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IXFX64N50Q3 IXFX64N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D467BA74859820&compId=IXFK(X)64N50Q3.pdf?ci_sign=d06f282fe71544fead79cd47b45b6394a781ba37 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS IXFK(X)64N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX66N85X IXFX66N85X IXYS IXFK(X)66N85X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 66A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX74N50P2 IXFX74N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4250D9D5B1820&compId=IXFK(X)74N50P2.pdf?ci_sign=900545cffbacfdb90d0d3fdca2cb8f8db5ca12ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 74A; 1400W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 74A
Power dissipation: 1.4kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX78N50P3 IXFX78N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N50P IXYS IXFX80N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 IXYS IXFK(X)80N50Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N60P3 IXFX80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX90N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf IXFX90N60X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX94N50P2 IXFX94N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7A2ADECB4AEE74A&compId=IXFx94N50P2.pdf?ci_sign=e0921357518e552a24d181fc04f1accad62b30eb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 94A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.22 EUR
5+15.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY26N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.02 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3 IXFY36N20X3 IXYS IXF_36N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.68 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
560+3.39 EUR
1050+3.30 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
16+4.46 EUR
70+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ140N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfz140n25t_datasheet.pdf.pdf IXFZ140N25T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ520N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfz520n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFZ520N075T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXG70IF1200NA IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 86A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 86A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA12N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGA12N120A3 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.41 EUR
12+6.03 EUR
13+5.71 EUR
100+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3 IXGA20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA24N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf IXGA24N120C3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 IXYS IXGA(H,P)30N120B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.27 EUR
8+8.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA42N30C3 IXYS DS99885B(IXGA-H-P42N30C3).pdf IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.52 EUR
17+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf20n300_datasheet.pdf.pdf IXGF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+84.08 EUR
2+51.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGF32N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf IXGF32N170 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH10N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_10n170_datasheet.pdf.pdf IXGH10N170 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH10N170A IXGH10N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
6+11.91 EUR
30+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30b3_datasheet.pdf.pdf IXGH120N30B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30c3_datasheet.pdf.pdf IXGH120N30C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH12N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGH12N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_16n170_datasheet.pdf.pdf IXGH16N170 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170A IXYS IXGH16N170A THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Technology: GenX3™; PT
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.27 EUR
12+6.28 EUR
13+5.93 EUR
120+5.83 EUR
300+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf IXGH24N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh24n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXGH24N120C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 IXGH24N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3D3296E6F820&compId=IXGH(T)24N170.pdf?ci_sign=bcf829c7a280c895f4c01ef3c947f0ab37ed7901 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 106nC
Technology: NPT
Mounting: THT
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IXGH24N170A IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8C2E6414-9419-4902-AA0C-89B0A41A5E1A&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-NPT-IXG-24N170A-Datasheet.PDF IXGH24N170A THT IGBT transistors
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IXGH25N160 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-25n160-datasheet?assetguid=e99d4d37-eadb-43a7-b39e-2759aaac9254 IXGH25N160 THT IGBT transistors
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IXGH25N250 IXGH25N250 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB00DD7512F1820&compId=IXGH25N250.pdf?ci_sign=37672af961a987aa06f6a3c92f025fec780b03e0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 301ns
Turn-off time: 409ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 75nC
Technology: NPT
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IXGH28N60B3D1 IXYS IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
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IXGH2N250 IXGH2N250 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAFE9F6304CF820&compId=IXGH2N250.pdf?ci_sign=139bab15db439c626267cbd44ebcd44f0138782d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13.5A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 32W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 10.5nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 IXYS IXGH(t)30N120B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH30N120C3H1 IXGH30N120C3H1 IXYS IXGH30N120C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 415ns
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IXGH32N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGH32N120A3 THT IGBT transistors
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IXGH32N170 IXGH32N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF680363E99820&compId=IXGH(t)32N170.pdf?ci_sign=9963563482ba752aee4d73fdf7543cee510e34e6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXGH32N170A IXGH32N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF6B9E68B0F820&compId=IXGH(t)32N170a.pdf?ci_sign=20f3ac78b03e514554c84896e87e65060d55b472 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
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IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
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IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACDC24CE18D820&compId=IXGH(T)40N120A2.pdf?ci_sign=203d3ce5808c7efb2301acda4bb7953fc1c64a9b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Technology: PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACE7B86DFC1820&compId=IXGH40N120B2D1.pdf?ci_sign=f69cd0ee46700a68335dcbe7633483cd24211c52 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH40N120C3 IXGH40N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF007F4611820&compId=IXGH40N120C3.pdf?ci_sign=714914cb8f64354bd66f866a923e86117151cff6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF2BC4DE99820&compId=IXGH40N120C3D1.pdf?ci_sign=9086ec5b6a009987b2652c18dc4656beb34eaf8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH48N60A3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-48n60a3-datasheet?assetguid=ffcf00ed-e88e-4ffe-ba28-de9ec4168ec3 IXGH48N60A3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh48n60a3d1-datasheet?assetguid=8cd78c94-e0a0-45e1-a824-b54de69c6df4 IXGH48N60A3D1 THT IGBT transistors
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IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D467BA74859820&compId=IXFK(X)64N50Q3.pdf?ci_sign=d06f282fe71544fead79cd47b45b6394a781ba37
IXFX64N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P IXFK(X)64N60P.pdf
IXFX64N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFX64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX66N85X IXFK(X)66N85X.pdf
IXFX66N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 66A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX74N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4250D9D5B1820&compId=IXFK(X)74N50P2.pdf?ci_sign=900545cffbacfdb90d0d3fdca2cb8f8db5ca12ac
