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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFH50N30Q3 IXYS IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15 EUR
6+13.14 EUR
30+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.25 EUR
8+9.14 EUR
10+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30P IXYS DS99197GIXFHFV52N30PS.pdf IXFH52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.12 EUR
12+6.18 EUR
13+5.83 EUR
30+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 IXYS IXFH(T)52N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.01 EUR
7+11.78 EUR
10+10.88 EUR
30+10.15 EUR
120+9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH56N30X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-56n30x3-datasheet?assetguid=8c909b19-ea4e-4b75-a825-453b8d56a758 IXFH56N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.48 EUR
8+9.18 EUR
9+8.68 EUR
60+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 IXYS IXF_60N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.32 EUR
9+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf IXFH6N120 THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.21 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N30Q3 IXYS 70n30q3datasheetpdf.pdf IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.46 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH72N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFH72N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
270+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH74N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh74n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH74N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.19 EUR
12+6.06 EUR
510+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH76N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH76N15T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.35 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH80N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
6+11.91 EUR
510+8.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 IXYS IXF_80N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.09 EUR
6+13.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 IXYS IXFH80N65X2-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.06 EUR
10+13.5 EUR
30+13.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84 IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.48 EUR
6+12.21 EUR
30+11.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15P IXYS 99208.pdf IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
9+7.95 EUR
30+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.15 EUR
10+7.49 EUR
30+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85X IXYS DS100772A(IXFJ20N85X).pdf IXFJ20N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
30+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFK100N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
10+17.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK102N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk102n30p_datasheet.pdf.pdf IXFK102N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.05 EUR
5+14.3 EUR
100+13.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30T IXYS IXFK120N30T THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30P IXYS DS99557FIXFKFX140N30P.pdf IXFK140N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.33 EUR
4+19.75 EUR
25+19.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3 IXYS IXFK150N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.73 EUR
4+20.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T IXYS IXFK180N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.75 EUR
5+18.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK210N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_210n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFK210N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
25+32.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK220N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-220n20x3-datasheet?assetguid=6f4e90fe-6272-422e-a0c7-6b3f43b68d9b IXFK220N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.6 EUR
4+18.88 EUR
5+17.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK230N20T IXYS IXFK230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.37 EUR
10+24.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK240N25X3 IXYS IXFK240N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+31.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+11.24 EUR
25+10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK250N10P IXYS IXFK250N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
25+22.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 IXYS IXFK(X)32N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.07 EUR
10+26.05 EUR
25+24.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK420N10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-420N10T-Datasheet.PDF?assetguid=66E9EFFA-EA29-41CF-B69F-2D3D50A2CD8A IXFK420N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.76 EUR
5+17.73 EUR
25+17.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.04 EUR
5+20.06 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS IXFK(X)44N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56 IXFK520N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.13 EUR
10+14.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.04 EUR
10+13.69 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.9 EUR
10+22.25 EUR
25+18.45 EUR
100+17.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50P IXYS IXFK80N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+27.07 EUR
4+20.52 EUR
25+20.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3 IXYS DS100304BIXFKFX80N60P3.pdf IXFK80N60P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.63 EUR
5+15.77 EUR
25+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 IXYS IXF_80N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+27.67 EUR
10+22.91 EUR
25+20.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXFK88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
25+13.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL210N30P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl210n30p3_datasheet.pdf.pdf IXFL210N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
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IXFL32N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf IXFL32N120P THT N channel transistors
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IXFL38N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf IXFL38N100P THT N channel transistors
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IXFL44N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl44n100p_datasheet.pdf.pdf IXFL44N100P THT N channel transistors
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IXFL82N60P IXFL82N60P IXYS IXFL82N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN132N50P3 IXFN132N50P3 IXYS IXFN132N50P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS IXFN140N30P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS IXFN180N15P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2+35.75 EUR
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IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS IXFN180N25T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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3+30.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
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IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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4+19.23 EUR
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IXFN210N20P IXFN210N20P IXYS IXFN210N20P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.5mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 1.07kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2+46.89 EUR
10+42.99 EUR
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IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
10+44.2 EUR
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IXFN210N30X3 IXFN210N30X3 IXYS IXFN210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+50.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3 IXYS IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+38.01 EUR
10+35.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 IXYS IXFN240N15T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+30.97 EUR
10+27.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N100P IXFN26N100P IXYS IXFN26N100P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+76.13 EUR
3+67.2 EUR
10+60.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15 EUR
6+13.14 EUR
30+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.25 EUR
8+9.14 EUR
10+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30P DS99197GIXFHFV52N30PS.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
12+6.18 EUR
13+5.83 EUR
30+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2 IXFH(T)52N50P2.pdf
IXFH52N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.01 EUR
7+11.78 EUR
10+10.88 EUR
30+10.15 EUR
