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IXGR72N60B3H1 IXGR72N60B3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAFC0A869B5820&compId=IXGR72N60B3H1.pdf?ci_sign=3c041375a94491207a4b390f85ce524a1ae5bf68 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb IXGT10N170 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170A IXYS 98991.pdf IXGT10N170A SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170 IXGT16N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170A IXGT16N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170AH1 IXGT16N170AH1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170 IXYS DS98994A(IXGH-T24N170).pdf IXGT24N170 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170A IXYS 98995.pdf IXGT24N170A SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N160 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf IXGT25N160 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT30N120B3D1 IXGT30N120B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACA06EEB189820&compId=IXGH(t)30N120B3D1.pdf?ci_sign=f005ac054c26db1cc4211835ea92d6b297ff6ef3 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf IXGT32N170 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170A IXYS 98942.pdf IXGT32N170A SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.05 EUR
12+6.06 EUR
30+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT6N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_6n170_datasheet.pdf.pdf IXGT6N170 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT6N170A IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-6n170-datasheet?assetguid=d2aa0a4b-a2a5-4d3c-b4a9-b7da563ee3f8 IXGT6N170A SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT6N170AHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgt6n170ahv_datasheet.pdf.pdf IXGT6N170AHV SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.8 EUR
7+10.57 EUR
8+10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX100N170 IXGX100N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0A6DAFB799820&compId=IXGK(X)100N170.pdf?ci_sign=c8053da6d72a2c79586ce8a850d84b1d66a7da31 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N120A3 IXGX120N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE298DEDCD820&compId=IXGK(x)120N120A3.pdf?ci_sign=c7a8186a489035ec0ead3df55bd4f31bb6ed73dd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N120B3 IXGX120N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE7EA92E47820&compId=IXGK(x)120N120B3.pdf?ci_sign=66d03d7a35e3abfe1e2dfa50266727cc891d888d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB7481B6FA7820&compId=IXGX120N60A3.pdf?ci_sign=7c6c1f981d719adcb00100c5b7522dd0575ab8b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3FAC0877D7820&compId=IXGK(x)320N60B3.pdf?ci_sign=7f3fb659fb9326cceb8b246edbd061c9df14d441 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+26.1 EUR
30+25.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N120C3H1 IXGX50N120C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD2F4A1BC0B820&compId=IXGK(X)50N120C3H1.pdf?ci_sign=61c063dc7fba9e54ef68ca4e62646d9c16039893 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX55N120A3H1 IXGX55N120A3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX72N60A3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_72n60a3h1_datasheet.pdf.pdf IXGX72N60A3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX72N60C3H1 IXGX72N60C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB0E62FFAC9820&compId=IXGX72N60C3H1.pdf?ci_sign=cac8206ee321d338a1e80ece5d0032b45e4a91ee Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX82N120A3 IXGX82N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADA05B5A3C9820&compId=IXGK(x)82N120A3.pdf?ci_sign=fbc08b8c0cc6e5d5e4e3183ea9feaad9775fef7e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 580A
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 1.59µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX82N120B3 IXGX82N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADACC6D023B820&compId=IXGK(X)82N120B3.pdf?ci_sign=75c1b8b5a55f15b387c90edf021e550502773e93 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 500A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 112ns
Turn-off time: 760ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXHH40N150HV IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHH40N150HV-Datasheet?assetguid=1d7bcfdb-8431-454b-82bd-963af9b0fa5f IXHH40N150HV SMD/THT thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXHX40N150V1HV IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHX40N150V1HV-Datasheet?assetguid=6441d34d-64f5-4878-906c-789fb271fd7a IXHX40N150V1HV SMD/THT thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC15N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC19N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC23N60C5 IXKC23N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6CB820&compId=IXKC23N60C5.pdf?ci_sign=c1a5b75b3ab726fbed4e498e342a467c0b978d16 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: ISOPLUS220™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC25N80C IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc25n80c_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 550ns
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC40N60C IXYS description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKF40N60SCD1 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkf40n60scd1_datasheet.pdf.pdf IXKF40N60SCD1 THT N channel transistors
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IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6F7820&compId=IXK(H)20N60C5.pdf?ci_sign=c65d3b92b0e7d2e519176033758644dd7791b0c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
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IXKH30N60C5 IXKH30N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC70D820&compId=IXKH30N60C5.pdf?ci_sign=8051dd0ea17db6300c6cf149e84768e208bbb789 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKH35N60C5 IXKH35N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC723820&compId=IXKH35N60C5.pdf?ci_sign=677b8d3db43cba52c4ebd7ef4e22bc33c3c7302c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 60nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKH47N60C IXKH47N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC739820&compId=IXKH47N60C.pdf?ci_sign=43bb435c43c10b1bc34c0027e601cdcadb46f0c7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKH70N60C5 IXYS IXKH70N60C5 THT N channel transistors
