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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFT120N15P IXYS IXFT120N15P SMD N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.26 EUR
9+8.41 EUR
270+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n25x3-datasheet?assetguid=32d93b23-abe5-4e3b-9e77-4ead47fb5303 IXFT120N25X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.81 EUR
6+12.27 EUR
7+11.6 EUR
510+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n30x3-datasheet?assetguid=a6aee090-17b8-48bf-a452-f0160a553826 IXFT120N30X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.04 EUR
5+15.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HV IXYS IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.05 EUR
4+21.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90P IXFT24N90P IXYS IXF_24N90P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.87 EUR
6+14.07 EUR
10+13.16 EUR
30+13.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.01 EUR
30+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.23 EUR
6+13.71 EUR
10+12.08 EUR
30+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS IXFT60N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N15P IXYS IXFX180N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N120P IXFX20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+27.43 EUR
10+25.04 EUR
30+24.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX220N17T2 IXFX220N17T2 IXYS IXFK(X)220N17T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.84 EUR
6+13.21 EUR
10+12.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20T IXYS DS100133BIXFKFX230N20T.pdf IXFX230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.26 EUR
4+21.25 EUR
30+20.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.67 EUR
10+23.02 EUR
30+22.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX300N20X3 IXFX300N20X3 IXYS IXF_300N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+34.41 EUR
10+31.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N10T IXFX360N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBEC3CAC2D3820&compId=IXFK(X)360N10T.pdf?ci_sign=3e3c42ae502f5134306933943e750d4d7a30bb3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 525nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.56 EUR
10+11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 IXYS IXFA(P,Y)30N25X3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO252
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.62 EUR
15+4.96 EUR
25+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3 IXFY36N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB6388D34678BF&compId=IXF_36N20X3.pdf?ci_sign=e9a60fb97407140d73df56f3f3d828fbd32fadba pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
17+4.25 EUR
25+3.6 EUR
70+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n85x-datasheet?assetguid=37800473-7654-42bc-92bc-235668b1794c IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
17+4.2 EUR
560+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Turn-on time: 66ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.85 EUR
50+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.82 EUR
14+5.22 EUR
16+4.62 EUR
50+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.67 EUR
30+6.41 EUR
90+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_24n170_datasheet.pdf.pdf IXGH24N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.12 EUR
5+17.13 EUR
30+16.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS IXGH36N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.49 EUR
14+5.22 EUR
30+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS IXGx36N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.72 EUR
10+18.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.4 EUR
30+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.58 EUR
8+9.84 EUR
10+8.75 EUR
30+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 IXGH50N90B2 IXYS IXGH(T)50N90B2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.3 EUR
8+9.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 IXYS IXG_50N90B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.09 EUR
6+13.24 EUR
10+12.11 EUR
30+10.48 EUR
120+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60A3 IXGH72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.54 EUR
10+10.37 EUR
30+7.86 EUR
120+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3ABB94C6CA26FE1EC&compId=ixgn200n60b3.pdf?ci_sign=d01a746c4ff41454ca16c191f704bec2cc169241 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+61.78 EUR
3+56.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.52 EUR
50+5.29 EUR
100+4.86 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.35 EUR
50+5.19 EUR
100+4.76 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 IXYS IXGA(H,P)30N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 56ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 300W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.87 EUR
50+7.39 EUR
100+6.88 EUR
500+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Turn-on time: 45ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.51 EUR
5+16.92 EUR
10+15.06 EUR
30+14.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.64 EUR
11+6.75 EUR
12+6.06 EUR
30+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.57 EUR
10+11.11 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+29.09 EUR
10+26.25 EUR
30+25.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.16 EUR
12+6.33 EUR
30+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.32 EUR
10+25.8 EUR
30+23.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA02N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.37 EUR
7+10.31 EUR
8+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV IXTA05N100HV IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
On-state resistance: 17Ω
Drain current: 0.75A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.09 EUR
19+3.79 EUR
22+3.35 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
On-state resistance: 21Ω
Drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
21+3.52 EUR
26+2.79 EUR
50+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTA10P50P SMD P channel transistors
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.59 EUR
14+5.29 EUR
50+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO263
Technology: TrenchP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.86 EUR
13+5.68 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA140N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf IXTA140N12T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA170N075T2 IXYS 99970A.pdf IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
24+3 EUR
26+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA180N10T IXTA180N10T IXYS IXTA(P)180N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.55 EUR
13+5.56 EUR
25+4.6 EUR
50+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X2 IXTA20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.98 EUR
14+5.38 EUR
15+4.76 EUR
50+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.08 EUR
11+6.69 EUR
50+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA28P065T IXTA28P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B82DC4A798BF&compId=IXT_28P065T.pdf?ci_sign=f1bef680ca9cf6e62c0af10fbe84210c2fa0873f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
26+2.83 EUR
50+2.36 EUR
250+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P IXTA2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.07 EUR
27+2.7 EUR
30+2.46 EUR
50+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.52 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 IXTA36N30P SMD N channel transistors
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.19 EUR
18+4 EUR
19+3.79 EUR
50+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N150HV IXTA3N150HV IXYS IXTA3N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P IXYS DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf IXTA3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA44P15T IXTA44P15T IXYS IXT_44P15T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Gate charge: 175nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.29 EUR
12+6.13 EUR
13+5.55 EUR
50+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15P
Hersteller: IXYS
IXFT120N15P SMD N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.26 EUR
9+8.41 EUR
270+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HV littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n25x3-datasheet?assetguid=32d93b23-abe5-4e3b-9e77-4ead47fb5303
Hersteller: IXYS
IXFT120N25X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.81 EUR
6+12.27 EUR
7+11.6 EUR
510+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HV littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n30x3-datasheet?assetguid=a6aee090-17b8-48bf-a452-f0160a553826
