Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFH150N30X3 | IXYS | IXFH150N30X3 THT N channel transistors |
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IXFH15N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 543W Case: TO247-3 On-state resistance: 760mΩ Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH15N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Q3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 690W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH160N15T2 | IXYS |
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IXFH16N120P | IXYS |
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IXFH16N50P | IXYS |
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IXFH16N50P3 | IXYS | IXFH16N50P3 THT N channel transistors |
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IXFH16N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO247-3 On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH16N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH170N10P | IXYS | IXFH170N10P THT N channel transistors |
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IXFH170N15X3 | IXYS |
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IXFH170N25X3 | IXYS |
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IXFH180N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3 Reverse recovery time: 94ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 180A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 780W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 154nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH18N100Q3 | IXYS | IXFH18N100Q3 THT N channel transistors |
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IXFH18N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH18N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH18N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 135ns Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXFH18N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 18A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH20N100P | IXYS | IXFH20N100P THT N channel transistors |
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IXFH20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH20N80P | IXYS |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH20N85X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO247-3; 190ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 20A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXFH220N06T3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; TrenchT3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 220A Power dissipation: 440W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 38ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH220N20X3 | IXYS |
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IXFH22N50P | IXYS |
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auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH22N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH22N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH22N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 390W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 37nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH230N075T2 | IXYS |
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IXFH230N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 230A Case: TO247-3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.7mΩ Power dissipation: 650W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 250nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 82ns Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH240N15X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 240A; Idm: 420A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 240A Pulsed drain current: 420A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 97ns Technology: HiPerFET™; X3-Class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH24N60X | IXYS | IXFH24N60X THT N channel transistors |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH24N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 660W Gate charge: 130nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH26N50P | IXYS |
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auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH26N50P3 | IXYS | IXFH26N50P3 THT N channel transistors |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH26N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH26N65X2 | IXYS | IXFH26N65X2 THT N channel transistors |
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IXFH28N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH30N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH30N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 690W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Gate-source voltage: ±20V Technology: HiPerFET™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH30N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 500W Gate charge: 82nC Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXFH30N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO247-3 On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 500W Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 145ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH30N85X | IXYS |
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IXFH320N10T2 | IXYS |
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IXFH340N075T2 | IXYS |
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IXFH34N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 34A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH34N60X2A | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 164ns Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 164ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH34N65X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 446W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Reverse recovery time: 150ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH36N50P | IXYS |
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IXFH36N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH36N60X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W Mounting: THT Reverse recovery time: 180ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 29nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 48A Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH400N075T2 | IXYS |
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IXFH40N50Q | IXYS |
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auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH40N85X | IXYS |
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IXFH42N50P2 | IXYS |
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IXFH42N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 830W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH44N50P | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 658W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Technology: HiPerFET™; Polar™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH44N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH150N30X3 |
Hersteller: IXYS
IXFH150N30X3 THT N channel transistors
IXFH150N30X3 THT N channel transistors
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IXFH15N100P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.07 EUR |
7+ | 10.74 EUR |
8+ | 10.15 EUR |