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IXKK85N60C IXKK85N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC765820&compId=IXKK85N60C.pdf?ci_sign=45f48f1ec514485461df7d7e3f166714c6045391 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
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IXKN40N60C IXKN40N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF97A6564945820&compId=IXKN40N60C.pdf?ci_sign=0300786f6154158bf7a8b4fe525318c2a5bf5c3a Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 650ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
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IXKN45N80C IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkn45n80c_datasheet.pdf.pdf IXKN45N80C Transistor modules MOSFET
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IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
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IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M IXYS IXKP20N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
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IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKR25N80C IXKR25N80C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A9C35AC94E78BF&compId=IXKR25N80C.pdf?ci_sign=d4d0a062d2af329a2a082f1126544ec91bfbf883 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKR40N60C IXKR40N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC77B820&compId=IXKR40N60C.pdf?ci_sign=104b76148751e40a577e85eeb9a613f84e954190 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
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4+21.75 EUR
30+21.05 EUR
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IXKT70N60C5 IXYS IXKT70N60C5 SMD N channel transistors
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IXLF19N250A IXYS IXLF19N250A THT IGBT transistors
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IXTA02N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
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7+10.54 EUR
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IXTA05N100 IXTA05N100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV IXTA05N100HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
18+4.09 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
50+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IXTA06N120P IXYS IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf IXTA06N120P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.49 EUR
31+2.33 EUR
33+2.2 EUR
100+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR72N60B3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAFC0A869B5820&compId=IXGR72N60B3H1.pdf?ci_sign=3c041375a94491207a4b390f85ce524a1ae5bf68
IXGR72N60B3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGT10N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb
Hersteller: IXYS
IXGT10N170 SMD IGBT transistors
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IXGT10N170A 98991.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT10N170A SMD IGBT transistors
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IXGT16N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616
IXGT16N170
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGT16N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38
IXGT16N170A
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGT16N170AH1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38
IXGT16N170AH1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGT24N170 DS98994A(IXGH-T24N170).pdf
Hersteller: IXYS
IXGT24N170 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT24N170A 98995.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT24N170A SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N160 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT25N160 SMD IGBT transistors
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IXGT30N120B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACA06EEB189820&compId=IXGH(t)30N120B3D1.pdf?ci_sign=f005ac054c26db1cc4211835ea92d6b297ff6ef3
IXGT30N120B3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGT32N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
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IXGT32N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT32N170 SMD IGBT transistors
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IXGT32N170A 98942.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT32N170A SMD IGBT transistors
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IXGT60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.05 EUR
12+6.06 EUR
30+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXGT6N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_6n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT6N170 SMD IGBT transistors
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IXGT6N170A littelfuse-discrete-igbts-ixg-6n170-datasheet?assetguid=d2aa0a4b-a2a5-4d3c-b4a9-b7da563ee3f8
Hersteller: IXYS
IXGT6N170A SMD IGBT transistors
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IXGT6N170AHV littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgt6n170ahv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT6N170AHV SMD IGBT transistors
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IXGT72N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e
IXGT72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.8 EUR
7+10.57 EUR
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IXGX100N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0A6DAFB799820&compId=IXGK(X)100N170.pdf?ci_sign=c8053da6d72a2c79586ce8a850d84b1d66a7da31
IXGX100N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX120N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE298DEDCD820&compId=IXGK(x)120N120A3.pdf?ci_sign=c7a8186a489035ec0ead3df55bd4f31bb6ed73dd
IXGX120N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX120N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE7EA92E47820&compId=IXGK(x)120N120B3.pdf?ci_sign=66d03d7a35e3abfe1e2dfa50266727cc891d888d
IXGX120N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX120N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB7481B6FA7820&compId=IXGX120N60A3.pdf?ci_sign=7c6c1f981d719adcb00100c5b7522dd0575ab8b6
IXGX120N60A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX320N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3FAC0877D7820&compId=IXGK(x)320N60B3.pdf?ci_sign=7f3fb659fb9326cceb8b246edbd061c9df14d441
