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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFT14N80P IXFT14N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDF8DAC82F1820&compId=IXFH(Q%2CT)14N80P_S.pdf?ci_sign=54c4a7d42ec81caabad0953bf61c033b9e6baf24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N17T2 IXFT150N17T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC653820&compId=IXFT150N17T2.pdf?ci_sign=f262fe46c60fa0aac8b4fe8177f56a21a91be14c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 233nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 175V
Power dissipation: 880W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20T IXFT150N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CE0509EDC31820&compId=IXFH(T)150N20T.pdf?ci_sign=1eb8849a53fa359ec9a3208d53f9c1a524823d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N25X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0B9820&compId=IXFH150N25X3.pdf?ci_sign=9b6304dddbd0134b0ebf2cbe9b1dfd52edbdaa17 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD908A9A238BF&compId=IXF_150N30X3_HV.pdf?ci_sign=c02cea29174068e52cd342ee0467b4c4f54d34e5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.65 EUR
10+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100Q3 IXFT15N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE0AF857958BF&compId=IXF_15N100Q3.pdf?ci_sign=1dd331295c1d7ea0154eeba2040fc94c4aba0ac2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N120P IXFT16N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D34FC31C383820&compId=IXFH(T)16N120P.pdf?ci_sign=62d379b539b652daa07e99793c202834e0bb54aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 16A
Power dissipation: 660W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N80P IXFT16N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBE3876A2C78BF&compId=IXFH16N80P.pdf?ci_sign=d439feac37a891fbe96fd8303945e86c880ee0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT170N25X3HV IXFT170N25X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D53B40079AF820&compId=IXFH(K%2CT)170N25X3_HV.pdf?ci_sign=ea75d9eee3b336dc745cd69a3f9d9bb3eb1a5cef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO268HV
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 7.4mΩ
Power dissipation: 890W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT180N20X3HV IXYS IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.74 EUR
5+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT18N100Q3 IXFT18N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDFDA4ED557820&compId=IXFH(T)18N100Q3.pdf?ci_sign=82d246ace1e0649cdbbc2d29f3b3702b57bb27a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N100P IXYS DS99843B(IXFH-T20N100P).pdf IXFT20N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80P IXYS IXFT20N80P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT220N20X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-220n20x3-datasheet?assetguid=6f4e90fe-6272-422e-a0c7-6b3f43b68d9b IXFT220N20X3HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N80P IXFT24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90P IXFT24N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 130nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.46 EUR
6+13.67 EUR
10+13.16 EUR
30+13.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N60P IXFT26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50P IXFT30N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB197984EACA143&compId=IXFH30N50P.pdf?ci_sign=786e1a8a67c262fcaf9881e21ab55ef68f11b8d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50Q3 IXFT30N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB1A7B71C31C143&compId=IXFH30N50Q3.pdf?ci_sign=d9b0ae8aa75dd9749244f6c2fb2f64691c7199e6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N85XHV IXFT30N85XHV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC2992D6C47820&compId=IXFH30N85X_IXFT30N85XHV.pdf?ci_sign=390b5581f76a713c23254cf56e292a2a68f13ab2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 30A; 695W; TO268HV; 160ns
Mounting: SMD
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 30A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-320n10t2-datasheet?assetguid=99cd63b2-fc21-4394-81cf-ea2bb2be118d IXFT320N10T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT340N075T2 IXYS IXFT340N075T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT36N50P IXYS IXFT36N50P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT36N60P IXYS IXFT36N60P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT400N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_400n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFT400N075T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT40N85XHV IXFT40N85XHV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A00561D2379820&compId=IXFT40N85X.PDF?ci_sign=17b8d459553279811895159364e457a57b9a6562 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO268HV; 200ns
Mounting: SMD
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.145Ω
Drain current: 40A
Power dissipation: 860W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT42N50P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_42n50p2_datasheet.pdf.pdf IXFT42N50P2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT44N50P IXFT44N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT44N50Q3 IXFT44N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D560EA38423820&compId=IXFH(T)44N50Q3.pdf?ci_sign=8ccaf63b663c6315e8193c688f8a56787789ba3c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N30Q3 IXYS IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.97 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N85XHV IXFT50N85XHV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBEC6F854298BF&compId=IXF_50N85X.pdf?ci_sign=56532bb3aee648f73e62c996a617b6c80a0adc91 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns
Mounting: SMD
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.105Ω
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 218ns
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IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
