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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.4 EUR
30+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.58 EUR
8+9.84 EUR
10+8.75 EUR
30+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 IXGH50N90B2 IXYS IXGH(T)50N90B2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.3 EUR
8+9.27 EUR
10+8.18 EUR
30+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 IXYS IXG_50N90B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.09 EUR
6+13.24 EUR
10+12.11 EUR
30+10.48 EUR
120+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60A3 IXGH72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.54 EUR
10+10.37 EUR
30+7.86 EUR
120+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3ABB94C6CA26FE1EC&compId=ixgn200n60b3.pdf?ci_sign=d01a746c4ff41454ca16c191f704bec2cc169241 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+61.78 EUR
3+56.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.52 EUR
50+5.29 EUR
100+4.86 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.35 EUR
50+5.19 EUR
100+4.76 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 IXYS IXGA(H,P)30N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 56ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 300W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.87 EUR
50+7.39 EUR
100+6.88 EUR
500+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Turn-on time: 45ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.51 EUR
5+16.92 EUR
10+15.06 EUR
30+14.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.64 EUR
11+6.75 EUR
12+6.06 EUR
30+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.57 EUR
10+11.11 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+29.09 EUR
10+26.25 EUR
30+25.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.16 EUR
12+6.33 EUR
30+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.32 EUR
10+25.8 EUR
30+23.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA02N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.37 EUR
7+10.31 EUR
8+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV IXTA05N100HV IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
On-state resistance: 17Ω
Drain current: 0.75A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.09 EUR
19+3.79 EUR
22+3.35 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
21+3.52 EUR
26+2.79 EUR
50+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTA10P50P SMD P channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.63 EUR
14+5.32 EUR
50+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO263
Technology: TrenchP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.86 EUR
13+5.68 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA140N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf IXTA140N12T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA170N075T2 IXYS 99970A.pdf IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
24+3 EUR
26+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA180N10T IXTA180N10T IXYS IXTA(P)180N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.55 EUR
13+5.56 EUR
25+4.6 EUR
50+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X2 IXTA20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.98 EUR
14+5.38 EUR
15+4.76 EUR
50+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.08 EUR
11+6.69 EUR
50+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA28P065T IXTA28P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B82DC4A798BF&compId=IXT_28P065T.pdf?ci_sign=f1bef680ca9cf6e62c0af10fbe84210c2fa0873f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
26+2.83 EUR
50+2.36 EUR
250+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P IXTA2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.07 EUR
27+2.7 EUR
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IXTA32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTA32P05T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 IXTA36N30P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N150HV IXTA3N150HV IXYS IXTA3N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P IXYS DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf IXTA3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+7.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA44P15T IXTA44P15T IXYS IXT_44P15T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Gate charge: 175nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.29 EUR
12+6.13 EUR
13+5.55 EUR
50+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
50+1.64 EUR
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250+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTA4N70X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTA52P10P SMD P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.44 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2 IXTA6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.54 EUR
10+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.79 EUR
11+6.95 EUR
12+6.42 EUR
13+5.63 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.12 EUR
23+3.17 EUR
50+2.46 EUR
250+2.04 EUR
300+2 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.83 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
50+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf IXTB62N50L THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+89.23 EUR
2+39.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 IXTH10P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.48 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf IXTH110N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.27 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
1020+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50 IXYS IXTx11P50_Rev2005.pdf IXTH11P50 THT P channel transistors
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.91 EUR
7+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065T IXTH120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.27 EUR
10+7.48 EUR
30+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p05t_datasheet.pdf.pdf IXTH140P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.24 EUR
9+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf IXTH140P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
30+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 570ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.8 EUR
30+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N450HV IXTH1N450HV IXYS IXTH(T)1N450HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
Gate charge: 46nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+44.14 EUR
5+43.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.4 EUR
10+9.24 EUR
30+8.54 EUR
120+7.62 EUR
270+7.06 EUR
510+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89 IXTH20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.51 EUR
8+9.48 EUR
30+9.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH240N15X4 IXYS IXTH240N15X4 THT N channel transistors
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.67 EUR
6+12.08 EUR
30+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH270N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTH270N04T4 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
5+14.3 EUR
12+5.96 EUR
30+4.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.05 EUR
10+9.19 EUR
30+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32N65X IXTH32N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.45 EUR
10+7.61 EUR
11+6.72 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N100P IXTH3N100P IXYS IXTA(H,P)3N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.49 EUR
13+5.93 EUR
30+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH44P15T IXTH44P15T IXYS IXT_44P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Gate charge: 175nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.09 EUR
9+8.02 EUR
12+6.46 EUR
30+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS IXTH48N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.61 EUR
10+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.34 EUR
7+10.45 EUR
10+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.21 EUR
10+11.27 EUR
30+10.57 EUR
120+9.7 EUR
270+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTH52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.03 EUR
11+6.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.4 EUR
30+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.58 EUR
8+9.84 EUR
10+8.75 EUR
30+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 IXGH(T)50N90B2.pdf
IXGH50N90B2
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.3 EUR
8+9.27 EUR
10+8.18 EUR
30+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2D1 IXG_50N90B2D1.pdf
IXGH50N90B2D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.09 EUR
6+13.24 EUR
10+12.11 EUR
30+10.48 EUR
