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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFA16N50P3 IXFA16N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.45 EUR
24+3.1 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA180N10T2 IXFA180N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N65X2 IXFA18N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097BF3E60CAD8BF&compId=IXF_18N65X2.pdf?ci_sign=ca3bb5a7d1dc01179cd59a86ff8db7c31cd310ae Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N85XHV IXYS DS100897A(IXFA20N85XHV)_.pdf IXFA20N85XHV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA220N06T3 IXFA220N06T3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B2A425AF34FCDE27&compId=IXxx220N06T3-DTE.pdf?ci_sign=85c9334b17346a7a0e037b9d25698b762f112045 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.76 EUR
17+4.32 EUR
18+4.09 EUR
50+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-22n65x2-datasheet?assetguid=e2d277e7-bb4f-4961-8db0-9c5942153fd5 IXFA22N65X2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA230N075T2 IXFA230N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD0BBC1F507820&compId=IXFA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=a193bb6c937ab8a381de2b728ab686af5cf3de01 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA230N075T2-7 IXFA230N075T2-7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C15EB820&compId=IXFA230N075T2-7.pdf?ci_sign=1b2d5f843fc07ea895f6f33fcdd57b9553e3c1a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.41 EUR
13+5.51 EUR
50+4.68 EUR
100+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N30X3 IXFA26N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBAA25B128D8BF&compId=IXF_26N30X3.pdf?ci_sign=7542ebe8db09680e18acec1f007a854c704096f0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263
Reverse recovery time: 105ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 26A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N50P3 IXFA26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA270N06T3 IXFA270N06T3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B2A4328E9678BE27&compId=IXxx270N06T3-DTE.pdf?ci_sign=19ddd571869c0b9ce2fbd4148878297eb900047f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFA30N25X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N60X IXFA30N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC33AE48335820&compId=IXFA(P)30N60X.pdf?ci_sign=3f4e92311c2721a4ac346223cdc73b4815585cbc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X2 IXFA34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C1609820&compId=IXFA34N65X2.pdf?ci_sign=2925d4e0e806409ff82e30397fb37dc4d7cc660b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa34n65x3-datasheet?assetguid=7bd01bfc-f3d8-4755-8e6c-5e250cb5176f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_36n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFA36N20X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N30P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n30p3_datasheet.pdf.pdf IXFA36N30P3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa36n60x3-datasheet?assetguid=9c561014-ffa0-419b-994f-22f5fa914d61 IXFA36N60X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA38N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_38n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFA38N30X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.82 EUR
15+4.99 EUR
16+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120 IXFA3N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F93BE39C93820&compId=IXFA3N120.pdf?ci_sign=8c812837976fee0aac5a23608e183a8630e51a8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Power dissipation: 200W
Drain current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.07 EUR
9+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA44N25X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d4d53a59-e025-4cd0-9ea6-9898c3e6cbeb&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_44n25x3_datasheet.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Pulsed drain current: 66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Reverse recovery time: 87ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n100p_datasheet.pdf.pdf IXFA4N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100Q IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf IXFA4N100Q SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFA4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.7 EUR
23+3.16 EUR
24+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA50N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
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IXFA56N30X3 IXYS IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
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IXFA5N100P IXFA5N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFA6N120P IXFA6N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 2.75Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HiPerFET™; Polar™
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IXFA72N20X3 IXFA72N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB72F794D618BF&compId=IXF_72N20X3.pdf?ci_sign=902d8e62addc73cd538be477ab29d6e14e9de703 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
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IXFA76N15T2 IXYS DS100176B(IXFA-FP-FH76N15T2).pdf IXFA76N15T2 SMD N channel transistors
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IXFA7N100P IXFA7N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
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IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
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IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
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IXFA8N85XHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
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IXFA90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1 IXFA90N20X3 SMD N channel transistors
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IXFB100N50P IXYS IXFB100N50P THT N channel transistors
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IXFB100N50Q3 IXYS IXFB100N50Q3 THT N channel transistors
