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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFX32N80Q3 IXYS IXFX32N80Q3 THT N channel transistors
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IXFX32N90P IXFX32N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX34N80 IXFX34N80 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX360N10T IXFX360N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBEC3CAC2D3820&compId=IXFK(X)360N10T.pdf?ci_sign=3e3c42ae502f5134306933943e750d4d7a30bb3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: PLUS247™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.39 EUR
6+12.41 EUR
7+11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFX360N15T2 IXYS IXFX360N15T2 THT N channel transistors
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IXFX400N15X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e IXFX400N15X3 THT N channel transistors
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IXFX40N90P IXYS IXFX40N90P THT N channel transistors
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IXFX420N10T IXFX420N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 420A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N60 IXYS 98611.pdf IXFX44N60 THT N channel transistors
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IXFX44N80P IXFX44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX44N80Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80q3_datasheet.pdf.pdf IXFX44N80Q3 THT N channel transistors
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IXFX48N60P IXYS IXFX48N60P THT N channel transistors
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IXFX48N60Q3 IXYS IXFX48N60Q3 THT N channel transistors
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IXFX520N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56 IXFX520N075T2 THT N channel transistors
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IXFX55N50 IXFX55N50 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A95C294BFDB8BF&compId=IXFX50N50_IXFX55N50.pdf?ci_sign=9823f069cf4013329e963cbfdae0e3ff065e6ff0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N50P IXFX64N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC0CC4CFD77820&compId=IXFK(X)64N50P.pdf?ci_sign=7204ab845ac6e272ad03bd96c6ae51e7d9e2b498 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N50Q3 IXFX64N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D467BA74859820&compId=IXFK(X)64N50Q3.pdf?ci_sign=d06f282fe71544fead79cd47b45b6394a781ba37 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX64N60P IXYS IXFX64N60P THT N channel transistors
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IXFX64N60P3 IXYS IXFX64N60P3 THT N channel transistors
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IXFX66N85X IXYS IXFX66N85X THT N channel transistors
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IXFX74N50P2 IXFX74N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4250D9D5B1820&compId=IXFK(X)74N50P2.pdf?ci_sign=900545cffbacfdb90d0d3fdca2cb8f8db5ca12ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 74A; 1400W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 74A
Power dissipation: 1.4kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX78N50P3 IXFX78N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N50P IXYS IXFX80N50P THT N channel transistors
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IXFX80N50Q3 IXYS IXFX80N50Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N60P3 IXFX80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX90N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf IXFX90N60X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX94N50P2 IXFX94N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7A2ADECB4AEE74A&compId=IXFx94N50P2.pdf?ci_sign=e0921357518e552a24d181fc04f1accad62b30eb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 94A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.22 EUR
5+15.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY26N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.02 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3 IXYS IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.98 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
2030+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
16+4.46 EUR
70+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ140N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC69D820&compId=IXFZ140N25T.pdf?ci_sign=952f429967276dca1a61b9a4cdcb8892aedde274 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 445W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 445W
Case: DE475
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ520N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6B5820&compId=IXFZ520N075T2.pdf?ci_sign=26fb6a6e5211b58faa65984db5ccbca3e0448fe4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 420A; 600W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 420A
Power dissipation: 600W
Case: DE475
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXG70IF1200NA IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 86A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 86A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA12N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGA12N120A3 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3 IXGA20N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA24N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf IXGA24N120C3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC94053C44F820&compId=IXGA(H%2CP)30N120B3.pdf?ci_sign=bccf7f842442b5dd94ada4fd3560ea2bc2b9462c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGA42N30C3 IXYS DS99885B(IXGA-H-P42N30C3).pdf IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
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IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
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12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
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IXGF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf20n300_datasheet.pdf.pdf IXGF20N300 THT IGBT transistors
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IXGF32N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf IXGF32N170 THT IGBT transistors
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IXGH10N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_10n170_datasheet.pdf.pdf IXGH10N170 THT IGBT transistors
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IXGH10N170A IXGH10N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
30+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXGH120N30B3 IXGH120N30B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE9057987A0B820&compId=IXGH120N30B3.pdf?ci_sign=5d584af9080f9df46127c6c1317b6168218acf27 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 356ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH120N30C3 IXGH120N30C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE90C387DF7F820&compId=IXGH120N30C3.pdf?ci_sign=65f99932f05996cb78f8e73991c500d0b7beb82f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Kind of package: tube
Gate charge: 230nC
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 233ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH12N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGH12N120A3 THT IGBT transistors
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IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH16N170A IXGH16N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.27 EUR
12+6.28 EUR
13+5.93 EUR
120+5.83 EUR
300+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXGH24N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf IXGH24N120C3 THT IGBT transistors
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IXGH24N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh24n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXGH24N120C3H1 THT IGBT transistors
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IXGH24N170 IXGH24N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3D3296E6F820&compId=IXGH(T)24N170.pdf?ci_sign=bcf829c7a280c895f4c01ef3c947f0ab37ed7901 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 106nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.56 EUR
30+18.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXGH24N170A IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8C2E6414-9419-4902-AA0C-89B0A41A5E1A&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-NPT-IXG-24N170A-Datasheet.PDF IXGH24N170A THT IGBT transistors
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IXGH25N160 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-25n160-datasheet?assetguid=e99d4d37-eadb-43a7-b39e-2759aaac9254 IXGH25N160 THT IGBT transistors
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IXGH25N250 IXGH25N250 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB00DD7512F1820&compId=IXGH25N250.pdf?ci_sign=37672af961a987aa06f6a3c92f025fec780b03e0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 301ns
