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IXFQ50N60X IXFQ50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.65 EUR
10+7.46 EUR
11+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N50P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_60n50p3_datasheet.pdf.pdf IXFQ60N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
6+11.91 EUR
510+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N60X IXFQ60N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ72N20X3 IXFQ72N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB72F794D618BF&compId=IXF_72N20X3.pdf?ci_sign=902d8e62addc73cd538be477ab29d6e14e9de703 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO3P
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.65 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ72N30X3 IXFQ72N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBC8AC02F1D8BF&compId=IXF_72N30X3.pdf?ci_sign=09f98a1c935417cb47752418f14c2caee473339d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO3P
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.17 EUR
8+8.99 EUR
30+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFQ80N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.87 EUR
7+10.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ8N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf IXFQ8N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
30+4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ90N20X3 IXYS IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.77 EUR
9+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ94N30P3 IXYS IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.93 EUR
7+10.38 EUR
1020+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR102N30P IXFR102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A9B820&compId=IXFR102N30P.pdf?ci_sign=67b3ad18f9a19046de4d38e27866ae8ae91d5664 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.07 EUR
30+15.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N20P IXYS IXFR140N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr140n30p_datasheet.pdf.pdf IXFR140N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6ADD820&compId=IXFR15N100Q3.pdf?ci_sign=1631e85c6cd029ee05ddbc6ee962f904f9e0e8af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.62 EUR
10+19.3 EUR
30+18.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR16N120P IXYS DS99897B(IXFR16N120P).pdf IXFR16N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+34.46 EUR
4+22.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR180N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr180n15p_datasheet.pdf.pdf IXFR180N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR18N90P IXFR18N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B09820&compId=IXFR18N90P.pdf?ci_sign=630c9b0ce412688e2b82a725d5ca14f372c1c7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.79 EUR
6+12.37 EUR
7+11.7 EUR
30+11.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR200N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr200n10p_datasheet.pdf.pdf IXFR200N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR20N120P IXFR20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B4B820&compId=IXFR20N120P.pdf?ci_sign=3ec4bae68a596108eefc3f91613f3b2a858b33a0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.98 EUR
30+26.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR20N80P IXFR20N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B61820&compId=IXFR20N80P.pdf?ci_sign=e95816d40eb28f61bb55a8961068a6212a87de9b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 160W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 160W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.01 EUR
8+9.41 EUR
9+8.91 EUR
30+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR230N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfr230n20t_datasheet.pdf.pdf IXFR230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.32 EUR
3+24.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B8D820&compId=IXFR24N100Q3.pdf?ci_sign=ca4e72774d87e585c7a699e877221fe57b34009d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+30.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.41 EUR
7+10.67 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N90P IXFR24N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BA3820&compId=IXFR24N90P.pdf?ci_sign=febc9fbf8a1d0a0967afdd75b7308ccc013f92ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 230W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR26N100P IXFR26N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.43Ω
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.71 EUR
3+37.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR26N120P IXFR26N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BCF820&compId=IXFR26N120P.pdf?ci_sign=a2dcdd142b39fa518d0ed9ca8e23f820f13262eb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; 320W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.55Ω
Drain current: 15A
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+42.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.5 EUR
7+10.21 EUR
30+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N100P IXFR32N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BFB820&compId=IXFR32N100P.pdf?ci_sign=286c97be0b3093d0dac3237c4fe3344de0bb073d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N100Q3 IXFR32N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C11820&compId=IXFR32N100Q3.pdf?ci_sign=207d43adf354c4b1b1b46c20c722f96e3911f588 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+41.06 EUR
3+41.04 EUR
30+39.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr32n80p_datasheet.pdf.pdf IXFR32N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N80Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr32n80q3_datasheet.pdf.pdf IXFR32N80Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR36N50P IXYS IXFR36N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR36N60P IXYS 99395.pdf IXFR36N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR40N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr40n90p_datasheet.pdf.pdf IXFR40N90P THT N channel transistors
