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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFT26N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH26N60P-Datasheet.PDF?assetguid=7F279F9D-6FA3-416E-88EF-49FFF079F4B3 IXFT26N60P SMD N channel transistors
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IXFT30N50P IXYS IXFT30N50P SMD N channel transistors
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IXFT30N50Q3 IXYS IXFT30N50Q3 SMD N channel transistors
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IXFT30N85XHV IXYS IXFT30N85XHV SMD N channel transistors
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IXFT320N10T2 IXFT320N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2856F4A8DDE7820&compId=IXFH(T)320N10T2.pdf?ci_sign=712ea63a2238f63f81d01689168cb986a264e110 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC669820&compId=IXFT320N10T2.pdf?ci_sign=01df806445c3914f7627f006ec4695a8a5f161d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT340N075T2 IXYS IXFT340N075T2 SMD N channel transistors
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IXFT36N50P IXYS IXFT36N50P SMD N channel transistors
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IXFT36N60P IXYS IXFT36N60P SMD N channel transistors
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IXFT400N075T2 IXFT400N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC718478C7820&compId=IXFH(T)400N075T2.pdf?ci_sign=1602ac645fb478731e67194e85187b13cbddcb9b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 400A; 1000W; TO268; 77ns
Case: TO268
Reverse recovery time: 77ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 400A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 420nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT40N85XHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf IXFT40N85XHV SMD N channel transistors
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IXFT42N50P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_42n50p2_datasheet.pdf.pdf IXFT42N50P2 SMD N channel transistors
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IXFT44N50P IXFT44N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT44N50Q3 IXFT44N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D560EA38423820&compId=IXFH(T)44N50Q3.pdf?ci_sign=8ccaf63b663c6315e8193c688f8a56787789ba3c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT50N30Q3 IXYS IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
510+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFT50N85XHV IXYS IXFT50N85XHV SMD N channel transistors
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IXFT52N50P2 IXYS IXFT52N50P2 SMD N channel transistors
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IXFT60N50P3 IXYS IXFT60N50P3 SMD N channel transistors
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IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB44BC9A8438BF&compId=IXFT60N65X2HV.pdf?ci_sign=6e5a6b51c105f18c4ec6d132232fc4d58f2d4e2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.89 EUR
7+11.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFT69N30P IXYS 99220.pdf IXFT69N30P SMD N channel transistors
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IXFT70N20Q3 IXFT70N20Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D43ABF543E3820&compId=IXFH(T)70N20Q3.pdf?ci_sign=be45f1d929df193dd38505d25feb4e73fd60918a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT70N30Q3 IXYS IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
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IXFT80N65X2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixft80n65x2hv-datasheet?assetguid=98a9675c-3288-46ca-8a25-6362ea5fb6bd IXFT80N65X2HV SMD N channel transistors
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IXFT86N30T IXYS IXFT86N30T SMD N channel transistors
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IXFT88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXFT88N30P SMD N channel transistors
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IXFT94N30P3 IXYS IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
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IXFT94N30T IXYS DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf IXFT94N30T SMD N channel transistors
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IXFT96N20P IXYS IXFT96N20P SMD N channel transistors
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IXFX100N65X2 IXYS a IXFX100N65X2 THT N channel transistors
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IXFX120N25P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n25p-datasheet?assetguid=a464a398-635f-40e1-992a-af0242b5d3fc IXFX120N25P THT N channel transistors
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IXFX120N30P3 IXFX120N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD4792F693820&compId=IXFK(X)120N30P3.pdf?ci_sign=6c727e8884ef3f66572a5b3f0eace2ea8daa052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.13kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 27mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX120N30T IXFX120N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX140N25T IXYS IXFX140N25T THT N channel transistors
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IXFX140N30P IXFX140N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5FBBF2FB0F8BF&compId=IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf?ci_sign=6d081054787efa2c56b843d54a6d6c3f464460d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 140A; 1040W; PLUS247™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 185nC
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX150N30P3 IXYS IXFX150N30P3 THT N channel transistors
