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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFX170N20P IXFX170N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7919FF3517E5D4746&compId=IXF_170N20P.pdf?ci_sign=7a8e99d2eb2f7ace504a59de513ff4d7089e5376 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1250W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20T IXFX170N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5344B49DB7820&compId=IXFK(X)170N20T.pdf?ci_sign=132d408b08d163a2c5614a95cdf3179fcf883841 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N15P IXYS IXFX180N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.59 EUR
5+14.7 EUR
6+13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N25T IXYS IXFX180N25T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX200N10P IXYS IXFX200N10P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N120P IXFX20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+25.34 EUR
30+25.14 EUR
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IXFX210N30X3 IXYS IXFX210N30X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX220N17T2 IXFX220N17T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD21B57C17D820&compId=IXFK(X)220N17T2.pdf?ci_sign=05649ffdd8b9bb30b334fa0980d890b6e4de392d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.03 EUR
6+12.68 EUR
30+12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20T IXYS IXFX230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.46 EUR
4+21.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N15T2 IXYS IXFX240N15T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N25X3 IXYS IXFX240N25X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX24N100Q3 IXYS IXFX24N100Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX250N10P IXFX250N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX26N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n100p_datasheet.pdf.pdf IXFX26N100P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX26N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n120p_datasheet.pdf.pdf IXFX26N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.55 EUR
4+23.21 EUR
30+23.09 EUR
120+22.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX300N20X3 IXFX300N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB1B71634818BF&compId=IXF_300N20X3.pdf?ci_sign=d7ceaf98ba04f28d6cca73c11a6a109100fa462b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.52 EUR
10+31.32 EUR
30+31.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFX320N17T2 IXYS IXFX320N17T2 THT N channel transistors
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IXFX32N100P IXFX32N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC1DC4FAEC1820&compId=IXFK(X)32N100P.pdf?ci_sign=d4d0595112cc0bc4e87edb1f70eff260601fd64c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N100Q3 IXFX32N100Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A93A81055778BF&compId=IXF_32N100Q3.pdf?ci_sign=e4e37fba8c821b262a57b3694710db983ba811c8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N80P IXYS IXFX32N80P THT N channel transistors
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IXFX32N80Q3 IXYS IXFX32N80Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N90P IXFX32N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX34N80 IXFX34N80 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N10T IXFX360N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBEC3CAC2D3820&compId=IXFK(X)360N10T.pdf?ci_sign=3e3c42ae502f5134306933943e750d4d7a30bb3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: PLUS247™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.39 EUR
6+12.41 EUR
7+11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFX360N15T2 IXYS IXFX360N15T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX400N15X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e IXFX400N15X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX40N90P IXYS IXFX40N90P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX420N10T IXFX420N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 420A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N60 IXYS 98611.pdf IXFX44N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N80P IXFX44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N80Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80q3_datasheet.pdf.pdf IXFX44N80Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX48N60P IXFX48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 48A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX48N60Q3 IXYS IXFX48N60Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX520N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56 IXFX520N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX55N50 IXFX55N50 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A95C294BFDB8BF&compId=IXFX50N50_IXFX55N50.pdf?ci_sign=9823f069cf4013329e963cbfdae0e3ff065e6ff0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N50P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C IXFX64N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N50Q3 IXYS IXFX64N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P IXYS 99442.pdf IXFX64N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX64N60P3 IXYS IXFX64N60P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX66N85X IXYS IXFX66N85X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX74N50P2 IXYS IXFX74N50P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX78N50P3 IXFX78N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N50P IXYS IXFX80N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N50Q3 IXYS IXFX80N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX80N60P3 IXFX80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFX90N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf IXFX90N60X THT N channel transistors
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IXFX94N50P2 IXYS IXFX94N50P2 THT N channel transistors
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IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFY26N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
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IXFY30N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 69 Stücke:
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IXFY36N20X3 IXYS IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
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2030+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXFY4N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFY4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
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IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ140N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC69D820&compId=IXFZ140N25T.pdf?ci_sign=952f429967276dca1a61b9a4cdcb8892aedde274 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 445W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 445W
Case: DE475
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFZ520N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6B5820&compId=IXFZ520N075T2.pdf?ci_sign=26fb6a6e5211b58faa65984db5ccbca3e0448fe4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 420A; 600W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 420A
Power dissipation: 600W
Case: DE475
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXG70IF1200NA IXYS IXG70IF1200NA IGBT modules
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IXGA12N120A3 IXGA12N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB6BEF0478F820&compId=IXGA(p%2Ch)12N120A3.pdf?ci_sign=7ff57f903aa71d4892f3c9c90fda1c4b6514c180 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX170N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7919FF3517E5D4746&compId=IXF_170N20P.pdf?ci_sign=7a8e99d2eb2f7ace504a59de513ff4d7089e5376
IXFX170N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1250W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5344B49DB7820&compId=IXFK(X)170N20T.pdf?ci_sign=132d408b08d163a2c5614a95cdf3179fcf883841
IXFX170N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 265nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N15P
Hersteller: IXYS
IXFX180N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.59 EUR
5+14.7 EUR
6+13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N25T
Hersteller: IXYS
IXFX180N25T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX200N10P
Hersteller: IXYS
IXFX200N10P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba
IXFX20N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+25.34 EUR
30+25.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX210N30X3