120+9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH56N30X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-56n30x3-datasheet?assetguid=8c909b19-ea4e-4b75-a825-453b8d56a758
Hersteller: IXYS
IXFH56N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.48 EUR
8+9.18 EUR
9+8.68 EUR
60+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N50P3 IXF_60N50P3.pdf
IXFH60N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.32 EUR
9+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH6N120 THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.21 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N30Q3 70n30q3datasheetpdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.46 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH72N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
270+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH74N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh74n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH74N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.19 EUR
12+6.06 EUR
510+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH76N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.35 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
6+11.91 EUR
510+8.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2 IXF_80N65X2.pdf
IXFH80N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.09 EUR
6+13.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4.pdf
IXFH80N65X2-4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.06 EUR
10+13.5 EUR
30+13.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84
Hersteller: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.48 EUR
6+12.21 EUR
30+11.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15P 99208.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
9+7.95 EUR
30+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.15 EUR
10+7.49 EUR
30+7.26 EUR
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IXFJ20N85X DS100772A(IXFJ20N85X).pdf
Hersteller: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
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Anzahl Preis
5+14.3 EUR
30+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFK100N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf
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IXFK100N65X2 THT N channel transistors
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IXFK102N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk102n30p_datasheet.pdf.pdf
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IXFK102N30P THT N channel transistors
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IXFK120N30T
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IXFK120N30T THT N channel transistors
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IXFK140N30P DS99557FIXFKFX140N30P.pdf
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IXFK140N30P THT N channel transistors
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IXFK150N30P3
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IXFK150N30P3 THT N channel transistors
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IXFK180N25T
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IXFK180N25T THT N channel transistors
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IXFK210N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_210n30x3_datasheet.pdf.pdf
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IXFK210N30X3 THT N channel transistors
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IXFK220N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-220n20x3-datasheet?assetguid=6f4e90fe-6272-422e-a0c7-6b3f43b68d9b
Hersteller: IXYS
IXFK220N20X3 THT N channel transistors
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IXFK230N20T
Hersteller: IXYS
IXFK230N20T THT N channel transistors
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IXFK240N25X3
Hersteller: IXYS
IXFK240N25X3 THT N channel transistors
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IXFK24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFK24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2+35.75 EUR
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IXFK250N10P
Hersteller: IXYS
IXFK250N10P THT N channel transistors
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1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
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IXFK32N80Q3 IXFK(X)32N80Q3.pdf
IXFK32N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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3+29.07 EUR
10+26.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
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IXFK420N10T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-420N10T-Datasheet.PDF?assetguid=66E9EFFA-EA29-41CF-B69F-2D3D50A2CD8A
Hersteller: IXYS
IXFK420N10T THT N channel transistors
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IXFK44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
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4+21.04 EUR
5+20.06 EUR
10+18.9 EUR
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IXFK44N80Q3 IXFK(X)44N80Q3.pdf
IXFK44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
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Anzahl Preis
4+19.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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Anzahl Preis
1+71.5 EUR
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IXFK520N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56
Hersteller: IXYS
IXFK520N075T2 THT N channel transistors
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5+15.13 EUR
10+14.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
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Anzahl Preis
5+15.04 EUR
10+13.69 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFK78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFK78N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.9 EUR
10+22.25 EUR
25+18.45 EUR
100+17.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK80N50P
Hersteller: IXYS
IXFK80N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+27.07 EUR
4+20.52 EUR
25+20.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK80N60P3 DS100304BIXFKFX80N60P3.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK80N60P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.63 EUR
5+15.77 EUR
25+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2 IXF_80N65X2.pdf
IXFK80N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+27.67 EUR
10+22.91 EUR
25+20.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
25+13.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL210N30P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl210n30p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL210N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL32N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL32N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.46 EUR
25+31.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL38N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.45 EUR
5+16.29 EUR
25+16.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL44N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl44n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL44N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.16 EUR
5+16.63 EUR
10+16.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL82N60P IXFL82N60P.pdf
IXFL82N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+88.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3.pdf
IXFN132N50P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+49.34 EUR
5+46.3 EUR
10+45.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30P description IXFN140N30P.pdf
IXFN140N30P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+42.03 EUR
5+36.12 EUR
10+34.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15P description IXFN180N15P.pdf
IXFN180N15P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+26.67 EUR
10+26.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T IXFN180N25T.pdf
IXFN180N25T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+30.83 EUR
5+26.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFN210N20P IXFN210N20P.pdf
IXFN210N20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.5mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 1.07kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.89 EUR
10+42.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN210N30P3 IXFN210N30P3.pdf
IXFN210N30P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+44.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFN210N30X3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+50.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFN220N20X3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+38.01 EUR
10+35.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2.pdf
IXFN240N15T2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+30.97 EUR
10+27.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N100P IXFN26N100P.pdf
IXFN26N100P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+76.13 EUR
3+67.2 EUR
10+60.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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