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IXFH120N25T IXFH120N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC061820&compId=IXFH120N25T.pdf?ci_sign=794599a89c83b00c82e6901dab3e03a7b4e0dc23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.36 EUR
7+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH120N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.3 EUR
6+12.14 EUR
30+12.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 145ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 11mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.46 EUR
5+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECD690369AF8BF&compId=IXFH12N100P.pdf?ci_sign=8751df66a55edb8599692f6d06c233eb891e3c87 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.55 EUR
9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120P IXFH12N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC077820&compId=IXFH12N120P.pdf?ci_sign=03e4ff54b9f94353d29ae1889cf223edf7d7b9d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 543W
Gate charge: 103nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.02 EUR
5+14.97 EUR
30+14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N80P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh12n80p-datasheet?assetguid=7bd24eaa-9d2f-4f8a-b561-675ef606417d IXFH12N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28565D40F6B3820&compId=IXFH(V)12N90P_S.pdf?ci_sign=6423cc2416d7c4bd0c10fe3e39ba843736b680a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH130N15X3 IXFH130N15X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7C22BFC8958BF&compId=IXF_130N15X3.pdf?ci_sign=ad746508387e68354eb422c9054cf3e95160f569 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 80ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 9mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
30+8.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.3 EUR
10+7.31 EUR
11+6.91 EUR
30+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3 IXFH140N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.34 EUR
6+12.3 EUR
7+11.63 EUR
120+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf IXFH14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDF8DAC82F1820&compId=IXFH(Q%2CT)14N80P_S.pdf?ci_sign=54c4a7d42ec81caabad0953bf61c033b9e6baf24 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_14n85x_datasheet.pdf.pdf IXFH14N85X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh150n15p_datasheet.pdf.pdf IXFH150N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N20T IXFH150N20T IXYS IXFH(T)150N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH150N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
30+15.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N30X3 IXYS IXFH150N30X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100P IXFH15N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0CF820&compId=IXFH15N100P.pdf?ci_sign=94fa2e42718d2c8307aa8b264bf50b1dc784944c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.07 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3 IXFH15N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE0AF857958BF&compId=IXF_15N100Q3.pdf?ci_sign=1dd331295c1d7ea0154eeba2040fc94c4aba0ac2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh160n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH160N15T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-16n120p-datasheet?assetguid=5ef1dddb-f14c-4160-ab55-31e61c37c34b IXFH16N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P IXFH16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3 IXFH16N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N60P3 IXYS IXFH16N60P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80P IXFH16N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBE3876A2C78BF&compId=IXFH16N80P.pdf?ci_sign=d439feac37a891fbe96fd8303945e86c880ee0ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10P IXYS IXFH170N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N15X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c5c224fa-81a8-4c2d-8c6f-8426796fa09e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n15x3_datasheet.pdf IXFH170N15X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-170n25x3-datasheet?assetguid=27111ec5-cb82-481f-918b-bee4de39fe3a IXFH170N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3 IXFH180N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9B97FB5BF8BF&compId=IXF_180N20X3_HV.pdf?ci_sign=4ec3cef28c972acaa6fe64b5c7693252f804b337 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 94ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.23 EUR
5+14.7 EUR
510+14.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N100Q3 IXYS IXFH18N100Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.01 EUR
15+4.83 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
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IXFH20N100P IXFH20N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE728CC0A18BF&compId=IXF_20N100P.pdf?ci_sign=e2a539356f4e584bf4dad0014f01227b046bdbad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
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IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
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IXFH20N80P IXFH20N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAC9F090E31820&compId=IXFH(T%2CV)20N80P_S.pdf?ci_sign=74430f59b0fdd807ea4aaf1fe8095eb0837487f6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
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IXFH20N85X IXFH20N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO247-3; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFH220N06T3 IXFH220N06T3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B2A425AF34FCDE27&compId=IXxx220N06T3-DTE.pdf?ci_sign=85c9334b17346a7a0e037b9d25698b762f112045 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH220N20X3 IXFH220N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBA1A126E3F8BF&compId=IXF_220N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f237aaca4b9ebf80eb09fb21e52fd45391ea24c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH22N50P IXFH22N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC111820&compId=IXFH22N50P.pdf?ci_sign=8586e5293aa35f9bb95f912636881d81bf896a89 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 216 Stücke:
