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IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2856F4A8DDE7820&compId=IXFH(T)320N10T2.pdf?ci_sign=712ea63a2238f63f81d01689168cb986a264e110 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH340N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_340n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH340N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N50P3 IXFH34N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF626144CB820&compId=IXFH(Q)34N50P3.pdf?ci_sign=4d56840987701f45cf2d6fe142e03c4c1af1a499 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.94 EUR
12+6.09 EUR
120+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet?assetguid=965e45cd-8715-4cf1-b85d-adaafdfc5ec2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXFH36N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.17 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
510+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh36n60x3-datasheet?assetguid=38271253-e2cd-4f1f-b434-c9ed8035371e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH400N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_400n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH400N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50Q IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH40N50Q-Datasheet.PDF?assetguid=0EC5A491-CE9E-432F-BDFD-54CFAC252C8F IXFH40N50Q THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.03 EUR
4+18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf IXFH40N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N50P2 IXFH42N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBBA645F9ED820&compId=IXFH(T)42N50P2.pdf?ci_sign=f453206f31c310eacffe5cd25285ad089c91af70 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N60P3 IXYS IXFH42N60P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH44N50P IXFH44N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.03 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
120+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH44N50Q3 IXFH44N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D560EA38423820&compId=IXFH(T)44N50Q3.pdf?ci_sign=8ccaf63b663c6315e8193c688f8a56787789ba3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.93 EUR
9+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6 IXFH46N65X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH48N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 163ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N30Q3 IXYS IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.02 EUR
6+12.93 EUR
30+12.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.6 EUR
8+9.19 EUR
9+8.68 EUR
120+8.57 EUR
510+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N85X IXYS IXFH50N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf IXFH52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.38 EUR
12+6.16 EUR
13+5.83 EUR
2010+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.12Ω
Gate charge: 113nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 52A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.8 EUR
7+10.57 EUR
8+10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH56N30X3 IXYS IXFH56N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.77 EUR
8+9.04 EUR
9+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N50P3 IXYS DS100311BIXFHFTFQ60N50P3.pdf IXFH60N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.88 EUR
8+9.02 EUR
510+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147FA5820&compId=IXFH60N65X2.pdf?ci_sign=c67e1a4e79563fac537565ecfa45bb884c2d9493 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB405CA4C198BF&compId=IXFH60N65X2-4.pdf?ci_sign=68a836b0cb6aa37c0b5648bb269baf9e7eeb72ea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH69N30P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0D688BE9-5010-42E7-950F-B665084A20BE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-69N30P-Datasheet.PDF IXFH69N30P THT N channel transistors
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IXFH6N120 IXFH6N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.94 EUR
7+10.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 5
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IXFH6N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf IXFH6N120P THT N channel transistors
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IXFH70N20Q3 IXFH70N20Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D43ABF543E3820&compId=IXFH(T)70N20Q3.pdf?ci_sign=be45f1d929df193dd38505d25feb4e73fd60918a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
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4+17.88 EUR
510+11.08 EUR
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IXFH70N30Q3 IXYS IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
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IXFH70N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet?assetguid=b5819e4b-925f-4a8e-b528-ff8e8c93904b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH72N30X3 IXFH72N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBC8AC02F1D8BF&compId=IXF_72N30X3.pdf?ci_sign=09f98a1c935417cb47752418f14c2caee473339d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.87 EUR
8+9.28 EUR
120+9.15 EUR
270+8.92 EUR
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IXFH74N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh74n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH74N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 132 Stücke:
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8+9.4 EUR
12+5.96 EUR
1020+5.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXFH76N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH76N15T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.19 EUR
13+5.58 EUR
14+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFH78N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh78n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 205ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 78A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH7N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf IXFH7N100P THT N channel transistors
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IXFH80N25X3 IXFH80N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285CE2107E71820&compId=IXFH(P%2CQ)80N25X3.pdf?ci_sign=98dbb1b3debc6aa179f2279e7c8f3d9ef9df9898 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO247-3; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
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6+12.04 EUR
9+8.21 EUR
270+7.89 EUR
