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IXFH76N15T2 IXFH76N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D41BF38A751820&compId=IXFA(H%2CP)76N15T2.pdf?ci_sign=e58b954c14aed23e6b59d6e696317db032e28994 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO247-3; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.68 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
270+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH78N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh78n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 205ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 78A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH7N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf IXFH7N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N25X3 IXFH80N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285CE2107E71820&compId=IXFH(P%2CQ)80N25X3.pdf?ci_sign=98dbb1b3debc6aa179f2279e7c8f3d9ef9df9898 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO247-3; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.04 EUR
9+8.21 EUR
270+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFH80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.02 EUR
5+14.3 EUR
6+13.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.05 EUR
5+14.6 EUR
6+13.81 EUR
1020+13.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH86N30T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_86n30t_datasheet.pdf.pdf IXFH86N30T THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.06 EUR
8+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84 IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.08 EUR
5+14.59 EUR
6+13.79 EUR
270+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3 IXFH90N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB8178012838BF&compId=IXF_90N20X3.pdf?ci_sign=cd4eb69bd34dd603e68d972f3c7cec2471da9466 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 85ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.27 EUR
10+7.81 EUR
120+7.71 EUR
270+7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N65X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=6f8a9249-2180-4bd2-9a3d-392bbeb94cb1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet IXFH90N65X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3 IXYS IXFH94N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.44 EUR
7+11.24 EUR
1020+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30T IXYS DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf IXFH94N30T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15P IXYS 99208.pdf IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
8+8.94 EUR
30+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.03 EUR
10+7.46 EUR
1020+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH98N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 220ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85X IXYS DS100772A(IXFJ20N85X).pdf IXFJ20N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
30+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50P3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=2D45EDF8-1FBE-4028-BBD4-ABFE244559A2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFJ26N50P3-Datasheet.PDF IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ80N25X3 IXYS PCIM_Highlights_2017.pdf IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFK100N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
500+16.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.99 EUR
5+14.3 EUR
25+13.66 EUR
100+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20P IXFK120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Case: TO264
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25P IXYS 99379.pdf IXFK120N25P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3 IXFK120N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD4792F693820&compId=IXFK(X)120N30P3.pdf?ci_sign=6c727e8884ef3f66572a5b3f0eace2ea8daa052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.13kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 27mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30T IXFK120N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N20P IXFK140N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94595727F820&compId=IXFK140N20P.pdf?ci_sign=d20ac8ee9e68221e8632f05c33f67c84eb8fecee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25T IXYS IXFK140N25T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30P IXYS IXFK140N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
50+19.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.35 EUR
100+19.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3 IXYS IXFK150N30X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK160N30T IXFK160N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CE9C427165138BF&compId=IXF_160N30T.pdf?ci_sign=23e001151aa4a4de2e7e32da29e7d4519594f256 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10P IXFK170N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA4D451E02B38BF&compId=IXFH170N10P_IXFK170N10P.pdf?ci_sign=8e0c57b7145cd2d707e91251170b8da9af42fcd8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.85 EUR
6+12.58 EUR
7+11.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20P IXFK170N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7919FF3517E5D4746&compId=IXF_170N20P.pdf?ci_sign=7a8e99d2eb2f7ace504a59de513ff4d7089e5376 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20T IXFK170N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5344B49DB7820&compId=IXFK(X)170N20T.pdf?ci_sign=132d408b08d163a2c5614a95cdf3179fcf883841 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFK170N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk180n15p_datasheet.pdf.pdf IXFK180N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T IXYS IXFK180N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.17 EUR
4+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK200N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_200n10p_datasheet.pdf.pdf IXFK200N10P THT N channel transistors
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IXFK20N120P IXFK20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB2D57B02A78BF&compId=IXF_210N30X3.pdf?ci_sign=b936bb2c259b202c476c66a13724d25b3b29cb21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK220N15P IXFK220N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F951AAE15F820&compId=IXFK220N15P.pdf?ci_sign=7aa1b38f019148fe6172bcbeab14c2e612cec2f5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 220A; 1250W; TO264
Case: TO264
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 220A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFK220N17T2 IXYS IXFK220N17T2 THT N channel transistors
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IXFK220N20X3 IXFK220N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBA1A126E3F8BF&compId=IXF_220N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f237aaca4b9ebf80eb09fb21e52fd45391ea24c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
