Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFR140N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFR140N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 300W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Polarisation: unipolar Power dissipation: 300W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 28mΩ Drain current: 70A Drain-source voltage: 300V Gate charge: 185nC Case: ISOPLUS247™ Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFR15N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 400W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
IXFR16N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 230W Gate charge: 0.12µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
IXFR180N15P | IXYS |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFR18N90P | IXYS | IXFR18N90P THT N channel transistors |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
![]() |
IXFR200N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Kind of package: tube Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 235nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFR20N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A Power dissipation: 290W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
IXFR20N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 160W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Kind of channel: enhancement Mounting: THT Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A On-state resistance: 570mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 86nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
IXFR230N20T | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
IXFR24N100Q3 | IXYS | IXFR24N100Q3 THT N channel transistors |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
![]() |
IXFR24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
IXFR24N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.46Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 230W Gate charge: 130nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFR26N100P | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
IXFR26N120P | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
![]() |
IXFR30N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 166W Gate charge: 85nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
IXFR32N100P | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
IXFR32N100Q3 | IXYS | IXFR32N100Q3 THT N channel transistors |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
IXFR32N80P | IXYS |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFR32N80Q3 | IXYS |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFR36N50P | IXYS | IXFR36N50P THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
![]() |
IXFR36N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFR40N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 900V Drain current: 21A On-state resistance: 0.25Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFR44N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFR44N50Q | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 34A Power dissipation: 313W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
IXFR44N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 25A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 154mΩ Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFR44N60 | IXYS | IXFR44N60 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
![]() |
IXFR44N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 26A Power dissipation: 360W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFR48N60P | IXYS |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFR48N60Q3 | IXYS | IXFR48N60Q3 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
![]() |
IXFR64N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFR64N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; 500W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 45A Power dissipation: 500W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 94mΩ Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFR64N60P | IXYS | IXFR64N60P THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFR64N60Q3 | IXYS |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFR80N50P | IXYS |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFR80N50Q3 | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
![]() |
IXFR80N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 540W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFR90N30 | IXYS | IXFR90N30 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFT100N30X3HV | IXYS | IXFT100N30X3HV SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
![]() |
IXFT120N15P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 120A Power dissipation: 600W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Technology: HiPerFET™; PolarHT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
IXFT120N25X3HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A Power dissipation: 480W Case: TO268HV On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 140ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
IXFT120N30X3HV | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268 Case: TO268 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 735W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 170nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 145ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A On-state resistance: 11mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
IXFT140N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: TO268 Drain current: 140A Kind of package: tube Drain-source voltage: 100V Gate charge: 155nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 600W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
IXFT140N20X3HV | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 520W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 127nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 90ns Technology: HiPerFET™; X3-Class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFT14N80P | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
![]() |
IXFT150N17T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268 Drain-source voltage: 175V Drain current: 150A Case: TO268 Polarisation: unipolar On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 880W Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 233nC Mounting: SMD Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFT150N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 150A Case: TO268 Polarisation: unipolar On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 890W Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 177nC Mounting: SMD Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Reverse recovery time: 100ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFT150N25X3HV | IXYS | IXFT150N25X3HV SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFT150N30X3HV | IXYS | IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
![]() |
IXFT15N100Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 690W Case: TO268 On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFT16N120P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A On-state resistance: 0.95Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 660W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFT16N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Power dissipation: 460W Case: TO268 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IXFT170N25X3HV | IXYS | IXFT170N25X3HV SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXFT180N20X3HV | IXYS | IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
IXFT18N100Q3 | IXYS |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
![]() |
IXFT20N100P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 20A Power dissipation: 660W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 570mΩ Mounting: SMD Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Technology: HiPerFET™; Polar™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFT20N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO268 Case: TO268 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 86nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFT220N20X3HV | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO268 Case: TO268 Mounting: SMD Reverse recovery time: 116ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 204nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFT24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO268 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
