Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXFH7N100P | IXYS |
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IXFH80N25X3 | IXYS |
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auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH80N65X2 | IXYS |
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auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH80N65X2-4 | IXYS |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH86N30T | IXYS |
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auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH88N30P | IXYS |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH90N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3 Reverse recovery time: 85ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A On-state resistance: 12.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 78nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH90N65X3 | IXYS |
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IXFH94N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 94A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH94N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO247-3; 155ns Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Reverse recovery time: 155ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 94A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFH96N15P | IXYS |
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auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH96N20P | IXYS |
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auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH98N60X3 | IXYS |
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IXFJ20N85X | IXYS |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFJ26N50P3 | IXYS |
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IXFJ80N25X3 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IXFK100N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 183nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Reverse recovery time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK102N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264 Case: TO264 Drain-source voltage: 300V Drain current: 102A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 224nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK120N20P | IXYS |
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IXFK120N25P | IXYS |
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IXFK120N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFK120N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 265nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK120N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 220ns Gate charge: 240nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFK140N20P | IXYS | IXFK140N20P THT N channel transistors |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK140N25T | IXYS | IXFK140N25T THT N channel transistors |
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IXFK140N30P | IXYS | IXFK140N30P THT N channel transistors |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK150N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264 Drain-source voltage: 300V Drain current: 150A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 197nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK150N30X3 | IXYS | IXFK150N30X3 THT N channel transistors |
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IXFK160N30T | IXYS |
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IXFK170N10P | IXYS |
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auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK170N20P | IXYS |
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IXFK170N20T | IXYS | IXFK170N20T THT N channel transistors |
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IXFK170N25X3 | IXYS |
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IXFK180N15P | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IXFK180N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264 Drain-source voltage: 250V Drain current: 180A On-state resistance: 12.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 364nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK200N10P | IXYS |
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IXFK20N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Power dissipation: 780W Case: TO264 On-state resistance: 570mΩ Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFK210N30X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 190ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Gate charge: 375nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK220N15P | IXYS |
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IXFK220N17T2 | IXYS | IXFK220N17T2 THT N channel transistors |
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IXFK220N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264 Reverse recovery time: 116ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 204nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK230N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 230A Power dissipation: 1670W Case: TO264 On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 358nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK240N15T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 240A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 460nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 140ns Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IXFK240N25X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 240A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 345nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Reverse recovery time: 177ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK24N100Q3 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IXFK24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK250N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 100V Drain current: 250A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 205nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK26N100P | IXYS |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK26N120P | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IXFK27N80Q | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: TO264 On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFK300N20X3 | IXYS |
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auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK320N17T2 | IXYS | IXFK320N17T2 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IXFK32N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 32A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IXFK32N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 32A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 195nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFK32N80P | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IXFK32N80Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264 Drain-source voltage: 800V Drain current: 32A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK32N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 215nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 900V Drain current: 32A On-state resistance: 0.3Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IXFK34N80 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 34A Power dissipation: 568W Case: TO264 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFK360N10T | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFK360N15T2 | IXYS | IXFK360N15T2 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IXFH7N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH7N100P THT N channel transistors
IXFH7N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH80N25X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 14.36 EUR |
8+ | 9.40 EUR |
9+ | 8.88 EUR |
1020+ | 8.85 EUR |
IXFH80N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH80N65X2 THT N channel transistors
IXFH80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 21.02 EUR |
5+ | 14.30 EUR |
6+ | 13.51 EUR |
IXFH80N65X2-4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.05 EUR |
