Produkte > IXYS > Alle Produkte des Herstellers IXYS (15715) > Seite 245 nach 262

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 260 262  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.08 EUR
7+11.8 EUR
10+10.42 EUR
30+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220 IXTQ50N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.62 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
510+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.35 EUR
13+5.76 EUR
14+5.45 EUR
2010+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTQ52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.76 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
60+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.38 EUR
16+4.76 EUR
30+4.22 EUR
120+3.55 EUR
510+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94 IXTQ76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.72 EUR
14+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N30P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9217C088-31F7-40FF-AEF6-3D755C2C3250&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-88N30P-Datasheet.PDF IXTQ88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.44 EUR
7+10.8 EUR
8+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR20P50P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=DAA3BA6C-C1EF-4896-9BC4-9E7B14CF2FF6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR20P50P-Datasheet.PDF IXTR20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.87 EUR
10+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR210P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr210p10t_datasheet.pdf.pdf IXTR210P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+44.62 EUR
3+33.16 EUR
30+33.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR36P15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr36p15p_datasheet.pdf.pdf IXTR36P15P THT P channel transistors
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.9 EUR
13+5.53 EUR
14+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTR40P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+30.03 EUR
6+13.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR48P20P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR48P20P-Datasheet.PDF?assetguid=B87E3A50-EF94-4FF7-A731-EE21735ACBE0 IXTR48P20P THT P channel transistors
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.87 EUR
10+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR90P20P IXTR90P20P IXYS IXTR90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT02N450HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3 IXTT02N450HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.3 EUR
30+28.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS IXT_16P60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.06 EUR
10+11.37 EUR
30+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 IXTT170N10P SMD N channel transistors
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.39 EUR
7+10.45 EUR
120+10.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT24P20 IXYS DS98769GIXTHIXTT24P20.pdf IXTT24P20 SMD P channel transistors
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.73 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.47 EUR
10+9.4 EUR
30+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT68P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf IXTT68P20T SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.62 EUR
5+17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT75N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf IXTT75N10L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
30+16.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTT82N25P SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXTT88N30P SMD N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
30+12.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT8P50 IXYS 94534.pdf IXTT8P50 SMD P channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.35 EUR
9+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTU4N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.33 EUR
35+2.1 EUR
36+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTU8N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.45 EUR
29+2.55 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120P20T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf IXTX120P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+40.47 EUR
3+28.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10T IXYS IXTX210P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.31 EUR
3+30.77 EUR
30+29.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150L IXTX8N150L IXYS IXTK(X)8N150L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+40.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS IXT_90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100-datasheet?assetguid=ca4a4953-c354-4601-9187-3763cc42151f IXTY01N100 SMD N channel transistors
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.65 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.66 EUR
18+3.98 EUR
20+3.59 EUR
25+3.09 EUR
50+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY18P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 IXTY18P10T SMD P channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.31 EUR
23+3.13 EUR
25+2.96 EUR
70+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N120P IXYS IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf IXTY1N120P SMD N channel transistors
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.68 EUR
29+2.47 EUR
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.31 EUR
25+2.86 EUR
27+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.62 EUR
25+2.86 EUR
27+2.7 EUR
140+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N50P IXYS 99200.pdf IXTY3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.23 EUR
35+2.04 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=6F632209-E987-45D8-BD19-71A9B1E1ECDC&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-44N10T-Datasheet.PDF IXTY44N10T SMD N channel transistors
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
70+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.9 EUR
24+3.02 EUR
27+2.65 EUR
70+1.93 EUR
140+1.79 EUR
560+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.84 EUR
6+12.43 EUR
10+10.88 EUR
30+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.32 EUR
10+13.38 EUR
30+12.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.35 EUR
11+6.62 EUR
13+5.85 EUR
30+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.35 EUR
11+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS IXXH40N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.89 EUR
12+6.21 EUR
14+5.48 EUR
30+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS IXXH60N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.65 EUR
10+7.78 EUR
11+6.88 EUR
30+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.57 EUR
6+14.16 EUR
10+12.47 EUR
30+11.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXYS IXXH80N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.65 EUR
10+7.86 EUR
30+6.08 EUR
120+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.22 EUR
5+23.08 EUR
10+20.82 EUR
25+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.27 EUR
10+21.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.19 EUR
25+2.89 EUR
29+2.53 EUR
50+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
20+3.65 EUR
23+3.23 EUR
50+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXyH100N65C3 IXYS DS100561BIXYH100N65C3.pdf IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.7 EUR
7+11.04 EUR
120+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH20N120C3D1 IXYS DS100485BIXYH20N120C3D1.pdf IXYH20N120C3D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.18 EUR
7+10.77 EUR
8+10.18 EUR
120+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1 IXYS DS100441AIXYH40N90C3D1.pdf IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.87 EUR
8+9.15 EUR
9+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 IXYS IXYH50N120C3d1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.44 EUR
6+14.29 EUR
10+13.64 EUR
30+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.38 EUR
7+11.14 EUR
10+9.85 EUR
30+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.63 EUR
9+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CHV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n250chv-datasheet?assetguid=78ea8f5b-1880-4f0f-b0fa-520bc5357c4b IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.04 EUR
3+24.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120C3 IXYS DS100451BIXYKX120N120C3.pdf IXYK120N120C3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+49.19 EUR
3+31.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3H1 IXYS littelfusediscreteigbtsxptixyn100n120c3h1data.pdf IXYN100N120C3H1 IGBT modules
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+87.09 EUR
2+56.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.08 EUR
7+11.8 EUR
10+10.42 EUR
30+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220
Hersteller: IXYS
IXTQ50N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.62 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
510+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.35 EUR
13+5.76 EUR
14+5.45 EUR
2010+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Hersteller: IXYS
