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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA130N10T7 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta130n10t7_datasheet.pdf.pdf IXTA130N10T7 SMD N channel transistors
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IXTA140N12T2 IXTA140N12T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDE4D4C598B820&compId=IXTA(P)140N12T2.pdf?ci_sign=96847b55de5591e2d4cc16630b5a64962539e9ba Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 577W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 174nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 65ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTA140P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21 IXTA140P05T SMD P channel transistors
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IXTA14N60P IXYS a IXTA14N60P SMD N channel transistors
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IXTA15N50L2 IXTA15N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 300W
Reverse recovery time: 570ns
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 123nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA15P15T IXYS DS100292A(IXTA-TP-TY15P15T).pdf IXTA15P15T SMD P channel transistors
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IXTA160N04T2 IXTA160N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D343726746F820&compId=IXTA(P)160N04T2.pdf?ci_sign=1ef255f02603c204453a71fc648bc877e8e7741f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXTA16N50P IXYS 99323.pdf IXTA16N50P SMD N channel transistors
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IXTA170N075T2 IXYS 99970A.pdf IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
24+3.00 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IXTA180N10T IXTA180N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D545772189D820&compId=IXTA(P)180N10T.pdf?ci_sign=95831666b0a60635c5fe5a67c516de81d010b765 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA18P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_18p10t_datasheet.pdf.pdf IXTA18P10T SMD P channel transistors
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IXTA1N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf IXTA1N100P SMD N channel transistors
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IXTA1N120P IXTA1N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA1N170DHV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1n170dhv-datasheet?assetguid=e3da0f54-331d-4535-9890-1500e65c4eb9 IXTA1N170DHV SMD N channel transistors
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IXTA1N200P3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1n200p3-datasheet?assetguid=4b665d05-b45e-49d5-b5cb-2feb07396528 IXTA1N200P3HV SMD N channel transistors
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IXTA1R4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf IXTA1R4N100P SMD N channel transistors
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IXTA1R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf IXTA1R4N120P SMD N channel transistors
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IXTA1R6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf IXTA1R6N100D2 SMD N channel transistors
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IXTA1R6N100D2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta1r6n100d2hv-datasheet?assetguid=72c96f31-df09-45e8-9450-80791f14873c IXTA1R6N100D2HV SMD N channel transistors
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IXTA1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTA1R6N50D2 SMD N channel transistors
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IXTA200N055T2 IXTA200N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8F02C5009820&compId=IXTA(P)200N055T2.pdf?ci_sign=b09970100e7885edd8a9745146ea46cc0cf0637b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Reverse recovery time: 49ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA20N65X IXTA20N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA20N65X2 IXTA20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.45 EUR
13+5.81 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXTA220N04T2 IXTA220N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC709D95CCF820&compId=IXTA(P)220N04T2.pdf?ci_sign=1db27c209e7af5f3f0d648bd91c318079852def5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA220N04T2-7 IXTA220N04T2-7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC7E9820&compId=IXTA220N04T2-7.pdf?ci_sign=dfbe0e0fc65622b215cc5fc0881ade14b823b82d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA230N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTA230N04T4 SMD N channel transistors
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IXTA230N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n075t2_datasheet.pdf.pdf IXTA230N075T2 SMD N channel transistors
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IXTA230N075T2-7 IXYS DS100070(IXTA230N075T2-7).pdf IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors
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IXTA24N65X2 IXTA24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 390ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.145Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA24P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf IXTA24P085T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA260N055T2 IXTA260N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAF933DD53820&compId=IXTA(P)260N055T2.pdf?ci_sign=7d74893cde6dc5f8997d0fa7ff9adc13d7fa48f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA260N055T2-7 IXTA260N055T2-7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC815820&compId=IXTA260N055T2-7.pdf?ci_sign=20af502dc1bd984d39825892a1d6786d67df0a27 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P10T IXTA26P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.15 EUR
12+5.96 EUR
13+5.65 EUR
250+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTA270N04T4 IXYS DS100705A(IXTA270N04T4-7).pdf IXTA270N04T4 SMD N channel transistors
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IXTA270N04T4-7 IXYS IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors
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IXTA28P065T IXYS DS99968B(IXTA-TP28P065T).pdf IXTA28P065T SMD P channel transistors
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.90 EUR
33+2.19 EUR
35+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IXTA2N100P IXTA2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
25+2.92 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IXTA300N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTA300N04T2 SMD N channel transistors
