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IXGH10N170A IXGH10N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
30+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30b3_datasheet.pdf.pdf IXGH120N30B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH120N30C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30c3_datasheet.pdf.pdf IXGH120N30C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH12N120A3 IXGH12N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB6BEF0478F820&compId=IXGA(p%2Ch)12N120A3.pdf?ci_sign=7ff57f903aa71d4892f3c9c90fda1c4b6514c180 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170A IXGH16N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.27 EUR
12+6.28 EUR
13+5.93 EUR
120+5.83 EUR
300+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3 IXGH24N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5CADD2F75820&compId=IXGA(H%2CP)24N120C3.pdf?ci_sign=785f3a362f18759e260d7ef53ed0e9570b89a777 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3H1 IXGH24N120C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC643B46CF7820&compId=IXGH24N120C3H1.pdf?ci_sign=95a98f3d1dbb0fddb85353b16ef19a08cf4ab3eb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT; Sonic FRD™
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 IXGH24N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3D3296E6F820&compId=IXGH(T)24N170.pdf?ci_sign=bcf829c7a280c895f4c01ef3c947f0ab37ed7901 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.12 EUR
5+17.13 EUR
10+16.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170A IXGH24N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3FCFE5B71820&compId=IXGH(T)24N170A.pdf?ci_sign=d7f55190fb1ae41de43c5d2e465d23d3a7cfcd72 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 456ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH25N160 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-25n160-datasheet?assetguid=e99d4d37-eadb-43a7-b39e-2759aaac9254 IXGH25N160 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH25N250 IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=10d8a1ba-2522-4d0a-90e5-4afbb5a37d2c&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n250_datasheet.pdf IXGH25N250 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N60B3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh28n60b3d1-datasheet?assetguid=e150a4e4-c3b3-4a0b-bf8d-054c4d80deff IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH2N250 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_2n250_datasheet.pdf.pdf IXGH2N250 THT IGBT transistors
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.31 EUR
5+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120B3D1 IXYS IXGH30N120B3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120C3H1 IXYS IXGH30N120C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGH32N120A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170 IXGH32N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF680363E99820&compId=IXGH(t)32N170.pdf?ci_sign=9963563482ba752aee4d73fdf7543cee510e34e6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 155nC
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 350W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170A IXGH32N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF6B9E68B0F820&compId=IXGH(t)32N170a.pdf?ci_sign=20f3ac78b03e514554c84896e87e65060d55b472 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 155nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 370ns
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 350W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.85 EUR
15+4.85 EUR
16+4.59 EUR
30+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACDC24CE18D820&compId=IXGH(T)40N120A2.pdf?ci_sign=203d3ce5808c7efb2301acda4bb7953fc1c64a9b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Technology: PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 136nC
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Collector current: 40A
Power dissipation: 360W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 160A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACE7B86DFC1820&compId=IXGH40N120B2D1.pdf?ci_sign=f69cd0ee46700a68335dcbe7633483cd24211c52 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 138nC
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 200A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3 IXGH40N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF007F4611820&compId=IXGH40N120C3.pdf?ci_sign=714914cb8f64354bd66f866a923e86117151cff6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 142nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 200A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF2BC4DE99820&compId=IXGH40N120C3D1.pdf?ci_sign=9086ec5b6a009987b2652c18dc4656beb34eaf8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 142nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 180A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-48n60a3-datasheet?assetguid=ffcf00ed-e88e-4ffe-ba28-de9ec4168ec3 IXGH48N60A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh48n60a3d1-datasheet?assetguid=8cd78c94-e0a0-45e1-a824-b54de69c6df4 IXGH48N60A3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.91 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH4N250C IXYS DS100320(IXGH-GT4N250C).pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 57nC
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH50N120C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh50n120c3-datasheet?assetguid=301d9315-d6d7-4c44-85fa-549d9b9590b6 IXGH50N120C3 THT IGBT transistors
