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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFK150N30P3 IXYS IXFK150N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
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3+26.78 EUR
4+20.31 EUR
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IXFK180N25T IXYS IXFK180N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
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IXFK210N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_210n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFK210N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
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IXFK220N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-220n20x3-datasheet?assetguid=6f4e90fe-6272-422e-a0c7-6b3f43b68d9b IXFK220N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
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4+18.78 EUR
5+17.76 EUR
25+17.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK230N20T IXYS IXFK230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 23 Stücke:
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3+24.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK240N25X3 IXYS IXFK240N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
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3+31.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+11.24 EUR
25+10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK250N10P IXYS IXFK250N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
10+25.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 IXYS IXFK(X)32N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.07 EUR
10+26.05 EUR
25+24.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK420N10T IXFK420N10T IXYS IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.59 EUR
5+17.62 EUR
10+17.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS IXFK(X)44N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS IXFK(X)44N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2 IXFK520N075T2 IXYS IXFK(X)520N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
On-state resistance: 2.2mΩ
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.03 EUR
10+13.34 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.35 EUR
10+15.17 EUR
25+12.58 EUR
100+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50P IXYS IXFK80N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS IXFK(X)80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.68 EUR
10+15.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 IXYS IXF_80N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+27.67 EUR
10+22.91 EUR
25+20.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXFK88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
25+13.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL210N30P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl210n30p3_datasheet.pdf.pdf IXFL210N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL32N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf IXFL32N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+31.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf IXFL38N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL44N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl44n100p_datasheet.pdf.pdf IXFL44N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL82N60P IXFL82N60P IXYS IXFL82N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+88.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3 IXYS IXFN132N50P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 39mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 250ns
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+49.34 EUR
5+46.3 EUR
10+45.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS IXFN140N30P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+42.03 EUR
5+36.12 EUR
10+34.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15P IXYS 99241.pdf description IXFN180N15P Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
10+27.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS IXFN180N25T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+30.83 EUR
5+26.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N20P IXFN210N20P IXYS IXFN210N20P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.5mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 1.07kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+46.89 EUR
10+42.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+44.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3 IXYS IXFN210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+50.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3 IXYS IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 IXYS IXFN240N15T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N100P IXFN26N100P IXYS IXFN26N100P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
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1+76.13 EUR
3+67.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn26n120p_datasheet.pdf.pdf IXFN26N120P Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 7 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS IXFN360N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.04 EUR
5+24.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110P IXFN40N110P IXYS IXFN40N110P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3 IXYS IXFN40N110Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS IXFN420N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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3+32.7 EUR
5+28.89 EUR
10+28.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100P IXFN44N100P IXYS IXFN44N100P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 890W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 0.35µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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2+43.59 EUR
10+42.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 IXYS IXFN44N100Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
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1+76.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS IXFN44N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
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3+33.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFN50N120SK IXFN50N120SK IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
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1+111.74 EUR
3+98.78 EUR
10+88.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS IXFN60N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+45.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N85X IXFN66N85X IXYS IXFN66N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+50.46 EUR
10+45.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
23+3.13 EUR
26+2.77 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.75 EUR
50+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.38 EUR
22+3.37 EUR
30+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N85XM IXYS IXFP14N85XM.pdf IXFP14N85XM THT N channel transistors
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.01 EUR
16+4.7 EUR
17+4.45 EUR
50+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P IXFP16N50P IXYS IXF_16N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.9 EUR
16+4.5 EUR
50+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 IXYS IXF_16N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.13 EUR
17+4.38 EUR
50+3.86 EUR
100+3.65 EUR
250+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.34 EUR
50+3.98 EUR
100+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 IXYS IXFA(P)180N10T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.51 EUR
11+6.74 EUR
14+5.49 EUR
50+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_20n85x_datasheet.pdf.pdf IXFP20N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N60P3 IXFP22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.58 EUR
15+4.78 EUR
50+4.16 EUR
100+3.89 EUR
250+3.52 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 IXYS IXF_22N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.45 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3
Hersteller: IXYS
IXFK150N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.78 EUR
4+20.31 EUR
25+19.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T
Hersteller: IXYS
IXFK180N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.7 EUR
