Produkte > IXYS > Alle Produkte des Herstellers IXYS (16169) > Seite 243 nach 270

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 270  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS IXT_15P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.42 EUR
50+3.56 EUR
100+3.13 EUR
250+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.78 EUR
16+4.73 EUR
50+4.2 EUR
100+3.96 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.11 EUR
23+3.22 EUR
50+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A IXTP170N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.21 EUR
23+3.17 EUR
24+2.99 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 IXTP18P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
40+1.79 EUR
43+1.7 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.4 EUR
19+3.86 EUR
50+2.82 EUR
100+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2 IXTP220N04T2 IXYS IXTA(P)220N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.59 EUR
21+3.52 EUR
50+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD06B56D7B7820&compId=IXTA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=435f3b950c6a5ee63f1c4c17cf1a54b753421988 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Gate charge: 178nC
Reverse recovery time: 66ns
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 230A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.76 EUR
14+5.28 EUR
50+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.12 EUR
50+4.45 EUR
100+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.09 EUR
21+3.42 EUR
50+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS IXTA(P)260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
10+7.15 EUR
50+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf IXTP26P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTP270N04T4 THT N channel transistors
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.56 EUR
22+3.27 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.26 EUR
11+6.79 EUR
50+5.61 EUR
100+4.96 EUR
250+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05T IXTP32P05T IXYS IXT_32P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
Reverse recovery time: 26ns
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
25+2.86 EUR
50+1.86 EUR
100+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P20T IXTP32P20T IXYS IXT_32P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 300W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.52 EUR
10+7.75 EUR
11+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15P IXTP36P15P IXYS IXT_36P15P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 228ns
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.12 EUR
15+4.92 EUR
50+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS IXTA(P)3N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Gate charge: 1.02µC
On-state resistance: 5.5Ω
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.76 EUR
21+3.47 EUR
25+3.27 EUR
50+3.13 EUR
100+2.99 EUR
250+2.8 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.55 EUR
10+7.44 EUR
50+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93 IXTP3N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.06 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
25+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10T IXTP44N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.37 EUR
39+1.84 EUR
52+1.4 EUR
100+1.26 EUR
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15T IXTP44P15T IXYS IXT_44P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Gate charge: 175nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.49 EUR
16+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2 IXYS DS100241ATPTHTQ450P2.pdf IXTP450P2 THT N channel transistors
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.86 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48n20t-datasheet?assetguid=9a6a99bb-4eea-403f-a331-1f20aca73a17 IXTP48N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.13 EUR
24+3.1 EUR
25+2.93 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05T IXTP48P05T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0C43F950B18BF&compId=IXT_48P05T.pdf?ci_sign=f2ae0764a4420e9e69779cd81a0b142c17b0cc14 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.78 EUR
20+3.68 EUR
50+3.12 EUR
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
50+1.94 EUR
250+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.89 EUR
18+4.02 EUR
50+3.55 EUR
100+3.35 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=D7F19B2B-0219-4B0C-A29D-B093518EE586&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-50N25T-Datasheet.PDF IXTP50N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.58 EUR
17+4.29 EUR
18+4.06 EUR
50+4 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
33+2.22 EUR
40+1.82 EUR
50+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.39 EUR
13+5.51 EUR
25+4.53 EUR
50+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP62N15P IXTP62N15P IXYS IXTA62N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 350W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.16 EUR
22+3.35 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 IXYS IXTA(H,P)6N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.12 EUR
9+8.27 EUR
10+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTP6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.12 EUR
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a IXTP76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.04 EUR
15+5.02 EUR
16+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880 IXTP80N075L2 THT N channel transistors
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.14 EUR
11+6.71 EUR
12+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.62 EUR
24+2.99 EUR
50+2.65 EUR
100+2.49 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTP8N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.35 EUR
26+2.79 EUR
28+2.63 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M IXYS IXTP8N70X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.07 EUR
27+2.73 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 IXYS IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Reverse recovery time: 37ns
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
28+2.56 EUR
50+2.1 EUR
100+1.92 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085T IXTP96P085T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09915A690F8BF&compId=IXT_96P085T.pdf?ci_sign=2aa751399db2183305198d4805b69b6937f7379e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.66 EUR
