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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFK360N10T IXFK360N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBEC3CAC2D3820&compId=IXFK(X)360N10T.pdf?ci_sign=3e3c42ae502f5134306933943e750d4d7a30bb3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK360N15T2 IXYS IXFK360N15T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK36N60P IXFK36N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK400N15X3 IXYS IXFK400N15X3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK40N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_40n90p_datasheet.pdf.pdf IXFK40N90P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK420N10T IXFK420N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.75 EUR
5+17.73 EUR
25+17.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N50P IXFK44N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 650W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 98nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.66 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_48n60q3_datasheet.pdf.pdf IXFK48N60Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N85X IXFK50N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBEC6F854298BF&compId=IXF_50N85X.pdf?ci_sign=56532bb3aee648f73e62c996a617b6c80a0adc91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO264; 218ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 218ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56 IXFK520N075T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100X IXFK52N100X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2894A9AD9909820&compId=IXFK(X)52N100X.pdf?ci_sign=d2feeeb089048c7914dc2f8557add2bc13006bca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 245nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF IXFK64N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50Q3 IXYS IXFK64N50Q3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P IXYS 99442.pdf IXFK64N60P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.39 EUR
6+13.38 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK66N85X IXFK66N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45EA035953820&compId=IXFK(X)66N85X.pdf?ci_sign=e7c14aa32d84194501b260d23630935b53873b4a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; TO264; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 66A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.35 EUR
6+12.63 EUR
25+12.58 EUR
100+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50P IXYS IXFK80N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.77 EUR
4+20.46 EUR
250+20.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n50q3_datasheet.pdf.pdf IXFK80N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.61 EUR
5+15.76 EUR
10+15.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFK80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.89 EUR
4+21.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXFK88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.45 EUR
5+14.3 EUR
1000+13.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK90N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf IXFK90N60X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK94N50P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_94n50p2_datasheet.pdf.pdf IXFK94N50P2 THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.31 EUR
4+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK98N50P3 IXFK98N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL100N50P IXYS IXFL100N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL132N50P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl132n50p3_datasheet.pdf.pdf IXFL132N50P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL210N30P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl210n30p3_datasheet.pdf.pdf IXFL210N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
25+34.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL32N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf IXFL32N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+87.23 EUR
2+62.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf IXFL38N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.06 EUR
3+34.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL44N100P IXFL44N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA39820&compId=IXFL44N100P.pdf?ci_sign=1c0e50a44c3371ebd3290c5eb1e4bc6fd4bc0c39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL60N80P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=7ec8d60c-ee25-44f5-9d62-4bc696ee171f&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl60n80p_datasheet.pdf IXFL60N80P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL82N60P IXFL82N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA4F820&compId=IXFL82N60P.pdf?ci_sign=aceb8365e96b8b9623c8f150f5e611f540782014 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N50P IXYS IXFN100N50P.pdf description IXFN100N50P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N50Q3 IXYS IXFN100N50Q3 Transistor modules MOSFET
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IXFN102N30P IXYS IXFN102N30P.pdf IXFN102N30P Transistor modules MOSFET
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IXFN110N60P3 IXFN110N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C7EC3367918BF&compId=IXFN110N60P3.pdf?ci_sign=d0968e82a80d72ea8c08fc609d26ee5426b318be Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Gate charge: 254nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Reverse recovery time: 205ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN120N65X2 IXFN120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9EAC65F2DB820&compId=IXFN120N65X2.pdf?ci_sign=073e54168aecec180c88c9f2f85635c9946f2fa1 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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IXFN130N90SK IXFN130N90SK IXYS Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 109A; SOT227B; screw; SiC; 68nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 109A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN132N50P3 IXYS IXFN132N50P3 Transistor modules MOSFET
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IXFN140N20P IXFN140N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C66907012B8BF&compId=IXFN140N20P.pdf?ci_sign=a0e4bc6acd78ecb9536f9dcaae8667685d73f53e description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN140N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn140n25t_datasheet.pdf.pdf IXFN140N25T Transistor modules MOSFET
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IXFN140N30P IXYS DS99571FIXFN140N30P.pdf description IXFN140N30P Transistor modules MOSFET
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IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 355nC