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IXFX160N30T IXYS IXFX160N30T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20P IXFX170N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7919FF3517E5D4746&compId=IXF_170N20P.pdf?ci_sign=7a8e99d2eb2f7ace504a59de513ff4d7089e5376 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1250W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20T IXFX170N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5344B49DB7820&compId=IXFK(X)170N20T.pdf?ci_sign=132d408b08d163a2c5614a95cdf3179fcf883841 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX180N15P IXYS IXFX180N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.59 EUR
5+14.7 EUR
6+13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFX180N25T IXYS IXFX180N25T THT N channel transistors
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IXFX200N10P IXYS IXFX200N10P THT N channel transistors
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IXFX20N120P IXFX20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+25.34 EUR
30+25.14 EUR
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IXFX210N30X3 IXYS IXFX210N30X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX220N17T2 IXYS IXFX220N17T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.87 EUR
6+12.63 EUR
30+12.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20T IXYS IXFX230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.46 EUR
4+21.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N15T2 IXYS IXFX240N15T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N25X3 IXYS IXFX240N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX24N100Q3 IXYS IXFX24N100Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX250N10P IXFX250N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFX26N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n100p_datasheet.pdf.pdf IXFX26N100P THT N channel transistors
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IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFX300N20X3 IXFX300N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB1B71634818BF&compId=IXF_300N20X3.pdf?ci_sign=d7ceaf98ba04f28d6cca73c11a6a109100fa462b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX320N17T2 IXYS IXFX320N17T2 THT N channel transistors
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IXFX32N100P IXYS IXFX32N100P THT N channel transistors
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IXFX32N100Q3 IXYS IXFX32N100Q3 THT N channel transistors
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IXFX32N80P IXYS IXFX32N80P THT N channel transistors
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IXFT26N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH26N60P-Datasheet.PDF?assetguid=7F279F9D-6FA3-416E-88EF-49FFF079F4B3
Hersteller: IXYS
IXFT26N60P SMD N channel transistors
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IXFT30N50P
Hersteller: IXYS
IXFT30N50P SMD N channel transistors
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IXFT30N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFT30N50Q3 SMD N channel transistors
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IXFT30N85XHV
Hersteller: IXYS
IXFT30N85XHV SMD N channel transistors
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IXFT320N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2856F4A8DDE7820&compId=IXFH(T)320N10T2.pdf?ci_sign=712ea63a2238f63f81d01689168cb986a264e110 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC669820&compId=IXFT320N10T2.pdf?ci_sign=01df806445c3914f7627f006ec4695a8a5f161d0
IXFT320N10T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
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IXFT340N075T2
Hersteller: IXYS
IXFT340N075T2 SMD N channel transistors
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IXFT36N50P
Hersteller: IXYS
IXFT36N50P SMD N channel transistors
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IXFT36N60P
Hersteller: IXYS
IXFT36N60P SMD N channel transistors
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IXFT400N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC718478C7820&compId=IXFH(T)400N075T2.pdf?ci_sign=1602ac645fb478731e67194e85187b13cbddcb9b
IXFT400N075T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 400A; 1000W; TO268; 77ns
Case: TO268
Reverse recovery time: 77ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 400A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 420nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT40N85XHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT40N85XHV SMD N channel transistors
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IXFT42N50P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_42n50p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT42N50P2 SMD N channel transistors
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IXFT44N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090
IXFT44N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT44N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D560EA38423820&compId=IXFH(T)44N50Q3.pdf?ci_sign=8ccaf63b663c6315e8193c688f8a56787789ba3c
IXFT44N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT50N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
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IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
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Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
510+10.02 EUR
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IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
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Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.11 EUR
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IXFT50N85XHV
Hersteller: IXYS
IXFT50N85XHV SMD N channel transistors
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IXFT52N50P2
Hersteller: IXYS
IXFT52N50P2 SMD N channel transistors
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IXFT60N50P3
Hersteller: IXYS
IXFT60N50P3 SMD N channel transistors