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IXFH80N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFH80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 59 Stücke:
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4+21.02 EUR
5+14.3 EUR
6+13.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH80N65X2-4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
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4+19.05 EUR
5+14.6 EUR
6+13.81 EUR
1020+13.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH86N30T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_86n30t_datasheet.pdf.pdf IXFH86N30T THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
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6+14.06 EUR
8+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH88N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84 IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
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4+18.08 EUR
5+14.59 EUR
6+13.79 EUR
270+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH90N20X3 IXFH90N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB8178012838BF&compId=IXF_90N20X3.pdf?ci_sign=cd4eb69bd34dd603e68d972f3c7cec2471da9466 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 85ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.27 EUR
10+7.81 EUR
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270+7.51 EUR
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IXFH90N65X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=6f8a9249-2180-4bd2-9a3d-392bbeb94cb1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet IXFH90N65X3 THT N channel transistors
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IXFH94N30P3 IXYS IXFH94N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
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5+15.44 EUR
7+11.24 EUR
1020+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFH94N30T IXYS DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf IXFH94N30T THT N channel transistors
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IXFH96N15P IXYS 99208.pdf IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
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4+17.88 EUR
8+8.94 EUR
30+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH96N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.03 EUR
10+7.46 EUR
1020+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH98N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 220ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFJ20N85X IXFJ20N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957253820&compId=IXFJ20N85X.pdf?ci_sign=e334aef3e464bae80a61a86cfe53bb41ae5251bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X-Class
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFJ26N50P3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=2D45EDF8-1FBE-4028-BBD4-ABFE244559A2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFJ26N50P3-Datasheet.PDF IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
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IXFJ80N25X3 IXYS PCIM_Highlights_2017.pdf IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
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IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E5CCA0EF7820&compId=IXFK(X)100N65X2.pdf?ci_sign=943e818235cb436b72c8d4fa8bbbd2fba5457b4b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
25+16.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.99 EUR
5+14.3 EUR
25+13.66 EUR
100+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK120N20P IXFK120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH320N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2856F4A8DDE7820&compId=IXFH(T)320N10T2.pdf?ci_sign=712ea63a2238f63f81d01689168cb986a264e110
IXFH320N10T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH340N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_340n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH340N075T2 THT N channel transistors
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IXFH34N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF626144CB820&compId=IXFH(Q)34N50P3.pdf?ci_sign=4d56840987701f45cf2d6fe142e03c4c1af1a499
IXFH34N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
12+6.09 EUR
120+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXFH34N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet?assetguid=965e45cd-8715-4cf1-b85d-adaafdfc5ec2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH36N50P THT N channel transistors
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IXFH36N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec
IXFH36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.17 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
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IXFH36N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh36n60x3-datasheet?assetguid=38271253-e2cd-4f1f-b434-c9ed8035371e
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH400N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_400n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH400N075T2 THT N channel transistors
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IXFH40N50Q Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH40N50Q-Datasheet.PDF?assetguid=0EC5A491-CE9E-432F-BDFD-54CFAC252C8F
Hersteller: IXYS
IXFH40N50Q THT N channel transistors
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4+18 EUR
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IXFH40N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH40N85X THT N channel transistors
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IXFH42N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBBA645F9ED820&compId=IXFH(T)42N50P2.pdf?ci_sign=f453206f31c310eacffe5cd25285ad089c91af70
IXFH42N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH42N60P3
Hersteller: IXYS
IXFH42N60P3 THT N channel transistors
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IXFH44N50P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090
IXFH44N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.03 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
120+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFH44N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D560EA38423820&compId=IXFH(T)44N50Q3.pdf?ci_sign=8ccaf63b663c6315e8193c688f8a56787789ba3c
IXFH44N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809
IXFH46N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.93 EUR
9+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH46N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6