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IXGH50N90B2 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2_datasheet.pdf.pdf IXGH50N90B2 THT IGBT transistors
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IXGH50N90B2D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf IXGH50N90B2D1 THT IGBT transistors
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH6N170 IXGH6N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A99DD112ACB8BF&compId=IXG_6N170.pdf?ci_sign=da939209e45ad284a3aacd5ea8533deede4f01af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 0.6µs
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 24A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH6N170A IXGH6N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE62EB13C77820&compId=IXGh(T)6N170A.pdf?ci_sign=e3be7b7321a119c55baa6fb6dbef9aed2b2b65e8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 18.5nC
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH72N60A3 IXGH72N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
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IXGH72N60C3 IXGH72N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA8AE8E972D820&compId=IXGH72N60C3.pdf?ci_sign=e7439d07a94ee0168475277f41a96e4f84faad59 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH90N60B3 IXYS DS99994(IXGH90N60B3).pdf IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
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IXGK100N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-100n170-datasheet?assetguid=d50514ee-b55f-4642-987d-987526d4ab03 IXGK100N170 THT IGBT transistors
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IXGK120N120A3 IXGK120N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE298DEDCD820&compId=IXGK(x)120N120A3.pdf?ci_sign=c7a8186a489035ec0ead3df55bd4f31bb6ed73dd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK120N120B3 IXGK120N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE7EA92E47820&compId=IXGK(x)120N120B3.pdf?ci_sign=66d03d7a35e3abfe1e2dfa50266727cc891d888d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK320N60B3 IXYS IXGK320N60B3 THT IGBT transistors
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IXGK400N30A3 IXGK400N30A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE928C3F5451820&compId=IXGK(X)400N30A3.pdf?ci_sign=620a1db92159c5e67eff60170c2cd1cd5ba80b7c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 560nC
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 565ns
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 300V
Pulsed collector current: 1.2kA
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK50N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXGK50N120C3H1 THT IGBT transistors
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IXGK55N120A3H1 IXGK55N120A3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 1253ns
Collector current: 55A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 460W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAEEB2C2E5D820&compId=IXGK(X)72N60B3H1.pdf?ci_sign=a5aba8865088ad6a2ff712e7b9f0f02cb4b7ffac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK75N250 IXYS IXGK75N250 THT IGBT transistors
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IXGK82N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
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IXGK82N120B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120b3_datasheet.pdf.pdf IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
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IXGN100N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn100n170-datasheet?assetguid=200685c0-86dc-48d9-bd31-8fe7d5b93562 IXGN100N170 IGBT modules
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IXGN200N170 IXYS IXGN200N170 IGBT modules
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IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3ABB94C6CA26FE1EC&compId=ixgn200n60b3.pdf?ci_sign=d01a746c4ff41454ca16c191f704bec2cc169241 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 200A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+58.8 EUR
3+58.14 EUR
10+56.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXGN320N60A3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn320n60a3-datasheet?assetguid=231d72ae-a2f0-4d0a-8cc9-6874d5202487 IXGN320N60A3 IGBT modules
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IXGN400N60A3 IXGN400N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2ECD2BBEEB820&compId=IXGN400N60A3.pdf?ci_sign=8a21fca6ac60404c1a68085a303adb5a72c3c627 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 190A
Power dissipation: 830W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60B3 IXGN400N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2F019CE41B820&compId=IXGN400N60B3.pdf?ci_sign=67c9041076c20f7cbbce35e6237791751933bdc6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.5kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGN50N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn50n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXGN50N120C3H1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2FA2829F3B820&compId=IXGN72N60C3H1.pdf?ci_sign=0baf9eb2a151751236ca0716618ffe401a388905 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 52A
Pulsed collector current: 360A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGH10N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A98EA1E25B38BF&compId=IXG_10N170A.pdf?ci_sign=43009bf67308e8af9bb85474249e61e9278ec252