Reverse recovery time: 190ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+62.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN160N30T IXFN160N30T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF90EF782821820&compId=IXFN160N30T.pdf?ci_sign=4f514305338d34fe8741e1d339673060b3d7fe0d Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 444A
Power dissipation: 900W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN170N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn170n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFN170N25X3 Transistor modules MOSFET
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IXFN170N30P IXFN170N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9154090911820&compId=IXFN170N30P.pdf?ci_sign=6fff5064feb5b36e4646b3f05f49d502ebb4e4c6 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 138A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
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2+46.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C956F78DF18BF&compId=IXFN170N65X2.pdf?ci_sign=e4ca9b77a78619ba688f7d6c410bc4fd14cd2866 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 270ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C5F4741DBF8BF&compId=IXFN180N15P.pdf?ci_sign=30b7d36958ffd7d19dec797319415ee275dcdc97 description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+35.75 EUR
10+26.76 EUR
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IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C6EEE88A158BF&compId=IXFN180N25T.pdf?ci_sign=93b68cf1b62ba6ba3001a31573d6dc6b40bde40e Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 364nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+31.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFN200N10P IXYS description IXFN200N10P Transistor modules MOSFET
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IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA8222A1DEF7820&compId=IXFN20N120P.pdf?ci_sign=d60c32441418226b7bbccc61b6c8e84fb8b4f901 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 193nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFN210N20P IXYS DS100019AIXFN210N20P.pdf IXFN210N20P Transistor modules MOSFET
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IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF91C31173D1820&compId=IXFN210N30P3.pdf?ci_sign=822d8ac666dc943cca774a0528aebea732c66ae7 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+43.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK360N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBEC3CAC2D3820&compId=IXFK(X)360N10T.pdf?ci_sign=3e3c42ae502f5134306933943e750d4d7a30bb3e
IXFK360N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFK360N15T2
Hersteller: IXYS
IXFK360N15T2 THT N channel transistors
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IXFK36N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec
IXFK36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK400N15X3
Hersteller: IXYS
IXFK400N15X3 THT N channel transistors
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IXFK40N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_40n90p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK40N90P THT N channel transistors
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IXFK420N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA57BFF6D4A18BF&compId=IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf?ci_sign=f703b8f2c268b8e9ba07cd2c3e4e8ce0b331312c
IXFK420N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.75 EUR
5+17.73 EUR
25+17.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK44N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090
IXFK44N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 650W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 98nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFK44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.66 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK44N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10
IXFK44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
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IXFK48N60Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_48n60q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK48N60Q3 THT N channel transistors
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IXFK50N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBEC6F854298BF&compId=IXF_50N85X.pdf?ci_sign=56532bb3aee648f73e62c996a617b6c80a0adc91
IXFK50N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO264; 218ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 218ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-520N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=90615EDF-C082-4159-945F-6CE8C6ED0F56
Hersteller: IXYS
IXFK520N075T2 THT N channel transistors
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IXFK52N100X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2894A9AD9909820&compId=IXFK(X)52N100X.pdf?ci_sign=d2feeeb089048c7914dc2f8557add2bc13006bca
IXFK52N100X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 245nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50P media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXFK64N50P THT N channel transistors
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IXFK64N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFK64N50Q3 THT N channel transistors
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IXFK64N60P 99442.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK64N60P THT N channel transistors
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IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.39 EUR
6+13.38 EUR
25+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFK66N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45EA035953820&compId=IXFK(X)66N85X.pdf?ci_sign=e7c14aa32d84194501b260d23630935b53873b4a
IXFK66N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; TO264; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 66A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK78N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D410DC139CF820&compId=IXFK(X)78N50P3.pdf?ci_sign=5f610dbd75428f65aab0cd1f86573c38c778a434
IXFK78N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.35 EUR
6+12.63 EUR
25+12.58 EUR
100+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK80N50P
Hersteller: IXYS
IXFK80N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.77 EUR
4+20.46 EUR
250+20.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK80N50Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n50q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK80N50Q3 THT N channel transistors
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IXFK80N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3F18CAC491820&compId=IXFK(X)80N60P3.pdf?ci_sign=4323adc90294e70e31e6954053047cba50e6737f
IXFK80N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.61 EUR
5+15.76 EUR
10+15.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK80N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK80N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.89 EUR