5+ | 14.60 EUR |
6+ | 13.81 EUR |
1020+ | 13.43 EUR |
IXFH86N30T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH86N30T THT N channel transistors
IXFH86N30T THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.06 EUR |
8+ | 9.25 EUR |
IXFH88N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.08 EUR |
5+ | 14.59 EUR |
6+ | 13.79 EUR |
270+ | 13.66 EUR |
IXFH90N20X3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.27 EUR |
10+ | 7.81 EUR |
120+ | 7.71 EUR |
270+ | 7.51 EUR |
IXFH90N65X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH94N30P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 14.67 EUR |
7+ | 11.24 EUR |
510+ | 10.80 EUR |
IXFH94N30T |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO247-3; 155ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 155ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO247-3; 155ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 155ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH96N15P |
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Hersteller: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 17.88 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
30+ | 6.48 EUR |
IXFH96N20P |
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Hersteller: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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6+ | 12.03 EUR |
10+ | 7.46 EUR |
1020+ | 7.44 EUR |
IXFH98N60X3 |
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Hersteller: IXYS
IXFH98N60X3 THT N channel transistors
IXFH98N60X3 THT N channel transistors
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IXFJ20N85X |
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Hersteller: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
IXFJ20N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.30 EUR |
30+ | 11.50 EUR |
IXFJ26N50P3 |
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Hersteller: IXYS
IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
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IXFJ80N25X3 |
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Hersteller: IXYS
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
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IXFK100N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
500+ | 16.40 EUR |
IXFK102N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.99 EUR |
5+ | 14.30 EUR |
25+ | 13.66 EUR |
100+ | 13.38 EUR |
IXFK120N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK120N20P THT N channel transistors
IXFK120N20P THT N channel transistors
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IXFK120N25P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK120N25P THT N channel transistors
IXFK120N25P THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFK120N30P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N30T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
IXFK120N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK140N20P |
Hersteller: IXYS
IXFK140N20P THT N channel transistors
IXFK140N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 71.50 EUR |
2+ | 35.75 EUR |
4+ | 17.88 EUR |
25+ | 15.44 EUR |
IXFK140N25T |
Hersteller: IXYS
IXFK140N25T THT N channel transistors
IXFK140N25T THT N channel transistors
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IXFK140N30P |
Hersteller: IXYS
IXFK140N30P THT N channel transistors
IXFK140N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
50+ | 19.86 EUR |
IXFK150N30P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 20.35 EUR |
100+ | 19.56 EUR |
IXFK150N30X3 |
Hersteller: IXYS
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
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IXFK160N30T |
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Hersteller: IXYS
IXFK160N30T THT N channel transistors
IXFK160N30T THT N channel transistors
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IXFK170N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK170N10P THT N channel transistors
IXFK170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 17.73 EUR |
6+ | 12.53 EUR |
7+ | 11.85 EUR |
IXFK170N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK170N20P THT N channel transistors
IXFK170N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
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IXFK170N20T |
Hersteller: IXYS
IXFK170N20T THT N channel transistors
IXFK170N20T THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFK170N25X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXFK180N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK180N15P THT N channel transistors
IXFK180N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK180N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
On-state resistance: 12.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
On-state resistance: 12.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.73 EUR |
IXFK200N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK200N10P THT N channel transistors
IXFK200N10P THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFK20N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK210N30X3 |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
2+ | 35.75 EUR |
25+ | 31.25 EUR |
IXFK220N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK220N15P THT N channel transistors
IXFK220N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK220N17T2 |
Hersteller: IXYS
IXFK220N17T2 THT N channel transistors
IXFK220N17T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK220N20X3 |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.98 EUR |
25+ | 18.60 EUR |
IXFK230N20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 24.37 EUR |
IXFK240N15T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 460nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 460nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK240N25X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 345nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 177ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 345nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 177ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 31.69 EUR |
IXFK24N100Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK24N100Q3 THT N channel transistors
IXFK24N100Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK24N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
5+ | 14.30 EUR |
IXFK250N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.91 EUR |
4+ | 22.59 EUR |
25+ | 22.41 EUR |
IXFK26N100P |
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Hersteller: IXYS
IXFK26N100P THT N channel transistors
IXFK26N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
2+ | 37.55 EUR |
IXFK26N120P |
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Hersteller: IXYS
IXFK26N120P THT N channel transistors
IXFK26N120P THT N channel transistors
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IXFK27N80Q |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK300N20X3 |
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Hersteller: IXYS
IXFK300N20X3 THT N channel transistors
IXFK300N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 49.19 EUR |
3+ | 32.35 EUR |
IXFK320N17T2 |
Hersteller: IXYS
IXFK320N17T2 THT N channel transistors
IXFK320N17T2 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXFK32N100P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK32N100Q3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFK32N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK32N80P THT N channel transistors
IXFK32N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK32N80Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 26.68 EUR |
25+ | 26.21 EUR |
IXFK32N90P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXFK34N80 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK360N10T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFK360N10T THT N channel transistors
IXFK360N10T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFK360N15T2 |
Hersteller: IXYS
IXFK360N15T2 THT N channel transistors
IXFK360N15T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH