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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTA48P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf IXTA48P05T SMD P channel transistors
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IXTA4N150HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 IXTA4N150HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
14+5.11 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTA4N70X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.60 EUR
30+2.45 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N80P IXTA4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N20P IXTA50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N25T IXTA50N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTA52P10P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA60N10T IXTA60N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49165695D1820&compId=IXTA(P)60N10T.pdf?ci_sign=92e4c232650cb3131af7dac4c451a83cc9058951 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA60N20T IXTA60N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA62N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf IXTA62N15P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA64N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_64n10_datasheet.pdf.pdf IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.70 EUR
9+7.95 EUR
500+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA70N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_70n075t2_datasheet.pdf.pdf IXTA70N075T2 SMD N channel transistors
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IXTA75N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3 IXTA75N10P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N25T IXTA76N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4165ECB579820&compId=IXTA(H%2CI%2CP%2CQ)76N25T.pdf?ci_sign=5561f98ce5cfa59f8e5ad5e0fac5ca227be0863e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.19 EUR
12+6.46 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880 IXTA80N075L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.23 EUR
6+12.27 EUR
1000+11.80 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N10T IXTA80N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N12T2 IXYS IXTA80N12T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA86N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf IXTA86N20T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.80 EUR
34+2.16 EUR
38+1.89 EUR
300+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTA8N70X2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA90N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA90N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210 IXTA90N20X3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.41 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB30N100L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb30n100l_datasheet.pdf.pdf IXTB30N100L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf IXTB62N50L THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+89.23 EUR
2+63.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTF02N450 IXYS IXTF02N450 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTF1R4N450 IXYS IXTF1R4N450 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTF200N10T IXYS DS99747B(IXTF200N10T).pdf IXTF200N10T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTF2N300P3 IXYS DS100712(IXTF2N300P3).pdf IXTF2N300P3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTF6N200P3 IXYS DS100716(IXTF6N200P3).pdf IXTF6N200P3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH02N250 IXYS IXTx02N250%28S%29.pdf IXTH02N250 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH02N450HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_02n450hv_datasheet.pdf.pdf IXTH02N450HV THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH04N300P3HV IXYS IXTH04N300P3HV THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH06N220P3HV IXYS IXTH06N220P3HV THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-10n100-datasheet?assetguid=5e358144-35f5-4d3b-b405-1eaa211abc28 IXTH10N100D2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50P IXTH10P50P IXYS IXT_10P50P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.55 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
270+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60 IXYS IXTH10P60 THT P channel transistors
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IXTH110N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n10_datasheet.pdf.pdf IXTH110N10L2 THT N channel transistors
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IXTH110N25T IXTH110N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917DB820&compId=IXTH110N25T.pdf?ci_sign=70bf22a6c770d2e1a644817b2000fd043bc19e40 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 170ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 157nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.65 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
510+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29204E7FB2FFDF19A99005056AB752F&compId=DS94535L(IXTH-T11P50).pdf?ci_sign=75e2ecd6057bd9959b8b067840c0bc20763188af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.99 EUR
7+10.45 EUR
10+10.28 EUR
30+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb IXTH120P065T THT P channel transistors
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.71 EUR
12+6.06 EUR
120+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100L IXTH12N100L IXYS IXTH12N100L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N150 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth12n150_datasheet.pdf.pdf IXTH12N150 THT N channel transistors
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IXTH12N65X2 IXTH12N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91807820&compId=IXTH12N70X2.pdf?ci_sign=98c9b07086da1e62cdc3bf271cfc9a447d4cf5d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH130N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf.pdf IXTH130N20T THT N channel transistors
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IXTH140N075L2 IXYS IXTH140N075L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05T IXTH140P05T IXYS IXT_140P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.04 EUR
9+8.31 EUR
30+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T IXTH140P10T IXYS IXT_140P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
510+15.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 300W
Reverse recovery time: 570ns
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 123nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.81 EUR
9+8.21 EUR
270+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2 IXTH16N10D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D34AD59A155820&compId=IXTH(T)16N10D2.pdf?ci_sign=75a0ea05d6af26676ff9c6e7db44e6130fed3d9a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 940ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N20D2 IXTH16N20D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35574B86DF820&compId=IXTH(T)16N20D2.pdf?ci_sign=5ea239bb12406bc8372f9c07c4aea2c2ac1c0344 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 607ns
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N50D2 IXTH16N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 130ns
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P60P IXTH16P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N170DHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf IXTH1N170DHV THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf IXTH1N200P3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA48P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA48P05T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N150HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859
Hersteller: IXYS
IXTA4N150HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
14+5.11 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA4N70X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.60 EUR
30+2.45 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTA4N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTA50N20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0
IXTA50N25T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Hersteller: IXYS
