Produkte > IXYS > Alle Produkte des Herstellers IXYS (15783) > Seite 243 nach 264

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 260 264  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS IXFK(X)27N80Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX300N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-300n20x3-datasheet?assetguid=53bbefbe-ccd6-4511-b54f-ab0660bbdb90 IXFX300N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.87 EUR
3+32.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N10T IXFX360N10T IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.56 EUR
10+11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-30n25x3-datasheet?assetguid=f98c5907-f43b-4415-a418-45a0a7855e6d IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.62 EUR
14+5.13 EUR
15+4.86 EUR
70+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3 IXYS IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.02 EUR
20+3.63 EUR
21+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n85x-datasheet?assetguid=37800473-7654-42bc-92bc-235668b1794c IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
17+4.2 EUR
560+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac IXGA20N120A3 SMD IGBT transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.72 EUR
10+7.97 EUR
12+6.02 EUR
13+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 IXGA30N120B3 SMD IGBT transistors
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.16 EUR
8+8.94 EUR
9+8.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.39 EUR
13+5.72 EUR
16+4.68 EUR
50+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH10N170A IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170a-datasheet?assetguid=4d943ef5-2422-4ba3-a4a1-4c8f476b60a5 IXGH10N170A THT IGBT transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.27 EUR
10+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-16n170-datasheet?assetguid=521904d3-bd7b-4fb7-962a-763ceeddcbd3 IXGH16N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.98 EUR
7+10.62 EUR
10+10.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac IXGH20N120A3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.85 EUR
12+6.26 EUR
13+5.92 EUR
90+5.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_24n170_datasheet.pdf.pdf IXGH24N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.09 EUR
5+17.1 EUR
30+16.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS IXGH36N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.23 EUR
30+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS IXGx36N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.38 EUR
9+8.62 EUR
10+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2_datasheet.pdf.pdf IXGH50N90B2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.15 EUR
10+7.18 EUR
11+6.79 EUR
30+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf IXGH50N90B2D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.28 EUR
8+9.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60A3 IXGH72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.01 EUR
10+8.11 EUR
30+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n60b3-datasheet?assetguid=afbc1b0a-9329-4956-9583-cb1d3432b70c IXGN200N60B3 IGBT modules
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+58.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.52 EUR
50+5.29 EUR
100+4.86 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.35 EUR
50+5.19 EUR
100+4.76 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP30N120B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 IXGP30N120B3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.91 EUR
11+6.55 EUR
12+6.19 EUR
500+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.35 EUR
5+18.43 EUR
10+16.44 EUR
30+14.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.64 EUR
11+6.75 EUR
12+6.06 EUR
30+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
30+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+29.09 EUR
10+26.25 EUR
30+25.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.16 EUR
12+6.33 EUR
30+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.66 EUR
10+23.45 EUR
30+21.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA02N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.67 EUR
7+10.28 EUR
8+9.72 EUR
100+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV IXTA05N100HV IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.13 EUR
15+4.85 EUR
18+4.12 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc IXTA08N100D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.78 EUR
31+2.32 EUR
33+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTA10P50P SMD P channel transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.08 EUR
13+5.62 EUR
14+5.31 EUR
15+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf IXTA120P065T SMD P channel transistors
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.79 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA140N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf IXTA140N12T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA170N075T2 IXYS 99970A.pdf IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
24+3 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA180N10T IXTA180N10T IXYS IXTA(P)180N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
13+5.56 EUR
25+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X2 IXTA20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
50+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P IXYS IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf IXTA26P20P SMD P channel transistors
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.22 EUR
12+5.96 EUR
13+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA28P065T IXYS DS99968B(IXTA-TP28P065T).pdf IXTA28P065T SMD P channel transistors
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.48 EUR
33+2.19 EUR
35+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P IXYS DS99817C(IXTY-TA-TP2N100P).pdf IXTA2N100P SMD N channel transistors
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.38 EUR
35+2.1 EUR
36+1.99 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 IXTA36N30P SMD N channel transistors
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.19 EUR
18+4 EUR
19+3.79 EUR
50+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N150HV IXTA3N150HV IXYS IXTA3N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.57 EUR
7+10.85 EUR
10+9.71 EUR
15+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P IXYS DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf IXTA3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTA44P15T SMD P channel transistors
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.12 EUR
14+5.28 EUR
15+4.98 EUR
100+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
50+1.64 EUR
100+1.49 EUR
250+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N70X2 IXTA4N70X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
32+2.29 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTA52P10P SMD P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.11 EUR
12+5.96 EUR
13+5.63 EUR
25+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.98 EUR
9+7.95 EUR
25+7.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a IXTA76P10T SMD P channel transistors
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.12 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2 IXTA80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.84 EUR
10+13.08 EUR
25+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.8 EUR
34+2.16 EUR
50+1.67 EUR
250+1.39 EUR
300+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.24 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L IXTB62N50L IXYS IXTB62N50L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 550nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+53.54 EUR
3+47.36 EUR
10+42.56 EUR
25+39.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 IXTH10P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.14 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf IXTH110N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.47 EUR
9+8.07 EUR
10+7.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX27N80Q IXFK(X)27N80Q.pdf
IXFX27N80Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX300N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-300n20x3-datasheet?assetguid=53bbefbe-ccd6-4511-b54f-ab0660bbdb90
Hersteller: IXYS
IXFX300N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.87 EUR