16+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ10P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.95 EUR
12+6.03 EUR
13+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
30+9.65 EUR
120+9.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N20T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf IXTQ130N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.01 EUR
9+8.18 EUR
10+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS IXTK150N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 IXTQ170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.56 EUR
8+9.32 EUR
1020+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 76ns
Gate charge: 152nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+8.15 EUR
30+6.09 EUR
120+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50P IXTQ22N50P IXYS IXTH(Q,V)22N50P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.62 EUR
14+5.49 EUR
30+5.05 EUR
120+4.5 EUR
270+4.19 EUR
510+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.29 EUR
11+6.71 EUR
13+5.82 EUR
30+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.31 EUR
12+6.35 EUR
30+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.71 EUR
8+9.62 EUR
10+8.51 EUR
30+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ36N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.94 EUR
7+10.38 EUR
30+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS IXTQ460P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.68 EUR
15+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.08 EUR
7+11.8 EUR
10+10.42 EUR
30+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.82 EUR
16+4.76 EUR
30+4.26 EUR
120+3.66 EUR
270+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.35 EUR
13+5.71 EUR
14+5.41 EUR
2010+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTQ52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.76 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
60+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO3P
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.38 EUR
16+4.76 EUR
30+4.22 EUR
120+3.55 EUR
510+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94 IXTQ76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.72 EUR
14+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ82N25P IXTQ82N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90E5ACBC3F3E27&compId=IXTK82N25P-DTE.pdf?ci_sign=2d80fbef81a4d311cac049c9dcb145bc3406bb27 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.68 EUR
10+7.22 EUR
30+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15T IXT_15P15T.pdf
IXTP15P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.42 EUR
50+3.56 EUR
100+3.13 EUR
250+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T IXT_160N10T.pdf
IXTP160N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.78 EUR
16+4.73 EUR
50+4.2 EUR
100+3.96 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTP16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.11 EUR
23+3.22 EUR
50+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A
Hersteller: IXYS
IXTP170N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.21 EUR
23+3.17 EUR
24+2.99 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
Hersteller: IXYS
IXTP18P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.13 EUR
40+1.79 EUR
43+1.7 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2 IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf
IXTP1R6N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.4 EUR
19+3.86 EUR
50+2.82 EUR
100+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2 IXTA(P)220N04T2.pdf
IXTP220N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.59 EUR
21+3.52 EUR
50+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD06B56D7B7820&compId=IXTA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=435f3b950c6a5ee63f1c4c17cf1a54b753421988
IXTP230N075T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Gate charge: 178nC
Reverse recovery time: 66ns
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 230A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.76 EUR
14+5.28 EUR
50+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.12 EUR
50+4.45 EUR
100+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.09 EUR
21+3.42 EUR
50+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2 IXTA(P)260N055T2.pdf
IXTP260N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
10+7.15 EUR
50+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP26P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP270N04T4 THT N channel transistors
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.56 EUR
22+3.27 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d
IXTP2R4N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.26 EUR
11+6.79 EUR
50+5.61 EUR
100+4.96 EUR
250+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05T IXT_32P05T.pdf
IXTP32P05T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
Reverse recovery time: 26ns
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
25+2.86 EUR
50+1.86 EUR
100+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P20T IXT_32P20T.pdf
IXTP32P20T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 300W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.52 EUR
10+7.75 EUR
11+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15P IXT_36P15P.pdf
IXTP36P15P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 228ns
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.12 EUR
15+4.92 EUR
50+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2 IXTA(P)3N100D2.pdf
IXTP3N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Gate charge: 1.02µC
On-state resistance: 5.5Ω
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.76 EUR
21+3.47 EUR
25+3.27 EUR
50+3.13 EUR
100+2.99 EUR
250+2.8 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe
IXTP3N120
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.55 EUR
10+7.44 EUR
50+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93
Hersteller: IXYS
IXTP3N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.06 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
25+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a
IXTP44N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
39+1.84 EUR
52+1.4 EUR
100+1.26 EUR
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15T IXT_44P15T.pdf