IXTA52P10P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA60N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49165695D1820&compId=IXTA(P)60N10T.pdf?ci_sign=92e4c232650cb3131af7dac4c451a83cc9058951
IXTA60N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA60N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631
IXTA60N20T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA62N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA62N15P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA64N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_64n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Hersteller: IXYS
IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.70 EUR
9+7.95 EUR
500+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA70N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_70n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA70N075T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA75N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3
Hersteller: IXYS
IXTA75N10P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4165ECB579820&compId=IXTA(H%2CI%2CP%2CQ)76N25T.pdf?ci_sign=5561f98ce5cfa59f8e5ad5e0fac5ca227be0863e
IXTA76N25T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd
IXTA76P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.19 EUR
12+6.46 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880
Hersteller: IXYS
IXTA80N075L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.23 EUR
6+12.27 EUR
1000+11.80 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab
IXTA80N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N12T2
Hersteller: IXYS
IXTA80N12T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA86N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA86N20T SMD N channel transistors
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IXTA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.80 EUR
34+2.16 EUR
38+1.89 EUR
300+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IXTA8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTA8N70X2 SMD N channel transistors
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IXTA90N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
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IXTA90N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210
Hersteller: IXYS
IXTA90N20X3 SMD N channel transistors
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IXTA96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.41 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTB30N100L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb30n100l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTB30N100L THT N channel transistors
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IXTB62N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTB62N50L THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
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1+89.23 EUR
2+63.78 EUR
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IXTF02N450
Hersteller: IXYS
IXTF02N450 THT N channel transistors
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IXTF1R4N450
Hersteller: IXYS
IXTF1R4N450 THT N channel transistors
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IXTF200N10T DS99747B(IXTF200N10T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTF200N10T THT N channel transistors
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IXTF2N300P3 DS100712(IXTF2N300P3).pdf
Hersteller: IXYS
IXTF2N300P3 THT N channel transistors
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IXTF6N200P3 DS100716(IXTF6N200P3).pdf
Hersteller: IXYS
IXTF6N200P3 THT N channel transistors
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IXTH02N250 IXTx02N250%28S%29.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH02N250 THT N channel transistors
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IXTH02N450HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_02n450hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH02N450HV THT N channel transistors
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IXTH04N300P3HV
Hersteller: IXYS
IXTH04N300P3HV THT N channel transistors
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IXTH06N220P3HV
Hersteller: IXYS
IXTH06N220P3HV THT N channel transistors
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IXTH10N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-10n100-datasheet?assetguid=5e358144-35f5-4d3b-b405-1eaa211abc28
Hersteller: IXYS
IXTH10N100D2 THT N channel transistors
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IXTH10P50P IXT_10P50P.pdf
IXTH10P50P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.55 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
270+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTH10P60
Hersteller: IXYS
IXTH10P60 THT P channel transistors
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IXTH110N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH110N10L2 THT N channel transistors
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IXTH110N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917DB820&compId=IXTH110N25T.pdf?ci_sign=70bf22a6c770d2e1a644817b2000fd043bc19e40
IXTH110N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 170ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 157nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.65 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
510+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTH11P50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29204E7FB2FFDF19A99005056AB752F&compId=DS94535L(IXTH-T11P50).pdf?ci_sign=75e2ecd6057bd9959b8b067840c0bc20763188af
IXTH11P50
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.99 EUR
7+10.45 EUR
10+10.28 EUR
30+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH120P065T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
Hersteller: IXYS
IXTH120P065T THT P channel transistors
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.71 EUR
12+6.06 EUR
120+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTH12N100L IXTH12N100L.pdf
IXTH12N100L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH12N150 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth12n150_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH12N150 THT N channel transistors
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IXTH12N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295
IXTH12N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N70X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91807820&compId=IXTH12N70X2.pdf?ci_sign=98c9b07086da1e62cdc3bf271cfc9a447d4cf5d4
IXTH12N70X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH130N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH130N20T THT N channel transistors
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IXTH140N075L2
Hersteller: IXYS
IXTH140N075L2 THT N channel transistors
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IXTH140P05T IXT_140P05T.pdf
IXTH140P05T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.04 EUR
9+8.31 EUR
30+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T IXT_140P10T.pdf
IXTH140P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
510+15.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203
IXTH15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 300W
Reverse recovery time: 570ns
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 123nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.81 EUR
9+8.21 EUR
270+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D34AD59A155820&compId=IXTH(T)16N10D2.pdf?ci_sign=75a0ea05d6af26676ff9c6e7db44e6130fed3d9a
IXTH16N10D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 940ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N20D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35574B86DF820&compId=IXTH(T)16N20D2.pdf?ci_sign=5ea239bb12406bc8372f9c07c4aea2c2ac1c0344
IXTH16N20D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 607ns
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005
IXTH16N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 130ns
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 695W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957
IXTH16P60P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N170DHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N170DHV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH1N200P3 THT N channel transistors
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