3+32.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N10T IXFK(X)360N10T.pdf
IXFX360N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.56 EUR
10+11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-30n25x3-datasheet?assetguid=f98c5907-f43b-4415-a418-45a0a7855e6d
Hersteller: IXYS
IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
14+5.13 EUR
15+4.86 EUR
70+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3
Hersteller: IXYS
IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.02 EUR
20+3.63 EUR
21+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n85x-datasheet?assetguid=37800473-7654-42bc-92bc-235668b1794c
Hersteller: IXYS
IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
17+4.2 EUR
560+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac
Hersteller: IXYS
IXGA20N120A3 SMD IGBT transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.72 EUR
10+7.97 EUR
12+6.02 EUR
13+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64
Hersteller: IXYS
IXGA30N120B3 SMD IGBT transistors
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.16 EUR
8+8.94 EUR
9+8.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.39 EUR
13+5.72 EUR
16+4.68 EUR
50+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH10N170A littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170a-datasheet?assetguid=4d943ef5-2422-4ba3-a4a1-4c8f476b60a5
Hersteller: IXYS
IXGH10N170A THT IGBT transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.27 EUR
10+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-16n170-datasheet?assetguid=521904d3-bd7b-4fb7-962a-763ceeddcbd3
Hersteller: IXYS
IXGH16N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.98 EUR
7+10.62 EUR
10+10.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac
Hersteller: IXYS
IXGH20N120A3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.85 EUR
12+6.26 EUR
13+5.92 EUR
90+5.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_24n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH24N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.09 EUR
5+17.1 EUR
30+16.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3.pdf
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.23 EUR
30+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 IXGx36N60B3C1-DTE.pdf
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.38 EUR
9+8.62 EUR
10+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH50N90B2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.15 EUR
10+7.18 EUR
11+6.79 EUR
30+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2D1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH50N90B2D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.28 EUR
8+9.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGH72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.01 EUR
10+8.11 EUR
30+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n60b3-datasheet?assetguid=afbc1b0a-9329-4956-9583-cb1d3432b70c
Hersteller: IXYS
IXGN200N60B3 IGBT modules
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+58.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.52 EUR
50+5.29 EUR
100+4.86 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGP20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.35 EUR
50+5.19 EUR
100+4.76 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP30N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64
Hersteller: IXYS
IXGP30N120B3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.91 EUR
11+6.55 EUR
12+6.19 EUR
500+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.35 EUR
5+18.43 EUR
10+16.44 EUR
30+14.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.64 EUR
11+6.75 EUR
12+6.06 EUR
30+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGT72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
30+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGX320N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+29.09 EUR
10+26.25 EUR
30+25.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.16 EUR
12+6.33 EUR
30+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5.pdf
IXKR47N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.66 EUR
10+23.45 EUR
30+21.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA02N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e
Hersteller: IXYS
IXTA02N250HV SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.67 EUR
7+10.28 EUR
8+9.72 EUR
100+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA05N100HV IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTA05N100HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
15+4.85 EUR
18+4.12 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA08N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc
Hersteller: IXYS
IXTA08N100D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.78 EUR
31+2.32 EUR
33+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA10P50P SMD P channel transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.08 EUR
13+5.62 EUR
14+5.31 EUR
15+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA120P065T SMD P channel transistors
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.79 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA140N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA140N12T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA170N075T2 99970A.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
24+3 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA180N10T IXTA(P)180N10T.pdf
IXTA180N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
13+5.56 EUR
25+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
50+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA26P20P SMD P channel transistors
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.22 EUR
12+5.96 EUR
13+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA28P065T DS99968B(IXTA-TP28P065T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA28P065T SMD P channel transistors
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
33+2.19 EUR
35+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P DS99817C(IXTY-TA-TP2N100P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA2N100P SMD N channel transistors
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
35+2.1 EUR
36+1.99 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
Hersteller: IXYS
IXTA36N30P SMD N channel transistors
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.19 EUR
18+4 EUR
19+3.79 EUR
50+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N150HV IXTA3N150HV.pdf
IXTA3N150HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.57 EUR
7+10.85 EUR
10+9.71 EUR
15+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
13+5.51 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTA44P15T SMD P channel transistors
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.12 EUR
14+5.28 EUR
15+4.98 EUR
100+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
50+1.64 EUR
100+1.49 EUR
250+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N70X2 ixty2n65x2.pdf
IXTA4N70X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
32+2.29 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Hersteller: IXYS
IXTA52P10P SMD P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.11 EUR
12+5.96 EUR
13+5.63 EUR
25+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Hersteller: IXYS
IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.98 EUR
9+7.95 EUR
25+7.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
Hersteller: IXYS
IXTA76P10T SMD P channel transistors
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTA80N075L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.84 EUR
10+13.08 EUR
25+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
34+2.16 EUR
50+1.67 EUR
250+1.39 EUR
300+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
Hersteller: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.24 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L IXTB62N50L.pdf
IXTB62N50L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 550nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+53.54 EUR
3+47.36 EUR
10+42.56 EUR
25+39.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634
Hersteller: IXYS
IXTH10P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.14 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH110N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.47 EUR
9+8.07 EUR
10+7.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 260 264  [ Nächste Seite >> ]