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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXGT6N170AHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgt6n170ahv_datasheet.pdf.pdf IXGT6N170AHV SMD IGBT transistors
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IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.80 EUR
7+10.57 EUR
8+10.00 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX100N170 IXGX100N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0A6DAFB799820&compId=IXGK(X)100N170.pdf?ci_sign=c8053da6d72a2c79586ce8a850d84b1d66a7da31 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N120A3 IXGX120N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE298DEDCD820&compId=IXGK(x)120N120A3.pdf?ci_sign=c7a8186a489035ec0ead3df55bd4f31bb6ed73dd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N120B3 IXGX120N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE7EA92E47820&compId=IXGK(x)120N120B3.pdf?ci_sign=66d03d7a35e3abfe1e2dfa50266727cc891d888d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB7481B6FA7820&compId=IXGX120N60A3.pdf?ci_sign=7c6c1f981d719adcb00100c5b7522dd0575ab8b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3FAC0877D7820&compId=IXGK(x)320N60B3.pdf?ci_sign=7f3fb659fb9326cceb8b246edbd061c9df14d441 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.10 EUR
30+25.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N120C3H1 IXGX50N120C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD2F4A1BC0B820&compId=IXGK(X)50N120C3H1.pdf?ci_sign=61c063dc7fba9e54ef68ca4e62646d9c16039893 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX55N120A3H1 IXGX55N120A3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX72N60A3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_72n60a3h1_datasheet.pdf.pdf IXGX72N60A3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX72N60C3H1 IXGX72N60C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB0E62FFAC9820&compId=IXGX72N60C3H1.pdf?ci_sign=cac8206ee321d338a1e80ece5d0032b45e4a91ee Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX82N120A3 IXGX82N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADA05B5A3C9820&compId=IXGK(x)82N120A3.pdf?ci_sign=fbc08b8c0cc6e5d5e4e3183ea9feaad9775fef7e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 580A
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 1.59µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX82N120B3 IXGX82N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADACC6D023B820&compId=IXGK(X)82N120B3.pdf?ci_sign=75c1b8b5a55f15b387c90edf021e550502773e93 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 500A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 112ns
Turn-off time: 760ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXHH40N150HV IXHH40N150HV IXYS IXHH40N150HV.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; TO247HV; THT; tube; 7.6kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: TO247HV
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 7.6kA
Features of semiconductor devices: MOS-gated thyristor (MGT)
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXHX40N150V1HV IXHX40N150V1HV IXYS IXHX40N150V1HV.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; TO247PLUS-HV; THT; tube; 7.6kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: TO247PLUS-HV
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 7.6kA
Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT)
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC15N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC19N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC23N60C5 IXKC23N60C5 IXYS IXKC23N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Case: ISOPLUS220™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Power dissipation: 147W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC25N80C IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc25n80c_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 550ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC40N60C IXYS description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKF40N60SCD1 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkf40n60scd1_datasheet.pdf.pdf IXKF40N60SCD1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6F7820&compId=IXK(H)20N60C5.pdf?ci_sign=c65d3b92b0e7d2e519176033758644dd7791b0c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.58 EUR
12+6.15 EUR
13+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH30N60C5 IXKH30N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC70D820&compId=IXKH30N60C5.pdf?ci_sign=8051dd0ea17db6300c6cf149e84768e208bbb789 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH35N60C5 IXKH35N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC723820&compId=IXKH35N60C5.pdf?ci_sign=677b8d3db43cba52c4ebd7ef4e22bc33c3c7302c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH47N60C IXKH47N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC739820&compId=IXKH47N60C.pdf?ci_sign=43bb435c43c10b1bc34c0027e601cdcadb46f0c7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5 IXYS IXKH70N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKK85N60C IXKK85N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC765820&compId=IXKK85N60C.pdf?ci_sign=45f48f1ec514485461df7d7e3f166714c6045391 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN40N60C IXKN40N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF97A6564945820&compId=IXKN40N60C.pdf?ci_sign=0300786f6154158bf7a8b4fe525318c2a5bf5c3a Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 650ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
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IXKN45N80C IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkn45n80c_datasheet.pdf.pdf IXKN45N80C Transistor modules MOSFET
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IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
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IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M IXYS IXKP20N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKR25N80C IXKR25N80C IXYS IXKR25N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKR40N60C IXKR40N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC77B820&compId=IXKR40N60C.pdf?ci_sign=104b76148751e40a577e85eeb9a613f84e954190 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
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4+21.75 EUR
30+21.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXKT70N60C5 IXKT70N60C5 IXYS IXKT70N60C5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXLF19N250A IXYS IXLF19N250A THT IGBT transistors