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IXFH22N60P IXFH22N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F07820&compId=IXFH22N60P.pdf?ci_sign=4f0fac1497510e424e4db9366eff4aa9b6962356 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 288 Stücke:
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9+8.85 EUR
11+6.68 EUR
30+6.56 EUR
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IXFH22N60P3 IXFH22N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 593 Stücke:
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14+5.12 EUR
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270+4.78 EUR
300+4.65 EUR
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IXFH22N65X2 IXFH22N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 226 Stücke:
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14+5.18 EUR
15+4.89 EUR
510+4.7 EUR
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IXFH230N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH230N075T2 THT N channel transistors
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IXFH230N10T IXFH230N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F37820&compId=IXFH230N10T.pdf?ci_sign=7906ddc75f59da0a6c8caab968b9ecc6143741fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
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7+10.21 EUR
120+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFH240N15X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_240n15x3_datasheet.pdf?assetguid=db0daa8a-a090-4544-9e9a-0eaae950088b IXFH240N15X3 THT N channel transistors
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IXFH24N60X IXYS IXFH24N60X THT N channel transistors
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1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
30+6.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N80P IXFH24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.16 EUR
10+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH26N50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh26n50p-datasheet?assetguid=50ccf495-5282-4c52-b8c5-535f228f328f IXFH26N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.55 EUR
11+6.76 EUR
12+6.41 EUR
1020+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N50P3 IXYS IXFH26N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.37 EUR
11+6.55 EUR
510+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.33 EUR
9+8.12 EUR
10+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFH26N65X2 IXYS K248734.pdf IXFH26N65X2 THT N channel transistors
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IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.35 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
120+5.92 EUR
510+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFH30N50P IXYS IXFH30N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.72 EUR
9+8.24 EUR
10+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N50Q3 IXYS IXFH30N50Q3 THT N channel transistors
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IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDB792F4701820&compId=IXFH(T%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=f243b293ca1ba8eeb06cd56dcbf7608293a703c8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60X IXFH30N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC2EDA71CB1820&compId=IXFH(T%2CQ)30N60X.pdf?ci_sign=f033c4069747bb2681467501c6f8cd2cd9c6c934 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH30N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n85x_datasheet.pdf.pdf IXFH30N85X THT N channel transistors
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IXFH120N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC061820&compId=IXFH120N25T.pdf?ci_sign=794599a89c83b00c82e6901dab3e03a7b4e0dc23
IXFH120N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.36 EUR
7+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH120N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH120N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.3 EUR
6+12.14 EUR
30+12.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH120N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 145ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 11mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.46 EUR
5+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECD690369AF8BF&compId=IXFH12N100P.pdf?ci_sign=8751df66a55edb8599692f6d06c233eb891e3c87
IXFH12N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.55 EUR
9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC077820&compId=IXFH12N120P.pdf?ci_sign=03e4ff54b9f94353d29ae1889cf223edf7d7b9d6
IXFH12N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 543W
Gate charge: 103nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.02 EUR
5+14.97 EUR
30+14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N80P littelfuse-discrete-mosfets-ixfh12n80p-datasheet?assetguid=7bd24eaa-9d2f-4f8a-b561-675ef606417d
Hersteller: IXYS
IXFH12N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28565D40F6B3820&compId=IXFH(V)12N90P_S.pdf?ci_sign=6423cc2416d7c4bd0c10fe3e39ba843736b680a7
IXFH12N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH130N15X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7C22BFC8958BF&compId=IXF_130N15X3.pdf?ci_sign=ad746508387e68354eb422c9054cf3e95160f569
IXFH130N15X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 80ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 9mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
30+8.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd
IXFH140N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.3 EUR
10+7.31 EUR
11+6.91 EUR
30+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFH140N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.34 EUR
6+12.3 EUR
7+11.63 EUR
120+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH14N60P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDF8DAC82F1820&compId=IXFH(Q%2CT)14N80P_S.pdf?ci_sign=54c4a7d42ec81caabad0953bf61c033b9e6baf24
IXFH14N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_14n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH14N85X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh150n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH150N15P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N20T IXFH(T)150N20T.pdf
IXFH150N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH150N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
30+15.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N30X3
Hersteller: IXYS
