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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.98 EUR
9+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.79 EUR
11+6.95 EUR
12+6.42 EUR
13+5.63 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.8 EUR
34+2.16 EUR
50+1.67 EUR
250+1.39 EUR
300+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.83 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
50+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf IXTB62N50L THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+39.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 IXTH10P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.48 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25T IXTH110N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917DB820&compId=IXTH110N25T.pdf?ci_sign=70bf22a6c770d2e1a644817b2000fd043bc19e40 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.8 EUR
25+8.94 EUR
30+8.81 EUR
120+7.78 EUR
270+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29204E7FB2FFDF19A99005056AB752F&compId=DS94535L(IXTH-T11P50).pdf?ci_sign=75e2ecd6057bd9959b8b067840c0bc20763188af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.36 EUR
10+10.47 EUR
30+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065T IXTH120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.27 EUR
10+7.48 EUR
30+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p05t_datasheet.pdf.pdf IXTH140P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.24 EUR
9+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf IXTH140P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
30+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.8 EUR
30+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N450HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n450hv_datasheet.pdf.pdf IXTH1N450HV THT N channel transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+45.35 EUR
30+43.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.4 EUR
10+9.24 EUR
30+8.54 EUR
120+7.62 EUR
270+7.06 EUR
510+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89 IXTH20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.51 EUR
8+9.48 EUR
30+9.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH240N15X4 IXYS IXTH240N15X4 THT N channel transistors
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.67 EUR
6+12.01 EUR
30+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH270N04T4 IXTH270N04T4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
30+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.05 EUR
10+9.19 EUR
30+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32N65X IXTH32N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.45 EUR
10+7.61 EUR
11+6.72 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N100P IXTH3N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28651E56919B820&compId=IXTA(H%2CP)3N100P.pdf?ci_sign=0b0e6af9cebb48da08e75d4a7da1ab33e554d73b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.49 EUR
13+5.93 EUR
30+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTH44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.34 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.61 EUR
10+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.34 EUR
7+10.45 EUR
10+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.21 EUR
10+11.27 EUR
30+10.57 EUR
120+9.7 EUR
270+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH52P10P IXTH52P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.47 EUR
11+6.75 EUR
12+6.38 EUR
120+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20T IXYS DS100370AIXTHT68P20T.pdf IXTH68P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.1 EUR
5+14.73 EUR
510+14.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTH6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.72 EUR
11+6.84 EUR
12+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTH76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.01 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
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IXTH76P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf IXTH76P10T THT P channel transistors
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IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH96P085T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 IXTH96P085T THT P channel transistors
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IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF910BFD6664FE27&compId=IXTK120N25P-DTE.pdf?ci_sign=9477a8a3509209b374b486a84ef243ec93f2a551 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
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IXTK170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 IXTK170N10P THT N channel transistors
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IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794AD067C676748&compId=IXTK90P20P.pdf?ci_sign=ed63f46a927f39a8d31abb3fd7ed4da28939b52c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 319 Stücke:
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9+8.57 EUR
11+7.05 EUR
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IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 336 Stücke:
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19+3.83 EUR
30+2.43 EUR
50+1.97 EUR
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IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.7 EUR
31+2.32 EUR
39+1.86 EUR
50+1.69 EUR
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IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.3 EUR
27+2.67 EUR
35+2.09 EUR
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 34ns
On-state resistance: 7mΩ
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
38+1.89 EUR
50+1.66 EUR
100+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IXTP10P15T IXTP10P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.66 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A327B8DD935820&compId=IXTA(P)110N055T2.pdf?ci_sign=95ba3ca6ece76e436480df8f9f361f529bc19588 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.42 EUR
24+3.07 EUR
30+2.42 EUR
50+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.34 EUR
50+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
23+3.2 EUR
26+2.83 EUR
50+2.56 EUR
250+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IXTP12N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTP12N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
13+5.51 EUR
50+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2892EBE01F77820&compId=IXTH(P)130N15X4.pdf?ci_sign=7bebcf155b0b8631aec3241bd97b7a01a507017d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 93ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXTP140P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21 IXTP140P05T THT P channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
50+3.63 EUR
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IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893A5E251C9820&compId=IXTH(P)150N15X4.pdf?ci_sign=e12fd6602b056817d889d35f60740c06e4058b1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.44 EUR
8+9.44 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.94 EUR
9+8.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.42 EUR
50+3.56 EUR
100+3.13 EUR
250+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC32F0A59E98BF&compId=IXT_160N10T.pdf?ci_sign=4e0d41f291e819e28cb8f258dae732c56a617f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.78 EUR
16+4.73 EUR
50+4.2 EUR
100+3.96 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.11 EUR
23+3.22 EUR
50+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A IXTP170N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.21 EUR
23+3.17 EUR
24+2.99 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Hersteller: IXYS
IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.98 EUR
9+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd
IXTA76P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.79 EUR
11+6.95 EUR
12+6.42 EUR
13+5.63 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
34+2.16 EUR
50+1.67 EUR
250+1.39 EUR
300+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
Hersteller: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.83 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
50+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTB62N50L THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+39.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634
Hersteller: IXYS
IXTH10P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.48 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917DB820&compId=IXTH110N25T.pdf?ci_sign=70bf22a6c770d2e1a644817b2000fd043bc19e40
IXTH110N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.8 EUR
25+8.94 EUR
30+8.81 EUR
120+7.78 EUR