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IXFK230N20T IXYS IXFK230N20T THT N channel transistors
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IXFK240N15T2 IXYS IXFK240N15T2 THT N channel transistors
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IXFK240N25X3 IXYS IXFK240N25X3 THT N channel transistors
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IXFK24N100Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_24n100q3_datasheet.pdf.pdf IXFK24N100Q3 THT N channel transistors
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IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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4+22.52 EUR
10+22.29 EUR
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IXFK26N100P IXFK26N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED0210783C38BF&compId=IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf?ci_sign=e3bbcbcc0f83667d3f1a627314a9d5c5be08eed7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 390mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
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IXFK26N120P IXYS IXFK26N120P.pdf IXFK26N120P THT N channel transistors
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IXFK27N80Q IXFK27N80Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK300N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_300n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFK300N20X3 THT N channel transistors
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IXFK320N17T2 IXYS IXFK320N17T2 THT N channel transistors
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IXFK32N100P IXFK32N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC1DC4FAEC1820&compId=IXFK(X)32N100P.pdf?ci_sign=d4d0595112cc0bc4e87edb1f70eff260601fd64c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK32N100Q3 IXFK32N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A93A81055778BF&compId=IXF_32N100Q3.pdf?ci_sign=e4e37fba8c821b262a57b3694710db983ba811c8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFK32N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n80p_datasheet.pdf.pdf IXFK32N80P THT N channel transistors
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IXFK32N80Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n80q3_datasheet.pdf.pdf IXFK32N80Q3 THT N channel transistors
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2+37.32 EUR
3+26.64 EUR
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IXFK32N90P IXFK32N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK34N80 IXFK34N80 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH76N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D41BF38A751820&compId=IXFA(H%2CP)76N15T2.pdf?ci_sign=e58b954c14aed23e6b59d6e696317db032e28994
IXFH76N15T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO247-3; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.68 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
270+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH78N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh78n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 205ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 78A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH7N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH7N100P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285CE2107E71820&compId=IXFH(P%2CQ)80N25X3.pdf?ci_sign=98dbb1b3debc6aa179f2279e7c8f3d9ef9df9898
IXFH80N25X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO247-3; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.04 EUR
9+8.21 EUR
270+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH80N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.02 EUR
5+14.3 EUR
6+13.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.05 EUR
5+14.6 EUR
6+13.81 EUR
1020+13.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH86N30T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_86n30t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH86N30T THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.06 EUR
8+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84
Hersteller: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.08 EUR
5+14.59 EUR
6+13.79 EUR
270+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB8178012838BF&compId=IXF_90N20X3.pdf?ci_sign=cd4eb69bd34dd603e68d972f3c7cec2471da9466 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFH90N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 85ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.27 EUR
10+7.81 EUR
120+7.71 EUR
270+7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFH90N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=6f8a9249-2180-4bd2-9a3d-392bbeb94cb1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet
Hersteller: IXYS
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
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IXFH94N30P3
Hersteller: IXYS
IXFH94N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.44 EUR
7+11.24 EUR
1020+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30T DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf
Hersteller: IXYS
IXFH94N30T THT N channel transistors
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IXFH96N15P 99208.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
8+8.94 EUR
30+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH96N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.03 EUR
10+7.46 EUR
1020+7.44 EUR
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IXFH98N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 220ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFJ20N85X DS100772A(IXFJ20N85X).pdf
Hersteller: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
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IXFJ26N50P3 media?resourcetype=datasheets&itemid=2D45EDF8-1FBE-4028-BBD4-ABFE244559A2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFJ26N50P3-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
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IXFJ80N25X3 PCIM_Highlights_2017.pdf
Hersteller: IXYS
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
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IXFK100N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK100N65X2 THT N channel transistors
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IXFK102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948
IXFK102N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee
IXFK120N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Case: TO264
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N25P 99379.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK120N25P THT N channel transistors
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IXFK120N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD4792F693820&compId=IXFK(X)120N30P3.pdf?ci_sign=6c727e8884ef3f66572a5b3f0eace2ea8daa052b
