Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXGR72N60B3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 200W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Turn-on time: 63ns Turn-off time: 370ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGT10N170 | IXYS |
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IXGT10N170A | IXYS |
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IXGT16N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 16A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 90ns Turn-off time: 1.6µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 78nC Technology: NPT Mounting: SMD Case: TO268 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGT16N170A | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 11A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 35ns Turn-off time: 298ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 70nC Technology: NPT Mounting: SMD Case: TO268 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGT16N170AH1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 11A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 35ns Turn-off time: 298ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 70nC Technology: NPT Mounting: SMD Case: TO268 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGT24N170 | IXYS |
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IXGT24N170A | IXYS |
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IXGT25N160 | IXYS |
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IXGT30N120B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGT32N120A3 | IXYS |
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IXGT32N170 | IXYS |
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IXGT32N170A | IXYS |
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IXGT60N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGT6N170 | IXYS |
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IXGT6N170A | IXYS |
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IXGT6N170AHV | IXYS |
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IXGT72N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 540W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-off time: 885ns Technology: GenX3™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 72A Pulsed collector current: 400A Turn-on time: 61ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGX100N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 100A Power dissipation: 830W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mounting: THT Gate charge: 425nC Kind of package: tube Turn-on time: 285ns Turn-off time: 720ns Features of semiconductor devices: high voltage Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGX120N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 120A Power dissipation: 830W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mounting: THT Gate charge: 420nC Kind of package: tube Turn-on time: 105ns Turn-off time: 1365ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGX120N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 120A Power dissipation: 830W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 370A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 122ns Turn-off time: 885ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGX120N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 120A Power dissipation: 780W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mounting: THT Gate charge: 450nC Kind of package: tube Turn-on time: 123ns Turn-off time: 830ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGX320N60B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 1.7kW Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 585nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 320A Pulsed collector current: 1.2kA Turn-on time: 107ns Turn-off time: 595ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGX50N120C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™ Mounting: THT Case: PLUS247™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 240A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 485ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 460W Kind of package: tube Gate charge: 196nC Technology: GenX3™; PT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGX55N120A3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™ Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 460W Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: GenX3™; PT Case: PLUS247™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 55A Pulsed collector current: 400A Turn-on time: 70ns Turn-off time: 1253ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGX72N60A3H1 | IXYS |
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IXGX72N60C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Power dissipation: 540W Case: PLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 174nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 72A Pulsed collector current: 360A Turn-on time: 62ns Turn-off time: 244ns Technology: GenX3™; PT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGX82N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 82A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 580A Mounting: THT Gate charge: 340nC Kind of package: tube Turn-on time: 109ns Turn-off time: 1.59µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGX82N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 82A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 500A Mounting: THT Gate charge: 0.35µC Kind of package: tube Turn-on time: 112ns Turn-off time: 760ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXHH40N150HV | IXYS |
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IXHX40N150V1HV | IXYS |
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IXKC15N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKC19N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Reverse recovery time: 430ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKC23N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 147W Case: ISOPLUS220™ On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKC25N80C | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 550ns Gate charge: 180nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKC40N60C | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 800ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKF40N60SCD1 | IXYS |
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IXKH20N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Features of semiconductor devices: super junction coolmos Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXKH24N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKH30N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 310W Features of semiconductor devices: super junction coolmos Gate charge: 53nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKH35N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Gate charge: 60nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKH47N60C | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKH70N60C5 | IXYS | IXKH70N60C5 THT N channel transistors |
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IXKK85N60C | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 85A Power dissipation: 694W Case: TO264 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKN40N60C | IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 290W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Gate charge: 250nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 650ns Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKN45N80C | IXYS |
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IXKN75N60C | IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 560W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 580ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXKP20N60C5M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Reverse recovery time: 340ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKP24N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO220AB On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKP24N60C5M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Reverse recovery time: 390ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKR25N80C | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Power dissipation: 250W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 180nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKR40N60C | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 280W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Reverse recovery time: 650ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXKR47N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXKT70N60C5 | IXYS | IXKT70N60C5 SMD N channel transistors |
