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IXFX64N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 64A Power dissipation: 1kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX64N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.04kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX64N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX66N85X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 66A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX74N50P2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 74A; 1400W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 74A Power dissipation: 1.4kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX78N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 78A Power dissipation: 1.13kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX80N50P | IXYS | IXFX80N50P THT N channel transistors |
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IXFX80N50Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 80A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX80N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 80A Power dissipation: 1.3kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX90N60X | IXYS |
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IXFX94N50P2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 94A; 1300W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 94A Power dissipation: 1.3kW Case: PLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Technology: HiPerFET™; Polar2™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFX98N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 98A Power dissipation: 1.3kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFY26N30X3 | IXYS |
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IXFY30N25X3 | IXYS |
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auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFY36N20X3 | IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252 Reverse recovery time: 75ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 36A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 176W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 21nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO252 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFY4N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 114W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar3™ Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFY4N85X | IXYS |
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auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFZ140N25T | IXYS |
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IXFZ520N075T2 | IXYS |
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IXG70IF1200NA | IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 86A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 86A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Technology: X2PT Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGA12N120A3 | IXYS |
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IXGA20N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 180W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: tube Turn-on time: 66ns Turn-off time: 1.53µs Technology: GenX3™; PT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGA20N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: tube Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 61ns Turn-off time: 720ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGA24N120C3 | IXYS |
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IXGA30N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGA42N30C3 | IXYS |
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IXGA48N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 925ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGF20N300 | IXYS |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGF32N170 | IXYS |
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IXGH10N170 | IXYS |
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IXGH10N170A | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 5A Pulsed collector current: 20A Turn-on time: 107ns Turn-off time: 240ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 140W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 29nC Technology: NPT Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH120N30B3 | IXYS |
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IXGH120N30C3 | IXYS |
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IXGH12N120A3 | IXYS |
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IXGH16N170 | IXYS |
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IXGH16N170A | IXYS | IXGH16N170A THT IGBT transistors |
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IXGH20N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 66ns Turn-off time: 1.53µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 180W Kind of package: tube Gate charge: 50nC Technology: GenX3™; PT Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH24N120C3 | IXYS |
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IXGH24N120C3H1 | IXYS |
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IXGH24N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 105ns Turn-off time: 560ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 106nC Technology: NPT Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH24N170A | IXYS |
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IXGH25N160 | IXYS |
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IXGH25N250 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 301ns Turn-off time: 409ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 75nC Technology: NPT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH28N60B3D1 | IXYS | IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors |
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IXGH2N250 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2A Pulsed collector current: 13.5A Turn-on time: 115ns Turn-off time: 278ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 32W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 10.5nC Technology: NPT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH30N120B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGH30N120C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Pulsed collector current: 115A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 415ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH32N120A3 | IXYS |
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IXGH32N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 32A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Turn-on time: 90ns Turn-off time: 920ns Features of semiconductor devices: high voltage Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH32N170A | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 21A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 110A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Turn-on time: 107ns Turn-off time: 370ns Features of semiconductor devices: high voltage Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH36N60B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 350ns Turn-on time: 45ns Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH36N60B3C1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 350ns Turn-on time: 47ns Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH40N120A2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Technology: PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 55ns Turn-off time: 2.3µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH40N120B2D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 138nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 79ns Turn-off time: 770ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGH40N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 475ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IXGH40N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 475ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IXGH48N60A3 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IXGH48N60A3D1 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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IXGH48N60B3C1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Turn-on time: 48ns Turn-off time: 347ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX64N50Q3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX64N60P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX64N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX66N85X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 66A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 66A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX74N50P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 74A; 1400W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 74A