IXFX74N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 74A; 1400W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 74A
Power dissipation: 1.4kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX78N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434
IXFX78N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N50P
Hersteller: IXYS
IXFX80N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N50Q3 IXFK(X)80N50Q3.pdf
IXFX80N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f
IXFX80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX90N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX90N60X THT N channel transistors
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IXFX94N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7A2ADECB4AEE74A&compId=IXFx94N50P2.pdf?ci_sign=e0921357518e552a24d181fc04f1accad62b30eb
IXFX94N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 94A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX98N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32
IXFX98N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFY26N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
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IXFY30N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
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IXFY36N20X3 IXF_36N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFY36N20X3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFY4N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY4N85X SMD N channel transistors
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IXFY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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69+1.04 EUR
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IXFZ140N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfz140n25t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFZ140N25T SMD N channel transistors
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IXFZ520N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfz520n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFZ520N075T2 SMD N channel transistors
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IXG70IF1200NA
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 86A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 86A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGA12N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGA12N120A3 SMD IGBT transistors
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IXGA20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGA20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 587 Stücke:
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7+10.41 EUR
12+6.03 EUR
13+5.71 EUR
100+5.49 EUR
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IXGA20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGA20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGA24N120C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGA24N120C3 SMD IGBT transistors
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IXGA30N120B3 IXGA(H,P)30N120B3.pdf
IXGA30N120B3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 331 Stücke:
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6+13.27 EUR
8+8.99 EUR
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IXGA42N30C3 DS99885B(IXGA-H-P42N30C3).pdf
Hersteller: IXYS
IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
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IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.52 EUR
17+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXGF20N300 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf20n300_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
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1+84.08 EUR
2+51.98 EUR
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IXGF32N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGF32N170 THT IGBT transistors
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IXGH10N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_10n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH10N170 THT IGBT transistors
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IXGH10N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252
IXGH10N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
6+11.91 EUR
30+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30B3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH120N30B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH120N30C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH12N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_12n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH12N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_16n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH16N170 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170A
Hersteller: IXYS
IXGH16N170A THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGH20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Technology: GenX3™; PT
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.27 EUR
12+6.28 EUR
13+5.93 EUR
120+5.83 EUR
300+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_24n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH24N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh24n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH24N120C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3D3296E6F820&compId=IXGH(T)24N170.pdf?ci_sign=bcf829c7a280c895f4c01ef3c947f0ab37ed7901
IXGH24N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 106nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.56 EUR
30+18.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170A media?resourcetype=datasheets&itemid=8C2E6414-9419-4902-AA0C-89B0A41A5E1A&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-NPT-IXG-24N170A-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXGH24N170A THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH25N160 littelfuse-discrete-igbts-ixg-25n160-datasheet?assetguid=e99d4d37-eadb-43a7-b39e-2759aaac9254
Hersteller: IXYS
IXGH25N160 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH25N250 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB00DD7512F1820&compId=IXGH25N250.pdf?ci_sign=37672af961a987aa06f6a3c92f025fec780b03e0
IXGH25N250
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 301ns
Turn-off time: 409ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 75nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N60B3D1
Hersteller: IXYS
IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH2N250 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAFE9F6304CF820&compId=IXGH2N250.pdf?ci_sign=139bab15db439c626267cbd44ebcd44f0138782d
IXGH2N250
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13.5A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 32W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 10.5nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120B3D1 IXGH(t)30N120B3D1.pdf
IXGH30N120B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120C3H1 IXGH30N120C3H1.pdf
IXGH30N120C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 415ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH32N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF680363E99820&compId=IXGH(t)32N170.pdf?ci_sign=9963563482ba752aee4d73fdf7543cee510e34e6
IXGH32N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXGH32N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF6B9E68B0F820&compId=IXGH(t)32N170a.pdf?ci_sign=20f3ac78b03e514554c84896e87e65060d55b472
IXGH32N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACDC24CE18D820&compId=IXGH(T)40N120A2.pdf?ci_sign=203d3ce5808c7efb2301acda4bb7953fc1c64a9b
IXGH40N120A2
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Technology: PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACE7B86DFC1820&compId=IXGH40N120B2D1.pdf?ci_sign=f69cd0ee46700a68335dcbe7633483cd24211c52
IXGH40N120B2D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF007F4611820&compId=IXGH40N120C3.pdf?ci_sign=714914cb8f64354bd66f866a923e86117151cff6
IXGH40N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF2BC4DE99820&compId=IXGH40N120C3D1.pdf?ci_sign=9086ec5b6a009987b2652c18dc4656beb34eaf8b
IXGH40N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-48n60a3-datasheet?assetguid=ffcf00ed-e88e-4ffe-ba28-de9ec4168ec3
Hersteller: IXYS
IXGH48N60A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgh48n60a3d1-datasheet?assetguid=8cd78c94-e0a0-45e1-a824-b54de69c6df4
Hersteller: IXYS
IXGH48N60A3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
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Anzahl Preis
4+18.42 EUR
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