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IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB44BC9A8438BF&compId=IXFT60N65X2HV.pdf?ci_sign=6e5a6b51c105f18c4ec6d132232fc4d58f2d4e2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
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IXFT80N65X2HV IXFT80N65X2HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB5DDDF247B8BF&compId=IXFT80N65X2HV.pdf?ci_sign=8483671aa3976023c370bf7e90b7e5ebca15d53c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
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IXFX100N65X2 IXYS a IXFX100N65X2 THT N channel transistors
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IXFX120N25P IXFX120N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9FC6E4A3B820&compId=IXFK(X)120N25P.pdf?ci_sign=3134161775411c290289e374cd33f69b9f8de3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX120N30P3 IXFX120N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD4792F693820&compId=IXFK(X)120N30P3.pdf?ci_sign=6c727e8884ef3f66572a5b3f0eace2ea8daa052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFX120N30T IXFX120N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX140N25T IXYS IXFX140N25T THT N channel transistors
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IXFX140N30P IXYS IXFX140N30P THT N channel transistors
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IXFX150N30P3 IXYS IXFX150N30P3 THT N channel transistors
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IXFX160N30T IXFX160N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CE9C427165138BF&compId=IXF_160N30T.pdf?ci_sign=23e001151aa4a4de2e7e32da29e7d4519594f256 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 376nC
On-state resistance: 19mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX170N20P IXYS IXFX170N20P THT N channel transistors
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IXFX170N20T IXYS IXFX170N20T THT N channel transistors
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IXFX180N15P IXFX180N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC683820&compId=IXFX180N15P.pdf?ci_sign=40187178a4b225c5dfde0aad35e7695313904b5e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+35.75 EUR
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IXFX180N25T IXYS IXFX180N25T THT N channel transistors
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IXFX200N10P IXYS IXFX200N10P THT N channel transistors
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IXFT14N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDF8DAC82F1820&compId=IXFH(Q%2CT)14N80P_S.pdf?ci_sign=54c4a7d42ec81caabad0953bf61c033b9e6baf24
IXFT14N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFT150N17T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC653820&compId=IXFT150N17T2.pdf?ci_sign=f262fe46c60fa0aac8b4fe8177f56a21a91be14c
IXFT150N17T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 233nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 175V
Power dissipation: 880W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT150N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CE0509EDC31820&compId=IXFH(T)150N20T.pdf?ci_sign=1eb8849a53fa359ec9a3208d53f9c1a524823d86
IXFT150N20T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT150N25X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0B9820&compId=IXFH150N25X3.pdf?ci_sign=9b6304dddbd0134b0ebf2cbe9b1dfd52edbdaa17
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD908A9A238BF&compId=IXF_150N30X3_HV.pdf?ci_sign=c02cea29174068e52cd342ee0467b4c4f54d34e5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFT150N30X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.65 EUR
10+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFT15N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE0AF857958BF&compId=IXF_15N100Q3.pdf?ci_sign=1dd331295c1d7ea0154eeba2040fc94c4aba0ac2
IXFT15N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D34FC31C383820&compId=IXFH(T)16N120P.pdf?ci_sign=62d379b539b652daa07e99793c202834e0bb54aa
IXFT16N120P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 16A
Power dissipation: 660W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBE3876A2C78BF&compId=IXFH16N80P.pdf?ci_sign=d439feac37a891fbe96fd8303945e86c880ee0ca
IXFT16N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT170N25X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D53B40079AF820&compId=IXFH(K%2CT)170N25X3_HV.pdf?ci_sign=ea75d9eee3b336dc745cd69a3f9d9bb3eb1a5cef
IXFT170N25X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO268HV
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 7.4mΩ
Power dissipation: 890W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT180N20X3HV
Hersteller: IXYS
IXFT180N20X3HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.74 EUR
5+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFT18N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDFDA4ED557820&compId=IXFH(T)18N100Q3.pdf?ci_sign=82d246ace1e0649cdbbc2d29f3b3702b57bb27a8
IXFT18N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N100P DS99843B(IXFH-T20N100P).pdf
Hersteller: IXYS
IXFT20N100P SMD N channel transistors
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IXFT20N80P
Hersteller: IXYS
IXFT20N80P SMD N channel transistors
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IXFT220N20X3HV littelfuse-discrete-mosfets-ixf-220n20x3-datasheet?assetguid=6f4e90fe-6272-422e-a0c7-6b3f43b68d9b
Hersteller: IXYS
IXFT220N20X3HV SMD N channel transistors
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IXFT24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFT24N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT24N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a
IXFT24N90P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 130nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492
IXFT26N60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB197984EACA143&compId=IXFH30N50P.pdf?ci_sign=786e1a8a67c262fcaf9881e21ab55ef68f11b8d1
IXFT30N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB1A7B71C31C143&compId=IXFH30N50Q3.pdf?ci_sign=d9b0ae8aa75dd9749244f6c2fb2f64691c7199e6
