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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFR32N100P IXFR32N100P IXYS IXFR32N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.84 EUR
4+23.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N100Q3 IXFR32N100Q3 IXYS IXFR32N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+44.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr32n80p_datasheet.pdf.pdf IXFR32N80P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N80Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr32n80q3_datasheet.pdf.pdf IXFR32N80Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR36N50P IXYS IXFR36N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR36N60P IXYS IXFR36N60P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR40N90P IXFR40N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C7F820&compId=IXFR40N90P.pdf?ci_sign=dc315346ddb98b058b9e3318608cbac74407300d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.25Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50P IXFR44N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C95820&compId=IXFR44N50P.pdf?ci_sign=7af93dd52bee59ebe4814ce2e7c1a8e2f92a4efb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50Q IXFR44N50Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6CAB820&compId=IXFR44N50Q.pdf?ci_sign=99a97c2b9e5d063cf27fe5a4fef4e55efd7f134a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.06 EUR
30+21.88 EUR
120+21.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50Q3 IXFR44N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6CC1820&compId=IXFR44N50Q3.pdf?ci_sign=ca7c3ddda1e0d4f113690187365893ed7eb3e98e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N60 IXYS IXFR44N60 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N80P IXFR44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC577820&compId=IXFR44N80P.pdf?ci_sign=51db11391181a2835bbd75c1ae0c474b83eb49a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60P IXFR48N60P IXYS IXFR48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60Q3 IXYS IXFR48N60Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N50P IXFR64N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A896A55A6238BF&compId=IXFR64N50P.pdf?ci_sign=be7ff4f5933bda79ef5f873fbe6eaab20ff55239 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N50Q3 IXFR64N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC5B9820&compId=IXFR64N50Q3.pdf?ci_sign=8e99c16d92cf6ac73b4565740d7fa20ada0ef8e7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N60P IXYS IXFR64N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N60Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr64n60q3_datasheet.pdf.pdf IXFR64N60Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50p_datasheet.pdf.pdf IXFR80N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N60P3 IXFR80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC627820&compId=IXFR80N60P3.pdf?ci_sign=e9b78ec09cf4552bf5bec18d9057ce9ca0bd8ebd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N30 IXFR90N30 IXYS IXFR90N30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 75A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HV IXFT100N30X3HV IXYS IXF_100N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15P IXFT120N15P IXYS IXF_120N15P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.54 EUR
9+8.41 EUR
270+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.59 EUR
6+12.56 EUR
120+12.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.16 EUR
5+15.64 EUR
300+15.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N20X3HV IXFT140N20X3HV IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 90ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT14N80P IXFT14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N17T2 IXFT150N17T2 IXYS IXFT150N17T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Drain-source voltage: 175V
Drain current: 150A
Case: TO268
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 880W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 233nC
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20T IXFT150N20T IXYS IXFH(T)150N20T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO268
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N25X3HV IXYS IXFH150N25X3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: TO268HV
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Reverse recovery time: 140ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV IXYS IXF_150N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.64 EUR
30+21.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100Q3 IXFT15N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE0AF857958BF&compId=IXF_15N100Q3.pdf?ci_sign=1dd331295c1d7ea0154eeba2040fc94c4aba0ac2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N120P IXFT16N120P IXYS IXFH(T)16N120P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N80P IXFT16N80P IXYS IXFH16N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT170N25X3HV IXFT170N25X3HV IXYS IXFH(K,T)170N25X3_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO268HV
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT180N20X3HV IXFT180N20X3HV IXYS IXF_180N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 94ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT18N100Q3 IXFT18N100Q3 IXYS IXFH(T)18N100Q3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N100P IXFT20N100P IXYS IXF_20N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80P IXFT20N80P IXYS IXFH(T,V)20N80P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Power dissipation: 500W
Case: TO268
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT220N20X3HV IXFT220N20X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBA1A126E3F8BF&compId=IXF_220N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f237aaca4b9ebf80eb09fb21e52fd45391ea24c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO268
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
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IXFT24N80P IXFT24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT24N90P IXFT24N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT26N60P IXFT26N60P IXYS IXFH26N60P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT30N50P IXFT30N50P IXYS IXFH30N50P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFT30N50Q3 IXFT30N50Q3 IXYS IXFH30N50Q3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT30N85XHV IXFT30N85XHV IXYS IXFH30N85X_IXFT30N85XHV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 30A; 695W; TO268HV; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 30A
Power dissipation: 695W
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT320N10T2 IXFT320N10T2 IXYS IXFH(T)320N10T2.pdf IXFT320N10T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
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IXFT340N075T2 IXFT340N075T2 IXYS IXFH(T)340N075T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 340A; 935W; TO268; 75ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 340A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT36N50P IXFT36N50P IXYS IXFH(V,T)36N50P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT36N60P IXFT36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT400N075T2 IXFT400N075T2 IXYS IXFH(T)400N075T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 400A; 1000W; TO268; 77ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 400A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 77ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT40N85XHV IXFT40N85XHV IXYS IXFT40N85X.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO268HV; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 40A
Power dissipation: 860W
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT42N50P2 IXFT42N50P2 IXYS IXFH(T)42N50P2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO268
Drain current: 42A
On-state resistance: 0.145Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 830W
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT44N50P IXFT44N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT44N50Q3 IXFT44N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D560EA38423820&compId=IXFH(T)44N50Q3.pdf?ci_sign=8ccaf63b663c6315e8193c688f8a56787789ba3c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N30Q3 IXYS IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.67 EUR
8+10.08 EUR
510+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.15 EUR
30+11.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N100P IXFR32N100P.pdf
IXFR32N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.84 EUR
4+23.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N100Q3 IXFR32N100Q3.pdf
IXFR32N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr32n80p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR32N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N80Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr32n80q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR32N80Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR36N50P