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IXFB110N60P3 IXFB110N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED44AB02F76EA18&compId=IXFB110N60P3.pdf?ci_sign=0293312a91129e825963c35231f446f72a37e881 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFB132N50P3 IXFB132N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED4611EE4E6AA18&compId=IXFB132N50P3.pdf?ci_sign=5f657928f29000d858e2b0c3da93947744b88203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.82 EUR
5+32.8 EUR
10+32.25 EUR
25+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFB170N30P IXFB170N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED466DF8CDA6A18&compId=IXFB170N30P.pdf?ci_sign=d2e1603ab2b4ff6c3b3926b7ca4a5bff751cbdb1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb210n20p_datasheet.pdf.pdf IXFB210N20P THT N channel transistors
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IXFB210N30P3 IXYS IXFB210N30P3 THT N channel transistors
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IXFB300N10P IXFB300N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED46E259E172A18&compId=IXFB300N10P.pdf?ci_sign=9dc76b5f08d73e0cf6cbcdad5881837d048e6e99 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
25+29.19 EUR
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IXFB30N120P IXYS IXFB30N120P THT N channel transistors
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IXFB40N110Q3 IXYS IXFB40N110Q3 THT N channel transistors
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IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47B1C40012A18&compId=IXFB44N100P.pdf?ci_sign=fe6581ef286df05fe0b0acd958d2ed414c5337a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.19 EUR
100+27.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3 IXYS IXFB44N100Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47DC7EBC6CA18&compId=IXFB52N90P.pdf?ci_sign=a749aeddde2cd217116ff866933808aa3cec515f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 308nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 52A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB60N80P IXFB60N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B28FB248CCFA4A15&compId=IXFB60N80P.pdf?ci_sign=74ac471adf1c30241a4f29653fe0f24dc4a054f0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.82 EUR
10+29.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFB62N80Q3 IXYS IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
25+47.9 EUR
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IXFB82N60P IXFB82N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED483D4DA614A18&compId=IXFB82N60P.pdf?ci_sign=dd1a9bcc358e003653cce67b74f6b719913560a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.03 EUR
5+29.01 EUR
25+28.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFA16N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da
IXFA16N50P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.45 EUR
24+3.1 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFA16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IXFA180N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2855F843BCA1820&compId=IXFA(P)180N10T2.pdf?ci_sign=613033688ed8f73bb8407a0f31dc76dac86260fe
IXFA180N10T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.31 EUR
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IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
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23+3.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097BF3E60CAD8BF&compId=IXF_18N65X2.pdf?ci_sign=ca3bb5a7d1dc01179cd59a86ff8db7c31cd310ae
IXFA18N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD30D6505EF820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)20N50P3.pdf?ci_sign=002ff895eac89f9dfddef4f40a54bb9e4d863c33
IXFA20N50P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
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IXFA20N85XHV DS100897A(IXFA20N85XHV)_.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA20N85XHV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA220N06T3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B2A425AF34FCDE27&compId=IXxx220N06T3-DTE.pdf?ci_sign=85c9334b17346a7a0e037b9d25698b762f112045
IXFA220N06T3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD15F39AD0B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)22N60P3.pdf?ci_sign=977341036c5ff8f78f3d2b3abaff361a11b4088e
IXFA22N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
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14+5.29 EUR
16+4.76 EUR
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50+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-22n65x2-datasheet?assetguid=e2d277e7-bb4f-4961-8db0-9c5942153fd5
Hersteller: IXYS
IXFA22N65X2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA230N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD0BBC1F507820&compId=IXFA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=a193bb6c937ab8a381de2b728ab686af5cf3de01
IXFA230N075T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA230N075T2-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C15EB820&compId=IXFA230N075T2-7.pdf?ci_sign=1b2d5f843fc07ea895f6f33fcdd57b9553e3c1a9
IXFA230N075T2-7
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.41 EUR
13+5.51 EUR
50+4.68 EUR
100+4.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBAA25B128D8BF&compId=IXF_26N30X3.pdf?ci_sign=7542ebe8db09680e18acec1f007a854c704096f0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFA26N30X3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263
Reverse recovery time: 105ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 26A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFA26N50P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA270N06T3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B2A4328E9678BE27&compId=IXxx270N06T3-DTE.pdf?ci_sign=19ddd571869c0b9ce2fbd4148878297eb900047f
IXFA270N06T3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA30N25X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC33AE48335820&compId=IXFA(P)30N60X.pdf?ci_sign=3f4e92311c2721a4ac346223cdc73b4815585cbc
IXFA30N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9405C1609820&compId=IXFA34N65X2.pdf?ci_sign=2925d4e0e806409ff82e30397fb37dc4d7cc660b
IXFA34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa34n65x3-datasheet?assetguid=7bd01bfc-f3d8-4755-8e6c-5e250cb5176f
