Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFH46N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH46N65X3 | IXYS |
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IXFH48N60X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W Mounting: THT Reverse recovery time: 163ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 38nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 68A Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH50N30Q3 | IXYS | IXFH50N30Q3 THT N channel transistors |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH50N85X | IXYS | IXFH50N85X THT N channel transistors |
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IXFH52N30P | IXYS |
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auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH52N50P2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 52A Power dissipation: 960W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 113nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH54N65X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Reverse recovery time: 140ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH56N30X3 | IXYS | IXFH56N30X3 THT N channel transistors |
auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH60N50P3 | IXYS | IXFH60N50P3 THT N channel transistors |
auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH60N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH60N60X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH60N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; X2-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 120A Reverse recovery time: 180ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A On-state resistance: 52mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH60N65X2-4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 180ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH69N30P | IXYS |
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IXFH6N120 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 300W Gate charge: 56nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH6N120P | IXYS |
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IXFH70N20Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 70A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 67nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH70N30Q3 | IXYS | IXFH70N30Q3 THT N channel transistors |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH70N65X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 70A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 165ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH72N30X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 82nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 100ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 72A On-state resistance: 19mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH74N20P | IXYS |
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auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH76N15T2 | IXYS |
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auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH78N60X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W Mounting: THT Reverse recovery time: 205ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 78A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 780W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 70nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH7N100P | IXYS |
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IXFH80N25X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO247-3; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 83nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 120ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 80A On-state resistance: 16mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH80N65X2 | IXYS |
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auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH80N65X2-4 | IXYS |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH86N30T | IXYS |
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auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH88N30P | IXYS |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH90N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 78nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 85ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A On-state resistance: 12.8mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH90N65X3 | IXYS |
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IXFH94N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 94A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH94N30T | IXYS |
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IXFH96N15P | IXYS |
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auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH96N20P | IXYS |
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auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH98N60X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W Mounting: THT Reverse recovery time: 220ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 98A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFJ20N85X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 9.5A Power dissipation: 110W Case: ISO247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Technology: HiPerFET™; X-Class Pulsed drain current: 50A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFJ26N50P3 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXFJ80N25X3 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXFK100N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns Drain current: 100A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 183nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK102N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264 Drain current: 102A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 224nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 300V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK120N20P | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXFK120N25P | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXFK120N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXFK120N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264 Drain current: 120A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 265nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 300V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK120N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; X2-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 220ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A On-state resistance: 24mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFK140N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 830W Case: TO264 On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
IXFK140N25T | IXYS | IXFK140N25T THT N channel transistors |
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IXFK140N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264 Mounting: THT Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.04kW Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 24mΩ Drain current: 140A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 185nC Case: TO264 Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFK150N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264 Drain current: 150A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 197nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 300V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK150N30X3 | IXYS | IXFK150N30X3 THT N channel transistors |
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IXFK160N30T | IXYS |
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IXFK170N10P | IXYS |
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auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK170N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 170A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXFK170N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 200V Drain current: 170A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 265nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
IXFK170N25X3 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXFK180N15P | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXFK180N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264 Drain current: 180A On-state resistance: 12.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 364nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 250V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH46N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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6+ | 11.93 EUR |
