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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA230N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTA230N04T4 SMD N channel transistors
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IXTA230N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n075t2_datasheet.pdf.pdf IXTA230N075T2 SMD N channel transistors
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IXTA230N075T2-7 IXYS DS100070(IXTA230N075T2-7).pdf IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors
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IXTA24N65X2 IXTA24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA24P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf IXTA24P085T SMD P channel transistors
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IXTA260N055T2 IXTA260N055T2 IXYS IXTA(P)260N055T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA260N055T2-7 IXTA260N055T2-7 IXYS IXTA260N055T2-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA26P10T IXTA26P10T IXYS IXT_26P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.15 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
250+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA270N04T4 IXYS DS100705A(IXTA270N04T4-7).pdf IXTA270N04T4 SMD N channel transistors
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IXTA270N04T4-7 IXYS IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA28P065T IXYS DS99968B(IXTA-TP28P065T).pdf IXTA28P065T SMD P channel transistors
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.90 EUR
33+2.19 EUR
35+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P IXTA2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
25+2.92 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA300N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTA300N04T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf IXTA32N20T SMD N channel transistors
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IXTA32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.66 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P20T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA IXTA32P20T SMD P channel transistors
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IXTA340N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
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IXTA340N04T4-7 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
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IXTA34N65X2 IXTA34N65X2 IXYS IXTA34N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA36N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 IXTA36N30P SMD N channel transistors
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.01 EUR
18+4.00 EUR
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXTA36P15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_36p15p_datasheet.pdf.pdf IXTA36P15P SMD P channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.19 EUR
13+5.65 EUR
14+5.35 EUR
50+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTA380N036T4-7 IXTA380N036T4-7 IXYS IXTA380N036T4-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1 IXTA3N100D2 SMD N channel transistors
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IXTA3N100D2HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta3n100d2hv_datasheet.pdf.pdf IXTA3N100D2HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf IXTA3N100P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf IXTA3N120 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120hv_datasheet.pdf.pdf IXTA3N120HV SMD N channel transistors
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IXTA3N150HV IXTA3N150HV IXYS IXTA3N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.43 EUR
8+9.45 EUR
50+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93 IXTA3N50D2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P IXYS DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf IXTA3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
24+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTA42N25P IXYS 99157.pdf IXTA42N25P SMD N channel transistors
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IXTA44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTA44P15T SMD P channel transistors
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.68 EUR
14+5.21 EUR
15+4.92 EUR
1000+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA460P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf IXTA460P2 SMD N channel transistors
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IXTA48N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf IXTA48N20T SMD N channel transistors
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IXTA48P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf IXTA48P05T SMD P channel transistors
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IXTA4N150HV IXTA4N150HV IXYS IXTA(T)4N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTA4N70X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.60 EUR
30+2.45 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N80P IXTA4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N20P IXTA50N20P IXYS IXTA50N20P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N25T IXTA50N25T IXYS IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 166ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTA52P10P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA60N10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf IXTA60N10T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA60N20T IXTA60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA62N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf IXTA62N15P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA64N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_64n10_datasheet.pdf.pdf IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.70 EUR
9+7.95 EUR
500+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA70N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_70n075t2_datasheet.pdf.pdf IXTA70N075T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA75N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3 IXTA75N10P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N25T IXTA76N25T IXYS IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS IXT_76P10T_HV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2 IXTA80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.07 EUR
7+11.41 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp80n10t_datasheet.pdf.pdf IXTA80N10T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N12T2 IXTA80N12T2 IXYS IXTA(P)80N12T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA86N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf IXTA86N20T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.80 EUR
34+2.16 EUR
38+1.89 EUR
300+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N70X2 IXTA8N70X2 IXYS IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA90N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA230N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA230N04T4 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA230N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA230N075T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA230N075T2-7 DS100070(IXTA230N075T2-7).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTA24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA24P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA24P085T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA260N055T2 IXTA(P)260N055T2.pdf
IXTA260N055T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA260N055T2-7 IXTA260N055T2-7.pdf
IXTA260N055T2-7
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P10T IXT_26P10T.pdf
IXTA26P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTA26P20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.15 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
250+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA270N04T4 DS100705A(IXTA270N04T4-7).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA270N04T4 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA270N04T4-7
Hersteller: IXYS
IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA28P065T DS99968B(IXTA-TP28P065T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA28P065T SMD P channel transistors
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.90 EUR
33+2.19 EUR
35+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTA2N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
25+2.92 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA300N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA300N04T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA32N20T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P20T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA
Hersteller: IXYS
IXTA32P20T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA340N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA340N04T4-7 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA34N65X2 IXTA34N65X2.pdf
IXTA34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
Hersteller: IXYS
IXTA36N30P SMD N channel transistors
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.01 EUR
18+4.00 EUR
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36P15P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_36p15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA36P15P SMD P channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.19 EUR
13+5.65 EUR
14+5.35 EUR
50+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA380N036T4-7 IXTA380N036T4-7.pdf
IXTA380N036T4-7
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1
Hersteller: IXYS
IXTA3N100D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100D2HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta3n100d2hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N100D2HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N120 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N120HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N150HV IXTA3N150HV.pdf
IXTA3N150HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.43 EUR
8+9.45 EUR
50+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93
Hersteller: IXYS
IXTA3N50D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P DS99200F(IXTY-TA-TP3N50P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
24+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA42N25P 99157.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA42N25P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTA44P15T SMD P channel transistors
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.68 EUR
14+5.21 EUR
15+4.92 EUR
1000+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA460P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA460P2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA48N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA48N20T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA48P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA48P05T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N150HV IXTA(T)4N150HV.pdf
IXTA4N150HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA4N70X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.60 EUR
30+2.45 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTA4N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N20P IXTA50N20P-DTE.pdf
IXTA50N20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N25T IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf
IXTA50N25T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 166ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Hersteller: IXYS
IXTA52P10P SMD P channel transistors
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IXTA60N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA60N10T SMD N channel transistors
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IXTA60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTA60N20T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTA62N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA62N15P SMD N channel transistors
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IXTA64N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_64n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
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IXTA6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
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IXTA6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Hersteller: IXYS
IXTA6N50D2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.70 EUR
9+7.95 EUR
500+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTA70N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_70n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA70N075T2 SMD N channel transistors
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IXTA75N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3
Hersteller: IXYS
IXTA75N10P SMD N channel transistors
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IXTA76N25T IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf
IXTA76N25T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA76P10T IXT_76P10T_HV.pdf
IXTA76P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.19 EUR
12+6.46 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTA80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTA80N075L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.07 EUR
7+11.41 EUR
50+11.20 EUR
100+10.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTA80N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp80n10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA80N10T SMD N channel transistors
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IXTA80N12T2 IXTA(P)80N12T2.pdf
IXTA80N12T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTA86N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA86N20T SMD N channel transistors
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IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.80 EUR
34+2.16 EUR
38+1.89 EUR
300+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IXTA8N70X2 IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf
IXTA8N70X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA90N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
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