IXFT30N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N85XHV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC2992D6C47820&compId=IXFH30N85X_IXFT30N85XHV.pdf?ci_sign=390b5581f76a713c23254cf56e292a2a68f13ab2
IXFT30N85XHV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 30A; 695W; TO268HV; 160ns
Mounting: SMD
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 30A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-320n10t2-datasheet?assetguid=99cd63b2-fc21-4394-81cf-ea2bb2be118d
Hersteller: IXYS
IXFT320N10T2 SMD N channel transistors
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IXFT340N075T2
Hersteller: IXYS
IXFT340N075T2 SMD N channel transistors
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IXFT36N50P
Hersteller: IXYS
IXFT36N50P SMD N channel transistors
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IXFT36N60P
Hersteller: IXYS
IXFT36N60P SMD N channel transistors
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IXFT400N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_400n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT400N075T2 SMD N channel transistors
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IXFT40N85XHV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A00561D2379820&compId=IXFT40N85X.PDF?ci_sign=17b8d459553279811895159364e457a57b9a6562
IXFT40N85XHV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO268HV; 200ns
Mounting: SMD
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.145Ω
Drain current: 40A
Power dissipation: 860W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT42N50P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_42n50p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT42N50P2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT44N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090
IXFT44N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT44N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D560EA38423820&compId=IXFH(T)44N50Q3.pdf?ci_sign=8ccaf63b663c6315e8193c688f8a56787789ba3c
IXFT44N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT50N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFT50N30Q3 SMD N channel transistors
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IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
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Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N85XHV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBEC6F854298BF&compId=IXF_50N85X.pdf?ci_sign=56532bb3aee648f73e62c996a617b6c80a0adc91
IXFT50N85XHV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns
Mounting: SMD
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.105Ω
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 218ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT52N50P2
Hersteller: IXYS
IXFT52N50P2 SMD N channel transistors
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IXFT60N50P3
Hersteller: IXYS
IXFT60N50P3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N65X2HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB44BC9A8438BF&compId=IXFT60N65X2HV.pdf?ci_sign=6e5a6b51c105f18c4ec6d132232fc4d58f2d4e2f
IXFT60N65X2HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.71 EUR
7+11.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT69N30P 99220.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT69N30P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT70N20Q3
Hersteller: IXYS
IXFT70N20Q3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT70N30Q3
Hersteller: IXYS
IXFT70N30Q3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT80N65X2HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB5DDDF247B8BF&compId=IXFT80N65X2HV.pdf?ci_sign=8483671aa3976023c370bf7e90b7e5ebca15d53c
IXFT80N65X2HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT86N30T
Hersteller: IXYS
IXFT86N30T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFT88N30P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT94N30P3
Hersteller: IXYS
IXFT94N30P3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT94N30T DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf
Hersteller: IXYS
IXFT94N30T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT96N20P
Hersteller: IXYS
IXFT96N20P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX100N65X2 a
Hersteller: IXYS
IXFX100N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9FC6E4A3B820&compId=IXFK(X)120N25P.pdf?ci_sign=3134161775411c290289e374cd33f69b9f8de3e4
IXFX120N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD4792F693820&compId=IXFK(X)120N30P3.pdf?ci_sign=6c727e8884ef3f66572a5b3f0eace2ea8daa052b
IXFX120N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0
IXFX120N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a
IXFX120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N25T
Hersteller: IXYS
IXFX140N25T THT N channel transistors
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IXFX140N30P
Hersteller: IXYS
IXFX140N30P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX150N30P3
Hersteller: IXYS
IXFX150N30P3 THT N channel transistors
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IXFX160N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CE9C427165138BF&compId=IXF_160N30T.pdf?ci_sign=23e001151aa4a4de2e7e32da29e7d4519594f256
IXFX160N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 376nC
On-state resistance: 19mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20P
Hersteller: IXYS
IXFX170N20P THT N channel transistors
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IXFX170N20T
Hersteller: IXYS
IXFX170N20T THT N channel transistors
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IXFX180N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC683820&compId=IXFX180N15P.pdf?ci_sign=40187178a4b225c5dfde0aad35e7695313904b5e
IXFX180N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFX180N25T
Hersteller: IXYS
IXFX180N25T THT N channel transistors
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IXFX200N10P
Hersteller: IXYS
IXFX200N10P THT N channel transistors
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