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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 660W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.16 EUR
30+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N50P IXFH26N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F4D820&compId=IXFH26N50P.pdf?ci_sign=d5eff1cf7d858618cda3bc4dde50d0892b2bdfa0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.64 EUR
12+6.28 EUR
13+5.93 EUR
30+5.89 EUR
120+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.95 EUR
11+6.55 EUR
30+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.48 EUR
9+8.12 EUR
10+7.66 EUR
30+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N65X2 IXYS K248734.pdf IXFH26N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.82 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
30+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N50P IXFH30N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB197984EACA143&compId=IXFH30N50P.pdf?ci_sign=786e1a8a67c262fcaf9881e21ab55ef68f11b8d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.48 EUR
9+8.12 EUR
10+7.68 EUR
270+7.65 EUR
510+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N50Q3 IXFH30N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB1A7B71C31C143&compId=IXFH30N50Q3.pdf?ci_sign=d9b0ae8aa75dd9749244f6c2fb2f64691c7199e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDB792F4701820&compId=IXFH(T%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=f243b293ca1ba8eeb06cd56dcbf7608293a703c8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60X IXFH30N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC2EDA71CB1820&compId=IXFH(T%2CQ)30N60X.pdf?ci_sign=f033c4069747bb2681467501c6f8cd2cd9c6c934 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n85x_datasheet.pdf.pdf IXFH30N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2856F4A8DDE7820&compId=IXFH(T)320N10T2.pdf?ci_sign=712ea63a2238f63f81d01689168cb986a264e110 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 98ns
Gate charge: 430nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH340N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_340n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH340N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N50P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_34n50p3_datasheet.pdf.pdf IXFH34N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.97 EUR
10+7.45 EUR
11+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.94 EUR
12+6.09 EUR
120+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet?assetguid=965e45cd-8715-4cf1-b85d-adaafdfc5ec2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXFH36N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.05 EUR
10+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh36n60x3-datasheet?assetguid=38271253-e2cd-4f1f-b434-c9ed8035371e IXFH36N60X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH400N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_400n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH400N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50Q IXFH40N50Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F63820&compId=IXFH40N50Q.pdf?ci_sign=3f4d61ef909d6e752c1d54406498f3c6045e4fe5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf IXFH40N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N50P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_42n50p2_datasheet.pdf.pdf IXFH42N50P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N60P3 IXYS IXFH42N60P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH44N50P IXFH44N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.22 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
30+9.8 EUR
120+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH44N50Q3 IXFH44N50Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D560EA38423820&compId=IXFH(T)44N50Q3.pdf?ci_sign=8ccaf63b663c6315e8193c688f8a56787789ba3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.08 EUR
10+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6 IXFH46N65X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH48N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf.pdf IXFH48N60X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E17586FE98BF&compId=IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf?ci_sign=52d892f03a88a92038e3318344d24f837885d158 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFH50N85X IXYS IXFH50N85X THT N channel transistors
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IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E98F50BC18BF&compId=IXF(V%2CH)52N30P(S).pdf?ci_sign=364d4b58b7cffdd5dffcd14a44a5a11a01598e3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
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IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
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IXFH54N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639 IXFH54N65X3 THT N channel transistors
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IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB8D50EDA38BF&compId=IXF_56N30X3.pdf?ci_sign=633f7ff7bbd4d5f73ecc58750c76abed9db4d947 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
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IXFH60N50P3 IXYS DS100311BIXFHFTFQ60N50P3.pdf IXFH60N50P3 THT N channel transistors
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IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH60N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147FA5820&compId=IXFH60N65X2.pdf?ci_sign=c67e1a4e79563fac537565ecfa45bb884c2d9493 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB405CA4C198BF&compId=IXFH60N65X2-4.pdf?ci_sign=68a836b0cb6aa37c0b5648bb269baf9e7eeb72ea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH69N30P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0D688BE9-5010-42E7-950F-B665084A20BE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-69N30P-Datasheet.PDF IXFH69N30P THT N channel transistors
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IXFH6N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf IXFH6N120 THT N channel transistors
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IXFH6N120P IXFH6N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXFH70N20Q3 IXFH70N20Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D43ABF543E3820&compId=IXFH(T)70N20Q3.pdf?ci_sign=be45f1d929df193dd38505d25feb4e73fd60918a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
30+11.5 EUR
510+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH70N30Q3 IXFH70N30Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D435564A4BB820&compId=IXFH(T)70N30Q3.pdf?ci_sign=0939f99f658b4d62edd06a74b1b6715b89a4207f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO247-3