4+21.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.45 EUR
5+14.3 EUR
1000+13.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXFK90N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n60x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK90N60X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK94N50P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_94n50p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFK94N50P2 THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.31 EUR
4+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFK98N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D35AB462127820&compId=IXFK(X)98N50P3.pdf?ci_sign=503a48a7a9f46ebf3b6b7f092e5d7520b9bd3c32
IXFK98N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL100N50P
Hersteller: IXYS
IXFL100N50P THT N channel transistors
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IXFL132N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl132n50p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL132N50P3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL210N30P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl210n30p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL210N30P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
25+34.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL32N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl32n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL32N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+87.23 EUR
2+62.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL38N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl38n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL38N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.06 EUR
3+34.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL44N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA39820&compId=IXFL44N100P.pdf?ci_sign=1c0e50a44c3371ebd3290c5eb1e4bc6fd4bc0c39
IXFL44N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL60N80P media?resourcetype=datasheets&itemid=7ec8d60c-ee25-44f5-9d62-4bc696ee171f&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfl60n80p_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXFL60N80P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL82N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F95474BA4F820&compId=IXFL82N60P.pdf?ci_sign=aceb8365e96b8b9623c8f150f5e611f540782014
IXFL82N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N50P description IXFN100N50P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN100N50P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFN100N50Q3 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN100N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn100n65x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN100N65X2 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN102N30P IXFN102N30P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN102N30P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C7EC3367918BF&compId=IXFN110N60P3.pdf?ci_sign=d0968e82a80d72ea8c08fc609d26ee5426b318be
IXFN110N60P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Gate charge: 254nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Reverse recovery time: 205ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9EAC65F2DB820&compId=IXFN120N65X2.pdf?ci_sign=073e54168aecec180c88c9f2f85635c9946f2fa1
IXFN120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
100+49.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN130N90SK
IXFN130N90SK
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 109A; SOT227B; screw; SiC; 68nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 109A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3
Hersteller: IXYS
IXFN132N50P3 Transistor modules MOSFET
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IXFN140N20P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C66907012B8BF&compId=IXFN140N20P.pdf?ci_sign=a0e4bc6acd78ecb9536f9dcaae8667685d73f53e
IXFN140N20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn140n25t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN140N25T Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30P description DS99571FIXFN140N30P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN140N30P Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 355nC
Reverse recovery time: 190ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+62.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN160N30T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF90EF782821820&compId=IXFN160N30T.pdf?ci_sign=4f514305338d34fe8741e1d339673060b3d7fe0d
IXFN160N30T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 444A
Power dissipation: 900W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN170N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn170n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN170N25X3 Transistor modules MOSFET
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IXFN170N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9154090911820&compId=IXFN170N30P.pdf?ci_sign=6fff5064feb5b36e4646b3f05f49d502ebb4e4c6
IXFN170N30P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 138A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN170N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C956F78DF18BF&compId=IXFN170N65X2.pdf?ci_sign=e4ca9b77a78619ba688f7d6c410bc4fd14cd2866
IXFN170N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 270ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN180N15P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C5F4741DBF8BF&compId=IXFN180N15P.pdf?ci_sign=30b7d36958ffd7d19dec797319415ee275dcdc97
IXFN180N15P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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Anzahl Preis
2+35.75 EUR
10+26.76 EUR
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IXFN180N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C6EEE88A158BF&compId=IXFN180N25T.pdf?ci_sign=93b68cf1b62ba6ba3001a31573d6dc6b40bde40e
IXFN180N25T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 364nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFN200N10P description
Hersteller: IXYS
IXFN200N10P Transistor modules MOSFET
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IXFN20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA8222A1DEF7820&compId=IXFN20N120P.pdf?ci_sign=d60c32441418226b7bbccc61b6c8e84fb8b4f901
IXFN20N120P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 193nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19 EUR
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IXFN210N20P DS100019AIXFN210N20P.pdf
Hersteller: IXYS
IXFN210N20P Transistor modules MOSFET
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IXFN210N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF91C31173D1820&compId=IXFN210N30P3.pdf?ci_sign=822d8ac666dc943cca774a0528aebea732c66ae7
IXFN210N30P3
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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