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IXFH170N25X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-170n25x3-datasheet?assetguid=27111ec5-cb82-481f-918b-bee4de39fe3a IXFH170N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 96 Stücke:
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4+18.35 EUR
5+17.35 EUR
30+17.03 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_180n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFH180N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
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4+18.02 EUR
5+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.86 EUR
16+4.66 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.86 EUR
13+5.81 EUR
30+5.26 EUR
120+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf IXFH20N80P THT N channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.1 EUR
8+9.17 EUR
9+8.67 EUR
120+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N50P IXFH22N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC111820&compId=IXFH22N50P.pdf?ci_sign=8586e5293aa35f9bb95f912636881d81bf896a89 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Power dissipation: 350W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.86 EUR
14+5.42 EUR
30+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N60P IXFH22N60P IXYS IXFH22N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.21 EUR
10+7.25 EUR
11+6.52 EUR
30+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N60P3 IXFH22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.09 EUR
15+5.11 EUR
30+4.69 EUR
120+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N65X2 IXFH22N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.04 EUR
13+5.75 EUR
15+4.96 EUR
30+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH230N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n075t2_datasheet.pdf.pdf IXFH230N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.14 EUR
10+7.18 EUR
11+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH230N10T IXFH230N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F37820&compId=IXFH230N10T.pdf?ci_sign=7906ddc75f59da0a6c8caab968b9ecc6143741fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.51 EUR
10+8.69 EUR
30+7.08 EUR
120+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 660W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N50P IXFH26N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F4D820&compId=IXFH26N50P.pdf?ci_sign=d5eff1cf7d858618cda3bc4dde50d0892b2bdfa0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.64 EUR
12+6.31 EUR
30+5.89 EUR
120+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.31 EUR
11+6.99 EUR
12+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS IXFH26N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.2 EUR
9+8.71 EUR
10+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.05 EUR
11+6.55 EUR
13+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N50P3 IXFH34N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF626144CB820&compId=IXFH(Q)34N50P3.pdf?ci_sign=4d56840987701f45cf2d6fe142e03c4c1af1a499 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.8 EUR
10+9.72 EUR
30+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.94 EUR
11+6.58 EUR
30+6.15 EUR
120+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50Q IXFH40N50Q IXYS IXFH40N50Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.67 EUR
4+21.89 EUR
10+19.63 EUR
30+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH44N50P IXFH44N50P IXYS IXFK44N50P.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.61 EUR
7+11.88 EUR
10+10.32 EUR
30+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E17586FE98BF&compId=IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf?ci_sign=52d892f03a88a92038e3318344d24f837885d158 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.2 EUR
10+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.25 EUR
8+9.14 EUR
10+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E98F50BC18BF&compId=IXF(V%2CH)52N30P(S).pdf?ci_sign=364d4b58b7cffdd5dffcd14a44a5a11a01598e3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 232 Stücke:
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IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB8D50EDA38BF&compId=IXF_56N30X3.pdf?ci_sign=633f7ff7bbd4d5f73ecc58750c76abed9db4d947 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
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IXFH60N50P3 IXYS DS100311BIXFHFTFQ60N50P3.pdf IXFH60N50P3 THT N channel transistors
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IXFH6N120 IXFH6N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 300W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
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IXFH70N20Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_70n20q3_datasheet.pdf.pdf IXFH70N20Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
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IXFH70N30Q3 IXYS 70n30q3datasheetpdf.pdf IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
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7+11.13 EUR
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IXFH72N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf IXFH72N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
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IXFH74N20P IXFH74N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5AEB5963298BF&compId=IXF(V%2CH)74N20P(S).pdf?ci_sign=0f089991e74ed191755334448918e2eb4cb172ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
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IXFH76N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH76N15T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 210 Stücke:
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11+6.68 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
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IXFH80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH80N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
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IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.09 EUR
6+13.01 EUR
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IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB5825B99978BF&compId=IXFH80N65X2-4.pdf?ci_sign=e1124f754bcfef97bf067a342d7350d292757c2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.06 EUR
10+13.5 EUR
30+13.3 EUR
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IXFH88N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84 IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.48 EUR
6+12.21 EUR
30+11.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH90N20X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8 IXFH90N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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120+7.74 EUR
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IXFH96N15P IXYS 99208.pdf IXFH96N15P THT N channel transistors
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9+7.95 EUR
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IXFH96N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.15 EUR
10+7.48 EUR
30+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFJ20N85X IXYS DS100772A(IXFJ20N85X).pdf IXFJ20N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
30+11.5 EUR