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2+52.57 EUR
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IXTA02N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e IXTA02N250HV SMD N channel transistors
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7+10.54 EUR
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IXTA05N100 IXTA05N100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
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IXTA05N100HV IXTA05N100HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.93 EUR
17+4.45 EUR
21+3.53 EUR
22+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IXTA06N120P IXYS IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf IXTA06N120P SMD N channel transistors
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IXTA08N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n100_datasheet.pdf.pdf IXTA08N100D2 SMD N channel transistors
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IXTA08N100D2HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta08n100d2hv_datasheet.pdf.pdf IXTA08N100D2HV SMD N channel transistors
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IXTA08N100P IXYS DS99865D(IXTY-TA-TP08N100P).pdf IXTA08N100P SMD N channel transistors
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IXTA08N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf IXTA08N120P SMD N channel transistors
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IXTA08N50D2 IXTA08N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTA100N04T2 IXTA100N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTA10P50P SMD P channel transistors
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.25 EUR
13+5.55 EUR
14+5.25 EUR
250+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTA110N055T2 IXTA110N055T2 IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA110N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_110n12t2_datasheet.pdf.pdf IXTA110N12T2 SMD N channel transistors
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IXTA120N04T2 IXTA120N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA2CF46A37D820&compId=IXTA(P)120N04T2.pdf?ci_sign=9781234723d86244a767988de041b1dde0e2fcc1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 35ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120N075T2 IXTA120N075T2 IXYS IXTA(P)120N075T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.30 EUR
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.42 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA12N50P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-12N50P-Datasheet.PDF?assetguid=1EBA20B0-2CD4-4FB5-BDDC-FCD960E7D1DD IXTA12N50P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA12N65X2 IXTA12N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb IXTA130N10T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb IXTA130N10T-TRL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T7 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta130n10t7_datasheet.pdf.pdf IXTA130N10T7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT6N170AHV littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgt6n170ahv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGT6N170AHV SMD IGBT transistors
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IXGT72N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e
IXGT72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.80 EUR
7+10.57 EUR
8+10.00 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXGX100N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0A6DAFB799820&compId=IXGK(X)100N170.pdf?ci_sign=c8053da6d72a2c79586ce8a850d84b1d66a7da31
IXGX100N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGX120N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE298DEDCD820&compId=IXGK(x)120N120A3.pdf?ci_sign=c7a8186a489035ec0ead3df55bd4f31bb6ed73dd
IXGX120N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGX120N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE7EA92E47820&compId=IXGK(x)120N120B3.pdf?ci_sign=66d03d7a35e3abfe1e2dfa50266727cc891d888d
IXGX120N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX120N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB7481B6FA7820&compId=IXGX120N60A3.pdf?ci_sign=7c6c1f981d719adcb00100c5b7522dd0575ab8b6
IXGX120N60A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX320N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3FAC0877D7820&compId=IXGK(x)320N60B3.pdf?ci_sign=7f3fb659fb9326cceb8b246edbd061c9df14d441
IXGX320N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX50N120C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD2F4A1BC0B820&compId=IXGK(X)50N120C3H1.pdf?ci_sign=61c063dc7fba9e54ef68ca4e62646d9c16039893
IXGX50N120C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX55N120A3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba
IXGX55N120A3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
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IXGX72N60A3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_72n60a3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGX72N60A3H1 THT IGBT transistors
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IXGX72N60C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB0E62FFAC9820&compId=IXGX72N60C3H1.pdf?ci_sign=cac8206ee321d338a1e80ece5d0032b45e4a91ee
IXGX72N60C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX82N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADA05B5A3C9820&compId=IXGK(x)82N120A3.pdf?ci_sign=fbc08b8c0cc6e5d5e4e3183ea9feaad9775fef7e
IXGX82N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 580A
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 1.59µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGX82N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADACC6D023B820&compId=IXGK(X)82N120B3.pdf?ci_sign=75c1b8b5a55f15b387c90edf021e550502773e93
IXGX82N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 500A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 112ns
Turn-off time: 760ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXHH40N150HV IXHH40N150HV.pdf
IXHH40N150HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; TO247HV; THT; tube; 7.6kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: TO247HV
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 7.6kA
Features of semiconductor devices: MOS-gated thyristor (MGT)
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXHX40N150V1HV IXHX40N150V1HV.pdf
IXHX40N150V1HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; TO247PLUS-HV; THT; tube; 7.6kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: TO247PLUS-HV