9+ | 8.08 EUR |
IXFH46N65X3 |
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Hersteller: IXYS
IXFH46N65X3 THT N channel transistors
IXFH46N65X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH48N60X3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 163ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 163ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH50N30Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 18.02 EUR |
6+ | 12.93 EUR |
30+ | 12.77 EUR |
IXFH50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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7+ | 10.60 EUR |
8+ | 9.21 EUR |
9+ | 8.71 EUR |
120+ | 8.57 EUR |
510+ | 8.35 EUR |
IXFH50N85X |
Hersteller: IXYS
IXFH50N85X THT N channel transistors
IXFH50N85X THT N channel transistors
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IXFH52N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH52N30P THT N channel transistors
IXFH52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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8+ | 9.38 EUR |
12+ | 6.16 EUR |
13+ | 5.83 EUR |
2010+ | 5.62 EUR |
IXFH52N50P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 52A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 52A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.80 EUR |
7+ | 10.57 EUR |
8+ | 10.00 EUR |
IXFH54N65X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFH56N30X3 |
Hersteller: IXYS
IXFH56N30X3 THT N channel transistors
IXFH56N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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8+ | 9.04 EUR |
9+ | 8.54 EUR |
IXFH60N50P3 |
Hersteller: IXYS
IXFH60N50P3 THT N channel transistors
IXFH60N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 403 Stücke:
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510+ | 8.94 EUR |
IXFH60N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXFH60N60X3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXFH60N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
On-state resistance: 52mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
On-state resistance: 52mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXFH60N65X2-4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH69N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH69N30P THT N channel transistors
IXFH69N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXFH6N120 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.94 EUR |
7+ | 10.74 EUR |
8+ | 10.15 EUR |
IXFH6N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH6N120P THT N channel transistors
IXFH6N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXFH70N20Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
510+ | 11.08 EUR |
IXFH70N30Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 28.46 EUR |
4+ | 18.06 EUR |
IXFH70N65X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH72N30X3 |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.87 EUR |
8+ | 9.28 EUR |
120+ | 9.15 EUR |
270+ | 8.92 EUR |
IXFH74N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH74N20P THT N channel transistors
IXFH74N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.40 EUR |
12+ | 5.96 EUR |
1020+ | 5.79 EUR |
IXFH76N15T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.19 EUR |
13+ | 5.58 EUR |
14+ | 5.28 EUR |
IXFH78N60X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 205ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 78A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 205ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 78A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH7N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH7N100P THT N channel transistors
IXFH7N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH80N25X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO247-3; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO247-3; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.04 EUR |
9+ | 8.21 EUR |
270+ | 7.89 EUR |
IXFH80N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH80N65X2 THT N channel transistors
IXFH80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 21.02 EUR |
5+ | 14.30 EUR |
6+ | 13.51 EUR |
IXFH80N65X2-4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.05 EUR |
5+ | 14.60 EUR |
6+ | 13.81 EUR |
1020+ | 13.43 EUR |
IXFH86N30T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH86N30T THT N channel transistors
IXFH86N30T THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.06 EUR |
8+ | 9.25 EUR |
IXFH88N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.08 EUR |
5+ | 14.59 EUR |
6+ | 13.79 EUR |
270+ | 13.66 EUR |
IXFH90N20X3 |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.27 EUR |
10+ | 7.81 EUR |
120+ | 7.71 EUR |
270+ | 7.51 EUR |
IXFH90N65X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH94N30P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.67 EUR |
7+ | 11.24 EUR |
510+ | 10.80 EUR |
IXFH94N30T |
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Hersteller: IXYS
IXFH94N30T THT N channel transistors
IXFH94N30T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH96N15P |
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Hersteller: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
30+ | 6.48 EUR |
IXFH96N20P |
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Hersteller: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.03 EUR |
10+ | 7.46 EUR |
1020+ | 7.44 EUR |
IXFH98N60X3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 220ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 220ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFJ20N85X |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X-Class
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X-Class
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.30 EUR |
IXFJ26N50P3 |
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Hersteller: IXYS
IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFJ80N25X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK100N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
25+ | 16.12 EUR |
IXFK102N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.99 EUR |
5+ | 14.30 EUR |
25+ | 13.66 EUR |
100+ | 13.38 EUR |
IXFK120N20P |
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Hersteller: IXYS
IXFK120N20P THT N channel transistors
IXFK120N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK120N25P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK120N25P THT N channel transistors
IXFK120N25P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK120N30P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK120N30T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
IXFK120N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 220ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 220ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK140N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK140N25T |
Hersteller: IXYS
IXFK140N25T THT N channel transistors
IXFK140N25T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK140N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Case: TO264
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Case: TO264
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK150N30P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 20.35 EUR |
100+ | 19.56 EUR |
IXFK150N30X3 |
Hersteller: IXYS
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK160N30T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK160N30T THT N channel transistors
IXFK160N30T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK170N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK170N10P THT N channel transistors
IXFK170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 17.73 EUR |
6+ | 12.53 EUR |
7+ | 11.85 EUR |
IXFK170N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK170N20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK170N25X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK180N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK180N15P THT N channel transistors
IXFK180N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK180N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Drain current: 180A
On-state resistance: 12.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Drain current: 180A
On-state resistance: 12.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.73 EUR |