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IXFR44N50P IXFR44N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C95820&compId=IXFR44N50P.pdf?ci_sign=7af93dd52bee59ebe4814ce2e7c1a8e2f92a4efb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Power dissipation: 208W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFR44N50Q IXFR44N50Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6CAB820&compId=IXFR44N50Q.pdf?ci_sign=99a97c2b9e5d063cf27fe5a4fef4e55efd7f134a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
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4+22.06 EUR
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IXFR44N50Q3 IXFR44N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6CC1820&compId=IXFR44N50Q3.pdf?ci_sign=ca7c3ddda1e0d4f113690187365893ed7eb3e98e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 154mΩ
Drain current: 25A
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFR44N60 IXYS IXFR44N60 THT N channel transistors
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IXFR44N80P IXFR44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC577820&compId=IXFR44N80P.pdf?ci_sign=51db11391181a2835bbd75c1ae0c474b83eb49a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFR48N60P IXFR48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC58D820&compId=IXFR48N60P.pdf?ci_sign=ccd3cbc214a931f568a20e2a1944f812c5751f5a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFR48N60Q3 IXYS IXFR48N60Q3 THT N channel transistors
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IXFR64N50P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFR64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=7A911174-2320-4791-A535-C28786C08C34 IXFR64N50P THT N channel transistors
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IXFR64N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr64n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFR64N50Q3 THT N channel transistors
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IXFR64N60P IXYS DS99441FIXFR64N60P.pdf IXFR64N60P THT N channel transistors
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IXFR64N60Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr64n60q3_datasheet.pdf.pdf IXFR64N60Q3 THT N channel transistors
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IXFR80N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50p_datasheet.pdf.pdf IXFR80N50P THT N channel transistors
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IXFR80N50Q3 IXFR80N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC611820&compId=IXFR80N50Q3.pdf?ci_sign=196a018cdeecf0092ac54030991190e895b55b65 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
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2+35.82 EUR
10+34.45 EUR
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IXFR80N60P3 IXFR80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC627820&compId=IXFR80N60P3.pdf?ci_sign=e9b78ec09cf4552bf5bec18d9057ce9ca0bd8ebd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFR90N30 IXYS IXFR90N30 THT N channel transistors
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IXFT100N30X3HV IXYS IXFT100N30X3HV SMD N channel transistors
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IXFT120N15P IXFT120N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 600W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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6+13.54 EUR
9+8.41 EUR
270+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAAA7C92A91820&compId=IXFH(T%2CQ)120N25X3_HV.pdf?ci_sign=f0265349042830fefde5800576c2580ffda544fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268HV
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.81 EUR
6+12.27 EUR
7+11.6 EUR
30+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Reverse recovery time: 145ns
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.98 EUR
5+15.66 EUR
120+15.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXFT140N20X3HV IXFT140N20X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Drain current: 140A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 127nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Reverse recovery time: 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT14N80P IXFT14N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDF8DAC82F1820&compId=IXFH(Q%2CT)14N80P_S.pdf?ci_sign=54c4a7d42ec81caabad0953bf61c033b9e6baf24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFT150N17T2 IXFT150N17T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC653820&compId=IXFT150N17T2.pdf?ci_sign=f262fe46c60fa0aac8b4fe8177f56a21a91be14c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 233nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 175V
Power dissipation: 880W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20T IXFT150N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CE0509EDC31820&compId=IXFH(T)150N20T.pdf?ci_sign=1eb8849a53fa359ec9a3208d53f9c1a524823d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT150N25X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0B9820&compId=IXFH150N25X3.pdf?ci_sign=9b6304dddbd0134b0ebf2cbe9b1dfd52edbdaa17 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD908A9A238BF&compId=IXF_150N30X3_HV.pdf?ci_sign=c02cea29174068e52cd342ee0467b4c4f54d34e5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.65 EUR
10+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFQ50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFQ50N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFQ60N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFQ60N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.65 EUR
10+7.46 EUR
11+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXFQ60N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_60n50p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFQ60N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
6+11.91 EUR
