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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFK36N60P IXFK36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK400N15X3 IXYS IXFK400N15X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK40N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_40n90p_datasheet.pdf.pdf IXFK40N90P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK420N10T IXFK420N10T IXYS IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.75 EUR
5+17.73 EUR
500+17.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N50P IXFK44N50P IXYS IXFK44N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 650W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 98nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.66 EUR
25+18.90 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS IXFK(X)44N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.89 EUR
10+19.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_48n60q3_datasheet.pdf.pdf IXFK48N60Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N85X IXYS IXFK50N85X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56 IXFK520N075T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100X IXFK52N100X IXYS IXFK(X)52N100X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 245nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 260ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF IXFK64N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFK64N50Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS IXFK(X)64N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.30 EUR
6+13.38 EUR
100+13.20 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.77 EUR
10+16.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK66N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_66n85x_datasheet.pdf.pdf IXFK66N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.35 EUR
6+12.67 EUR
25+12.58 EUR
100+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50P IXFK80N50P IXYS IXFK(X)80N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.62 EUR
25+19.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFK80N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS IXFK(X)80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.22 EUR
5+15.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFK80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.89 EUR
4+21.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30P IXFK88N30P IXYS IXFH(K,T)88N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.30 EUR
100+13.01 EUR
1000+12.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK90N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf IXFK90N60X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK94N50P2 IXFK94N50P2 IXYS IXFx94N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 94A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 228nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.82 EUR
25+19.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK98N50P3 IXFK98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL100N50P IXFL100N50P IXYS IXFL100N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 68A; 625W; ISOPLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 68A
Case: ISOPLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 625W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL132N50P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl132n50p3_datasheet.pdf.pdf IXFL132N50P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL210N30P3 IXFL210N30P3 IXYS IXFL210N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 268nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
25+33.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL32N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf IXFL32N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+87.23 EUR
2+62.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100P IXFL38N100P IXYS IXFL38N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ISOPLUS i5-pac™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 520W
Gate charge: 0.35µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.11 EUR
3+34.13 EUR
25+33.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL44N100P IXFL44N100P IXYS IXFL44N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL60N80P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=7ec8d60c-ee25-44f5-9d62-4bc696ee171f&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl60n80p_datasheet.pdf IXFL60N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL82N60P IXFL82N60P IXYS IXFL82N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.86 EUR
10+14.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS 99497.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 75A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N50Q3 IXFN100N50Q3 IXYS IXFN100N50Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 82A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 82A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn100n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFN100N65X2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN102N30P IXYS IXFN102N30P.pdf IXFN102N30P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 IXYS IXFN110N60P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Gate charge: 254nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
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IXFN120N65X2 IXFN120N65X2 IXYS IXFN120N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
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IXFN130N90SK IXYS IXFN130N90SK Transistor modules MOSFET
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IXFN132N50P3 IXYS IXFN132N50P3 Transistor modules MOSFET
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IXFN140N20P IXFN140N20P IXYS IXFN140N20P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 280A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
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IXFN140N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn140n25t_datasheet.pdf.pdf IXFN140N25T Transistor modules MOSFET
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IXFN140N30P IXYS description IXFN140N30P Transistor modules MOSFET
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IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS IXFN150N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN160N30T IXYS IXFN160N30T Transistor modules MOSFET
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IXFN170N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn170n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFN170N25X3 Transistor modules MOSFET
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IXFN170N30P IXFN170N30P IXYS IXFN170N30P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 138A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 IXYS IXFN170N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 270ns
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS IXFN180N15P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS IXFN180N25T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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3+31.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10P IXFN200N10P IXYS IXFN200N10P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 235nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 400A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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4+18.96 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N20P IXFN210N20P IXYS IXFN210N20P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 600A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.50 EUR
20+47.45 EUR
200+47.26 EUR
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IXFN210N30X3 IXYS IXFN210N30X3 Transistor modules MOSFET
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1+71.50 EUR
30+50.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3 IXYS IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.50 EUR
2+36.78 EUR
30+35.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFK36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK400N15X3
Hersteller: IXYS