IXFH15N100Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFH160N15T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH160N15T2 THT N channel transistors
IXFH160N15T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH16N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH16N120P THT N channel transistors
IXFH16N120P THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFH16N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH16N50P THT N channel transistors
IXFH16N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH16N50P3 |
Hersteller: IXYS
IXFH16N50P3 THT N channel transistors
IXFH16N50P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH16N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFH16N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFH170N10P |
Hersteller: IXYS
IXFH170N10P THT N channel transistors
IXFH170N10P THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFH170N15X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH170N15X3 THT N channel transistors
IXFH170N15X3 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFH170N25X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH180N20X3 |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Reverse recovery time: 94ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Reverse recovery time: 94ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.23 EUR |
5+ | 14.70 EUR |
510+ | 14.13 EUR |
IXFH18N100Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFH18N100Q3 THT N channel transistors
IXFH18N100Q3 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFH18N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.01 EUR |
14+ | 5.12 EUR |
15+ | 4.83 EUR |
30+ | 4.65 EUR |
IXFH18N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
IXFH18N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH18N90P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH20N100P |
Hersteller: IXYS
IXFH20N100P THT N channel transistors
IXFH20N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH20N50P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.91 EUR |
16+ | 4.52 EUR |
17+ | 4.28 EUR |
2010+ | 4.10 EUR |
IXFH20N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH20N80P THT N channel transistors
IXFH20N80P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.46 EUR |
8+ | 9.15 EUR |
9+ | 8.65 EUR |
IXFH20N85X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO247-3; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO247-3; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH220N06T3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
IXFH220N20X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH220N20X3 THT N channel transistors
IXFH220N20X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH22N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH22N50P THT N channel transistors
IXFH22N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.64 EUR |
13+ | 5.52 EUR |
14+ | 5.22 EUR |
510+ | 5.09 EUR |
IXFH22N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.85 EUR |
11+ | 6.66 EUR |
30+ | 6.56 EUR |
IXFH22N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.34 EUR |
14+ | 5.12 EUR |
15+ | 4.83 EUR |
270+ | 4.78 EUR |
300+ | 4.65 EUR |
IXFH22N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.26 EUR |
14+ | 5.18 EUR |
15+ | 4.89 EUR |
510+ | 4.70 EUR |
IXFH230N075T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH230N10T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Power dissipation: 650W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Power dissipation: 650W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.34 EUR |
10+ | 7.29 EUR |
120+ | 7.16 EUR |
IXFH240N15X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 240A; Idm: 420A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 97ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 240A; Idm: 420A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 97ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH24N60X |
Hersteller: IXYS
IXFH24N60X THT N channel transistors
IXFH24N60X THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
30+ | 6.35 EUR |
IXFH24N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH24N90P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.16 EUR |
10+ | 12.64 EUR |
IXFH26N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH26N50P THT N channel transistors
IXFH26N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.55 EUR |
11+ | 6.76 EUR |
12+ | 6.41 EUR |
1020+ | 6.15 EUR |
IXFH26N50P3 |
Hersteller: IXYS
IXFH26N50P3 THT N channel transistors
IXFH26N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.37 EUR |
11+ | 6.55 EUR |
510+ | 6.46 EUR |
IXFH26N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.33 EUR |
9+ | 8.14 EUR |
10+ | 7.69 EUR |
IXFH26N65X2 |
Hersteller: IXYS
IXFH26N65X2 THT N channel transistors
IXFH26N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH28N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.35 EUR |
11+ | 6.51 EUR |
12+ | 6.15 EUR |
120+ | 5.92 EUR |
510+ | 5.91 EUR |
IXFH30N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.18 EUR |
9+ | 8.12 EUR |
10+ | 7.68 EUR |
30+ | 7.55 EUR |
IXFH30N50Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH30N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH30N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH30N85X |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH30N85X THT N channel transistors
IXFH30N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH320N10T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH320N10T2 THT N channel transistors
IXFH320N10T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH340N075T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH340N075T2 THT N channel transistors
IXFH340N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH34N50P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH34N60X2A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
10+ | 7.38 EUR |
IXFH34N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.94 EUR |
12+ | 6.05 EUR |
120+ | 5.82 EUR |
IXFH34N65X3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH36N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH36N50P THT N channel transistors
IXFH36N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH36N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.17 EUR |
7+ | 10.67 EUR |
8+ | 10.08 EUR |
510+ | 9.67 EUR |
IXFH36N60X3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH400N075T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH400N075T2 THT N channel transistors
IXFH400N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH40N50Q |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH40N50Q THT N channel transistors
IXFH40N50Q THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 28.03 EUR |
4+ | 18.00 EUR |
IXFH40N85X |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH40N85X THT N channel transistors
IXFH40N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH42N50P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH42N50P2 THT N channel transistors
IXFH42N50P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH42N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH44N50P | ![]() |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.03 EUR |
7+ | 10.64 EUR |
8+ | 10.05 EUR |
120+ | 9.67 EUR |
IXFH44N50Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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