IXGH10N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
30+7.02 EUR
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IXGH120N30B3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH120N30B3 THT IGBT transistors
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IXGH120N30C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH120N30C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGH12N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB6BEF0478F820&compId=IXGA(p%2Ch)12N120A3.pdf?ci_sign=7ff57f903aa71d4892f3c9c90fda1c4b6514c180
IXGH12N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGH16N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616
IXGH16N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXGH16N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38
IXGH16N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGH20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5CADD2F75820&compId=IXGA(H%2CP)24N120C3.pdf?ci_sign=785f3a362f18759e260d7ef53ed0e9570b89a777
IXGH24N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N120C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC643B46CF7820&compId=IXGH24N120C3H1.pdf?ci_sign=95a98f3d1dbb0fddb85353b16ef19a08cf4ab3eb
IXGH24N120C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT; Sonic FRD™
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3D3296E6F820&compId=IXGH(T)24N170.pdf?ci_sign=bcf829c7a280c895f4c01ef3c947f0ab37ed7901
IXGH24N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH24N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3FCFE5B71820&compId=IXGH(T)24N170A.pdf?ci_sign=d7f55190fb1ae41de43c5d2e465d23d3a7cfcd72
IXGH24N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 456ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH25N160 littelfuse-discrete-igbts-ixg-25n160-datasheet?assetguid=e99d4d37-eadb-43a7-b39e-2759aaac9254
Hersteller: IXYS
IXGH25N160 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH25N250 media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=10d8a1ba-2522-4d0a-90e5-4afbb5a37d2c&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n250_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH25N250 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N60B3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgh28n60b3d1-datasheet?assetguid=e150a4e4-c3b3-4a0b-bf8d-054c4d80deff
Hersteller: IXYS
IXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH2N250 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_2n250_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH2N250 THT IGBT transistors
auf Bestellung 279 Stücke:
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4+20.31 EUR
5+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXGH30N120B3D1
Hersteller: IXYS
IXGH30N120B3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120C3H1
Hersteller: IXYS
IXGH30N120C3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH32N120A3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF680363E99820&compId=IXGH(t)32N170.pdf?ci_sign=9963563482ba752aee4d73fdf7543cee510e34e6
IXGH32N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 155nC
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 350W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
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4+22.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF6B9E68B0F820&compId=IXGH(t)32N170a.pdf?ci_sign=20f3ac78b03e514554c84896e87e65060d55b472
IXGH32N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 155nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 370ns
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 350W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
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11+6.85 EUR
15+4.85 EUR
16+4.59 EUR
30+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACDC24CE18D820&compId=IXGH(T)40N120A2.pdf?ci_sign=203d3ce5808c7efb2301acda4bb7953fc1c64a9b
IXGH40N120A2
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Technology: PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 136nC
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Collector current: 40A
Power dissipation: 360W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 160A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACE7B86DFC1820&compId=IXGH40N120B2D1.pdf?ci_sign=f69cd0ee46700a68335dcbe7633483cd24211c52
IXGH40N120B2D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 138nC
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 200A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF007F4611820&compId=IXGH40N120C3.pdf?ci_sign=714914cb8f64354bd66f866a923e86117151cff6
IXGH40N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 142nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 200A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACF2BC4DE99820&compId=IXGH40N120C3D1.pdf?ci_sign=9086ec5b6a009987b2652c18dc4656beb34eaf8b
IXGH40N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 142nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 180A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-48n60a3-datasheet?assetguid=ffcf00ed-e88e-4ffe-ba28-de9ec4168ec3
Hersteller: IXYS
IXGH48N60A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgh48n60a3d1-datasheet?assetguid=8cd78c94-e0a0-45e1-a824-b54de69c6df4
Hersteller: IXYS
IXGH48N60A3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.91 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.23 EUR
9+8.32 EUR
10+7.86 EUR
30+7.58 EUR