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.07 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFH70N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet?assetguid=b5819e4b-925f-4a8e-b528-ff8e8c93904b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH72N30X3 IXFH72N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBC8AC02F1D8BF&compId=IXF_72N30X3.pdf?ci_sign=09f98a1c935417cb47752418f14c2caee473339d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.11 EUR
8+9.31 EUR
120+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH74N20P IXFH74N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5AEB5963298BF&compId=IXF(V%2CH)74N20P(S).pdf?ci_sign=0f089991e74ed191755334448918e2eb4cb172ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.74 EUR
12+5.99 EUR
30+5.88 EUR
510+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH76N15T2 IXFH76N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D41BF38A751820&compId=IXFA(H%2CP)76N15T2.pdf?ci_sign=e58b954c14aed23e6b59d6e696317db032e28994 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO247-3; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.68 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
270+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH78N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh78n60x3_datasheet.pdf.pdf IXFH78N60X3 THT N channel transistors
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IXFH7N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf IXFH7N100P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH80N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.36 EUR
8+9.4 EUR
9+8.88 EUR
1020+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.31 EUR
6+13.53 EUR
10+13.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB5825B99978BF&compId=IXFH80N65X2-4.pdf?ci_sign=e1124f754bcfef97bf067a342d7350d292757c2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.03 EUR
5+14.63 EUR
6+13.83 EUR
30+13.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH86N30T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_86n30t_datasheet.pdf.pdf IXFH86N30T THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.06 EUR
8+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH88N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84 IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.08 EUR
5+14.59 EUR
6+13.79 EUR
270+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8 IXFH90N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.31 EUR
9+8.25 EUR
10+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFH90N65X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=6f8a9249-2180-4bd2-9a3d-392bbeb94cb1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet IXFH90N65X3 THT N channel transistors
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IXFH24N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a
IXFH24N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 660W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.16 EUR
30+12.64 EUR
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IXFH26N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F4D820&compId=IXFH26N50P.pdf?ci_sign=d5eff1cf7d858618cda3bc4dde50d0892b2bdfa0
IXFH26N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.64 EUR
12+6.28 EUR
13+5.93 EUR
30+5.89 EUR
120+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXFH26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFH26N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.95 EUR
11+6.55 EUR
30+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXFH26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492
IXFH26N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.48 EUR
9+8.12 EUR
10+7.66 EUR
30+7.38 EUR
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IXFH26N65X2 K248734.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH26N65X2 THT N channel transistors
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IXFH28N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c
IXFH28N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.82 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
30+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFH30N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB197984EACA143&compId=IXFH30N50P.pdf?ci_sign=786e1a8a67c262fcaf9881e21ab55ef68f11b8d1
IXFH30N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.48 EUR
9+8.12 EUR
10+7.68 EUR
270+7.65 EUR
510+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFH30N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB1A7B71C31C143&compId=IXFH30N50Q3.pdf?ci_sign=d9b0ae8aa75dd9749244f6c2fb2f64691c7199e6
IXFH30N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HiPerFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDB792F4701820&compId=IXFH(T%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=f243b293ca1ba8eeb06cd56dcbf7608293a703c8
IXFH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC2EDA71CB1820&compId=IXFH(T%2CQ)30N60X.pdf?ci_sign=f033c4069747bb2681467501c6f8cd2cd9c6c934
IXFH30N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH30N85X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH320N10T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2856F4A8DDE7820&compId=IXFH(T)320N10T2.pdf?ci_sign=712ea63a2238f63f81d01689168cb986a264e110
IXFH320N10T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 98ns
Gate charge: 430nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH340N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_340n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH340N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_34n50p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH34N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.97 EUR
10+7.45 EUR
11+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
12+6.09 EUR
120+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet?assetguid=965e45cd-8715-4cf1-b85d-adaafdfc5ec2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH36N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec
IXFH36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.05 EUR
10+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh36n60x3-datasheet?assetguid=38271253-e2cd-4f1f-b434-c9ed8035371e
Hersteller: IXYS
IXFH36N60X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH400N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_400n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH400N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F63820&compId=IXFH40N50Q.pdf?ci_sign=3f4d61ef909d6e752c1d54406498f3c6045e4fe5
IXFH40N50Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH40N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N50P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_42n50p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH42N50P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH42N60P3
Hersteller: IXYS
IXFH42N60P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH44N50P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090
IXFH44N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.22 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