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IXTA32N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf IXTA32N20T SMD N channel transistors
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IXTA32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.66 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P20T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA IXTA32P20T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA340N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
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IXTA340N04T4-7 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
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IXTA34N65X2 IXTA34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC82B820&compId=IXTA34N65X2.pdf?ci_sign=0f26d130d1b2a8e9a14977ffb4f2cc94ed0afebc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
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IXTA36N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 IXTA36N30P SMD N channel transistors
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IXTA380N036T4-7 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta380n036t4-7-datasheet?assetguid=04797cbd-9371-4764-a893-7e7a8a8aadea IXTA380N036T4-7 SMD N channel transistors
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IXTA3N100D2 IXTA3N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBD9B42C73B820&compId=IXTA(P)3N100D2.pdf?ci_sign=c245ce0cffe79380fadde6d25a375768a49f0754 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA3N100D2HV IXTA3N100D2HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC857820&compId=IXTA3N100D2HV.pdf?ci_sign=f5984504d3ae9f0565200babfc9d597aed5ffc16 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA3N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf IXTA3N100P SMD N channel transistors
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IXTA3N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf IXTA3N120 SMD N channel transistors
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IXTA3N120HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120hv_datasheet.pdf.pdf IXTA3N120HV SMD N channel transistors
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IXTA3N150HV IXTA3N150HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B916E9820&compId=IXTA3N150HV.pdf?ci_sign=dad1621cba0475c0d32363ea748872e5286105f5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
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IXTA3N50D2 IXTA3N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBCC5F1A4EB820&compId=IXTA(P)3N50D2.pdf?ci_sign=1433b6210e8ee4e73eac19dda6d08b4459ecca40 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO263
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Power dissipation: 125W
Gate charge: 1.07µC
Reverse recovery time: 24ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA3N50P IXTA3N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 70W
Gate charge: 9.3nC
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 400ns
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10+7.15 EUR
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IXTA42N25P IXYS 99157.pdf IXTA42N25P SMD N channel transistors
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IXTA44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTA44P15T SMD P channel transistors
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.68 EUR
14+5.21 EUR
15+4.92 EUR
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IXTA460P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf IXTA460P2 SMD N channel transistors
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IXTA48N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf IXTA48N20T SMD N channel transistors
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IXTA130N10T7 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta130n10t7_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA130N10T7 SMD N channel transistors
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IXTA140N12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDE4D4C598B820&compId=IXTA(P)140N12T2.pdf?ci_sign=96847b55de5591e2d4cc16630b5a64962539e9ba
IXTA140N12T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 577W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 174nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 65ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTA140P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
Hersteller: IXYS
IXTA140P05T SMD P channel transistors
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IXTA14N60P a
Hersteller: IXYS
IXTA14N60P SMD N channel transistors
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IXTA15N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203
IXTA15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 300W
Reverse recovery time: 570ns
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 123nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA15P15T DS100292A(IXTA-TP-TY15P15T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA15P15T SMD P channel transistors
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IXTA160N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D343726746F820&compId=IXTA(P)160N04T2.pdf?ci_sign=1ef255f02603c204453a71fc648bc877e8e7741f
IXTA160N04T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXTA16N50P 99323.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA16N50P SMD N channel transistors
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IXTA170N075T2 99970A.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA170N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
24+3.00 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IXTA180N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D545772189D820&compId=IXTA(P)180N10T.pdf?ci_sign=95831666b0a60635c5fe5a67c516de81d010b765
IXTA180N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA18P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_18p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA18P10T SMD P channel transistors
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IXTA1N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA1N100P SMD N channel transistors
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IXTA1N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0
IXTA1N120P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1N170DHV littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1n170dhv-datasheet?assetguid=e3da0f54-331d-4535-9890-1500e65c4eb9
Hersteller: IXYS
IXTA1N170DHV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1N200P3HV littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1n200p3-datasheet?assetguid=4b665d05-b45e-49d5-b5cb-2feb07396528
Hersteller: IXYS