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_36n20x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA36N20X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N30P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n30p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA36N30P3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa36n60x3-datasheet?assetguid=9c561014-ffa0-419b-994f-22f5fa914d61
Hersteller: IXYS
IXFA36N60X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA38N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_38n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA38N30X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.82 EUR
15+4.99 EUR
16+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F93BE39C93820&compId=IXFA3N120.pdf?ci_sign=8c812837976fee0aac5a23608e183a8630e51a8a
IXFA3N120
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Power dissipation: 200W
Drain current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.07 EUR
9+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA44N25X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=d4d53a59-e025-4cd0-9ea6-9898c3e6cbeb&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_44n25x3_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Pulsed drain current: 66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Reverse recovery time: 87ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA4N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100Q littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA4N100Q SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.7 EUR
23+3.16 EUR
24+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA50N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA56N30X3
Hersteller: IXYS
IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
7+10.21 EUR
50+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af
IXFA5N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA60N25X3
Hersteller: IXYS
IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.88 EUR
11+6.78 EUR
12+6.41 EUR
50+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34
IXFA6N120P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 2.75Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB72F794D618BF&compId=IXF_72N20X3.pdf?ci_sign=902d8e62addc73cd538be477ab29d6e14e9de703 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFA72N20X3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.07 EUR
11+6.52 EUR
12+6.16 EUR
50+5.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfa72n30x3-datasheet?assetguid=a7dc041c-d643-42db-b8fa-3c8eacfc3472
Hersteller: IXYS
IXFA72N30X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA76N15T2 DS100176B(IXFA-FP-FH76N15T2).pdf
Hersteller: IXYS
IXFA76N15T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEC13C244BC98BF&compId=IXF_7N100P.pdf?ci_sign=098a71bb06e557089a0d1511de1a94a0bc177181
IXFA7N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.85 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFA7N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
17+4.2 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3 IXFx80N25X3.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA80N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.3 EUR
10+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5
IXFA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N85XHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.55 EUR
12+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1
Hersteller: IXYS
IXFA90N20X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.44 EUR
9+7.97 EUR
50+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50P
Hersteller: IXYS
IXFB100N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFB100N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED44AB02F76EA18&compId=IXFB110N60P3.pdf?ci_sign=0293312a91129e825963c35231f446f72a37e881
IXFB110N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB132N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED4611EE4E6AA18&compId=IXFB132N50P3.pdf?ci_sign=5f657928f29000d858e2b0c3da93947744b88203
IXFB132N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.82 EUR
5+32.8 EUR
10+32.25 EUR
25+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB170N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED466DF8CDA6A18&compId=IXFB170N30P.pdf?ci_sign=d2e1603ab2b4ff6c3b3926b7ca4a5bff751cbdb1
IXFB170N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb210n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFB210N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N30P3
Hersteller: IXYS
IXFB210N30P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED46E259E172A18&compId=IXFB300N10P.pdf?ci_sign=9dc76b5f08d73e0cf6cbcdad5881837d048e6e99
IXFB300N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
25+29.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120P
Hersteller: IXYS
IXFB30N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110Q3
Hersteller: IXYS
IXFB40N110Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47B1C40012A18&compId=IXFB44N100P.pdf?ci_sign=fe6581ef286df05fe0b0acd958d2ed414c5337a2
IXFB44N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.19 EUR
100+27.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3
Hersteller: IXYS
IXFB44N100Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47DC7EBC6CA18&compId=IXFB52N90P.pdf?ci_sign=a749aeddde2cd217116ff866933808aa3cec515f
IXFB52N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 308nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 52A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB60N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B28FB248CCFA4A15&compId=IXFB60N80P.pdf?ci_sign=74ac471adf1c30241a4f29653fe0f24dc4a054f0
IXFB60N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.82 EUR
10+29.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB62N80Q3
Hersteller: IXYS
IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
25+47.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED483D4DA614A18&compId=IXFB82N60P.pdf?ci_sign=dd1a9bcc358e003653cce67b74f6b719913560a2
IXFB82N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.03 EUR
5+29.01 EUR
25+28.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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