IXTP44P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Gate charge: 175nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 298W
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.49 EUR
16+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2 DS100241ATPTHTQ450P2.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP450P2 THT N channel transistors
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.86 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48n20t-datasheet?assetguid=9a6a99bb-4eea-403f-a331-1f20aca73a17
Hersteller: IXYS
IXTP48N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
24+3.1 EUR
25+2.93 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0C43F950B18BF&compId=IXT_48P05T.pdf?ci_sign=f2ae0764a4420e9e69779cd81a0b142c17b0cc14
IXTP48P05T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.78 EUR
20+3.68 EUR
50+3.12 EUR
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
50+1.94 EUR
250+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTP50N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.89 EUR
18+4.02 EUR
50+3.55 EUR
100+3.35 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25T media?resourcetype=datasheets&itemid=D7F19B2B-0219-4B0C-A29D-B093518EE586&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-50N25T-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTP50N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.58 EUR
17+4.29 EUR
18+4.06 EUR
50+4 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
33+2.22 EUR
40+1.82 EUR
50+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.39 EUR
13+5.51 EUR
25+4.53 EUR
50+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP62N15P IXTA62N15P-DTE.pdf
IXTP62N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 350W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.16 EUR
22+3.35 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N100D2 IXTA(H,P)6N100D2.pdf
IXTP6N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.12 EUR
9+8.27 EUR
10+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Hersteller: IXYS
IXTP6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.12 EUR
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
Hersteller: IXYS
IXTP76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.04 EUR
15+5.02 EUR
16+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880
Hersteller: IXYS
IXTP80N075L2 THT N channel transistors
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.14 EUR
11+6.71 EUR
12+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T IXTA(P)80N10T.pdf
IXTP80N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.62 EUR
24+2.99 EUR
50+2.65 EUR
100+2.49 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTP8N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
26+2.79 EUR
28+2.63 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M.pdf
IXTP8N70X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.07 EUR
27+2.73 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2 IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf
IXTP90N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Reverse recovery time: 37ns
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
28+2.56 EUR
50+2.1 EUR
100+1.92 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA09915A690F8BF&compId=IXT_96P085T.pdf?ci_sign=2aa751399db2183305198d4805b69b6937f7379e
IXTP96P085T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.66 EUR
16+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ10P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.95 EUR
12+6.03 EUR
13+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3
IXTQ120N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
30+9.65 EUR
120+9.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N20T media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ130N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
9+8.18 EUR
10+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15P IXTK150N15P-DTE.pdf
IXTQ150N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Hersteller: IXYS
IXTQ170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.56 EUR
8+9.32 EUR
1020+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTQ200N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 76ns
Gate charge: 152nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+8.15 EUR
30+6.09 EUR
120+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50P IXTH(Q,V)22N50P_S.pdf
IXTQ22N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.62 EUR
14+5.49 EUR
30+5.05 EUR
120+4.5 EUR
270+4.19 EUR
510+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b
IXTQ26N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.29 EUR
11+6.71 EUR
13+5.82 EUR
30+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTQ26P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.31 EUR
12+6.35 EUR
30+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.71 EUR
8+9.62 EUR
10+8.51 EUR
30+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ36N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.94 EUR
7+10.38 EUR
30+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2 IXTQ460P2.pdf
IXTQ460P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.68 EUR
15+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.08 EUR
7+11.8 EUR
10+10.42 EUR
30+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTQ50N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.82 EUR
16+4.76 EUR
30+4.26 EUR
120+3.66 EUR
270+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.35 EUR
13+5.71 EUR
14+5.41 EUR
2010+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Hersteller: IXYS
IXTQ52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.76 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
60+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTQ60N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO3P
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.38 EUR
16+4.76 EUR
30+4.22 EUR
120+3.55 EUR
510+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94
Hersteller: IXYS
IXTQ76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.72 EUR
14+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ82N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90E5ACBC3F3E27&compId=IXTK82N25P-DTE.pdf?ci_sign=2d80fbef81a4d311cac049c9dcb145bc3406bb27
IXTQ82N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.68 EUR
10+7.22 EUR
30+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 270  [ Nächste Seite >> ]