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IXLF19N250A | IXYS | IXLF19N250A THT IGBT transistors |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA02N250HV | IXYS |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA05N100 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A Power dissipation: 40W Case: TO263 On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 710ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA05N100HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A Power dissipation: 40W Case: TO263HV On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 710ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA06N120P | IXYS |
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IXTA08N100D2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO263 On-state resistance: 21Ω Mounting: SMD Gate charge: 325nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
IXGR72N60B3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT10N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT10N170 SMD IGBT transistors
IXGT10N170 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT10N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT10N170A SMD IGBT transistors
IXGT10N170A SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT16N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT16N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT16N170AH1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXGT24N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT24N170 SMD IGBT transistors
IXGT24N170 SMD IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGT24N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT24N170A SMD IGBT transistors
IXGT24N170A SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT25N160 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT25N160 SMD IGBT transistors
IXGT25N160 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT30N120B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGT32N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGT32N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT32N170 SMD IGBT transistors
IXGT32N170 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT32N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT32N170A SMD IGBT transistors
IXGT32N170A SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT60N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.05 EUR |
12+ | 6.06 EUR |
30+ | 5.98 EUR |
IXGT6N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT6N170 SMD IGBT transistors
IXGT6N170 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT6N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT6N170A SMD IGBT transistors
IXGT6N170A SMD IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGT6N170AHV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGT6N170AHV SMD IGBT transistors
IXGT6N170AHV SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT72N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.8 EUR |
7+ | 10.57 EUR |
8+ | 10 EUR |
IXGX100N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGX120N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGX120N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGX120N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGX320N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
2+ | 35.75 EUR |
3+ | 26.1 EUR |
30+ | 25.68 EUR |
IXGX50N120C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGX55N120A3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGX72N60A3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGX72N60A3H1 THT IGBT transistors
IXGX72N60A3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGX72N60C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGX82N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 580A
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 1.59µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 580A
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 1.59µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGX82N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 500A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 112ns
Turn-off time: 760ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 500A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 112ns
Turn-off time: 760ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXHH40N150HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXHH40N150HV SMD/THT thyristors
IXHH40N150HV SMD/THT thyristors
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IXHX40N150V1HV |
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Hersteller: IXYS
IXHX40N150V1HV SMD/THT thyristors
IXHX40N150V1HV SMD/THT thyristors
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IXKC15N60C5 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKC19N60C5 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKC23N60C5 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: ISOPLUS220™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: ISOPLUS220™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKC25N80C |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 550ns
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 550ns
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKC40N60C | ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXKF40N60SCD1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXKF40N60SCD1 THT N channel transistors
IXKF40N60SCD1 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXKH20N60C5 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 8.58 EUR |
12+ | 6.15 EUR |
13+ | 5.82 EUR |
IXKH24N60C5 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXKH30N60C5 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXKH35N60C5 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 60nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 60nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXKH47N60C |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXKH70N60C5 |
Hersteller: IXYS
IXKH70N60C5 THT N channel transistors
IXKH70N60C5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXKK85N60C |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXKN40N60C |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 650ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 650ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXKN45N80C |
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Hersteller: IXYS
IXKN45N80C Transistor modules MOSFET
IXKN45N80C Transistor modules MOSFET
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Stück im Wert von UAH
IXKN75N60C |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 77.82 EUR |
10+ | 76.62 EUR |
IXKP20N60C5M |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXKP24N60C5 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXKP24N60C5M |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXKR25N80C |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXKR40N60C |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXKR47N60C5 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 21.75 EUR |
30+ | 21.05 EUR |
IXKT70N60C5 |
Hersteller: IXYS
IXKT70N60C5 SMD N channel transistors
IXKT70N60C5 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXLF19N250A |
Hersteller: IXYS
IXLF19N250A THT IGBT transistors
IXLF19N250A THT IGBT transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 81.8 EUR |
2+ | 52.57 EUR |
IXTA02N250HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTA02N250HV SMD N channel transistors
IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.44 EUR |
7+ | 10.54 EUR |
IXTA05N100 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA05N100HV |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.42 EUR |
18+ | 4.09 EUR |
21+ | 3.53 EUR |
22+ | 3.35 EUR |
50+ | 3.33 EUR |
IXTA06N120P |
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Hersteller: IXYS
IXTA06N120P SMD N channel transistors
IXTA06N120P SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTA08N100D2 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.49 EUR |
31+ | 2.33 EUR |
33+ | 2.2 EUR |
100+ | 2.12 EUR |