30+9.8 EUR
120+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH44N50Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D560EA38423820&compId=IXFH(T)44N50Q3.pdf?ci_sign=8ccaf63b663c6315e8193c688f8a56787789ba3c
IXFH44N50Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809
IXFH46N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.08 EUR
10+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6
Hersteller: IXYS
IXFH46N65X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH48N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH48N60X3 THT N channel transistors
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IXFH50N30Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E17586FE98BF&compId=IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf?ci_sign=52d892f03a88a92038e3318344d24f837885d158
IXFH50N30Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.96 EUR
10+12.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.36 EUR
8+9.18 EUR
9+8.68 EUR
30+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH50N85X
Hersteller: IXYS
IXFH50N85X THT N channel transistors
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IXFH52N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E98F50BC18BF&compId=IXF(V%2CH)52N30P(S).pdf?ci_sign=364d4b58b7cffdd5dffcd14a44a5a11a01598e3a
IXFH52N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.75 EUR
12+6.18 EUR
13+5.83 EUR
120+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFH52N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d
IXFH52N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.04 EUR
7+10.57 EUR
8+10 EUR
510+9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH54N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639
Hersteller: IXYS
IXFH54N65X3 THT N channel transistors
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IXFH56N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB8D50EDA38BF&compId=IXF_56N30X3.pdf?ci_sign=633f7ff7bbd4d5f73ecc58750c76abed9db4d947 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH56N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11 EUR
8+9.07 EUR
9+8.57 EUR
30+8.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFH60N50P3 DS100311BIXFHFTFQ60N50P3.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH60N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.88 EUR
8+9.02 EUR
510+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4747A97A25820&compId=IXFH(Q)60N60X.pdf?ci_sign=652b35043effc6c134e92b288ed1a1cbb2c6602d
IXFH60N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147FA5820&compId=IXFH60N65X2.pdf?ci_sign=c67e1a4e79563fac537565ecfa45bb884c2d9493
IXFH60N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB405CA4C198BF&compId=IXFH60N65X2-4.pdf?ci_sign=68a836b0cb6aa37c0b5648bb269baf9e7eeb72ea
IXFH60N65X2-4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH69N30P media?resourcetype=datasheets&itemid=0D688BE9-5010-42E7-950F-B665084A20BE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-69N30P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXFH69N30P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH6N120 THT N channel transistors
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.73 EUR
7+10.72 EUR
8+10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34
IXFH6N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N20Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D43ABF543E3820&compId=IXFH(T)70N20Q3.pdf?ci_sign=be45f1d929df193dd38505d25feb4e73fd60918a
IXFH70N20Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
30+11.5 EUR
510+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N30Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D435564A4BB820&compId=IXFH(T)70N30Q3.pdf?ci_sign=0939f99f658b4d62edd06a74b1b6715b89a4207f
IXFH70N30Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO247-3
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.07 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh70n65x3-datasheet?assetguid=b5819e4b-925f-4a8e-b528-ff8e8c93904b
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 70A; Idm: 110A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 165ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH72N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBC8AC02F1D8BF&compId=IXF_72N30X3.pdf?ci_sign=09f98a1c935417cb47752418f14c2caee473339d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH72N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO247-3
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.11 EUR
8+9.31 EUR
120+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH74N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5AEB5963298BF&compId=IXF(V%2CH)74N20P(S).pdf?ci_sign=0f089991e74ed191755334448918e2eb4cb172ba
IXFH74N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.74 EUR
12+5.99 EUR
30+5.88 EUR
510+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH76N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D41BF38A751820&compId=IXFA(H%2CP)76N15T2.pdf?ci_sign=e58b954c14aed23e6b59d6e696317db032e28994
IXFH76N15T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO247-3; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.68 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
270+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH78N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh78n60x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH78N60X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH7N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH7N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.36 EUR
8+9.4 EUR
9+8.88 EUR
1020+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c
IXFH80N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.31 EUR
6+13.53 EUR
10+13.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB5825B99978BF&compId=IXFH80N65X2-4.pdf?ci_sign=e1124f754bcfef97bf067a342d7350d292757c2c
IXFH80N65X2-4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.03 EUR
5+14.63 EUR
6+13.83 EUR
30+13.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH86N30T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_86n30t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH86N30T THT N channel transistors
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Hersteller: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
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4+18.08 EUR
5+14.59 EUR
6+13.79 EUR
270+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8
Hersteller: IXYS
IXFH90N20X3 THT N channel transistors
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7+11.31 EUR
9+8.25 EUR
10+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFH90N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=6f8a9249-2180-4bd2-9a3d-392bbeb94cb1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet
Hersteller: IXYS
IXFH90N65X3 THT N channel transistors
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