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IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E5CCA0EF7820&compId=IXFK(X)100N65X2.pdf?ci_sign=943e818235cb436b72c8d4fa8bbbd2fba5457b4b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+17.29 EUR
10+16.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.52 EUR
10+15.83 EUR
25+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30T IXFK120N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 265nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
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IXFK140N30P IXFK140N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5FBBF2FB0F8BF&compId=IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf?ci_sign=6d081054787efa2c56b843d54a6d6c3f464460d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Drain current: 140A
Case: TO264
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.17 EUR
5+20.39 EUR
10+18.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.35 EUR
10+19.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D54A180A387820&compId=IXFK(X)180N25T.pdf?ci_sign=df55105c078d9abc2821a1e455a37ba5cb1f4c8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 364nC
On-state resistance: 12.9mΩ
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK210N30X3 IXFK210N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB2D57B02A78BF&compId=IXF_210N30X3.pdf?ci_sign=b936bb2c259b202c476c66a13724d25b3b29cb21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 210A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+30.47 EUR
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IXFK220N20X3 IXFK220N20X3 IXYS IXF_220N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.76 EUR
10+17.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK230N20T IXFK230N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCF347BAAB5820&compId=IXFK(X)230N20T.pdf?ci_sign=e4a579f4f1660cfb2f2f8a74c12b8edd99086286 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 358nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK240N25X3 IXFK240N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCD7F081F39820&compId=IXFK(X)240N25X3.pdf?ci_sign=505f1373677b8d12c73e55874fb205a4c2db2269 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 177ns
Gate charge: 345nC
On-state resistance: 5mΩ
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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3+24.4 EUR
10+21.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC102BD600B820&compId=IXFK(X)32N80Q3.pdf?ci_sign=c47e75c209491b589467e1adbfe959bafdbee39b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
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4+19.82 EUR
10+17.76 EUR
25+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK420N10T IXFK420N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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4+20.16 EUR
5+17.17 EUR
10+17.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.04 EUR
5+20.06 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
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4+19.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFH170N25X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-170n25x3-datasheet?assetguid=27111ec5-cb82-481f-918b-bee4de39fe3a
Hersteller: IXYS
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 96 Stücke:
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Anzahl Preis
4+18.35 EUR
5+17.35 EUR
30+17.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_180n20x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH180N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
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Anzahl Preis
4+18.02 EUR
5+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.86 EUR
16+4.66 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFH20N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.86 EUR
13+5.81 EUR
30+5.26 EUR
120+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH20N80P THT N channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.1 EUR
8+9.17 EUR
9+8.67 EUR
120+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC111820&compId=IXFH22N50P.pdf?ci_sign=8586e5293aa35f9bb95f912636881d81bf896a89
IXFH22N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Power dissipation: 350W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.86 EUR
14+5.42 EUR
30+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N60P IXFH22N60P.pdf
IXFH22N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.21 EUR
10+7.25 EUR
11+6.52 EUR
30+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFH22N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.09 EUR
15+5.11 EUR
30+4.69 EUR
120+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH22N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a
IXFH22N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.04 EUR
13+5.75 EUR
15+4.96 EUR
30+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH230N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH230N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.14 EUR
10+7.18 EUR
11+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH230N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F37820&compId=IXFH230N10T.pdf?ci_sign=7906ddc75f59da0a6c8caab968b9ecc6143741fa
IXFH230N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.51 EUR
10+8.69 EUR
30+7.08 EUR
120+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a
IXFH24N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Power dissipation: 660W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F4D820&compId=IXFH26N50P.pdf?ci_sign=d5eff1cf7d858618cda3bc4dde50d0892b2bdfa0
IXFH26N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.64 EUR
12+6.31 EUR
30+5.89 EUR
120+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131
IXFH26N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.31 EUR
11+6.99 EUR
12+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P IXFH26N60P.pdf
IXFH26N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.2 EUR
9+8.71 EUR
10+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.05 EUR
11+6.55 EUR
13+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF626144CB820&compId=IXFH(Q)34N50P3.pdf?ci_sign=4d56840987701f45cf2d6fe142e03c4c1af1a499
IXFH34N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.8 EUR
10+9.72 EUR
30+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
11+6.58 EUR
30+6.15 EUR
120+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFH36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH40N50Q IXFH40N50Q.pdf
IXFH40N50Q
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.67 EUR
4+21.89 EUR
10+19.63 EUR
30+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH44N50P description IXFK44N50P.pdf
IXFH44N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.61 EUR
7+11.88 EUR
10+10.32 EUR
30+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809
IXFH46N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N30Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E17586FE98BF&compId=IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf?ci_sign=52d892f03a88a92038e3318344d24f837885d158
IXFH50N30Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.2 EUR
10+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.25 EUR
8+9.14 EUR
10+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E98F50BC18BF&compId=IXF(V%2CH)52N30P(S).pdf?ci_sign=364d4b58b7cffdd5dffcd14a44a5a11a01598e3a
