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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFT120N15P IXFT120N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.54 EUR
9+8.41 EUR
270+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAAA7C92A91820&compId=IXFH(T%2CQ)120N25X3_HV.pdf?ci_sign=f0265349042830fefde5800576c2580ffda544fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.81 EUR
6+12.27 EUR
7+11.6 EUR
30+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 145ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 11mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.16 EUR
5+15.66 EUR
300+15.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Drain current: 140A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N20X3HV IXFT140N20X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Drain current: 140A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 127nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Reverse recovery time: 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT14N80P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-14n80p-datasheet?assetguid=295cb4f7-ab84-42cd-94fb-12395b127fd1 IXFT14N80P SMD N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.14 EUR
10+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N17T2 IXFT150N17T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC653820&compId=IXFT150N17T2.pdf?ci_sign=f262fe46c60fa0aac8b4fe8177f56a21a91be14c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Case: TO268
Drain-source voltage: 175V
Drain current: 150A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 880W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 233nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20T IXFT150N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CE0509EDC31820&compId=IXFH(T)150N20T.pdf?ci_sign=1eb8849a53fa359ec9a3208d53f9c1a524823d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Case: TO268
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N25X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0B9820&compId=IXFH150N25X3.pdf?ci_sign=9b6304dddbd0134b0ebf2cbe9b1dfd52edbdaa17 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Case: TO268HV
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD908A9A238BF&compId=IXF_150N30X3_HV.pdf?ci_sign=c02cea29174068e52cd342ee0467b4c4f54d34e5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Case: TO268
Reverse recovery time: 167ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 254nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.65 EUR
10+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100Q3 IXFT15N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE0AF857958BF&compId=IXF_15N100Q3.pdf?ci_sign=1dd331295c1d7ea0154eeba2040fc94c4aba0ac2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N120P IXFT16N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D34FC31C383820&compId=IXFH(T)16N120P.pdf?ci_sign=62d379b539b652daa07e99793c202834e0bb54aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N80P IXFT16N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBE3876A2C78BF&compId=IXFH16N80P.pdf?ci_sign=d439feac37a891fbe96fd8303945e86c880ee0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT170N25X3HV IXYS IXFT170N25X3HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT180N20X3HV IXYS IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.74 EUR
5+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT18N100Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n100q3_datasheet.pdf.pdf IXFT18N100Q3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N100P IXFT20N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE728CC0A18BF&compId=IXF_20N100P.pdf?ci_sign=e2a539356f4e584bf4dad0014f01227b046bdbad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80P IXFT20N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAC9F090E31820&compId=IXFH(T%2CV)20N80P_S.pdf?ci_sign=74430f59b0fdd807ea4aaf1fe8095eb0837487f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT220N20X3HV IXFT220N20X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBA1A126E3F8BF&compId=IXF_220N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f237aaca4b9ebf80eb09fb21e52fd45391ea24c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N80P IXFT24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90P IXFT24N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.46 EUR
6+13.67 EUR
10+13.16 EUR
30+13.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH26N60P-Datasheet.PDF?assetguid=7F279F9D-6FA3-416E-88EF-49FFF079F4B3 IXFT26N60P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50P IXYS IXFT30N50P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50Q3 IXYS IXFT30N50Q3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N85XHV IXYS IXFT30N85XHV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2 IXFT320N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2856F4A8DDE7820&compId=IXFH(T)320N10T2.pdf?ci_sign=712ea63a2238f63f81d01689168cb986a264e110 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC669820&compId=IXFT320N10T2.pdf?ci_sign=01df806445c3914f7627f006ec4695a8a5f161d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT340N075T2 IXYS IXFT340N075T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT36N50P IXYS IXFT36N50P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT36N60P IXYS IXFT36N60P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT400N075T2 IXFT400N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC718478C7820&compId=IXFH(T)400N075T2.pdf?ci_sign=1602ac645fb478731e67194e85187b13cbddcb9b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 400A; 1000W; TO268; 77ns
Case: TO268
Reverse recovery time: 77ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 400A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 420nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT40N85XHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf IXFT40N85XHV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT42N50P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_42n50p2_datasheet.pdf.pdf IXFT42N50P2 SMD N channel transistors
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IXFT44N50P IXYS IXFT44N50P SMD N channel transistors
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IXFT44N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFT44N50Q3 SMD N channel transistors
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IXFT50N30Q3 IXYS IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.97 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFT50N85XHV IXYS IXFT50N85XHV SMD N channel transistors
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IXFT52N50P2 IXYS IXFT52N50P2 SMD N channel transistors
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IXFT60N50P3 IXYS IXFT60N50P3 SMD N channel transistors