Hersteller: IXYS
IXFH46N65X3 THT N channel transistors
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IXFH48N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 163ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH50N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.02 EUR
6+12.93 EUR
30+12.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.6 EUR
8+9.19 EUR
9+8.68 EUR
120+8.57 EUR
510+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFH50N85X
Hersteller: IXYS
IXFH50N85X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.38 EUR
12+6.16 EUR
13+5.83 EUR
2010+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d
IXFH52N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.12Ω
Gate charge: 113nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 52A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.8 EUR
7+10.57 EUR
8+10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH56N30X3
Hersteller: IXYS
IXFH56N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.77 EUR
8+9.04 EUR
9+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N50P3 DS100311BIXFHFTFQ60N50P3.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH60N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.88 EUR
8+9.02 EUR
510+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d
IXFH60N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147FA5820&compId=IXFH60N65X2.pdf?ci_sign=c67e1a4e79563fac537565ecfa45bb884c2d9493
IXFH60N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB405CA4C198BF&compId=IXFH60N65X2-4.pdf?ci_sign=68a836b0cb6aa37c0b5648bb269baf9e7eeb72ea
IXFH60N65X2-4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH69N30P media?resourcetype=datasheets&itemid=0D688BE9-5010-42E7-950F-B665084A20BE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-69N30P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXFH69N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d
IXFH6N120
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.94 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH6N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N20Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D43ABF543E3820&compId=IXFH(T)70N20Q3.pdf?ci_sign=be45f1d929df193dd38505d25feb4e73fd60918a
IXFH70N20Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
510+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.46 EUR
4+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet?assetguid=b5819e4b-925f-4a8e-b528-ff8e8c93904b
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH72N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBC8AC02F1D8BF&compId=IXF_72N30X3.pdf?ci_sign=09f98a1c935417cb47752418f14c2caee473339d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH72N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.87 EUR
8+9.28 EUR
120+9.15 EUR
270+8.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH74N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh74n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH74N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.4 EUR
12+5.96 EUR
1020+5.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH76N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.19 EUR
13+5.58 EUR
14+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH78N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh78n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 205ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 78A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH7N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH7N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285CE2107E71820&compId=IXFH(P%2CQ)80N25X3.pdf?ci_sign=98dbb1b3debc6aa179f2279e7c8f3d9ef9df9898
IXFH80N25X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO247-3; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.04 EUR
9+8.21 EUR
270+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.02 EUR
5+14.3 EUR
6+13.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.05 EUR
5+14.6 EUR
6+13.81 EUR
1020+13.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH86N30T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_86n30t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH86N30T THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.06 EUR
8+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84
Hersteller: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
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Anzahl Preis
4+18.08 EUR
5+14.59 EUR
6+13.79 EUR
270+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB8178012838BF&compId=IXF_90N20X3.pdf?ci_sign=cd4eb69bd34dd603e68d972f3c7cec2471da9466 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFH90N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 85ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.27 EUR
10+7.81 EUR
120+7.71 EUR
270+7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=6f8a9249-2180-4bd2-9a3d-392bbeb94cb1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet
Hersteller: IXYS
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3
Hersteller: IXYS
IXFH94N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.44 EUR
7+11.24 EUR
1020+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30T DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf
Hersteller: IXYS
IXFH94N30T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15P 99208.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
8+8.94 EUR
30+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.03 EUR
10+7.46 EUR
1020+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH98N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 220ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957253820&compId=IXFJ20N85X.pdf?ci_sign=e334aef3e464bae80a61a86cfe53bb41ae5251bd
IXFJ20N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X-Class
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50P3 media?resourcetype=datasheets&itemid=2D45EDF8-1FBE-4028-BBD4-ABFE244559A2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFJ26N50P3-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ80N25X3 PCIM_Highlights_2017.pdf
Hersteller: IXYS
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E5CCA0EF7820&compId=IXFK(X)100N65X2.pdf?ci_sign=943e818235cb436b72c8d4fa8bbbd2fba5457b4b
IXFK100N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
25+16.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948
IXFK102N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.99 EUR
5+14.3 EUR
25+13.66 EUR
100+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee
IXFK120N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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