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 7.6kA
Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT)
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKC15N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKC19N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKC23N60C5 IXKC23N60C5.pdf
IXKC23N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Case: ISOPLUS220™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Power dissipation: 147W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKC25N80C littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc25n80c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 550ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC40N60C description
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKF40N60SCD1 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkf40n60scd1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXKF40N60SCD1 THT N channel transistors
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IXKH20N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6F7820&compId=IXK(H)20N60C5.pdf?ci_sign=c65d3b92b0e7d2e519176033758644dd7791b0c2
IXKH20N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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12+6.15 EUR
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IXKH24N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34
IXKH24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH30N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC70D820&compId=IXKH30N60C5.pdf?ci_sign=8051dd0ea17db6300c6cf149e84768e208bbb789
IXKH30N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH35N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC723820&compId=IXKH35N60C5.pdf?ci_sign=677b8d3db43cba52c4ebd7ef4e22bc33c3c7302c
IXKH35N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH47N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC739820&compId=IXKH47N60C.pdf?ci_sign=43bb435c43c10b1bc34c0027e601cdcadb46f0c7
IXKH47N60C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5.pdf
IXKH70N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKK85N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC765820&compId=IXKK85N60C.pdf?ci_sign=45f48f1ec514485461df7d7e3f166714c6045391
IXKK85N60C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN40N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF97A6564945820&compId=IXKN40N60C.pdf?ci_sign=0300786f6154158bf7a8b4fe525318c2a5bf5c3a
IXKN40N60C
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 650ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN45N80C littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkn45n80c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXKN45N80C Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+76.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M.pdf
IXKP20N60C5M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXKP24N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34
IXKP24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXKR25N80C IXKR25N80C.pdf
IXKR25N80C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR40N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC77B820&compId=IXKR40N60C.pdf?ci_sign=104b76148751e40a577e85eeb9a613f84e954190
IXKR40N60C
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Reverse recovery time: 650ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC791820&compId=IXKR47N60C5.pdf?ci_sign=4b58b847ed569ac779f2a40e73cfe499f7be0fab
IXKR47N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.75 EUR
30+21.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKT70N60C5 IXKT70N60C5.pdf
IXKT70N60C5
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXLF19N250A
Hersteller: IXYS
IXLF19N250A THT IGBT transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+81.80 EUR
2+52.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA02N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e
Hersteller: IXYS
IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.44 EUR
7+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f
IXTA05N100
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f
IXTA05N100HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.93 EUR
17+4.45 EUR
21+3.53 EUR
22+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA06N120P IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA06N120P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA08N100D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta08n100d2hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA08N100D2HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100P DS99865D(IXTY-TA-TP08N100P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA08N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA08N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c
IXTA08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA100N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003
IXTA100N04T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA10P50P SMD P channel transistors
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.25 EUR
13+5.55 EUR
14+5.25 EUR
250+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA110N055T2 IXTA(P)110N055T2.pdf
IXTA110N055T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA110N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_110n12t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA110N12T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA2CF46A37D820&compId=IXTA(P)120N04T2.pdf?ci_sign=9781234723d86244a767988de041b1dde0e2fcc1
IXTA120N04T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 35ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120N075T2 IXTA(P)120N075T2.pdf
IXTA120N075T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.30 EUR
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTA120P065T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.42 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA12N50P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-12N50P-Datasheet.PDF?assetguid=1EBA20B0-2CD4-4FB5-BDDC-FCD960E7D1DD
Hersteller: IXYS
IXTA12N50P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA12N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295
IXTA12N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb
Hersteller: IXYS
IXTA130N10T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb
Hersteller: IXYS
IXTA130N10T-TRL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA130N10T7 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta130n10t7_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA130N10T7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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