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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFX240N25X3 IXYS IXFX240N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX24N100Q3 IXFX24N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCD172354D3820&compId=IXFK(X)24N100Q3.pdf?ci_sign=d4b7827559308d1b5d73efbdd785ff703ce77315 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX250N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_250n10p_datasheet.pdf.pdf IXFX250N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX26N100P IXFX26N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED0210783C38BF&compId=IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf?ci_sign=e3bbcbcc0f83667d3f1a627314a9d5c5be08eed7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX26N120P IXFX26N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28579882FBC9820&compId=IXFK(X)26N120P.pdf?ci_sign=b487e0c929a7e7b9a742cefa0bc697ee9564f6a4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.75 EUR
4+23.39 EUR
30+23.09 EUR
120+22.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX300N20X3 IXFX300N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB1B71634818BF&compId=IXF_300N20X3.pdf?ci_sign=d7ceaf98ba04f28d6cca73c11a6a109100fa462b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.39 EUR
10+31.32 EUR
30+31.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX320N17T2 IXYS IXFX320N17T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N100P IXFX32N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC1DC4FAEC1820&compId=IXFK(X)32N100P.pdf?ci_sign=d4d0595112cc0bc4e87edb1f70eff260601fd64c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N100Q3 IXFX32N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A93A81055778BF&compId=IXF_32N100Q3.pdf?ci_sign=e4e37fba8c821b262a57b3694710db983ba811c8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N80P IXYS IXFX32N80P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N80Q3 IXYS IXFX32N80Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N90P IXFX32N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX34N80 IXFX34N80 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=3302272A-7358-4244-BB39-82582CDD4564 IXFX360N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.3 EUR
6+12.4 EUR
7+11.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N15T2 IXYS IXFX360N15T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX400N15X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e IXFX400N15X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX40N90P IXYS IXFX40N90P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX420N10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-420N10T-Datasheet.PDF?assetguid=66E9EFFA-EA29-41CF-B69F-2D3D50A2CD8A IXFX420N10T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N60 IXYS 98611.pdf IXFX44N60 THT N channel transistors
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IXFX44N80P IXFX44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N80Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80q3_datasheet.pdf.pdf IXFX44N80Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX48N60P IXFX48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 48A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX48N60Q3 IXYS IXFX48N60Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX520N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56 IXFX520N075T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX55N50 IXFX55N50 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A95C294BFDB8BF&compId=IXFX50N50_IXFX55N50.pdf?ci_sign=9823f069cf4013329e963cbfdae0e3ff065e6ff0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N50P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C IXFX64N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N50Q3 IXYS IXFX64N50Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P IXYS 99442.pdf IXFX64N60P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P3 IXYS IXFX64N60P3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX66N85X IXYS IXFX66N85X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX74N50P2 IXYS IXFX74N50P2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX78N50P3 IXFX78N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N50P IXYS IXFX80N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N50Q3 IXYS IXFX80N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N60P3 IXFX80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX90N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf IXFX90N60X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX94N50P2 IXYS IXFX94N50P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.25 EUR
5+15.62 EUR
120+15.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY26N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.02 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3 IXYS IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.98 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
2030+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
16+4.46 EUR
70+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ140N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC69D820&compId=IXFZ140N25T.pdf?ci_sign=952f429967276dca1a61b9a4cdcb8892aedde274 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 445W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 445W
Case: DE475
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFZ520N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6B5820&compId=IXFZ520N075T2.pdf?ci_sign=26fb6a6e5211b58faa65984db5ccbca3e0448fe4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 420A; 600W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 420A
Power dissipation: 600W
Case: DE475
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXG70IF1200NA IXYS IXG70IF1200NA IGBT modules
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IXGA12N120A3 IXGA12N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB6BEF0478F820&compId=IXGA(p%2Ch)12N120A3.pdf?ci_sign=7ff57f903aa71d4892f3c9c90fda1c4b6514c180 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGA20N120B3 IXGA20N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGA24N120C3 IXGA24N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5CADD2F75820&compId=IXGA(H%2CP)24N120C3.pdf?ci_sign=785f3a362f18759e260d7ef53ed0e9570b89a777 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Case: TO263
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGA30N120B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 IXGA30N120B3 SMD IGBT transistors
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IXGA42N30C3 IXYS DS99885B(IXGA-H-P42N30C3).pdf IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
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IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.32 EUR
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IXGF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf20n300_datasheet.pdf.pdf IXGF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+84.08 EUR
2+51.98 EUR
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IXGF32N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf IXGF32N170 THT IGBT transistors
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IXGH10N170 IXGH10N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAED5175596B820&compId=IXGH(t)10N170.pdf?ci_sign=3b7d3b6c182f8b0f27b026b278621c2bcff2c55b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 630ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH10N170A IXGH10N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
30+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30b3_datasheet.pdf.pdf IXGH120N30B3 THT IGBT transistors
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IXFX240N25X3
Hersteller: IXYS
IXFX240N25X3 THT N channel transistors
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IXFX24N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCD172354D3820&compId=IXFK(X)24N100Q3.pdf?ci_sign=d4b7827559308d1b5d73efbdd785ff703ce77315
IXFX24N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFX250N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_250n10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX250N10P THT N channel transistors
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IXFX26N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED0210783C38BF&compId=IXFK26N100P_IXFX26N100P.pdf?ci_sign=e3bbcbcc0f83667d3f1a627314a9d5c5be08eed7