10+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK210N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_210n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK210N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK220N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-220n20x3-datasheet?assetguid=6f4e90fe-6272-422e-a0c7-6b3f43b68d9b
Hersteller: IXYS
IXFK220N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.78 EUR
5+17.76 EUR
25+17.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK230N20T
Hersteller: IXYS
IXFK230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK240N25X3
Hersteller: IXYS
IXFK240N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFK24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+11.24 EUR
25+10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK250N10P
Hersteller: IXYS
IXFK250N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
10+25.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK32N80Q3 IXFK(X)32N80Q3.pdf
IXFK32N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.07 EUR
10+26.05 EUR
25+24.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK420N10T IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf
IXFK420N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
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4+20.59 EUR
5+17.62 EUR
10+17.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK(X)44N80P.pdf
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
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Anzahl Preis
4+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 IXFK(X)44N80Q3.pdf
IXFK44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2 IXFK(X)520N075T2.pdf
IXFK520N075T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
On-state resistance: 2.2mΩ
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
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Anzahl Preis
5+14.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.03 EUR
10+13.34 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFK78N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.35 EUR
10+15.17 EUR
25+12.58 EUR
100+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50P
Hersteller: IXYS
IXFK80N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3 IXFK(X)80N60P3.pdf
IXFK80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.68 EUR
10+15.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2 IXF_80N65X2.pdf
IXFK80N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+27.67 EUR
10+22.91 EUR
25+20.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
25+13.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL210N30P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl210n30p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL210N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL32N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL32N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL38N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL44N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl44n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL44N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL82N60P IXFL82N60P.pdf
IXFL82N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+88.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3.pdf
IXFN132N50P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 39mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 250ns
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+49.34 EUR
5+46.3 EUR
10+45.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30P description IXFN140N30P.pdf
IXFN140N30P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+42.03 EUR
5+36.12 EUR
10+34.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15P description 99241.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN180N15P Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
10+27.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T IXFN180N25T.pdf
IXFN180N25T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+30.83 EUR
5+26.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N20P IXFN210N20P.pdf
IXFN210N20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.5mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 1.07kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.89 EUR
10+42.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3.pdf
IXFN210N30P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+44.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFN210N30X3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+50.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3 IXFN220N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFN220N20X3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 160A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.2mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+38.01 EUR
10+35.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2.pdf
IXFN240N15T2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+30.97 EUR
10+27.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N100P IXFN26N100P.pdf
IXFN26N100P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+76.13 EUR
3+67.2 EUR
10+60.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn26n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN26N120P Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+39.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN360N10T IXFN360N10T.pdf
IXFN360N10T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.04 EUR
5+24.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110P IXFN40N110P.pdf
IXFN40N110P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3.pdf
IXFN40N110Q3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10T IXFN420N10T.pdf
IXFN420N10T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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Anzahl Preis
3+32.7 EUR
5+28.89 EUR
10+28.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100P IXFN44N100P.pdf
IXFN44N100P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 890W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 0.35µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+43.59 EUR
10+42.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3.pdf
IXFN44N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+76.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80P description IXFN44N80P.pdf
IXFN44N80P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+33.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N120SK media?resourcetype=datasheets&itemid=bd339330-b6b9-4c90-b751-d8293a8ae31c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXFN50N120SK-Datasheet
IXFN50N120SK
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+111.74 EUR
3+98.78 EUR
10+88.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
IXFN60N80P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+45.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N85X IXFN66N85X.pdf
IXFN66N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+50.46 EUR
10+45.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
23+3.13 EUR
26+2.77 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.75 EUR
50+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2 IXF_12N65X2.pdf
IXFP12N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
22+3.37 EUR
30+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N85XM IXFP14N85XM.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP14N85XM THT N channel transistors
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.01 EUR
16+4.7 EUR
17+4.45 EUR
50+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P IXF_16N50P.pdf
IXFP16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.9 EUR
16+4.5 EUR
50+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3 IXF_16N50P3.pdf
IXFP16N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
17+4.38 EUR
50+3.86 EUR
100+3.65 EUR
250+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
50+3.98 EUR
100+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2 IXFA(P)180N10T2.pdf
IXFP180N10T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.51 EUR
11+6.74 EUR
14+5.49 EUR
50+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_20n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFP20N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFP22N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.58 EUR
15+4.78 EUR
50+4.16 EUR
100+3.89 EUR
250+3.52 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2 IXF_22N65X2.pdf
IXFP22N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.45 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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