120+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH4N250C DS100320(IXGH-GT4N250C).pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 57nC
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N120C3 littelfuse-discrete-igbts-ixgh50n120c3-datasheet?assetguid=301d9315-d6d7-4c44-85fa-549d9b9590b6
Hersteller: IXYS
IXGH50N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH50N90B2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.44 EUR
10+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH50N90B2D1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGH50N90B2D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.2 EUR
8+9.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH6N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A99DD112ACB8BF&compId=IXG_6N170.pdf?ci_sign=da939209e45ad284a3aacd5ea8533deede4f01af
IXGH6N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 0.6µs
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 24A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH6N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE62EB13C77820&compId=IXGh(T)6N170A.pdf?ci_sign=e3be7b7321a119c55baa6fb6dbef9aed2b2b65e8
IXGH6N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 18.5nC
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH72N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e
IXGH72N60A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH72N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA8AE8E972D820&compId=IXGH72N60C3.pdf?ci_sign=e7439d07a94ee0168475277f41a96e4f84faad59
IXGH72N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH90N60B3 DS99994(IXGH90N60B3).pdf
Hersteller: IXYS
IXGH90N60B3 THT IGBT transistors
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IXGK100N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-100n170-datasheet?assetguid=d50514ee-b55f-4642-987d-987526d4ab03
Hersteller: IXYS
IXGK100N170 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK120N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE298DEDCD820&compId=IXGK(x)120N120A3.pdf?ci_sign=c7a8186a489035ec0ead3df55bd4f31bb6ed73dd
IXGK120N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK120N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE7EA92E47820&compId=IXGK(x)120N120B3.pdf?ci_sign=66d03d7a35e3abfe1e2dfa50266727cc891d888d
IXGK120N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK320N60B3
Hersteller: IXYS
IXGK320N60B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK400N30A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE928C3F5451820&compId=IXGK(X)400N30A3.pdf?ci_sign=620a1db92159c5e67eff60170c2cd1cd5ba80b7c
IXGK400N30A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 560nC
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 565ns
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 300V
Pulsed collector current: 1.2kA
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGK50N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGK50N120C3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK55N120A3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba
IXGK55N120A3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 1253ns
Collector current: 55A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 460W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK72N60B3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAEEB2C2E5D820&compId=IXGK(X)72N60B3H1.pdf?ci_sign=a5aba8865088ad6a2ff712e7b9f0f02cb4b7ffac
IXGK72N60B3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK75N250
Hersteller: IXYS
IXGK75N250 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK82N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGK82N120A3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK82N120B3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_82n120b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGK82N120B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN100N170 littelfuse-discrete-igbts-ixgn100n170-datasheet?assetguid=200685c0-86dc-48d9-bd31-8fe7d5b93562
Hersteller: IXYS
IXGN100N170 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N170
Hersteller: IXYS
IXGN200N170 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3ABB94C6CA26FE1EC&compId=ixgn200n60b3.pdf?ci_sign=d01a746c4ff41454ca16c191f704bec2cc169241
IXGN200N60B3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 200A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+58.8 EUR
3+58.14 EUR
10+56.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXGN320N60A3 littelfuse-discrete-igbts-ixgn320n60a3-datasheet?assetguid=231d72ae-a2f0-4d0a-8cc9-6874d5202487
Hersteller: IXYS
IXGN320N60A3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2ECD2BBEEB820&compId=IXGN400N60A3.pdf?ci_sign=8a21fca6ac60404c1a68085a303adb5a72c3c627
IXGN400N60A3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 190A
Power dissipation: 830W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2F019CE41B820&compId=IXGN400N60B3.pdf?ci_sign=67c9041076c20f7cbbce35e6237791751933bdc6
IXGN400N60B3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.5kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN50N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn50n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXGN50N120C3H1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2FA2829F3B820&compId=IXGN72N60C3H1.pdf?ci_sign=0baf9eb2a151751236ca0716618ffe401a388905
IXGN72N60C3H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 52A
Pulsed collector current: 360A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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