Hersteller: IXYS
IXFX210N30X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX220N17T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD21B57C17D820&compId=IXFK(X)220N17T2.pdf?ci_sign=05649ffdd8b9bb30b334fa0980d890b6e4de392d
IXFX220N17T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.03 EUR
6+12.68 EUR
30+12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20T
Hersteller: IXYS
IXFX230N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.46 EUR
4+21.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N15T2
Hersteller: IXYS
IXFX240N15T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N25X3
Hersteller: IXYS
IXFX240N25X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX24N100Q3
Hersteller: IXYS
IXFX24N100Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX250N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043
IXFX250N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX26N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX26N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX26N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX26N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX27N80Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd
IXFX27N80Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.55 EUR
4+23.21 EUR
30+23.09 EUR
120+22.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX300N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB1B71634818BF&compId=IXF_300N20X3.pdf?ci_sign=d7ceaf98ba04f28d6cca73c11a6a109100fa462b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFX300N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.52 EUR
10+31.32 EUR
30+31.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX320N17T2
Hersteller: IXYS
IXFX320N17T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC1DC4FAEC1820&compId=IXFK(X)32N100P.pdf?ci_sign=d4d0595112cc0bc4e87edb1f70eff260601fd64c
IXFX32N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N100Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A93A81055778BF&compId=IXF_32N100Q3.pdf?ci_sign=e4e37fba8c821b262a57b3694710db983ba811c8
IXFX32N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 1kV; 32A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 32A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N80P
Hersteller: IXYS
IXFX32N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N80Q3
Hersteller: IXYS
IXFX32N80Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX32N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC0C0B92EF5820&compId=IXFK(X)32N90P.pdf?ci_sign=9dde976cf23b0d36de82ad17094a5db783c3d5b5
IXFX32N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX34N80 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5531C0BEB820&compId=IXFK(X)34N80.pdf?ci_sign=c21449cd8db7a186cc87835ff14b3420826840c0
IXFX34N80
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX360N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBEC3CAC2D3820&compId=IXFK(X)360N10T.pdf?ci_sign=3e3c42ae502f5134306933943e750d4d7a30bb3e
IXFX360N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: PLUS247™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
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IXFX360N15T2
Hersteller: IXYS
IXFX360N15T2 THT N channel transistors
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IXFX400N15X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_400n15x3_datasheet.pdf?assetguid=c6e53bef-e462-4a4c-ba1f-c0550f6db46e
Hersteller: IXYS
IXFX400N15X3 THT N channel transistors
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IXFX40N90P
Hersteller: IXYS
IXFX40N90P THT N channel transistors
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IXFX420N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c
IXFX420N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 420A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX44N60 98611.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX44N60 THT N channel transistors
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IXFX44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFX44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX44N80Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX44N80Q3 THT N channel transistors
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IXFX48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFX48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 48A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFX48N60Q3
Hersteller: IXYS
IXFX48N60Q3 THT N channel transistors
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IXFX520N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56
Hersteller: IXYS
IXFX520N075T2 THT N channel transistors
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IXFX55N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A95C294BFDB8BF&compId=IXFX50N50_IXFX55N50.pdf?ci_sign=9823f069cf4013329e963cbfdae0e3ff065e6ff0
IXFX55N50
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFX64N50P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C
Hersteller: IXYS
IXFX64N50P THT N channel transistors
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IXFX64N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFX64N50Q3 THT N channel transistors
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IXFX64N60P 99442.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX64N60P THT N channel transistors
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IXFX64N60P3
Hersteller: IXYS
IXFX64N60P3 THT N channel transistors
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IXFX66N85X
Hersteller: IXYS
IXFX66N85X THT N channel transistors
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IXFX74N50P2
Hersteller: IXYS
IXFX74N50P2 THT N channel transistors
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IXFX78N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434
IXFX78N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX80N50P
Hersteller: IXYS
IXFX80N50P THT N channel transistors
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IXFX80N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFX80N50Q3 THT N channel transistors
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IXFX80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f
IXFX80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX90N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFX90N60X THT N channel transistors
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IXFX94N50P2
Hersteller: IXYS
IXFX94N50P2 THT N channel transistors
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IXFX98N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32
IXFX98N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
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Anzahl Preis
4+21.25 EUR
5+15.56 EUR
120+15.02 EUR
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IXFY26N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_26n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY26N30X3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY30N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.02 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3
Hersteller: IXYS
IXFY36N20X3 SMD N channel transistors
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Anzahl Preis
12+5.98 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
2030+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFY4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
16+4.46 EUR
70+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ140N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC69D820&compId=IXFZ140N25T.pdf?ci_sign=952f429967276dca1a61b9a4cdcb8892aedde274
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 445W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 445W
Case: DE475
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ520N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6B5820&compId=IXFZ520N075T2.pdf?ci_sign=26fb6a6e5211b58faa65984db5ccbca3e0448fe4
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 420A; 600W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 420A
Power dissipation: 600W
Case: DE475
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXG70IF1200NA
Hersteller: IXYS
IXG70IF1200NA IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA12N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB6BEF0478F820&compId=IXGA(p%2Ch)12N120A3.pdf?ci_sign=7ff57f903aa71d4892f3c9c90fda1c4b6514c180
IXGA12N120A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGA20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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