270+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29204E7FB2FFDF19A99005056AB752F&compId=DS94535L(IXTH-T11P50).pdf?ci_sign=75e2ecd6057bd9959b8b067840c0bc20763188af
IXTH11P50
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.36 EUR
10+10.47 EUR
30+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTH120P065T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.27 EUR
10+7.48 EUR
30+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH140P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.24 EUR
9+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH140P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
30+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203
IXTH15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.8 EUR
30+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N450HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n450hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N450HV THT N channel transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+45.35 EUR
30+43.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c
IXTH20N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.4 EUR
10+9.24 EUR
30+8.54 EUR
120+7.62 EUR
270+7.06 EUR
510+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89
Hersteller: IXYS
IXTH20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.51 EUR
8+9.48 EUR
30+9.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH240N15X4
Hersteller: IXYS
IXTH240N15X4 THT N channel transistors
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.67 EUR
6+12.01 EUR
30+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH270N04T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81
IXTH270N04T4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 270A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
30+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.05 EUR
10+9.19 EUR
30+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718
IXTH32N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
10+7.61 EUR
11+6.72 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28651E56919B820&compId=IXTA(H%2CP)3N100P.pdf?ci_sign=0b0e6af9cebb48da08e75d4a7da1ab33e554d73b
IXTH3N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.49 EUR
13+5.93 EUR
30+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTH44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.34 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675
IXTH48N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.61 EUR
10+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e
IXTH48P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.34 EUR
7+10.45 EUR
10+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50P10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b
IXTH50P10
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.21 EUR
10+11.27 EUR
30+10.57 EUR
120+9.7 EUR
270+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH52P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97
IXTH52P10P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.47 EUR
11+6.75 EUR
12+6.38 EUR
120+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20T DS100370AIXTHT68P20T.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH68P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.1 EUR
5+14.73 EUR
510+14.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Hersteller: IXYS
IXTH6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.72 EUR
11+6.84 EUR
12+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTH76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.01 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.37 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889
IXTH80N075L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.25 EUR
9+7.99 EUR
10+7.56 EUR
120+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108
IXTH90P10P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.1 EUR
7+10.65 EUR
10+9.4 EUR
30+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N25T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9
Hersteller: IXYS
IXTH96N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
12+6.22 EUR
13+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
Hersteller: IXYS
IXTH96P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.72 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF910BFD6664FE27&compId=IXTK120N25P-DTE.pdf?ci_sign=9477a8a3509209b374b486a84ef243ec93f2a551
IXTK120N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.5 EUR
10+14.46 EUR
25+13.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Hersteller: IXYS
IXTK170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.9 EUR
7+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK180N15P-Datasheet.PDF?assetguid=ECFB4FE7-33F8-4AF9-93F9-31850A67F019
Hersteller: IXYS
IXTK180N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.46 EUR
5+14.73 EUR
6+13.93 EUR
50+13.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10P a
Hersteller: IXYS
IXTK200N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.41 EUR
6+13.63 EUR
25+13.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8
IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
5+27.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529
IXTK32P60P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.92 EUR
10+19.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794AD067C676748&compId=IXTK90P20P.pdf?ci_sign=ed63f46a927f39a8d31abb3fd7ed4da28939b52c
IXTK90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.92 EUR
5+19.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf
IXTP01N100D
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.57 EUR
11+7.05 EUR
25+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTP08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
30+2.43 EUR
50+1.97 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a
IXTP08N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.7 EUR
31+2.32 EUR
39+1.86 EUR
50+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c
IXTP08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.3 EUR
27+2.67 EUR
35+2.09 EUR
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003
IXTP100N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 34ns
On-state resistance: 7mΩ
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
38+1.89 EUR
50+1.66 EUR
100+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af
IXTP10P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e
IXTP10P50P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.66 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A327B8DD935820&compId=IXTA(P)110N055T2.pdf?ci_sign=95ba3ca6ece76e436480df8f9f361f529bc19588
IXTP110N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
24+3.07 EUR
30+2.42 EUR
50+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTP120P065T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
50+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8
IXTP12N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
23+3.2 EUR
26+2.83 EUR
50+2.56 EUR
250+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTP12N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
13+5.51 EUR
50+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N15X4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2892EBE01F77820&compId=IXTH(P)130N15X4.pdf?ci_sign=7bebcf155b0b8631aec3241bd97b7a01a507017d
IXTP130N15X4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 93ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.14 EUR
12+6.42 EUR
13+5.68 EUR
50+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
Hersteller: IXYS
IXTP140P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.69 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
50+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP150N15X4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893A5E251C9820&compId=IXTH(P)150N15X4.pdf?ci_sign=e12fd6602b056817d889d35f60740c06e4058b1c
IXTP150N15X4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.44 EUR
8+9.44 EUR
10+7.74 EUR
25+6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203
IXTP15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.94 EUR
9+8.87 EUR
10+7.74 EUR
50+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac
IXTP15P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.42 EUR
50+3.56 EUR
100+3.13 EUR
250+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC32F0A59E98BF&compId=IXT_160N10T.pdf?ci_sign=4e0d41f291e819e28cb8f258dae732c56a617f1b
IXTP160N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.78 EUR
16+4.73 EUR
50+4.2 EUR
100+3.96 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTP16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.11 EUR
23+3.22 EUR
50+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A
Hersteller: IXYS
IXTP170N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.21 EUR
23+3.17 EUR
24+2.99 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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