IXFK120N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.13kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 27mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0
IXFK120N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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IXFK120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a
IXFK120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK140N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94595727F820&compId=IXFK140N20P.pdf?ci_sign=d20ac8ee9e68221e8632f05c33f67c84eb8fecee
IXFK140N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK140N25T
Hersteller: IXYS
IXFK140N25T THT N channel transistors
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IXFK140N30P
Hersteller: IXYS
IXFK140N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+35.75 EUR
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IXFK150N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c
IXFK150N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.35 EUR
100+19.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK150N30X3
Hersteller: IXYS
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
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IXFK160N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CE9C427165138BF&compId=IXF_160N30T.pdf?ci_sign=23e001151aa4a4de2e7e32da29e7d4519594f256
IXFK160N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK170N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA4D451E02B38BF&compId=IXFH170N10P_IXFK170N10P.pdf?ci_sign=8e0c57b7145cd2d707e91251170b8da9af42fcd8
IXFK170N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.85 EUR
6+12.58 EUR
7+11.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7919FF3517E5D4746&compId=IXF_170N20P.pdf?ci_sign=7a8e99d2eb2f7ace504a59de513ff4d7089e5376
IXFK170N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5344B49DB7820&compId=IXFK(X)170N20T.pdf?ci_sign=132d408b08d163a2c5614a95cdf3179fcf883841
IXFK170N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk180n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK180N15P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T
Hersteller: IXYS
IXFK180N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
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Anzahl Preis
3+26.17 EUR
4+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK200N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_200n10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK200N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba
IXFK20N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK210N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB2D57B02A78BF&compId=IXF_210N30X3.pdf?ci_sign=b936bb2c259b202c476c66a13724d25b3b29cb21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFK210N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
25+30.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK220N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F951AAE15F820&compId=IXFK220N15P.pdf?ci_sign=7aa1b38f019148fe6172bcbeab14c2e612cec2f5
IXFK220N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 220A; 1250W; TO264
Case: TO264
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 220A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK220N17T2
Hersteller: IXYS
IXFK220N17T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK220N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBA1A126E3F8BF&compId=IXF_220N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f237aaca4b9ebf80eb09fb21e52fd45391ea24c
IXFK220N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.59 EUR
5+17.59 EUR
10+16.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK230N20T
Hersteller: IXYS
IXFK230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.9 EUR
3+24.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFK240N15T2
Hersteller: IXYS
IXFK240N15T2 THT N channel transistors
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IXFK240N25X3
Hersteller: IXYS
IXFK240N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+49.19 EUR
3+31.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFK24N100Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_24n100q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK24N100Q3 THT N channel transistors
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IXFK24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFK24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK250N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043
IXFK250N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+22.29 EUR
25+21.74 EUR
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IXFK26N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED0210783C38BF&compId=IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf?ci_sign=e3bbcbcc0f83667d3f1a627314a9d5c5be08eed7
IXFK26N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 390mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+37.61 EUR
3+37.59 EUR
25+36.95 EUR
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IXFK26N120P IXFK26N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK26N120P THT N channel transistors
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IXFK27N80Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd
IXFK27N80Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFK300N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_300n20x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK300N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+49.19 EUR
3+32.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFK320N17T2
Hersteller: IXYS
IXFK320N17T2 THT N channel transistors
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IXFK32N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC1DC4FAEC1820&compId=IXFK(X)32N100P.pdf?ci_sign=d4d0595112cc0bc4e87edb1f70eff260601fd64c
IXFK32N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK32N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A93A81055778BF&compId=IXF_32N100Q3.pdf?ci_sign=e4e37fba8c821b262a57b3694710db983ba811c8
IXFK32N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFK32N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n80p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK32N80P THT N channel transistors
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IXFK32N80Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n80q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK32N80Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
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Anzahl Preis
2+37.32 EUR
3+26.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFK32N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5
IXFK32N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK34N80 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0
IXFK34N80
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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