IXFK400N15X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK40N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_40n90p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK40N90P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK420N10T IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf
IXFK420N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.75 EUR
5+17.73 EUR
500+17.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N50P IXFK44N50P.pdf
IXFK44N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 650W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 98nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.66 EUR
25+18.90 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 IXFK(X)44N80Q3.pdf
IXFK44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.89 EUR
10+19.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_48n60q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK48N60Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N85X
Hersteller: IXYS
IXFK50N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56
Hersteller: IXYS
IXFK520N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100X IXFK(X)52N100X.pdf
IXFK52N100X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 245nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 260ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50P media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXFK64N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n50q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK64N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P IXFK(X)64N60P.pdf
IXFK64N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.30 EUR
6+13.38 EUR
100+13.20 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.77 EUR
10+16.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK66N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_66n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK66N85X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFK78N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.35 EUR
6+12.67 EUR
25+12.58 EUR
100+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50P IXFK(X)80N50P.pdf
IXFK80N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.62 EUR
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IXFK80N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n50q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK80N50Q3 THT N channel transistors
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IXFK80N60P3 IXFK(X)80N60P3.pdf
IXFK80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: IXYS
IXFK80N65X2 THT N channel transistors
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IXFK88N30P IXFH(K,T)88N30P.pdf
IXFK88N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
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IXFK90N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf
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IXFK90N60X THT N channel transistors
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IXFK94N50P2 IXFx94N50P2.pdf
IXFK94N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 94A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 228nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXFK98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFK98N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFL100N50P IXFL100N50P.pdf
IXFL100N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 68A; 625W; ISOPLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 68A
Case: ISOPLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 625W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFL132N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl132n50p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL132N50P3 THT N channel transistors
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IXFL210N30P3 IXFL210N30P3.pdf
IXFL210N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 268nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
25+33.00 EUR
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IXFL32N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL32N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
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1+87.23 EUR
2+62.28 EUR
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IXFL38N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ISOPLUS i5-pac™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 520W
Gate charge: 0.35µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.11 EUR
3+34.13 EUR
25+33.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFL44N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.72 EUR
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IXFL60N80P media?resourcetype=datasheets&itemid=7ec8d60c-ee25-44f5-9d62-4bc696ee171f&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl60n80p_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL60N80P THT N channel transistors
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IXFL82N60P IXFL82N60P.pdf
IXFL82N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.86 EUR
10+14.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N50P description 99497.pdf
IXFN100N50P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 75A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N50Q3 IXFN100N50Q3.pdf
IXFN100N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 82A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 82A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn100n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN100N65X2 Transistor modules MOSFET
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IXFN102N30P IXFN102N30P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN102N30P Transistor modules MOSFET
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IXFN110N60P3 IXFN110N60P3.pdf
IXFN110N60P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Gate charge: 254nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2.pdf
IXFN120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
100+49.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN130N90SK
Hersteller: IXYS
IXFN130N90SK Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3
Hersteller: IXYS
IXFN132N50P3 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20P description IXFN140N20P.pdf
IXFN140N20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 280A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn140n25t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN140N25T Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30P description
Hersteller: IXYS
IXFN140N30P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2.pdf
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+62.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30T
Hersteller: IXYS
IXFN160N30T Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn170n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN170N25X3 Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30P IXFN170N30P.pdf
IXFN170N30P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 138A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2 IXFN170N65X2.pdf
IXFN170N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 270ns
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15P description IXFN180N15P.pdf
IXFN180N15P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
50+27.06 EUR
100+26.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T IXFN180N25T.pdf
IXFN180N25T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10P description IXFN200N10P.pdf
IXFN200N10P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 235nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 400A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N20P IXFN210N20P.pdf
IXFN210N20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 600A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3.pdf
IXFN210N30P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
20+47.45 EUR
200+47.26 EUR
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IXFN210N30X3
Hersteller: IXYS
IXFN210N30X3 Transistor modules MOSFET
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IXFN220N20X3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
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