IXTA1N200P3HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA1R4N100P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA1R4N120P SMD N channel transistors
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IXTA1R6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA1R6N100D2 SMD N channel transistors
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IXTA1R6N100D2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta1r6n100d2hv-datasheet?assetguid=72c96f31-df09-45e8-9450-80791f14873c
Hersteller: IXYS
IXTA1R6N100D2HV SMD N channel transistors
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IXTA1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Hersteller: IXYS
IXTA1R6N50D2 SMD N channel transistors
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IXTA200N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8F02C5009820&compId=IXTA(P)200N055T2.pdf?ci_sign=b09970100e7885edd8a9745146ea46cc0cf0637b
IXTA200N055T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Reverse recovery time: 49ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA20N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c
IXTA20N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTA20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.45 EUR
13+5.81 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXTA220N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC709D95CCF820&compId=IXTA(P)220N04T2.pdf?ci_sign=1db27c209e7af5f3f0d648bd91c318079852def5
IXTA220N04T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA220N04T2-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC7E9820&compId=IXTA220N04T2-7.pdf?ci_sign=dfbe0e0fc65622b215cc5fc0881ade14b823b82d
IXTA220N04T2-7
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTA230N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA230N04T4 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA230N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA230N075T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA230N075T2-7 DS100070(IXTA230N075T2-7).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTA24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 390ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.145Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA24P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA24P085T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA260N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAF933DD53820&compId=IXTA(P)260N055T2.pdf?ci_sign=7d74893cde6dc5f8997d0fa7ff9adc13d7fa48f1
IXTA260N055T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA260N055T2-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC815820&compId=IXTA260N055T2-7.pdf?ci_sign=20af502dc1bd984d39825892a1d6786d67df0a27
IXTA260N055T2-7
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124
IXTA26P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTA26P20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.15 EUR
12+5.96 EUR
13+5.65 EUR
250+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA270N04T4 DS100705A(IXTA270N04T4-7).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA270N04T4 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA270N04T4-7
Hersteller: IXYS
IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA28P065T DS99968B(IXTA-TP28P065T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA28P065T SMD P channel transistors
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.90 EUR
33+2.19 EUR
35+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTA2N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
25+2.92 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA300N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA300N04T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA32N20T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P20T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA
Hersteller: IXYS
IXTA32P20T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA340N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA340N04T4-7 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
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IXTA34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC82B820&compId=IXTA34N65X2.pdf?ci_sign=0f26d130d1b2a8e9a14977ffb4f2cc94ed0afebc
IXTA34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
Hersteller: IXYS
IXTA36N30P SMD N channel transistors
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.01 EUR
18+4.00 EUR
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36P15P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_36p15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA36P15P SMD P channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.19 EUR
13+5.65 EUR
14+5.35 EUR
50+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA380N036T4-7 littelfuse-discrete-mosfets-ixta380n036t4-7-datasheet?assetguid=04797cbd-9371-4764-a893-7e7a8a8aadea
Hersteller: IXYS
IXTA380N036T4-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBD9B42C73B820&compId=IXTA(P)3N100D2.pdf?ci_sign=c245ce0cffe79380fadde6d25a375768a49f0754
IXTA3N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100D2HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC857820&compId=IXTA3N100D2HV.pdf?ci_sign=f5984504d3ae9f0565200babfc9d597aed5ffc16
IXTA3N100D2HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N100P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N120 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N120HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N150HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B916E9820&compId=IXTA3N150HV.pdf?ci_sign=dad1621cba0475c0d32363ea748872e5286105f5
IXTA3N150HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.43 EUR
8+9.45 EUR
50+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBCC5F1A4EB820&compId=IXTA(P)3N50D2.pdf?ci_sign=1433b6210e8ee4e73eac19dda6d08b4459ecca40
IXTA3N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO263
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Power dissipation: 125W
Gate charge: 1.07µC
Reverse recovery time: 24ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4
IXTA3N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 70W
Gate charge: 9.3nC
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA42N25P 99157.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA42N25P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTA44P15T SMD P channel transistors
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.68 EUR
14+5.21 EUR
15+4.92 EUR
1000+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA460P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA460P2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA48N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA48N20T SMD N channel transistors
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