IXTQ52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.76 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
60+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTQ60N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.38 EUR
16+4.76 EUR
30+4.22 EUR
120+3.55 EUR
510+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94
Hersteller: IXYS
IXTQ76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.72 EUR
14+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N30P media?resourcetype=datasheets&itemid=9217C088-31F7-40FF-AEF6-3D755C2C3250&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-88N30P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTQ88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.44 EUR
7+10.8 EUR
8+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR20P50P media?resourcetype=datasheets&itemid=DAA3BA6C-C1EF-4896-9BC4-9E7B14CF2FF6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR20P50P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTR20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.87 EUR
10+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR210P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr210p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTR210P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.62 EUR
3+33.16 EUR
30+33.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR36P15P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr36p15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTR36P15P THT P channel transistors
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.9 EUR
13+5.53 EUR
14+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr40p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTR40P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+30.03 EUR
6+13.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR48P20P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR48P20P-Datasheet.PDF?assetguid=B87E3A50-EF94-4FF7-A731-EE21735ACBE0
Hersteller: IXYS
IXTR48P20P THT P channel transistors
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.87 EUR
10+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR90P20P IXTR90P20P.pdf
IXTR90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT02N450HV littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3
Hersteller: IXYS
IXTT02N450HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.3 EUR
30+28.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60P IXT_16P60P.pdf
IXTT16P60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.06 EUR
10+11.37 EUR
30+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Hersteller: IXYS
IXTT170N10P SMD N channel transistors
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.39 EUR
7+10.45 EUR
120+10.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT24P20 DS98769GIXTHIXTT24P20.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT24P20 SMD P channel transistors
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.73 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT50P10 IXT_50P10.pdf
IXTT50P10
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.47 EUR
10+9.4 EUR
30+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT68P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT68P20T SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.62 EUR
5+17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT75N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT75N10L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
30+16.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT82N25P SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT88N30P SMD N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
30+12.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT8P50 94534.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT8P50 SMD P channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.35 EUR
9+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTU4N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.33 EUR
35+2.1 EUR
36+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTU8N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.45 EUR
29+2.55 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120P20T media?resourcetype=datasheets&itemid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX120P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+40.47 EUR
3+28.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10T
Hersteller: IXYS
IXTX210P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.31 EUR
3+30.77 EUR
30+29.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150L IXTK(X)8N150L.pdf
IXTX8N150L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+40.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20P IXT_90P20P.pdf
IXTX90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100-datasheet?assetguid=ca4a4953-c354-4601-9187-3763cc42151f
Hersteller: IXYS
IXTY01N100 SMD N channel transistors
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTY08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.66 EUR
18+3.98 EUR
20+3.59 EUR
25+3.09 EUR
50+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY18P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
Hersteller: IXYS
IXTY18P10T SMD P channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.31 EUR
23+3.13 EUR
25+2.96 EUR
70+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N120P IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1N120P SMD N channel transistors
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.68 EUR
29+2.47 EUR
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.31 EUR
25+2.86 EUR
27+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Hersteller: IXYS
IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
25+2.86 EUR
27+2.7 EUR
140+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N50P 99200.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.23 EUR
35+2.04 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10T media?resourcetype=datasheets&itemid=6F632209-E987-45D8-BD19-71A9B1E1ECDC&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-44N10T-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTY44N10T SMD N channel transistors
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
70+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.9 EUR
24+3.02 EUR
27+2.65 EUR
70+1.93 EUR
140+1.79 EUR
560+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.84 EUR
6+12.43 EUR
10+10.88 EUR
30+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.32 EUR
10+13.38 EUR
30+12.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.35 EUR
11+6.62 EUR
13+5.85 EUR
30+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.35 EUR
11+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4.pdf
IXXH40N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.89 EUR
12+6.21 EUR
14+5.48 EUR
30+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4.pdf
IXXH60N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.65 EUR
10+7.78 EUR
11+6.88 EUR
30+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 536W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 86nC
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.57 EUR
6+14.16 EUR
10+12.47 EUR
30+11.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4.pdf
IXXH80N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.65 EUR
10+7.86 EUR
30+6.08 EUR
120+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.22 EUR
5+23.08 EUR
10+20.82 EUR
25+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXK160N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 940W
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.27 EUR
10+21.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
25+2.89 EUR
29+2.53 EUR
50+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYA20N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
20+3.65 EUR
23+3.23 EUR
50+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXyH100N65C3 DS100561BIXYH100N65C3.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.7 EUR
7+11.04 EUR
120+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH20N120C3D1 DS100485BIXYH20N120C3D1.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH20N120C3D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.18 EUR
7+10.77 EUR
8+10.18 EUR
120+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1 DS100441AIXYH40N90C3D1.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.87 EUR
8+9.15 EUR
9+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3d1.pdf
IXYH50N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.44 EUR
6+14.29 EUR
10+13.64 EUR
30+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.38 EUR
7+11.14 EUR
10+9.85 EUR
30+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.63 EUR
9+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CHV littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n250chv-datasheet?assetguid=78ea8f5b-1880-4f0f-b0fa-520bc5357c4b
Hersteller: IXYS
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.04 EUR
3+24.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120C3 DS100451BIXYKX120N120C3.pdf
Hersteller: IXYS
IXYK120N120C3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+49.19 EUR
3+31.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3H1 littelfusediscreteigbtsxptixyn100n120c3h1data.pdf
Hersteller: IXYS
IXYN100N120C3H1 IGBT modules
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+87.09 EUR
2+56.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 260 262  [ Nächste Seite >> ]