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IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.93 EUR
9+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6 IXFH46N65X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH48N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 163ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N30Q3 IXYS IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.02 EUR
6+12.93 EUR
30+12.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.60 EUR
8+9.21 EUR
9+8.71 EUR
120+8.57 EUR
510+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N85X IXYS IXFH50N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf IXFH52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.38 EUR
12+6.16 EUR
13+5.83 EUR
2010+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 IXYS IXFH(T)52N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 52A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.80 EUR
7+10.57 EUR
8+10.00 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH56N30X3 IXYS IXFH56N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.77 EUR
8+9.04 EUR
9+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N50P3 IXYS IXFH60N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.88 EUR
8+9.02 EUR
510+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147FA5820&compId=IXFH60N65X2.pdf?ci_sign=c67e1a4e79563fac537565ecfa45bb884c2d9493 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB405CA4C198BF&compId=IXFH60N65X2-4.pdf?ci_sign=68a836b0cb6aa37c0b5648bb269baf9e7eeb72ea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH69N30P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0D688BE9-5010-42E7-950F-B665084A20BE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-69N30P-Datasheet.PDF IXFH69N30P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120 IXFH6N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.94 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf IXFH6N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N20Q3 IXFH70N20Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D43ABF543E3820&compId=IXFH(T)70N20Q3.pdf?ci_sign=be45f1d929df193dd38505d25feb4e73fd60918a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
510+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N30Q3 IXYS IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.46 EUR
4+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet?assetguid=b5819e4b-925f-4a8e-b528-ff8e8c93904b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH72N30X3 IXFH72N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBC8AC02F1D8BF&compId=IXF_72N30X3.pdf?ci_sign=09f98a1c935417cb47752418f14c2caee473339d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.87 EUR
8+9.28 EUR
120+9.15 EUR
270+8.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH74N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh74n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH74N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.40 EUR
12+5.96 EUR
1020+5.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH76N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH76N15T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.19 EUR
13+5.58 EUR
14+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH78N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh78n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 205ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 78A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH7N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf IXFH7N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N25X3 IXFH80N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285CE2107E71820&compId=IXFH(P%2CQ)80N25X3.pdf?ci_sign=98dbb1b3debc6aa179f2279e7c8f3d9ef9df9898 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO247-3; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.04 EUR
9+8.21 EUR
270+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFH80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.02 EUR
5+14.30 EUR
6+13.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.05 EUR
5+14.60 EUR
6+13.81 EUR
1020+13.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH86N30T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_86n30t_datasheet.pdf.pdf IXFH86N30T THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.06 EUR
8+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84 IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.08 EUR
5+14.59 EUR
6+13.79 EUR
270+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3 IXFH90N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB8178012838BF&compId=IXF_90N20X3.pdf?ci_sign=cd4eb69bd34dd603e68d972f3c7cec2471da9466 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.27 EUR
10+7.81 EUR
120+7.71 EUR
270+7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N65X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=6f8a9249-2180-4bd2-9a3d-392bbeb94cb1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet IXFH90N65X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3 IXFH94N30P3 IXYS IXFH(Q,T)94N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
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IXFH98N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 220ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFJ20N85X IXFJ20N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957253820&compId=IXFJ20N85X.pdf?ci_sign=e334aef3e464bae80a61a86cfe53bb41ae5251bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X-Class
Pulsed drain current: 50A
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IXFJ26N50P3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=2D45EDF8-1FBE-4028-BBD4-ABFE244559A2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFJ26N50P3-Datasheet.PDF IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
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IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E5CCA0EF7820&compId=IXFK(X)100N65X2.pdf?ci_sign=943e818235cb436b72c8d4fa8bbbd2fba5457b4b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 650V
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IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
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IXFK120N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n20p_datasheet.pdf.pdf IXFK120N20P THT N channel transistors
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IXFK120N25P IXYS 99379.pdf IXFK120N25P THT N channel transistors
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IXFK120N30P3 IXFK120N30P3 IXYS IXFK(X)120N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N30T IXFK120N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N65X2 IXFK120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK140N20P IXFK140N20P IXYS IXFK140N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK140N25T IXYS IXFK140N25T THT N channel transistors
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IXFK140N30P IXFK140N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5FBBF2FB0F8BF&compId=IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf?ci_sign=6d081054787efa2c56b843d54a6d6c3f464460d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Case: TO264
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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IXFK150N30X3 IXYS IXFK150N30X3 THT N channel transistors
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IXFK160N30T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_160n30t_datasheet.pdf.pdf IXFK160N30T THT N channel transistors
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IXFK170N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_170n10p_datasheet.pdf.pdf IXFK170N10P THT N channel transistors
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IXFK170N20P IXFK170N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7919FF3517E5D4746&compId=IXF_170N20P.pdf?ci_sign=7a8e99d2eb2f7ace504a59de513ff4d7089e5376 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20T IXFK170N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5344B49DB7820&compId=IXFK(X)170N20T.pdf?ci_sign=132d408b08d163a2c5614a95cdf3179fcf883841 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFK170N25X3 THT N channel transistors
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IXFK180N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk180n15p_datasheet.pdf.pdf IXFK180N15P THT N channel transistors
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IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D54A180A387820&compId=IXFK(X)180N25T.pdf?ci_sign=df55105c078d9abc2821a1e455a37ba5cb1f4c8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Drain current: 180A
On-state resistance: 12.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809
IXFH46N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.93 EUR
9+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6
Hersteller: IXYS