510+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFQ60N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d
IXFQ60N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFQ72N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB72F794D618BF&compId=IXF_72N20X3.pdf?ci_sign=902d8e62addc73cd538be477ab29d6e14e9de703 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFQ72N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO3P
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
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10+7.65 EUR
14+5.11 EUR
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IXFQ72N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBC8AC02F1D8BF&compId=IXF_72N30X3.pdf?ci_sign=09f98a1c935417cb47752418f14c2caee473339d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFQ72N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO3P
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
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6+12.17 EUR
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IXFQ80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFQ80N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
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5+16.87 EUR
7+10.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ8N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFQ8N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
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5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
30+4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ90N20X3
Hersteller: IXYS
IXFQ90N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 54 Stücke:
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Anzahl Preis
6+12.77 EUR
9+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ94N30P3
Hersteller: IXYS
IXFQ94N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
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Anzahl Preis
6+13.93 EUR
7+10.38 EUR
1020+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A9B820&compId=IXFR102N30P.pdf?ci_sign=67b3ad18f9a19046de4d38e27866ae8ae91d5664
IXFR102N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.07 EUR
30+15.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N20P
Hersteller: IXYS
IXFR140N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr140n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR140N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6ADD820&compId=IXFR15N100Q3.pdf?ci_sign=1631e85c6cd029ee05ddbc6ee962f904f9e0e8af
IXFR15N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.62 EUR
10+19.3 EUR
30+18.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR16N120P DS99897B(IXFR16N120P).pdf
Hersteller: IXYS
IXFR16N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
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Anzahl Preis
3+34.46 EUR
4+22.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR180N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr180n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR180N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR18N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B09820&compId=IXFR18N90P.pdf?ci_sign=630c9b0ce412688e2b82a725d5ca14f372c1c7c0
IXFR18N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
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Anzahl Preis
5+15.79 EUR
6+12.37 EUR
7+11.7 EUR
30+11.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR200N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr200n10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR200N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B4B820&compId=IXFR20N120P.pdf?ci_sign=3ec4bae68a596108eefc3f91613f3b2a858b33a0
IXFR20N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.98 EUR
30+26.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR20N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B61820&compId=IXFR20N80P.pdf?ci_sign=e95816d40eb28f61bb55a8961068a6212a87de9b
IXFR20N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 160W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 160W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
8+9.41 EUR
9+8.91 EUR
30+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR230N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfr230n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.32 EUR
3+24.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B8D820&compId=IXFR24N100Q3.pdf?ci_sign=ca4e72774d87e585c7a699e877221fe57b34009d
IXFR24N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+30.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721
IXFR24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.41 EUR
7+10.67 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BA3820&compId=IXFR24N90P.pdf?ci_sign=febc9fbf8a1d0a0967afdd75b7308ccc013f92ca
IXFR24N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 230W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR26N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4
IXFR26N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.43Ω
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.71 EUR
3+37.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR26N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BCF820&compId=IXFR26N120P.pdf?ci_sign=a2dcdd142b39fa518d0ed9ca8e23f820f13262eb
IXFR26N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; 320W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
On-state resistance: 0.55Ω
Drain current: 15A
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+42.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.5 EUR
7+10.21 EUR
30+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BFB820&compId=IXFR32N100P.pdf?ci_sign=286c97be0b3093d0dac3237c4fe3344de0bb073d
IXFR32N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C11820&compId=IXFR32N100Q3.pdf?ci_sign=207d43adf354c4b1b1b46c20c722f96e3911f588
IXFR32N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+41.06 EUR
3+41.04 EUR