Hersteller: IXYS
IXFR36N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR36N60P
Hersteller: IXYS
IXFR36N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR40N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C7F820&compId=IXFR40N90P.pdf?ci_sign=dc315346ddb98b058b9e3318608cbac74407300d
IXFR40N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.25Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C95820&compId=IXFR44N50P.pdf?ci_sign=7af93dd52bee59ebe4814ce2e7c1a8e2f92a4efb
IXFR44N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6CAB820&compId=IXFR44N50Q.pdf?ci_sign=99a97c2b9e5d063cf27fe5a4fef4e55efd7f134a
IXFR44N50Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.06 EUR
30+21.88 EUR
120+21.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFR44N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6CC1820&compId=IXFR44N50Q3.pdf?ci_sign=ca7c3ddda1e0d4f113690187365893ed7eb3e98e
IXFR44N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N60
Hersteller: IXYS
IXFR44N60 THT N channel transistors
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IXFR44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC577820&compId=IXFR44N80P.pdf?ci_sign=51db11391181a2835bbd75c1ae0c474b83eb49a1
IXFR44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60P IXFR48N60P.pdf
IXFR48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60Q3
Hersteller: IXYS
IXFR48N60Q3 THT N channel transistors
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IXFR64N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A896A55A6238BF&compId=IXFR64N50P.pdf?ci_sign=be7ff4f5933bda79ef5f873fbe6eaab20ff55239
IXFR64N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFR64N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC5B9820&compId=IXFR64N50Q3.pdf?ci_sign=8e99c16d92cf6ac73b4565740d7fa20ada0ef8e7
IXFR64N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N60P
Hersteller: IXYS
IXFR64N60P THT N channel transistors
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IXFR64N60Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr64n60q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR64N60Q3 THT N channel transistors
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IXFR80N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR80N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR80N50Q3 THT N channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.84 EUR
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IXFR80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC627820&compId=IXFR80N60P3.pdf?ci_sign=e9b78ec09cf4552bf5bec18d9057ce9ca0bd8ebd
IXFR80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N30 IXFR90N30.pdf
IXFR90N30
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 75A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HV IXF_100N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFT100N30X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15P IXF_120N15P.pdf
IXFT120N15P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.54 EUR
9+8.41 EUR
270+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HV IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf
IXFT120N25X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.59 EUR
6+12.56 EUR
120+12.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HV IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFT120N30X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.16 EUR
5+15.64 EUR
300+15.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd
IXFT140N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N20X3HV IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFT140N20X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 90ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFT14N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N17T2 IXFT150N17T2.pdf
IXFT150N17T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Drain-source voltage: 175V
Drain current: 150A
Case: TO268
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 880W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 233nC
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20T IXFH(T)150N20T.pdf
IXFT150N20T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO268
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N25X3HV IXFH150N25X3.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: TO268HV
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Reverse recovery time: 140ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HV IXF_150N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFT150N30X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.64 EUR
30+21.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE0AF857958BF&compId=IXF_15N100Q3.pdf?ci_sign=1dd331295c1d7ea0154eeba2040fc94c4aba0ac2
IXFT15N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N120P IXFH(T)16N120P.pdf
IXFT16N120P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N80P IXFH16N80P.pdf
IXFT16N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT170N25X3HV IXFH(K,T)170N25X3_HV.pdf
IXFT170N25X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO268HV
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT180N20X3HV IXF_180N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFT180N20X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 94ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.65 EUR
5+15.64 EUR
30+15.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT18N100Q3 IXFH(T)18N100Q3.pdf
IXFT18N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N100P IXF_20N100P.pdf
IXFT20N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80P IXFH(T,V)20N80P_S.pdf
IXFT20N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Power dissipation: 500W
Case: TO268
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT220N20X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBA1A126E3F8BF&compId=IXF_220N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f237aaca4b9ebf80eb09fb21e52fd45391ea24c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFT220N20X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO268
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
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IXFT24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFT24N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a
IXFT24N90P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
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IXFT26N60P IXFH26N60P.pdf
IXFT26N60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50P IXFH30N50P.pdf
IXFT30N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFT30N50Q3 IXFH30N50Q3.pdf
IXFT30N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFT30N85XHV IXFH30N85X_IXFT30N85XHV.pdf
IXFT30N85XHV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 30A; 695W; TO268HV; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 30A
Power dissipation: 695W
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT320N10T2 IXFH(T)320N10T2.pdf IXFT320N10T2.pdf
IXFT320N10T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT340N075T2 IXFH(T)340N075T2.pdf
IXFT340N075T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 340A; 935W; TO268; 75ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 340A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT36N50P IXFH(V,T)36N50P_S.pdf
IXFT36N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFT36N60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT400N075T2 IXFH(T)400N075T2.pdf
IXFT400N075T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 400A; 1000W; TO268; 77ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 400A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 77ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT40N85XHV IXFT40N85X.PDF
IXFT40N85XHV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO268HV; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 40A
Power dissipation: 860W
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT42N50P2 IXFH(T)42N50P2.pdf
IXFT42N50P2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO268
Drain current: 42A
On-state resistance: 0.145Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 830W
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT44N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090
IXFT44N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT44N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D560EA38423820&compId=IXFH(T)44N50Q3.pdf?ci_sign=8ccaf63b663c6315e8193c688f8a56787789ba3c
IXFT44N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
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IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
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