IXGX320N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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2+35.75 EUR
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IXGX50N120C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD2F4A1BC0B820&compId=IXGK(X)50N120C3H1.pdf?ci_sign=61c063dc7fba9e54ef68ca4e62646d9c16039893
IXGX50N120C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX55N120A3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba
IXGX55N120A3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX72N60A3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_72n60a3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGX72N60A3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX72N60C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB0E62FFAC9820&compId=IXGX72N60C3H1.pdf?ci_sign=cac8206ee321d338a1e80ece5d0032b45e4a91ee
IXGX72N60C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX82N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADA05B5A3C9820&compId=IXGK(x)82N120A3.pdf?ci_sign=fbc08b8c0cc6e5d5e4e3183ea9feaad9775fef7e
IXGX82N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 580A
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 1.59µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX82N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADACC6D023B820&compId=IXGK(X)82N120B3.pdf?ci_sign=75c1b8b5a55f15b387c90edf021e550502773e93
IXGX82N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 500A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 112ns
Turn-off time: 760ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXHH40N150HV Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHH40N150HV-Datasheet?assetguid=1d7bcfdb-8431-454b-82bd-963af9b0fa5f
Hersteller: IXYS
IXHH40N150HV SMD/THT thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXHX40N150V1HV Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHX40N150V1HV-Datasheet?assetguid=6441d34d-64f5-4878-906c-789fb271fd7a
Hersteller: IXYS
IXHX40N150V1HV SMD/THT thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC15N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC19N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC23N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6CB820&compId=IXKC23N60C5.pdf?ci_sign=c1a5b75b3ab726fbed4e498e342a467c0b978d16
IXKC23N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: ISOPLUS220™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC25N80C littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc25n80c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 550ns
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC40N60C description
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKF40N60SCD1 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkf40n60scd1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXKF40N60SCD1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH20N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6F7820&compId=IXK(H)20N60C5.pdf?ci_sign=c65d3b92b0e7d2e519176033758644dd7791b0c2
IXKH20N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.58 EUR
12+6.15 EUR
13+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH24N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34
IXKH24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH30N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC70D820&compId=IXKH30N60C5.pdf?ci_sign=8051dd0ea17db6300c6cf149e84768e208bbb789
IXKH30N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXKH35N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC723820&compId=IXKH35N60C5.pdf?ci_sign=677b8d3db43cba52c4ebd7ef4e22bc33c3c7302c
IXKH35N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 60nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH47N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC739820&compId=IXKH47N60C.pdf?ci_sign=43bb435c43c10b1bc34c0027e601cdcadb46f0c7
IXKH47N60C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH70N60C5
Hersteller: IXYS
IXKH70N60C5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKK85N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC765820&compId=IXKK85N60C.pdf?ci_sign=45f48f1ec514485461df7d7e3f166714c6045391
IXKK85N60C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN40N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF97A6564945820&compId=IXKN40N60C.pdf?ci_sign=0300786f6154158bf7a8b4fe525318c2a5bf5c3a
IXKN40N60C
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 650ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN45N80C littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkn45n80c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXKN45N80C Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+77.82 EUR
10+76.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M.pdf
IXKP20N60C5M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34
IXKP24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR25N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A9C35AC94E78BF&compId=IXKR25N80C.pdf?ci_sign=d4d0a062d2af329a2a082f1126544ec91bfbf883
IXKR25N80C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR40N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC77B820&compId=IXKR40N60C.pdf?ci_sign=104b76148751e40a577e85eeb9a613f84e954190
IXKR40N60C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab
IXKR47N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.75 EUR
30+21.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKT70N60C5
Hersteller: IXYS
IXKT70N60C5 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXLF19N250A
Hersteller: IXYS
IXLF19N250A THT IGBT transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+81.8 EUR
2+52.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA02N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e
Hersteller: IXYS
IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.44 EUR
7+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f
IXTA05N100
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f
IXTA05N100HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
18+4.09 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
50+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA06N120P IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA06N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTA08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.49 EUR
31+2.33 EUR
33+2.2 EUR
100+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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