30+39.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr32n80p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR32N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR32N80Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr32n80q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR32N80Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR36N50P
Hersteller: IXYS
IXFR36N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR36N60P 99395.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR36N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR40N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr40n90p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR40N90P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6C95820&compId=IXFR44N50P.pdf?ci_sign=7af93dd52bee59ebe4814ce2e7c1a8e2f92a4efb
IXFR44N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Power dissipation: 208W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6CAB820&compId=IXFR44N50Q.pdf?ci_sign=99a97c2b9e5d063cf27fe5a4fef4e55efd7f134a
IXFR44N50Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.06 EUR
30+21.88 EUR
120+21.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6CC1820&compId=IXFR44N50Q3.pdf?ci_sign=ca7c3ddda1e0d4f113690187365893ed7eb3e98e
IXFR44N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 154mΩ
Drain current: 25A
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N60
Hersteller: IXYS
IXFR44N60 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC577820&compId=IXFR44N80P.pdf?ci_sign=51db11391181a2835bbd75c1ae0c474b83eb49a1
IXFR44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC58D820&compId=IXFR48N60P.pdf?ci_sign=ccd3cbc214a931f568a20e2a1944f812c5751f5a
IXFR48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60Q3
Hersteller: IXYS
IXFR48N60Q3 THT N channel transistors
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IXFR64N50P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFR64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=7A911174-2320-4791-A535-C28786C08C34
Hersteller: IXYS
IXFR64N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr64n50q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR64N50Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N60P DS99441FIXFR64N60P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR64N60P THT N channel transistors
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IXFR64N60Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr64n60q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR64N60Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFR80N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC611820&compId=IXFR80N50Q3.pdf?ci_sign=196a018cdeecf0092ac54030991190e895b55b65
IXFR80N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Power dissipation: 570W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.82 EUR
10+34.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFR80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC627820&compId=IXFR80N60P3.pdf?ci_sign=e9b78ec09cf4552bf5bec18d9057ce9ca0bd8ebd
IXFR80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N30
Hersteller: IXYS
IXFR90N30 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HV
Hersteller: IXYS
IXFT100N30X3HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A8C3083ED8B8BF&compId=IXF_120N15P.pdf?ci_sign=156bfe286b85bf27cbdb6b6e3a775cb4e363d052
IXFT120N15P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 600W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.54 EUR
9+8.41 EUR
270+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BAAA7C92A91820&compId=IXFH(T%2CQ)120N25X3_HV.pdf?ci_sign=f0265349042830fefde5800576c2580ffda544fa
IXFT120N25X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268HV
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.81 EUR
6+12.27 EUR
7+11.6 EUR
30+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD406B0DCD8BF&compId=IXF_120N30X3_HV.pdf?ci_sign=44c2594b70f8a430a588605e95888b402a9a745c
IXFT120N30X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Reverse recovery time: 145ns
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.98 EUR
5+15.66 EUR
120+15.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd
IXFT140N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N20X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB9546E19838BF&compId=IXF_140N20X3_HV.pdf?ci_sign=5f16c11710985b2bb02fe789af00928edbff0f87 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFT140N20X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Drain current: 140A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 127nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Reverse recovery time: 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT14N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDF8DAC82F1820&compId=IXFH(Q%2CT)14N80P_S.pdf?ci_sign=54c4a7d42ec81caabad0953bf61c033b9e6baf24
IXFT14N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N17T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC653820&compId=IXFT150N17T2.pdf?ci_sign=f262fe46c60fa0aac8b4fe8177f56a21a91be14c
IXFT150N17T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 175V; 150A; 880W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 233nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 175V
Power dissipation: 880W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CE0509EDC31820&compId=IXFH(T)150N20T.pdf?ci_sign=1eb8849a53fa359ec9a3208d53f9c1a524823d86
IXFT150N20T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N25X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0B9820&compId=IXFH150N25X3.pdf?ci_sign=9b6304dddbd0134b0ebf2cbe9b1dfd52edbdaa17
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Reverse recovery time: 140ns
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD908A9A238BF&compId=IXF_150N30X3_HV.pdf?ci_sign=c02cea29174068e52cd342ee0467b4c4f54d34e5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFT150N30X3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.65 EUR
10+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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