360N10T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK360N15T2
Hersteller: IXYS
IXFK360N15T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK36N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec
IXFK36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFK400N15X3
Hersteller: IXYS
IXFK400N15X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK40N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_40n90p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK40N90P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK420N10T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-420N10T-Datasheet.PDF?assetguid=66E9EFFA-EA29-41CF-B69F-2D3D50A2CD8A
Hersteller: IXYS
IXFK420N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.52 EUR
4+18.73 EUR
5+17.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090
IXFK44N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.66 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10
IXFK44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
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