IXFH150N30X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0CF820&compId=IXFH15N100P.pdf?ci_sign=94fa2e42718d2c8307aa8b264bf50b1dc784944c
IXFH15N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.07 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE0AF857958BF&compId=IXF_15N100Q3.pdf?ci_sign=1dd331295c1d7ea0154eeba2040fc94c4aba0ac2
IXFH15N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh160n15t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH160N15T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-16n120p-datasheet?assetguid=5ef1dddb-f14c-4160-ab55-31e61c37c34b
Hersteller: IXYS
IXFH16N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7
IXFH16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da
IXFH16N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N60P3
Hersteller: IXYS
IXFH16N60P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBE3876A2C78BF&compId=IXFH16N80P.pdf?ci_sign=d439feac37a891fbe96fd8303945e86c880ee0ca
IXFH16N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10P
Hersteller: IXYS
IXFH170N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N15X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=c5c224fa-81a8-4c2d-8c6f-8426796fa09e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n15x3_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH170N15X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-170n25x3-datasheet?assetguid=27111ec5-cb82-481f-918b-bee4de39fe3a
Hersteller: IXYS
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9B97FB5BF8BF&compId=IXF_180N20X3_HV.pdf?ci_sign=4ec3cef28c972acaa6fe64b5c7693252f804b337 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFH180N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 94ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.23 EUR
5+14.7 EUR
510+14.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N100Q3
Hersteller: IXYS
IXFH18N100Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.01 EUR
15+4.83 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_18n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH18N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N90P
Hersteller: IXYS
IXFH18N90P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE728CC0A18BF&compId=IXF_20N100P.pdf?ci_sign=e2a539356f4e584bf4dad0014f01227b046bdbad
IXFH20N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33
IXFH20N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.91 EUR
16+4.56 EUR
17+4.3 EUR
2010+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAC9F090E31820&compId=IXFH(T%2CV)20N80P_S.pdf?ci_sign=74430f59b0fdd807ea4aaf1fe8095eb0837487f6
IXFH20N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.78 EUR
8+9.17 EUR
9+8.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f
IXFH20N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO247-3; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH220N06T3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B2A425AF34FCDE27&compId=IXxx220N06T3-DTE.pdf?ci_sign=85c9334b17346a7a0e037b9d25698b762f112045
IXFH220N06T3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH220N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBA1A126E3F8BF&compId=IXF_220N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f237aaca4b9ebf80eb09fb21e52fd45391ea24c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFH220N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC111820&compId=IXFH22N50P.pdf?ci_sign=8586e5293aa35f9bb95f912636881d81bf896a89
IXFH22N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.25 EUR
13+5.52 EUR
14+5.22 EUR
270+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F07820&compId=IXFH22N60P.pdf?ci_sign=4f0fac1497510e424e4db9366eff4aa9b6962356
IXFH22N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.85 EUR
11+6.68 EUR
30+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e
IXFH22N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
270+4.78 EUR
300+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a
IXFH22N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.26 EUR
14+5.18 EUR
15+4.89 EUR
510+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH230N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH230N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F37820&compId=IXFH230N10T.pdf?ci_sign=7906ddc75f59da0a6c8caab968b9ecc6143741fa
IXFH230N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
120+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH240N15X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_240n15x3_datasheet.pdf?assetguid=db0daa8a-a090-4544-9e9a-0eaae950088b
Hersteller: IXYS
IXFH240N15X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N60X
Hersteller: IXYS
IXFH24N60X THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
30+6.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFH24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a
IXFH24N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.16 EUR
10+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixfh26n50p-datasheet?assetguid=50ccf495-5282-4c52-b8c5-535f228f328f
Hersteller: IXYS
IXFH26N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.55 EUR
11+6.76 EUR
12+6.41 EUR
1020+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N50P3
Hersteller: IXYS
IXFH26N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.37 EUR
11+6.55 EUR
510+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492
IXFH26N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.33 EUR
9+8.12 EUR
10+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N65X2 K248734.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH26N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH28N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c
IXFH28N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.35 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
120+5.92 EUR
510+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N50P
Hersteller: IXYS
IXFH30N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.72 EUR
9+8.24 EUR
10+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFH30N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDB792F4701820&compId=IXFH(T%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=f243b293ca1ba8eeb06cd56dcbf7608293a703c8
IXFH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC2EDA71CB1820&compId=IXFH(T%2CQ)30N60X.pdf?ci_sign=f033c4069747bb2681467501c6f8cd2cd9c6c934
IXFH30N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH30N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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