120+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGH72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.54 EUR
10+10.37 EUR
30+7.86 EUR
120+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3ABB94C6CA26FE1EC&compId=ixgn200n60b3.pdf?ci_sign=d01a746c4ff41454ca16c191f704bec2cc169241
IXGN200N60B3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+61.78 EUR
3+56.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.52 EUR
50+5.29 EUR
100+4.86 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f
IXGP20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.35 EUR
50+5.19 EUR
100+4.76 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP30N120B3 IXGA(H,P)30N120B3.pdf
IXGP30N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 56ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 300W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.87 EUR
50+7.39 EUR
100+6.88 EUR
500+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Turn-on time: 45ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.51 EUR
5+16.92 EUR
10+15.06 EUR
30+14.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.64 EUR
11+6.75 EUR
12+6.06 EUR
30+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGT72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.57 EUR
10+11.11 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGX320N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+29.09 EUR
10+26.25 EUR
30+25.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.16 EUR
12+6.33 EUR
30+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5.pdf
IXKR47N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.32 EUR
10+25.8 EUR
30+23.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA02N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e
Hersteller: IXYS
IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.37 EUR
7+10.31 EUR
8+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTA05N100HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
On-state resistance: 17Ω
Drain current: 0.75A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.09 EUR
19+3.79 EUR
22+3.35 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTA08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
21+3.52 EUR
26+2.79 EUR
50+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA10P50P SMD P channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.63 EUR
14+5.32 EUR
50+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTA120P065T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO263
Technology: TrenchP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.86 EUR
13+5.68 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA140N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA140N12T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA170N075T2 99970A.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
24+3 EUR
26+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA180N10T IXTA(P)180N10T.pdf
IXTA180N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.55 EUR
13+5.56 EUR
25+4.6 EUR
50+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.98 EUR
14+5.38 EUR
15+4.76 EUR
50+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTA26P20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.08 EUR
11+6.69 EUR
50+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA28P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B82DC4A798BF&compId=IXT_28P065T.pdf?ci_sign=f1bef680ca9cf6e62c0af10fbe84210c2fa0873f
IXTA28P065T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
26+2.83 EUR
50+2.36 EUR
250+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTA2N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
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Anzahl Preis
24+3.07 EUR
27+2.7 EUR
30+2.46 EUR
50+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 312 Stücke:
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16+4.52 EUR
35+2.1 EUR
36+1.99 EUR
500+1.96 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
Hersteller: IXYS
IXTA36N30P SMD N channel transistors
auf Bestellung 239 Stücke:
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12+6.19 EUR
18+4 EUR
19+3.79 EUR
50+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N150HV IXTA3N150HV.pdf
IXTA3N150HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA44P15T IXT_44P15T.pdf
IXTA44P15T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Gate charge: 175nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.29 EUR
12+6.13 EUR
13+5.55 EUR
50+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
50+1.64 EUR
100+1.49 EUR
250+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA4N70X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Hersteller: IXYS
IXTA52P10P SMD P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.44 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTA6N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.54 EUR
10+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd
IXTA76P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.79 EUR
11+6.95 EUR
12+6.42 EUR
13+5.63 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.12 EUR
23+3.17 EUR
50+2.46 EUR
250+2.04 EUR
300+2 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
Hersteller: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.83 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
50+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTB62N50L THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+89.23 EUR
2+39.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634
Hersteller: IXYS
IXTH10P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.48 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH110N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.27 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
1020+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50 IXTx11P50_Rev2005.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH11P50 THT P channel transistors
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.91 EUR
7+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTH120P065T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.27 EUR
10+7.48 EUR
30+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH140P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.24 EUR
9+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH140P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
30+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTH15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 570ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.8 EUR
30+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N450HV IXTH(T)1N450HV.pdf
IXTH1N450HV
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
Gate charge: 46nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.14 EUR
5+43.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTH20N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.4 EUR
10+9.24 EUR
30+8.54 EUR
120+7.62 EUR
270+7.06 EUR
510+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20p50p-datasheet?assetguid=6ff80a54-b856-4dfe-ba92-32aae5a30f89
Hersteller: IXYS
IXTH20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.51 EUR
8+9.48 EUR
30+9.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH240N15X4
Hersteller: IXYS
IXTH240N15X4 THT N channel transistors
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.67 EUR
6+12.08 EUR
30+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH270N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH270N04T4 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
5+14.3 EUR
12+5.96 EUR
30+4.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.05 EUR
10+9.19 EUR
30+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718
IXTH32N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
10+7.61 EUR
11+6.72 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N100P IXTA(H,P)3N100P.pdf
IXTH3N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.49 EUR
13+5.93 EUR
30+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH44P15T IXT_44P15T.pdf
IXTH44P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Gate charge: 175nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.09 EUR
9+8.02 EUR
12+6.46 EUR
30+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2.pdf
IXTH48N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.61 EUR
10+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e
IXTH48P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.34 EUR
7+10.45 EUR
10+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH50P10 IXT_50P10.pdf
IXTH50P10
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.21 EUR
10+11.27 EUR
30+10.57 EUR
120+9.7 EUR
270+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Hersteller: IXYS
IXTH52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.03 EUR
11+6.75 EUR
12+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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