IXFH46N65X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH48N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 163ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFH50N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.02 EUR
6+12.93 EUR
30+12.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.60 EUR
8+9.21 EUR
9+8.71 EUR
120+8.57 EUR
510+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N85X
Hersteller: IXYS
IXFH50N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.38 EUR
12+6.16 EUR
13+5.83 EUR
2010+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2 IXFH(T)52N50P2.pdf
IXFH52N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 52A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.80 EUR
7+10.57 EUR
8+10.00 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFH54N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH56N30X3
Hersteller: IXYS
IXFH56N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.77 EUR
8+9.04 EUR
9+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH60N50P3
Hersteller: IXYS
IXFH60N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.88 EUR
8+9.02 EUR
510+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH60N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d
IXFH60N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147FA5820&compId=IXFH60N65X2.pdf?ci_sign=c67e1a4e79563fac537565ecfa45bb884c2d9493
IXFH60N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB405CA4C198BF&compId=IXFH60N65X2-4.pdf?ci_sign=68a836b0cb6aa37c0b5648bb269baf9e7eeb72ea
IXFH60N65X2-4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH69N30P media?resourcetype=datasheets&itemid=0D688BE9-5010-42E7-950F-B665084A20BE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-69N30P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXFH69N30P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d
IXFH6N120
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.94 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH6N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N20Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D43ABF543E3820&compId=IXFH(T)70N20Q3.pdf?ci_sign=be45f1d929df193dd38505d25feb4e73fd60918a
IXFH70N20Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
510+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.46 EUR
4+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet?assetguid=b5819e4b-925f-4a8e-b528-ff8e8c93904b
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH72N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBC8AC02F1D8BF&compId=IXF_72N30X3.pdf?ci_sign=09f98a1c935417cb47752418f14c2caee473339d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH72N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.87 EUR
8+9.28 EUR
120+9.15 EUR
270+8.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH74N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh74n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH74N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.40 EUR
12+5.96 EUR
1020+5.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH76N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.19 EUR
13+5.58 EUR
14+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH78N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh78n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 78A; Idm: 120A; 780W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 205ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 78A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH7N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH7N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285CE2107E71820&compId=IXFH(P%2CQ)80N25X3.pdf?ci_sign=98dbb1b3debc6aa179f2279e7c8f3d9ef9df9898
IXFH80N25X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO247-3; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.04 EUR
9+8.21 EUR
270+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.02 EUR
5+14.30 EUR
6+13.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.05 EUR
5+14.60 EUR
6+13.81 EUR
1020+13.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH86N30T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_86n30t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH86N30T THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.06 EUR
8+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84
Hersteller: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.08 EUR
5+14.59 EUR
6+13.79 EUR
270+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB8178012838BF&compId=IXF_90N20X3.pdf?ci_sign=cd4eb69bd34dd603e68d972f3c7cec2471da9466
IXFH90N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.27 EUR
10+7.81 EUR
120+7.71 EUR
270+7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=6f8a9249-2180-4bd2-9a3d-392bbeb94cb1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet
Hersteller: IXYS
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3 IXFH(Q,T)94N30P3.pdf
IXFH94N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.67 EUR
7+11.24 EUR
510+10.80 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30T DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf
Hersteller: IXYS
IXFH94N30T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15P 99208.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
8+8.94 EUR
30+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.03 EUR
10+7.46 EUR
1020+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH98N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 220ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957253820&compId=IXFJ20N85X.pdf?ci_sign=e334aef3e464bae80a61a86cfe53bb41ae5251bd
IXFJ20N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X-Class
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50P3 media?resourcetype=datasheets&itemid=2D45EDF8-1FBE-4028-BBD4-ABFE244559A2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFJ26N50P3-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXFJ26N50P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ80N25X3 PCIM_Highlights_2017.pdf
Hersteller: IXYS
IXFJ80N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E5CCA0EF7820&compId=IXFK(X)100N65X2.pdf?ci_sign=943e818235cb436b72c8d4fa8bbbd2fba5457b4b
IXFK100N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
25+16.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948
IXFK102N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.99 EUR
5+14.30 EUR
25+13.66 EUR
100+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK120N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25P 99379.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK120N25P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3 IXFK(X)120N30P3.pdf
IXFK120N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0
IXFK120N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a
IXFK120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
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IXFK140N20P IXFK140N20P.pdf
IXFK140N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK140N25T
Hersteller: IXYS
IXFK140N25T THT N channel transistors
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IXFK140N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5FBBF2FB0F8BF&compId=IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf?ci_sign=6d081054787efa2c56b843d54a6d6c3f464460d2
IXFK140N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Case: TO264
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK150N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c
IXFK150N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK150N30X3
Hersteller: IXYS
IXFK150N30X3 THT N channel transistors
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IXFK160N30T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_160n30t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK160N30T THT N channel transistors
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IXFK170N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_170n10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK170N10P THT N channel transistors
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IXFK170N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7919FF3517E5D4746&compId=IXF_170N20P.pdf?ci_sign=7a8e99d2eb2f7ace504a59de513ff4d7089e5376
IXFK170N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFK170N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5344B49DB7820&compId=IXFK(X)170N20T.pdf?ci_sign=132d408b08d163a2c5614a95cdf3179fcf883841
IXFK170N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK170N25X3 THT N channel transistors
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IXFK180N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk180n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK180N15P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D54A180A387820&compId=IXFK(X)180N25T.pdf?ci_sign=df55105c078d9abc2821a1e455a37ba5cb1f4c8f
IXFK180N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Drain current: 180A
On-state resistance: 12.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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