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IXFK64N50P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF IXFK64N50P THT N channel transistors
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IXFK64N50Q3 IXYS IXFK64N50Q3 THT N channel transistors
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IXFK64N60P IXYS 99442.pdf IXFK64N60P THT N channel transistors
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IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.39 EUR
6+13.38 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFK66N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_66n85x_datasheet.pdf.pdf IXFK66N85X THT N channel transistors
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IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.35 EUR
6+12.67 EUR
25+12.58 EUR
100+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK80N50P IXYS IXFK80N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.77 EUR
4+20.46 EUR
250+20.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK80N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFK80N50Q3 THT N channel transistors
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IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.61 EUR
5+15.76 EUR
10+15.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.29 EUR
25+20.55 EUR
100+20.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXFK88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.45 EUR
5+14.3 EUR
1000+13.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK90N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf IXFK90N60X THT N channel transistors
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IXFK94N50P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_94n50p2_datasheet.pdf.pdf IXFK94N50P2 THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.31 EUR
4+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK98N50P3 IXFK98N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFL100N50P IXYS IXFL100N50P THT N channel transistors
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IXFL132N50P3 IXFL132N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94FFC40FB820&compId=IXFL132N50P3.pdf?ci_sign=85792c6dcf977ebf78032c427263cc5303138c45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 63A; 520W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 250nC
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFL210N30P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl210n30p3_datasheet.pdf.pdf IXFL210N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
25+34.75 EUR
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IXFL32N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf IXFL32N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+87.23 EUR
2+62.28 EUR
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IXFL38N100P IXFL38N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA0D820&compId=IXFL38N100P.pdf?ci_sign=94929944ea010461ba73f32c37d8eedfcfafaddd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 29A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFL44N100P IXFL44N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA39820&compId=IXFL44N100P.pdf?ci_sign=1c0e50a44c3371ebd3290c5eb1e4bc6fd4bc0c39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFL60N80P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=7ec8d60c-ee25-44f5-9d62-4bc696ee171f&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl60n80p_datasheet.pdf IXFL60N80P THT N channel transistors
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IXFL82N60P IXFL82N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA4F820&compId=IXFL82N60P.pdf?ci_sign=aceb8365e96b8b9623c8f150f5e611f540782014 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFN100N50P IXYS IXFN100N50P.pdf description IXFN100N50P Transistor modules MOSFET
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IXFN100N50Q3 IXYS IXFN100N50Q3 Transistor modules MOSFET
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IXFN100N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn100n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFN100N65X2 Transistor modules MOSFET
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IXFN102N30P IXYS IXFN102N30P.pdf IXFN102N30P Transistor modules MOSFET
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IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C7EC3367918BF&compId=IXFN110N60P3.pdf?ci_sign=d0968e82a80d72ea8c08fc609d26ee5426b318be Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 275A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Reverse recovery time: 205ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+92.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9EAC65F2DB820&compId=IXFN120N65X2.pdf?ci_sign=073e54168aecec180c88c9f2f85635c9946f2fa1 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN130N90SK IXYS IXFN130N90SK Transistor modules MOSFET
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IXFN132N50P3 IXFN132N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF964F62AE6B820&compId=IXFN132N50P3.pdf?ci_sign=3d53e2e7d5a8766b34ef8c5d8db2b89f63097539 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 39mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20P IXFN140N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C66907012B8BF&compId=IXFN140N20P.pdf?ci_sign=a0e4bc6acd78ecb9536f9dcaae8667685d73f53e description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn140n25t_datasheet.pdf.pdf IXFN140N25T Transistor modules MOSFET
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IXFN140N30P IXYS DS99571FIXFN140N30P.pdf description IXFN140N30P Transistor modules MOSFET
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IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Reverse recovery time: 190ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 145A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN160N30T IXFN160N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF90EF782821820&compId=IXFN160N30T.pdf?ci_sign=4f514305338d34fe8741e1d339673060b3d7fe0d Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 444A
Power dissipation: 900W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn170n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFN170N25X3 Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn170n30p_datasheet.pdf.pdf IXFN170N30P Transistor modules MOSFET
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IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C956F78DF18BF&compId=IXFN170N65X2.pdf?ci_sign=e4ca9b77a78619ba688f7d6c410bc4fd14cd2866 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
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IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C5F4741DBF8BF&compId=IXFN180N15P.pdf?ci_sign=30b7d36958ffd7d19dec797319415ee275dcdc97 description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
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IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C6EEE88A158BF&compId=IXFN180N25T.pdf?ci_sign=93b68cf1b62ba6ba3001a31573d6dc6b40bde40e Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 364nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
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IXFN200N10P IXYS description IXFN200N10P Transistor modules MOSFET
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IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA8222A1DEF7820&compId=IXFN20N120P.pdf?ci_sign=d60c32441418226b7bbccc61b6c8e84fb8b4f901 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 193nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
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IXFN210N20P IXYS DS100019AIXFN210N20P.pdf IXFN210N20P Transistor modules MOSFET
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IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF91C31173D1820&compId=IXFN210N30P3.pdf?ci_sign=822d8ac666dc943cca774a0528aebea732c66ae7 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
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IXFN220N20X3 IXFN220N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9909A88A74D1A18BF&compId=IXFN220N20X3.pdf?ci_sign=dca2a6ff4e3c80e41699692c4799b3d0cdfcd691 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 204nC
Reverse recovery time: 128ns
Kind of channel: enhancement
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IXFN230N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn230n20t_datasheet.pdf.pdf IXFN230N20T Transistor modules MOSFET
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IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF632B0BFD4D820&compId=IXFN240N15T2.pdf?ci_sign=ff1aa251ad84ebead4a899a8d1f4d4e5b551871d Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 460nC
Reverse recovery time: 140ns
Kind of channel: enhancement
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IXFN240N25X3 IXYS IXFN240N25X3 Transistor modules MOSFET
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IXFN24N100 IXFN24N100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89ECE2C62351E27&compId=IXFN24N100-DTE.pdf?ci_sign=25e1c0067815d2041ecf400ffd60ad891352f678 description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™
Pulsed drain current: 96A
Mechanical mounting: screw
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IXFN26N100P IXFN26N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA7491E14C33820&compId=IXFN26N100P.pdf?ci_sign=bdfeb01acf554089de2652a27d870b4b6759604a Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 197nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
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IXFN26N120P IXFN26N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA83340B11AD820&compId=IXFN26N120P.pdf?ci_sign=5573ca8e5e9174590dcdfe9d77701095038e467c Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
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IXFN27N120SK IXYS IXFN27N120SK Transistor modules MOSFET
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IXFN300N10P IXYS DS100016AIXFN300N10P.pdf IXFN300N10P Transistor modules MOSFET
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IXFN300N20X3 IXYS IXFN300N20X3 Transistor modules MOSFET
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IXFN30N120P IXYS IXFN30N120P Transistor modules MOSFET
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IXFN320N17T2 IXYS DS100189(IXFN320N17T2).pdf IXFN320N17T2 Transistor modules MOSFET
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IXFN32N100P IXFN32N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA74E5CF81FB820&compId=IXFN32N100P.pdf?ci_sign=c6d0cb810ecde8e0355671243a182c74de859f98 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 27A; SOT227B; screw; Idm: 75A; 690W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 690W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.32Ω
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK64N50P media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXFK64N50P THT N channel transistors
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IXFK64N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFK64N50Q3 THT N channel transistors
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IXFK64N60P 99442.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK64N60P THT N channel transistors
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IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
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Anzahl Preis
4+18.39 EUR
6+13.38 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFK66N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_66n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK66N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFK78N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434
IXFK78N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.35 EUR
6+12.67 EUR
25+12.58 EUR
100+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK80N50P
Hersteller: IXYS
IXFK80N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.77 EUR
4+20.46 EUR
250+20.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK80N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n50q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK80N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFK80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f
IXFK80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.61 EUR
5+15.76 EUR
10+15.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK80N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c
IXFK80N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
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Anzahl Preis
4+21.29 EUR
25+20.55 EUR
100+20.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.45 EUR
5+14.3 EUR
1000+13.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK90N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK90N60X THT N channel transistors
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IXFK94N50P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_94n50p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK94N50P2 THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
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Anzahl Preis
3+25.31 EUR
4+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK98N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32
IXFK98N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL100N50P
Hersteller: IXYS
IXFL100N50P THT N channel transistors
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IXFL132N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94FFC40FB820&compId=IXFL132N50P3.pdf?ci_sign=85792c6dcf977ebf78032c427263cc5303138c45
IXFL132N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 63A; 520W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 250nC
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL210N30P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl210n30p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL210N30P3 THT N channel transistors
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IXFL32N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL32N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA0D820&compId=IXFL38N100P.pdf?ci_sign=94929944ea010461ba73f32c37d8eedfcfafaddd
IXFL38N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 29A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS i5-pac™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFL44N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA39820&compId=IXFL44N100P.pdf?ci_sign=1c0e50a44c3371ebd3290c5eb1e4bc6fd4bc0c39
IXFL44N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL60N80P media?resourcetype=datasheets&itemid=7ec8d60c-ee25-44f5-9d62-4bc696ee171f&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl60n80p_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL60N80P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL82N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA4F820&compId=IXFL82N60P.pdf?ci_sign=aceb8365e96b8b9623c8f150f5e611f540782014
IXFL82N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N50P description IXFN100N50P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN100N50P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFN100N50Q3 Transistor modules MOSFET
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IXFN100N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn100n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN100N65X2 Transistor modules MOSFET
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IXFN102N30P IXFN102N30P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN102N30P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C7EC3367918BF&compId=IXFN110N60P3.pdf?ci_sign=d0968e82a80d72ea8c08fc609d26ee5426b318be
IXFN110N60P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 275A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Reverse recovery time: 205ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9EAC65F2DB820&compId=IXFN120N65X2.pdf?ci_sign=073e54168aecec180c88c9f2f85635c9946f2fa1
IXFN120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN130N90SK
Hersteller: IXYS
IXFN130N90SK Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF964F62AE6B820&compId=IXFN132N50P3.pdf?ci_sign=3d53e2e7d5a8766b34ef8c5d8db2b89f63097539
IXFN132N50P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 39mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C66907012B8BF&compId=IXFN140N20P.pdf?ci_sign=a0e4bc6acd78ecb9536f9dcaae8667685d73f53e
IXFN140N20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn140n25t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN140N25T Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30P description DS99571FIXFN140N30P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN140N30P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Reverse recovery time: 190ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 145A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF90EF782821820&compId=IXFN160N30T.pdf?ci_sign=4f514305338d34fe8741e1d339673060b3d7fe0d
IXFN160N30T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 444A
Power dissipation: 900W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn170n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN170N25X3 Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn170n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN170N30P Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+48.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C956F78DF18BF&compId=IXFN170N65X2.pdf?ci_sign=e4ca9b77a78619ba688f7d6c410bc4fd14cd2866
IXFN170N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C5F4741DBF8BF&compId=IXFN180N15P.pdf?ci_sign=30b7d36958ffd7d19dec797319415ee275dcdc97
IXFN180N15P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
10+26.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C6EEE88A158BF&compId=IXFN180N25T.pdf?ci_sign=93b68cf1b62ba6ba3001a31573d6dc6b40bde40e
IXFN180N25T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 364nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10P description
Hersteller: IXYS
IXFN200N10P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA8222A1DEF7820&compId=IXFN20N120P.pdf?ci_sign=d60c32441418226b7bbccc61b6c8e84fb8b4f901
IXFN20N120P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 193nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N20P DS100019AIXFN210N20P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN210N20P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF91C31173D1820&compId=IXFN210N30P3.pdf?ci_sign=822d8ac666dc943cca774a0528aebea732c66ae7
IXFN210N30P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+43.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30X3
Hersteller: IXYS
IXFN210N30X3 Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
30+50.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9909A88A74D1A18BF&compId=IXFN220N20X3.pdf?ci_sign=dca2a6ff4e3c80e41699692c4799b3d0cdfcd691 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFN220N20X3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 204nC
Reverse recovery time: 128ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+36.98 EUR
10+36.95 EUR
30+35.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN230N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn230n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN230N20T Transistor modules MOSFET
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IXFN240N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF632B0BFD4D820&compId=IXFN240N15T2.pdf?ci_sign=ff1aa251ad84ebead4a899a8d1f4d4e5b551871d
IXFN240N15T2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 460nC
Reverse recovery time: 140ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+25.7 EUR
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IXFN240N25X3
Hersteller: IXYS
IXFN240N25X3 Transistor modules MOSFET
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IXFN24N100 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89ECE2C62351E27&compId=IXFN24N100-DTE.pdf?ci_sign=25e1c0067815d2041ecf400ffd60ad891352f678
IXFN24N100
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™
Pulsed drain current: 96A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN26N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA7491E14C33820&compId=IXFN26N100P.pdf?ci_sign=bdfeb01acf554089de2652a27d870b4b6759604a
IXFN26N100P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 197nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.08 EUR
3+38.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN26N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA83340B11AD820&compId=IXFN26N120P.pdf?ci_sign=5573ca8e5e9174590dcdfe9d77701095038e467c
IXFN26N120P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+39.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN27N120SK
Hersteller: IXYS
IXFN27N120SK Transistor modules MOSFET
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IXFN300N10P DS100016AIXFN300N10P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN300N10P Transistor modules MOSFET
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IXFN300N20X3
Hersteller: IXYS
IXFN300N20X3 Transistor modules MOSFET
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IXFN30N120P
Hersteller: IXYS
IXFN30N120P Transistor modules MOSFET
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IXFN320N17T2 DS100189(IXFN320N17T2).pdf
Hersteller: IXYS
IXFN320N17T2 Transistor modules MOSFET
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IXFN32N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA74E5CF81FB820&compId=IXFN32N100P.pdf?ci_sign=c6d0cb810ecde8e0355671243a182c74de859f98
IXFN32N100P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 27A; SOT227B; screw; Idm: 75A; 690W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 690W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.32Ω
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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