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IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N65X2HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB44BC9A8438BF&compId=IXFT60N65X2HV.pdf?ci_sign=6e5a6b51c105f18c4ec6d132232fc4d58f2d4e2f
IXFT60N65X2HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.89 EUR
7+11.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFT69N30P 99220.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT69N30P SMD N channel transistors
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IXFT70N20Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D43ABF543E3820&compId=IXFH(T)70N20Q3.pdf?ci_sign=be45f1d929df193dd38505d25feb4e73fd60918a
IXFT70N20Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT70N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT80N65X2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixft80n65x2hv-datasheet?assetguid=98a9675c-3288-46ca-8a25-6362ea5fb6bd
Hersteller: IXYS
IXFT80N65X2HV SMD N channel transistors
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IXFT86N30T
Hersteller: IXYS
IXFT86N30T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT88N30P SMD N channel transistors
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IXFT94N30P3
Hersteller: IXYS
IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT94N30T DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf
Hersteller: IXYS
IXFT94N30T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT96N20P
Hersteller: IXYS
IXFT96N20P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFX100N65X2 a
Hersteller: IXYS
IXFX100N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N25P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n25p-datasheet?assetguid=a464a398-635f-40e1-992a-af0242b5d3fc
Hersteller: IXYS
IXFX120N25P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD4792F693820&compId=IXFK(X)120N30P3.pdf?ci_sign=6c727e8884ef3f66572a5b3f0eace2ea8daa052b
IXFX120N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.13kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 27mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0
IXFX120N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a
IXFX120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N25T
Hersteller: IXYS
IXFX140N25T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5FBBF2FB0F8BF&compId=IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf?ci_sign=6d081054787efa2c56b843d54a6d6c3f464460d2
IXFX140N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 140A; 1040W; PLUS247™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 185nC
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX150N30P3
Hersteller: IXYS
IXFX150N30P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX160N30T
Hersteller: IXYS
IXFX160N30T THT N channel transistors
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IXFX170N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7919FF3517E5D4746&compId=IXF_170N20P.pdf?ci_sign=7a8e99d2eb2f7ace504a59de513ff4d7089e5376
IXFX170N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1250W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFX170N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5344B49DB7820&compId=IXFK(X)170N20T.pdf?ci_sign=132d408b08d163a2c5614a95cdf3179fcf883841
IXFX170N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX180N15P
Hersteller: IXYS
IXFX180N15P THT N channel transistors
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IXFX180N25T
Hersteller: IXYS
IXFX180N25T THT N channel transistors
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IXFX200N10P
Hersteller: IXYS
IXFX200N10P THT N channel transistors
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IXFX20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba
IXFX20N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX210N30X3
Hersteller: IXYS
IXFX210N30X3 THT N channel transistors
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IXFX220N17T2
Hersteller: IXYS
IXFX220N17T2 THT N channel transistors
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IXFX230N20T
Hersteller: IXYS
IXFX230N20T THT N channel transistors
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4+21.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFX240N15T2
Hersteller: IXYS
IXFX240N15T2 THT N channel transistors
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IXFX240N25X3
Hersteller: IXYS
IXFX240N25X3 THT N channel transistors
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IXFX24N100Q3
Hersteller: IXYS
IXFX24N100Q3 THT N channel transistors
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IXFX250N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043
IXFX250N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX26N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX26N100P THT N channel transistors
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IXFX26N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX26N120P THT N channel transistors
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IXFX27N80Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd
IXFX27N80Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.75 EUR
4+23.41 EUR
30+23.09 EUR
120+22.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFX300N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB1B71634818BF&compId=IXF_300N20X3.pdf?ci_sign=d7ceaf98ba04f28d6cca73c11a6a109100fa462b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFX300N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.43 EUR
30+31.19 EUR
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IXFX320N17T2
Hersteller: IXYS
IXFX320N17T2 THT N channel transistors
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IXFX32N100P
Hersteller: IXYS
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IXFX32N100Q3
Hersteller: IXYS
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IXFX32N80P
Hersteller: IXYS
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