Produkte > IXYS > Alle Produkte des Herstellers IXYS (18029) > Seite 245 nach 301

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 270 300 301  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXKH47N60C IXYS IXKH47N60C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5 IXYS IXKH70N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKK85N60C IXKK85N60C IXYS IXKK85N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN40N60C IXKN40N60C IXYS IXKN40N60C.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 650ns
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN45N80C IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkn45n80c_datasheet.pdf.pdf IXKN45N80C Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS IXKN75N60C-DTE.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 580ns
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+77.82 EUR
10+76.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M IXYS IXKP20N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR25N80C IXKR25N80C IXYS IXKR25N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR40N60C IXKR40N60C IXYS IXKR40N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.92 EUR
4+23.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKT70N60C5 IXKT70N60C5 IXYS IXKT70N60C5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXLF19N250A IXLF19N250A IXYS IXLF19N250A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 19A; 250W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 19A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 0.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA02N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.44 EUR
7+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100 IXTA05N100 IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV IXTA05N100HV IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.93 EUR
17+4.45 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA06N120P IXYS IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf IXTA06N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta08n100d2hv_datasheet.pdf.pdf IXTA08N100D2HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100P IXYS DS99865D(IXTY-TA-TP08N100P).pdf IXTA08N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf IXTA08N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N50D2 IXTA08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA100N04T2 IXTA100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Reverse recovery time: 34ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTA10P50P SMD P channel transistors
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.25 EUR
13+5.55 EUR
14+5.25 EUR
250+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA110N055T2 IXTA110N055T2 IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA110N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_110n12t2_datasheet.pdf.pdf IXTA110N12T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTA120N04T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120N075T2 IXTA120N075T2 IXYS IXTA(P)120N075T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.30 EUR
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.42 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA12N50P IXTA12N50P IXYS IXTA12N50P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA12N65X2 IXTA12N65X2 IXYS IXT_12N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb IXTA130N10T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb IXTA130N10T-TRL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T7 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta130n10t7_datasheet.pdf.pdf IXTA130N10T7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA140N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf IXTA140N12T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
10+7.15 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA140P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21 IXTA140P05T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA14N60P IXYS a IXTA14N60P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA15N50L2 IXTA15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA15P15T IXYS DS100292A(IXTA-TP-TY15P15T).pdf IXTA15P15T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA160N04T2 IXTA160N04T2 IXYS IXTA(P)160N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA16N50P IXTA16N50P IXYS IXTP16N50P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA170N075T2 IXYS 99970A.pdf IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
24+3.00 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA180N10T IXTA180N10T IXYS IXTA(P)180N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.4mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 151nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.38 EUR
16+4.50 EUR
100+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA18P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_18p10t_datasheet.pdf.pdf IXTA18P10T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf IXTA1N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1N120P IXYS IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf IXTA1N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1N170DHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf IXTA1N170DHV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1N200P3HV IXTA1N200P3HV IXYS IXTA(H)1N200P3HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf IXTA1R4N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf IXTA1R4N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf IXTA1R6N100D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R6N100D2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta1r6n100d2hv-datasheet?assetguid=72c96f31-df09-45e8-9450-80791f14873c IXTA1R6N100D2HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTA1R6N50D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA200N055T2 IXTA200N055T2 IXYS IXTA(P)200N055T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Reverse recovery time: 49ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X IXTA20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X2 IXTA20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.45 EUR
13+5.81 EUR
16+4.62 EUR
17+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA220N04T2 IXYS 99918B.pdf IXTA220N04T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA220N04T2-7 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta220n04t2-7_datasheet.pdf.pdf IXTA220N04T2-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA230N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTA230N04T4 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH47N60C
Hersteller: IXYS
IXKH47N60C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5.pdf
IXKH70N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKK85N60C IXKK85N60C.pdf
IXKK85N60C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN40N60C IXKN40N60C.pdf
IXKN40N60C
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 650ns
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN45N80C littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkn45n80c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXKN45N80C Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN75N60C IXKN75N60C-DTE.pdf
IXKN75N60C
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 580ns
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+77.82 EUR
10+76.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M.pdf
IXKP20N60C5M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKP24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR25N80C IXKR25N80C.pdf
IXKR25N80C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR40N60C IXKR40N60C.pdf
IXKR40N60C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5.pdf
IXKR47N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.92 EUR
4+23.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKT70N60C5 IXKT70N60C5.pdf
IXKT70N60C5
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXLF19N250A IXLF19N250A.pdf
IXLF19N250A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 19A; 250W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 19A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 0.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA02N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e
Hersteller: IXYS
IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.44 EUR
7+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100 IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTA05N100
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTA05N100HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.93 EUR
17+4.45 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA06N120P IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA06N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTA08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta08n100d2hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA08N100D2HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100P DS99865D(IXTY-TA-TP08N100P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA08N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA08N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTA08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTA100N04T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Reverse recovery time: 34ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA10P50P SMD P channel transistors
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.25 EUR
13+5.55 EUR
14+5.25 EUR
250+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA110N055T2 IXTA(P)110N055T2.pdf
IXTA110N055T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA110N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_110n12t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA110N12T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA120N04T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120N075T2 IXTA(P)120N075T2.pdf
IXTA120N075T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.30 EUR
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTA120P065T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.42 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA12N50P IXTA12N50P-DTE.pdf
IXTA12N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA12N65X2 IXT_12N65X2.pdf
IXTA12N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb
Hersteller: IXYS
IXTA130N10T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb
Hersteller: IXYS
IXTA130N10T-TRL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T7 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta130n10t7_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA130N10T7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA140N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA140N12T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
10+7.15 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA140P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
Hersteller: IXYS
IXTA140P05T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA14N60P a
Hersteller: IXYS
IXTA14N60P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTA15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA15P15T DS100292A(IXTA-TP-TY15P15T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA15P15T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA160N04T2 IXTA(P)160N04T2.pdf
IXTA160N04T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA16N50P IXTP16N50P-DTE.pdf
IXTA16N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA170N075T2 99970A.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
24+3.00 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA180N10T IXTA(P)180N10T.pdf
IXTA180N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.4mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 151nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.38 EUR
16+4.50 EUR
100+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA18P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_18p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA18P10T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA1N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1N120P IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA1N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1N170DHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA1N170DHV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1N200P3HV IXTA(H)1N200P3HV.pdf
IXTA1N200P3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA1R4N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA1R4N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA1R6N100D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R6N100D2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta1r6n100d2hv-datasheet?assetguid=72c96f31-df09-45e8-9450-80791f14873c
Hersteller: IXYS
IXTA1R6N100D2HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Hersteller: IXYS
IXTA1R6N50D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA200N055T2 IXTA(P)200N055T2.pdf
IXTA200N055T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Reverse recovery time: 49ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTA20N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.45 EUR
13+5.81 EUR
16+4.62 EUR
17+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA220N04T2 99918B.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA220N04T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA220N04T2-7 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta220n04t2-7_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA220N04T2-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA230N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA230N04T4 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 270 300 301  [ Nächste Seite >> ]