IXFX26N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX26N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28579882FBC9820&compId=IXFK(X)26N120P.pdf?ci_sign=b487e0c929a7e7b9a742cefa0bc697ee9564f6a4
IXFX26N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX27N80Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd
IXFX27N80Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.75 EUR
4+23.39 EUR
30+23.09 EUR
120+22.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFX300N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB1B71634818BF&compId=IXF_300N20X3.pdf?ci_sign=d7ceaf98ba04f28d6cca73c11a6a109100fa462b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFX300N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.39 EUR
10+31.32 EUR
30+31.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX320N17T2
Hersteller: IXYS
IXFX320N17T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC1DC4FAEC1820&compId=IXFK(X)32N100P.pdf?ci_sign=d4d0595112cc0bc4e87edb1f70eff260601fd64c
IXFX32N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A93A81055778BF&compId=IXF_32N100Q3.pdf?ci_sign=e4e37fba8c821b262a57b3694710db983ba811c8
IXFX32N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N80P
Hersteller: IXYS
IXFX32N80P THT N channel transistors
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IXFX32N80Q3
Hersteller: IXYS
IXFX32N80Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5
IXFX32N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX34N80 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0
IXFX34N80
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N10T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=3302272A-7358-4244-BB39-82582CDD4564
Hersteller: IXYS
IXFX360N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.3 EUR
6+12.4 EUR
7+11.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N15T2
Hersteller: IXYS
IXFX360N15T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX400N15X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e
Hersteller: IXYS
IXFX400N15X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFX40N90P
Hersteller: IXYS
IXFX40N90P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFX420N10T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-420N10T-Datasheet.PDF?assetguid=66E9EFFA-EA29-41CF-B69F-2D3D50A2CD8A
Hersteller: IXYS
IXFX420N10T THT N channel transistors
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IXFX44N60 98611.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX44N60 THT N channel transistors
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IXFX44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFX44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N80Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX44N80Q3 THT N channel transistors
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IXFX48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFX48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 48A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFX48N60Q3
Hersteller: IXYS
IXFX48N60Q3 THT N channel transistors
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IXFX520N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56
Hersteller: IXYS
IXFX520N075T2 THT N channel transistors
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IXFX55N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A95C294BFDB8BF&compId=IXFX50N50_IXFX55N50.pdf?ci_sign=9823f069cf4013329e963cbfdae0e3ff065e6ff0
IXFX55N50
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFX64N50P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C
Hersteller: IXYS
IXFX64N50P THT N channel transistors
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IXFX64N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFX64N50Q3 THT N channel transistors
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IXFX64N60P 99442.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX64N60P THT N channel transistors
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IXFX64N60P3
Hersteller: IXYS
IXFX64N60P3 THT N channel transistors
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IXFX66N85X
Hersteller: IXYS
IXFX66N85X THT N channel transistors
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IXFX74N50P2
Hersteller: IXYS
IXFX74N50P2 THT N channel transistors
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IXFX78N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434
IXFX78N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX80N50P
Hersteller: IXYS
IXFX80N50P THT N channel transistors
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IXFX80N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFX80N50Q3 THT N channel transistors
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IXFX80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f
IXFX80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX90N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX90N60X THT N channel transistors
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IXFX94N50P2
Hersteller: IXYS
IXFX94N50P2 THT N channel transistors
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IXFX98N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32
IXFX98N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.25 EUR
5+15.62 EUR
120+15.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFY26N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.02 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3
Hersteller: IXYS
IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.98 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
2030+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
16+4.46 EUR
70+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ140N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC69D820&compId=IXFZ140N25T.pdf?ci_sign=952f429967276dca1a61b9a4cdcb8892aedde274
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 445W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 445W
Case: DE475
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ520N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6B5820&compId=IXFZ520N075T2.pdf?ci_sign=26fb6a6e5211b58faa65984db5ccbca3e0448fe4
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 420A; 600W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 420A
Power dissipation: 600W
Case: DE475
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXG70IF1200NA
Hersteller: IXYS
IXG70IF1200NA IGBT modules
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IXGA12N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB6BEF0478F820&compId=IXGA(p%2Ch)12N120A3.pdf?ci_sign=7ff57f903aa71d4892f3c9c90fda1c4b6514c180
IXGA12N120A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGA20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGA20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f
IXGA20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA24N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5CADD2F75820&compId=IXGA(H%2CP)24N120C3.pdf?ci_sign=785f3a362f18759e260d7ef53ed0e9570b89a777
IXGA24N120C3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Case: TO263
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64
Hersteller: IXYS
IXGA30N120B3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA42N30C3 DS99885B(IXGA-H-P42N30C3).pdf
Hersteller: IXYS
IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGF20N300 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf20n300_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+84.08 EUR
2+51.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGF32N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGF32N170 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH10N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAED5175596B820&compId=IXGH(t)10N170.pdf?ci_sign=3b7d3b6c182f8b0f27b026b278621c2bcff2c55b
IXGH10N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 630ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH10N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252
IXGH10N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
30+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30B3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH120N30B3 THT IGBT transistors
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