Power dissipation: 1.4kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 74A; 1400W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 74A
Power dissipation: 1.4kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX78N50P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX80N50P |
Hersteller: IXYS
IXFX80N50P THT N channel transistors
IXFX80N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX80N50Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX80N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX90N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFX90N60X THT N channel transistors
IXFX90N60X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX94N50P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 94A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 94A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFX98N50P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 23.22 EUR |
5+ | 15.63 EUR |
IXFY26N30X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFY30N25X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.02 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
14+ | 5.21 EUR |
IXFY36N20X3 |
![]() ![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.68 EUR |
20+ | 3.65 EUR |
21+ | 3.45 EUR |
560+ | 3.39 EUR |
1050+ | 3.30 EUR |
IXFY4N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFY4N85X |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFY4N85X SMD N channel transistors
IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.21 EUR |
16+ | 4.46 EUR |
70+ | 2.82 EUR |
IXFY8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 1.04 EUR |
IXFZ140N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFZ140N25T SMD N channel transistors
IXFZ140N25T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFZ520N075T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFZ520N075T2 SMD N channel transistors
IXFZ520N075T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXG70IF1200NA |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 86A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 86A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 86A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 86A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGA12N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGA12N120A3 SMD IGBT transistors
IXGA12N120A3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGA20N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.41 EUR |
12+ | 6.03 EUR |
13+ | 5.71 EUR |
100+ | 5.49 EUR |
IXGA20N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGA24N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGA24N120C3 SMD IGBT transistors
IXGA24N120C3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGA30N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.27 EUR |
8+ | 8.99 EUR |
IXGA42N30C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
IXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGA48N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.13 EUR |
13+ | 5.52 EUR |
16+ | 4.52 EUR |
17+ | 4.28 EUR |
IXGF20N300 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGF20N300 THT IGBT transistors
IXGF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 84.08 EUR |
2+ | 51.98 EUR |
IXGF32N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGF32N170 THT IGBT transistors
IXGF32N170 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH10N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH10N170 THT IGBT transistors
IXGH10N170 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH10N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
30+ | 7.06 EUR |
IXGH120N30B3 |
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Hersteller: IXYS
IXGH120N30B3 THT IGBT transistors
IXGH120N30B3 THT IGBT transistors
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IXGH120N30C3 |
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Hersteller: IXYS
IXGH120N30C3 THT IGBT transistors
IXGH120N30C3 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGH12N120A3 |
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Hersteller: IXYS
IXGH12N120A3 THT IGBT transistors
IXGH12N120A3 THT IGBT transistors
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IXGH16N170 |
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Hersteller: IXYS
IXGH16N170 THT IGBT transistors
IXGH16N170 THT IGBT transistors
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IXGH16N170A |
Hersteller: IXYS
IXGH16N170A THT IGBT transistors
IXGH16N170A THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGH20N120A3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Technology: GenX3™; PT
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Technology: GenX3™; PT
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.27 EUR |
12+ | 6.28 EUR |
13+ | 5.93 EUR |
120+ | 5.83 EUR |
300+ | 5.71 EUR |
IXGH24N120C3 |
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Hersteller: IXYS
IXGH24N120C3 THT IGBT transistors
IXGH24N120C3 THT IGBT transistors
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IXGH24N120C3H1 |
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Hersteller: IXYS
IXGH24N120C3H1 THT IGBT transistors
IXGH24N120C3H1 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGH24N170 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 106nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 106nC
Technology: NPT
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.56 EUR |
30+ | 18.20 EUR |
IXGH24N170A |
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Hersteller: IXYS
IXGH24N170A THT IGBT transistors
IXGH24N170A THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGH25N160 |
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Hersteller: IXYS
IXGH25N160 THT IGBT transistors
IXGH25N160 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGH25N250 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 301ns
Turn-off time: 409ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 75nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 301ns
Turn-off time: 409ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 75nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGH28N60B3D1 |
Hersteller: IXYS
IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
IXGH2N250 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13.5A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 32W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 10.5nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13.5A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 32W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 10.5nC
Technology: NPT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXGH30N120B3D1 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGH30N120C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 415ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 415ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH32N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH32N120A3 THT IGBT transistors
IXGH32N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH32N170 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 22.35 EUR |
IXGH32N170A |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH36N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.35 EUR |
15+ | 4.86 EUR |
16+ | 4.59 EUR |
25+ | 4.58 EUR |
30+ | 4.42 EUR |
120+ | 4.40 EUR |
IXGH36N60B3C1 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
IXGH40N120A2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Technology: PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Technology: PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH40N120B2D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH40N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH40N120C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH48N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH48N60A3 THT IGBT transistors
IXGH48N60A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH48N60A3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXGH48N60A3D1 THT IGBT transistors
IXGH48N60A3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGH48N60B3C1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.42 EUR |