Hersteller: IXYS
IXFT120N30X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.04 EUR
5+15.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFT140N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HV
Hersteller: IXYS
IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.05 EUR
4+21.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90P IXF_24N90P.pdf
IXFT24N90P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.87 EUR
6+14.07 EUR
10+13.16 EUR
30+13.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
30+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.23 EUR
6+13.71 EUR
10+12.08 EUR
30+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV.pdf
IXFT60N65X2HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate charge: 108nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFX180N15P
Hersteller: IXYS
IXFX180N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba
IXFX20N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+27.43 EUR
10+25.04 EUR
30+24.37 EUR
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IXFX220N17T2 IXFK(X)220N17T2.pdf
IXFX220N17T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.84 EUR
6+13.21 EUR
10+12.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20T DS100133BIXFKFX230N20T.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.26 EUR
4+21.25 EUR
30+20.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX27N80Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd
IXFX27N80Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.67 EUR
10+23.02 EUR
30+22.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX300N20X3 IXF_300N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFX300N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+34.41 EUR
10+31.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBEC3CAC2D3820&compId=IXFK(X)360N10T.pdf?ci_sign=3e3c42ae502f5134306933943e750d4d7a30bb3e
IXFX360N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 525nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.56 EUR
10+11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFX98N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3 IXFA(P,Y)30N25X3.pdf
IXFY30N25X3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO252
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
15+4.96 EUR
25+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB6388D34678BF&compId=IXF_36N20X3.pdf?ci_sign=e9a60fb97407140d73df56f3f3d828fbd32fadba pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFY36N20X3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
17+4.25 EUR
25+3.6 EUR
70+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n85x-datasheet?assetguid=37800473-7654-42bc-92bc-235668b1794c
Hersteller: IXYS
IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
17+4.2 EUR
560+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGA20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Turn-on time: 66ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.85 EUR
50+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.82 EUR
14+5.22 EUR
16+4.62 EUR
50+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGH20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.67 EUR
30+6.41 EUR
90+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_24n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH24N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.12 EUR
5+17.13 EUR
30+16.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3.pdf
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.49 EUR
14+5.22 EUR
30+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 IXGx36N60B3C1-DTE.pdf
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.72 EUR
10+18.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.4 EUR
30+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.58 EUR
8+9.84 EUR
10+8.75 EUR
30+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 IXGH(T)50N90B2.pdf
IXGH50N90B2
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.3 EUR
8+9.27 EUR
10+8.18 EUR
30+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2D1 IXG_50N90B2D1.pdf
IXGH50N90B2D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.09 EUR
6+13.24 EUR
10+12.11 EUR
30+10.48 EUR
120+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGH72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.54 EUR
10+10.37 EUR
30+7.86 EUR
120+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3ABB94C6CA26FE1EC&compId=ixgn200n60b3.pdf?ci_sign=d01a746c4ff41454ca16c191f704bec2cc169241
IXGN200N60B3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+61.78 EUR
3+56.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.52 EUR
50+5.29 EUR
100+4.86 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f
IXGP20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.35 EUR
50+5.19 EUR
100+4.76 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP30N120B3 IXGA(H,P)30N120B3.pdf
IXGP30N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 56ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 300W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.87 EUR
50+7.39 EUR
100+6.88 EUR
500+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Turn-on time: 45ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.51 EUR
5+16.92 EUR
10+15.06 EUR
30+14.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.64 EUR
11+6.75 EUR
12+6.06 EUR
30+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGT72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.57 EUR
10+11.11 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGX320N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+29.09 EUR
10+26.25 EUR
30+25.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.16 EUR
12+6.33 EUR
30+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5.pdf
IXKR47N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.32 EUR
10+25.8 EUR
30+23.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA02N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e
Hersteller: IXYS
IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.37 EUR
7+10.31 EUR
8+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTA05N100HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
On-state resistance: 17Ω
Drain current: 0.75A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.09 EUR
19+3.79 EUR
22+3.35 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTA08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 60W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
On-state resistance: 21Ω
Drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
21+3.52 EUR
26+2.79 EUR
50+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA10P50P SMD P channel transistors
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.59 EUR
14+5.29 EUR
50+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTA120P065T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO263
Technology: TrenchP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.86 EUR
13+5.68 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA140N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA140N12T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA170N075T2 99970A.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
24+3 EUR
26+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA180N10T IXTA(P)180N10T.pdf
IXTA180N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.55 EUR
13+5.56 EUR
25+4.6 EUR
50+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.98 EUR
14+5.38 EUR
15+4.76 EUR
50+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTA26P20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.08 EUR
11+6.69 EUR
50+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTA28P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B82DC4A798BF&compId=IXT_28P065T.pdf?ci_sign=f1bef680ca9cf6e62c0af10fbe84210c2fa0873f
IXTA28P065T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
26+2.83 EUR
50+2.36 EUR
250+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTA2N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.07 EUR
27+2.7 EUR
30+2.46 EUR
50+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.52 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
Hersteller: IXYS
IXTA36N30P SMD N channel transistors
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.19 EUR
18+4 EUR
19+3.79 EUR
50+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N150HV IXTA3N150HV.pdf
IXTA3N150HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA44P15T IXT_44P15T.pdf
IXTA44P15T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Gate charge: 175nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.29 EUR
12+6.13 EUR
13+5.55 EUR
50+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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