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IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB44BC9A8438BF&compId=IXFT60N65X2HV.pdf?ci_sign=6e5a6b51c105f18c4ec6d132232fc4d58f2d4e2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.71 EUR
7+11.1 EUR
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IXFT69N30P IXYS 99220.pdf IXFT69N30P SMD N channel transistors
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IXFT70N20Q3 IXFT70N20Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D43ABF543E3820&compId=IXFH(T)70N20Q3.pdf?ci_sign=be45f1d929df193dd38505d25feb4e73fd60918a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT70N30Q3 IXYS IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
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IXFT80N65X2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixft80n65x2hv-datasheet?assetguid=98a9675c-3288-46ca-8a25-6362ea5fb6bd IXFT80N65X2HV SMD N channel transistors
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IXFT86N30T IXYS IXFT86N30T SMD N channel transistors
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IXFT88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXFT88N30P SMD N channel transistors
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IXFT94N30P3 IXYS IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
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IXFT94N30T IXYS DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf IXFT94N30T SMD N channel transistors
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IXFT96N20P IXYS IXFT96N20P SMD N channel transistors
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IXFX100N65X2 IXYS a IXFX100N65X2 THT N channel transistors
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IXFX120N25P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n25p-datasheet?assetguid=a464a398-635f-40e1-992a-af0242b5d3fc IXFX120N25P THT N channel transistors
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IXFX120N30P3 IXFX120N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD4792F693820&compId=IXFK(X)120N30P3.pdf?ci_sign=6c727e8884ef3f66572a5b3f0eace2ea8daa052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.13kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 27mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX120N30T IXFX120N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX140N25T IXYS IXFX140N25T THT N channel transistors
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IXFX140N30P IXYS IXFX140N30P THT N channel transistors
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IXFX150N30P3 IXYS IXFX150N30P3 THT N channel transistors
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IXFX160N30T IXFX160N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CE9C427165138BF&compId=IXF_160N30T.pdf?ci_sign=23e001151aa4a4de2e7e32da29e7d4519594f256 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT120N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052
IXFT120N15P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.54 EUR
9+8.41 EUR
270+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFT120N25X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAAA7C92A91820&compId=IXFH(T%2CQ)120N25X3_HV.pdf?ci_sign=f0265349042830fefde5800576c2580ffda544fa
IXFT120N25X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.81 EUR
6+12.27 EUR
7+11.6 EUR
30+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFT120N30X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFT120N30X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 145ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 11mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.16 EUR
5+15.66 EUR
300+15.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFT140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd
IXFT140N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Drain current: 140A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N20X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFT140N20X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Drain current: 140A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 127nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Reverse recovery time: 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT14N80P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-14n80p-datasheet?assetguid=295cb4f7-ab84-42cd-94fb-12395b127fd1
Hersteller: IXYS
IXFT14N80P SMD N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.14 EUR
10+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXFT150N17T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC653820&compId=IXFT150N17T2.pdf?ci_sign=f262fe46c60fa0aac8b4fe8177f56a21a91be14c
IXFT150N17T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Case: TO268
Drain-source voltage: 175V
Drain current: 150A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 880W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 233nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT150N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CE0509EDC31820&compId=IXFH(T)150N20T.pdf?ci_sign=1eb8849a53fa359ec9a3208d53f9c1a524823d86
IXFT150N20T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Case: TO268
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT150N25X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0B9820&compId=IXFH150N25X3.pdf?ci_sign=9b6304dddbd0134b0ebf2cbe9b1dfd52edbdaa17
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Case: TO268HV
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT150N30X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD908A9A238BF&compId=IXF_150N30X3_HV.pdf?ci_sign=c02cea29174068e52cd342ee0467b4c4f54d34e5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFT150N30X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Case: TO268
Reverse recovery time: 167ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 254nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.65 EUR
10+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFT15N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE0AF857958BF&compId=IXF_15N100Q3.pdf?ci_sign=1dd331295c1d7ea0154eeba2040fc94c4aba0ac2
IXFT15N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D34FC31C383820&compId=IXFH(T)16N120P.pdf?ci_sign=62d379b539b652daa07e99793c202834e0bb54aa
IXFT16N120P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBE3876A2C78BF&compId=IXFH16N80P.pdf?ci_sign=d439feac37a891fbe96fd8303945e86c880ee0ca
IXFT16N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT170N25X3HV
Hersteller: IXYS
IXFT170N25X3HV SMD N channel transistors
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IXFT180N20X3HV
Hersteller: IXYS
IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors
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5+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFT18N100Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n100q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT18N100Q3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE728CC0A18BF&compId=IXF_20N100P.pdf?ci_sign=e2a539356f4e584bf4dad0014f01227b046bdbad
IXFT20N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAC9F090E31820&compId=IXFH(T%2CV)20N80P_S.pdf?ci_sign=74430f59b0fdd807ea4aaf1fe8095eb0837487f6
IXFT20N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT220N20X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBA1A126E3F8BF&compId=IXF_220N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f237aaca4b9ebf80eb09fb21e52fd45391ea24c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFT220N20X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 116ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 204nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFT24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFT24N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT24N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a
IXFT24N90P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.46 EUR
6+13.67 EUR
10+13.16 EUR
30+13.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH26N60P-Datasheet.PDF?assetguid=7F279F9D-6FA3-416E-88EF-49FFF079F4B3
Hersteller: IXYS
IXFT26N60P SMD N channel transistors
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IXFT30N50P
Hersteller: IXYS
IXFT30N50P SMD N channel transistors
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IXFT30N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFT30N50Q3 SMD N channel transistors
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IXFT30N85XHV
Hersteller: IXYS
IXFT30N85XHV SMD N channel transistors
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IXFT320N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2856F4A8DDE7820&compId=IXFH(T)320N10T2.pdf?ci_sign=712ea63a2238f63f81d01689168cb986a264e110 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC669820&compId=IXFT320N10T2.pdf?ci_sign=01df806445c3914f7627f006ec4695a8a5f161d0
IXFT320N10T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT340N075T2
Hersteller: IXYS
IXFT340N075T2 SMD N channel transistors
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IXFT36N50P
Hersteller: IXYS
IXFT36N50P SMD N channel transistors
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IXFT36N60P
Hersteller: IXYS
IXFT36N60P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT400N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC718478C7820&compId=IXFH(T)400N075T2.pdf?ci_sign=1602ac645fb478731e67194e85187b13cbddcb9b
IXFT400N075T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 400A; 1000W; TO268; 77ns
Case: TO268
Reverse recovery time: 77ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 400A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 420nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT40N85XHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT40N85XHV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT42N50P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_42n50p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT42N50P2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT44N50P
Hersteller: IXYS
IXFT44N50P SMD N channel transistors
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IXFT44N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n50q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT44N50Q3 SMD N channel transistors
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IXFT50N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
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IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.97 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N85XHV
Hersteller: IXYS
IXFT50N85XHV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT52N50P2
Hersteller: IXYS
IXFT52N50P2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N50P3
Hersteller: IXYS
IXFT60N50P3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N65X2HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB44BC9A8438BF&compId=IXFT60N65X2HV.pdf?ci_sign=6e5a6b51c105f18c4ec6d132232fc4d58f2d4e2f
IXFT60N65X2HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.71 EUR
7+11.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT69N30P 99220.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT69N30P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT70N20Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D43ABF543E3820&compId=IXFH(T)70N20Q3.pdf?ci_sign=be45f1d929df193dd38505d25feb4e73fd60918a
IXFT70N20Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT70N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT80N65X2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixft80n65x2hv-datasheet?assetguid=98a9675c-3288-46ca-8a25-6362ea5fb6bd
Hersteller: IXYS
IXFT80N65X2HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT86N30T
Hersteller: IXYS
IXFT86N30T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT88N30P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT94N30P3
Hersteller: IXYS
IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT94N30T DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf
Hersteller: IXYS
IXFT94N30T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT96N20P
Hersteller: IXYS
IXFT96N20P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX100N65X2 a
Hersteller: IXYS
IXFX100N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N25P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n25p-datasheet?assetguid=a464a398-635f-40e1-992a-af0242b5d3fc
Hersteller: IXYS
IXFX120N25P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD4792F693820&compId=IXFK(X)120N30P3.pdf?ci_sign=6c727e8884ef3f66572a5b3f0eace2ea8daa052b
IXFX120N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.13kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 27mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0
IXFX120N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a
IXFX120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX140N25T
Hersteller: IXYS
IXFX140N25T THT N channel transistors
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IXFX140N30P
Hersteller: IXYS
IXFX140N30P THT N channel transistors
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IXFX150N30P3
Hersteller: IXYS
IXFX150N30P3 THT N channel transistors
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IXFX160N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CE9C427165138BF&compId=IXF_160N30T.pdf?ci_sign=23e001151aa4a4de2e7e32da29e7d4519594f256
IXFX160N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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