Turn-off time: 409ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 75nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX32N80Q3
Hersteller: IXYS
IXFX32N80Q3 THT N channel transistors
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IXFX32N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5
IXFX32N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX34N80 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0
IXFX34N80
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBEC3CAC2D3820&compId=IXFK(X)360N10T.pdf?ci_sign=3e3c42ae502f5134306933943e750d4d7a30bb3e
IXFX360N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: PLUS247™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.39 EUR
6+12.41 EUR
7+11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFX360N15T2
Hersteller: IXYS
IXFX360N15T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX400N15X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e
Hersteller: IXYS
IXFX400N15X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX40N90P
Hersteller: IXYS
IXFX40N90P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX420N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c
IXFX420N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 420A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N60 98611.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX44N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFX44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N80Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX44N80Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFX48N60P
Hersteller: IXYS
IXFX48N60P THT N channel transistors
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IXFX48N60Q3
Hersteller: IXYS
IXFX48N60Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX520N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56
Hersteller: IXYS
IXFX520N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFX55N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A95C294BFDB8BF&compId=IXFX50N50_IXFX55N50.pdf?ci_sign=9823f069cf4013329e963cbfdae0e3ff065e6ff0
IXFX55N50
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC0CC4CFD77820&compId=IXFK(X)64N50P.pdf?ci_sign=7204ab845ac6e272ad03bd96c6ae51e7d9e2b498
IXFX64N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D467BA74859820&compId=IXFK(X)64N50Q3.pdf?ci_sign=d06f282fe71544fead79cd47b45b6394a781ba37
IXFX64N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX64N60P
Hersteller: IXYS
IXFX64N60P THT N channel transistors
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IXFX64N60P3
Hersteller: IXYS
IXFX64N60P3 THT N channel transistors
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IXFX66N85X
Hersteller: IXYS
IXFX66N85X THT N channel transistors
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IXFX74N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4250D9D5B1820&compId=IXFK(X)74N50P2.pdf?ci_sign=900545cffbacfdb90d0d3fdca2cb8f8db5ca12ac
IXFX74N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 74A; 1400W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 74A
Power dissipation: 1.4kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX78N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434
IXFX78N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N50P
Hersteller: IXYS
IXFX80N50P THT N channel transistors
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IXFX80N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFX80N50Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f
IXFX80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX90N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX90N60X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX94N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7A2ADECB4AEE74A&compId=IXFx94N50P2.pdf?ci_sign=e0921357518e552a24d181fc04f1accad62b30eb
IXFX94N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 94A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32
IXFX98N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+23.22 EUR
5+15.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY26N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.02 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3
Hersteller: IXYS
IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.98 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
2030+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
16+4.46 EUR
70+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ140N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC69D820&compId=IXFZ140N25T.pdf?ci_sign=952f429967276dca1a61b9a4cdcb8892aedde274
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 445W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 445W
Case: DE475
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ520N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6B5820&compId=IXFZ520N075T2.pdf?ci_sign=26fb6a6e5211b58faa65984db5ccbca3e0448fe4
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 420A; 600W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 420A
Power dissipation: 600W
Case: DE475
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXG70IF1200NA
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 86A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 86A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA12N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGA12N120A3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGA20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f
IXGA20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA24N120C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGA24N120C3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC94053C44F820&compId=IXGA(H%2CP)30N120B3.pdf?ci_sign=bccf7f842442b5dd94ada4fd3560ea2bc2b9462c
IXGA30N120B3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA42N30C3 DS99885B(IXGA-H-P42N30C3).pdf
Hersteller: IXYS
IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGF20N300 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf20n300_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+84.08 EUR
2+51.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGF32N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGF32N170 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH10N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_10n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH10N170 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH10N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252
IXGH10N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
30+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE9057987A0B820&compId=IXGH120N30B3.pdf?ci_sign=5d584af9080f9df46127c6c1317b6168218acf27
IXGH120N30B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 356ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE90C387DF7F820&compId=IXGH120N30C3.pdf?ci_sign=65f99932f05996cb78f8e73991c500d0b7beb82f
IXGH120N30C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Kind of package: tube
Gate charge: 230nC
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 300V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 233ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH12N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH12N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616
IXGH16N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38
IXGH16N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGH20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.27 EUR
12+6.28 EUR
13+5.93 EUR
120+5.83 EUR
300+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH24N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh24n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH24N120C3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3D3296E6F820&compId=IXGH(T)24N170.pdf?ci_sign=bcf829c7a280c895f4c01ef3c947f0ab37ed7901
IXGH24N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 106nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH24N170A media?resourcetype=datasheets&itemid=8C2E6414-9419-4902-AA0C-89B0A41A5E1A&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-NPT-IXG-24N170A-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXGH24N170A THT IGBT transistors
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IXGH25N160 littelfuse-discrete-igbts-ixg-25n160-datasheet?assetguid=e99d4d37-eadb-43a7-b39e-2759aaac9254
Hersteller: IXYS
IXGH25N160 THT IGBT transistors
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IXGH25N250 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB00DD7512F1820&compId=IXGH25N250.pdf?ci_sign=37672af961a987aa06f6a3c92f025fec780b03e0
IXGH25N250
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 301ns
Turn-off time: 409ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 75nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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