IXFH52N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.02 EUR
11+6.81 EUR
30+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d
IXFH52N50P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.01 EUR
7+11.78 EUR
10+10.88 EUR
30+10.15 EUR
120+9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH56N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB8D50EDA38BF&compId=IXF_56N30X3.pdf?ci_sign=633f7ff7bbd4d5f73ecc58750c76abed9db4d947 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH56N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.11 EUR
10+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N50P3 DS100311BIXFHFTFQ60N50P3.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH60N50P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.6 EUR
8+9.18 EUR
9+8.68 EUR
30+8.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d
IXFH6N120
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 300W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.51 EUR
7+11.68 EUR
10+9.98 EUR
30+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N20Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_70n20q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH70N20Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
510+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH70N30Q3 70n30q3datasheetpdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH70N30Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.07 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH72N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH72N30X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.8 EUR
8+9.34 EUR
270+8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH74N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5AEB5963298BF&compId=IXF(V%2CH)74N20P(S).pdf?ci_sign=0f089991e74ed191755334448918e2eb4cb172ba
IXFH74N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.09 EUR
30+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH76N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH76N15T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.68 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
270+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH80N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
510+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A86DDE557C98BF&compId=IXF_80N65X2.pdf?ci_sign=09568d814d0e64a14a486ffb7ff44f5c27bd7a3c
IXFH80N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.09 EUR
6+13.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB5825B99978BF&compId=IXFH80N65X2-4.pdf?ci_sign=e1124f754bcfef97bf067a342d7350d292757c2c
IXFH80N65X2-4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.06 EUR
10+13.5 EUR
30+13.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84
Hersteller: IXYS
IXFH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.48 EUR
6+12.21 EUR
30+11.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-90n20x3-datasheet?assetguid=ef17b718-d7de-4f53-8035-337c9d3e0de8
Hersteller: IXYS
IXFH90N20X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.27 EUR
10+7.81 EUR
120+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15P 99208.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
9+7.95 EUR
30+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_96n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH96N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.15 EUR
10+7.48 EUR
30+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85X DS100772A(IXFJ20N85X).pdf
Hersteller: IXYS
IXFJ20N85X THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
30+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E5CCA0EF7820&compId=IXFK(X)100N65X2.pdf?ci_sign=943e818235cb436b72c8d4fa8bbbd2fba5457b4b
IXFK100N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+17.29 EUR
10+16.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK102N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948
IXFK102N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.52 EUR
10+15.83 EUR
25+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDD9A0D060F820&compId=IXFK(X)120N30T.pdf?ci_sign=f7ad151cb9d281d49ca96d548a02ff3a244c55e0
IXFK120N30T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 265nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5FBBF2FB0F8BF&compId=IXFK140N30P_IXFX140N30P.pdf?ci_sign=6d081054787efa2c56b843d54a6d6c3f464460d2
IXFK140N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Drain current: 140A
Case: TO264
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+23.17 EUR
5+20.39 EUR
10+18.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c
IXFK150N30P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.35 EUR
10+19.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D54A180A387820&compId=IXFK(X)180N25T.pdf?ci_sign=df55105c078d9abc2821a1e455a37ba5cb1f4c8f
IXFK180N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 364nC
On-state resistance: 12.9mΩ
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK210N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB2D57B02A78BF&compId=IXF_210N30X3.pdf?ci_sign=b936bb2c259b202c476c66a13724d25b3b29cb21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFK210N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 210A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+30.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK220N20X3 IXF_220N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFK220N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.76 EUR
10+17.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK230N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCF347BAAB5820&compId=IXFK(X)230N20T.pdf?ci_sign=e4a579f4f1660cfb2f2f8a74c12b8edd99086286
IXFK230N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 358nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+23.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK240N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCD7F081F39820&compId=IXFK(X)240N25X3.pdf?ci_sign=505f1373677b8d12c73e55874fb205a4c2db2269
IXFK240N25X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 177ns
Gate charge: 345nC
On-state resistance: 5mΩ
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.69 EUR
10+30.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFK24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+11.24 EUR
25+10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK250N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB36DB3D55820&compId=IXFK(X)250N10P.pdf?ci_sign=8ea7e81bf2d9e3c41b4632496dce0444a2a01043
IXFK250N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Power dissipation: 1.25kW
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.4 EUR
10+21.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK32N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC102BD600B820&compId=IXFK(X)32N80Q3.pdf?ci_sign=c47e75c209491b589467e1adbfe959bafdbee39b
IXFK32N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.82 EUR
10+17.76 EUR
25+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK420N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c
IXFK420N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.16 EUR
5+17.17 EUR
10+17.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.04 EUR
5+20.06 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10
IXFK44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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