IXFT24N90P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Power dissipation: 660W Gate charge: 130nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
IXFR140N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR140N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 300W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 185nC
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 300W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 185nC
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR15N100Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.62 EUR |
10+ | 19.3 EUR |
30+ | 18.88 EUR |
IXFR16N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.98 EUR |
IXFR180N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR180N15P THT N channel transistors
IXFR180N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR18N90P |
Hersteller: IXYS
IXFR18N90P THT N channel transistors
IXFR18N90P THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.73 EUR |
6+ | 12.66 EUR |
IXFR200N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 235nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 235nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR20N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 26.98 EUR |
30+ | 26.08 EUR |
IXFR20N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 160W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 160W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.01 EUR |
8+ | 9.42 EUR |
9+ | 8.91 EUR |
30+ | 8.57 EUR |
IXFR230N20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR230N20T THT N channel transistors
IXFR230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 37.32 EUR |
3+ | 24.02 EUR |
IXFR24N100Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFR24N100Q3 THT N channel transistors
IXFR24N100Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 46.62 EUR |
3+ | 29.99 EUR |
IXFR24N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.41 EUR |
7+ | 10.67 EUR |
30+ | 10.27 EUR |
IXFR24N90P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR26N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR26N100P THT N channel transistors
IXFR26N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 37.65 EUR |
IXFR26N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR26N120P THT N channel transistors
IXFR26N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 42.73 EUR |
IXFR30N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.5 EUR |
7+ | 10.21 EUR |
30+ | 9.71 EUR |
IXFR32N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR32N100P THT N channel transistors
IXFR32N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 36.61 EUR |
3+ | 24.81 EUR |
4+ | 23.47 EUR |
IXFR32N100Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFR32N100Q3 THT N channel transistors
IXFR32N100Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 44.42 EUR |
IXFR32N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR32N80P THT N channel transistors
IXFR32N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR32N80Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR32N80Q3 THT N channel transistors
IXFR32N80Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR36N50P |
Hersteller: IXYS
IXFR36N50P THT N channel transistors
IXFR36N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR36N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR40N90P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.25Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.25Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR44N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR44N50Q |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 22.06 EUR |
30+ | 21.88 EUR |
120+ | 21.22 EUR |
IXFR44N50Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR44N60 |
Hersteller: IXYS
IXFR44N60 THT N channel transistors
IXFR44N60 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR44N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR48N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR48N60P THT N channel transistors
IXFR48N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR48N60Q3 |
Hersteller: IXYS
IXFR48N60Q3 THT N channel transistors
IXFR48N60Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR64N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR64N50Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR64N60P |
Hersteller: IXYS
IXFR64N60P THT N channel transistors
IXFR64N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR64N60Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR64N60Q3 THT N channel transistors
IXFR64N60Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR80N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR80N50P THT N channel transistors
IXFR80N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR80N50Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.84 EUR |
IXFR80N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFR90N30 |
Hersteller: IXYS
IXFR90N30 THT N channel transistors
IXFR90N30 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT100N30X3HV |
Hersteller: IXYS
IXFT100N30X3HV SMD N channel transistors
IXFT100N30X3HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT120N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.54 EUR |
9+ | 8.41 EUR |
270+ | 8.09 EUR |
IXFT120N25X3HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.81 EUR |
6+ | 12.27 EUR |
7+ | 11.6 EUR |
30+ | 11.15 EUR |
IXFT120N30X3HV |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 145ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 11mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 145ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 11mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 21.16 EUR |
5+ | 15.66 EUR |
300+ | 15.06 EUR |
IXFT140N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Drain current: 140A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Drain current: 140A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.15 EUR |
IXFT140N20X3HV |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT14N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT14N80P SMD N channel transistors
IXFT14N80P SMD N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.14 EUR |
10+ | 7.24 EUR |
IXFT150N17T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Drain-source voltage: 175V
Drain current: 150A
Case: TO268
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 880W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 233nC
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Drain-source voltage: 175V
Drain current: 150A
Case: TO268
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 880W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 233nC
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT150N20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO268
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO268
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT150N25X3HV |
Hersteller: IXYS
IXFT150N25X3HV SMD N channel transistors
IXFT150N25X3HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT150N30X3HV |
Hersteller: IXYS
IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors
IXFT150N30X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 29.89 EUR |
4+ | 21.62 EUR |
IXFT15N100Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT16N120P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT16N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT170N25X3HV |
Hersteller: IXYS
IXFT170N25X3HV SMD N channel transistors
IXFT170N25X3HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT180N20X3HV |
Hersteller: IXYS
IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors
IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 21.74 EUR |
5+ | 15.64 EUR |
IXFT18N100Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT18N100Q3 SMD N channel transistors
IXFT18N100Q3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT20N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT20N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT220N20X3HV |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT24N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT24N90P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.46 EUR |
6+ | 13.67 EUR |
10+ | 13.16 EUR |
30+ | 13.14 EUR |