Produkte > IXYS > Alle Produkte des Herstellers IXYS (18103) > Seite 234 nach 302

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 30 60 90 120 150 180 210 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 270 300 302  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFA4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n100p_datasheet.pdf.pdf IXFA4N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100Q IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf IXFA4N100Q SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf IXFA4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.70 EUR
23+3.16 EUR
24+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA50N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d IXFA50N20X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA56N30X3 IXYS IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
7+10.21 EUR
50+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100P IXFA5N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA60N25X3 IXYS IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.88 EUR
11+6.78 EUR
12+6.41 EUR
50+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf IXFA6N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N20X3 IXFA72N20X3 IXYS IXF_72N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.95 EUR
11+6.68 EUR
100+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfa72n30x3-datasheet?assetguid=a7dc041c-d643-42db-b8fa-3c8eacfc3472 IXFA72N30X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA76N15T2 IXYS DS100176B(IXFA-FP-FH76N15T2).pdf IXFA76N15T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf IXFA7N100P SMD N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.51 EUR
15+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
17+4.20 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3 IXFA80N25X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285C1284DCA7820&compId=IXFA80N25X3.pdf?ci_sign=d69856da52cdce40fb1d6a8962dc82941b4efd06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.78 EUR
10+7.36 EUR
60+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N85XHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.55 EUR
12+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3 IXFA90N20X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB797A284B78BF&compId=IXFA90N20X3.pdf?ci_sign=0f169ea34732fb9be2468462ed15b96fedff3046 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.55 EUR
11+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50P IXYS IXFB100N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50Q3 IXYS IXFB100N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3 IXFB110N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED44AB02F76EA18&compId=IXFB110N60P3.pdf?ci_sign=0293312a91129e825963c35231f446f72a37e881 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB132N50P3 IXYS IXFB132N50P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.90 EUR
25+32.15 EUR
100+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB170N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf IXFB170N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+40.61 EUR
3+32.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb210n20p_datasheet.pdf.pdf IXFB210N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N30P3 IXYS IXFB210N30P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10P IXYS IXFB300N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120P IXFB30N120P IXYS IXFB30N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110Q3 IXYS IXFB40N110Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS IXFB44N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.19 EUR
100+28.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3 IXFB44N100Q3 IXYS IXFB44N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 264nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47DC7EBC6CA18&compId=IXFB52N90P.pdf?ci_sign=a749aeddde2cd217116ff866933808aa3cec515f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB60N80P IXYS IXFB60N80P THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+41.61 EUR
3+29.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB62N80Q3 IXYS IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
25+47.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60P IXFB82N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED483D4DA614A18&compId=IXFB82N60P.pdf?ci_sign=dd1a9bcc358e003653cce67b74f6b719913560a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.20 EUR
25+28.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60Q3 IXFB82N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED4881A0D0D8A18&compId=IXFB82N60Q3.pdf?ci_sign=45d0b854272d2bfbbaa194f4db1d7265f64eef15 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB90N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfb90n85x_datasheet.pdf.pdf IXFB90N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N25P IXFH100N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC009820&compId=IXFH100N25P.pdf?ci_sign=8543bb8bfc45a45bf095f4e45a85eebb13fb2f81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N30X3 IXFH100N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBCDA1FA5458BF&compId=IXF_100N30X3_HV.pdf?ci_sign=291cad4ee4c338832090f6d9d224fee09028d26c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.75 EUR
6+12.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECCF1314CB18BF&compId=IXFH10N100P.pdf?ci_sign=7f7b7c35add8447660ce7a497e76d475f7220bfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.08 EUR
11+6.64 EUR
120+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
510+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC01F820&compId=IXFH110N10P.pdf?ci_sign=2692b409156b87ba36b15cc212f6c4d34cf32b38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.68 EUR
12+6.18 EUR
13+5.83 EUR
510+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC035820&compId=IXFH110N15T2.pdf?ci_sign=72224343f620ffa61176fabd9afc9a1c50cf9d78 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.15 EUR
10+7.32 EUR
11+6.84 EUR
30+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N25T IXFH110N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC04B820&compId=IXFH110N25T.pdf?ci_sign=865e81011edebf9d86100c2413f31800becab293 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 157nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.56 EUR
9+8.11 EUR
30+7.84 EUR
120+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS IXF_120N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.81 EUR
9+8.19 EUR
10+7.75 EUR
120+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.27 EUR
7+10.85 EUR
510+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25T IXFH120N25T IXYS IXFH120N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.67 EUR
6+12.93 EUR
10+12.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH120N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.30 EUR
6+12.14 EUR
30+12.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.46 EUR
5+14.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS IXFH12N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.55 EUR
9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120P IXFH12N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC077820&compId=IXFH12N120P.pdf?ci_sign=03e4ff54b9f94353d29ae1889cf223edf7d7b9d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 543W
Gate charge: 103nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.02 EUR
5+14.97 EUR
30+14.40 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N80P IXFH12N80P IXYS IXFH12N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28565D40F6B3820&compId=IXFH(V)12N90P_S.pdf?ci_sign=6423cc2416d7c4bd0c10fe3e39ba843736b680a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH130N15X3 IXFH130N15X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7C22BFC8958BF&compId=IXF_130N15X3.pdf?ci_sign=ad746508387e68354eb422c9054cf3e95160f569 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 80ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 9mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
30+8.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.30 EUR
10+7.31 EUR
11+6.91 EUR
30+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3 IXFH140N20X3 IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 90ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.34 EUR
6+12.30 EUR
7+11.63 EUR
30+11.61 EUR
120+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf IXFH14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDF8DAC82F1820&compId=IXFH(Q%2CT)14N80P_S.pdf?ci_sign=54c4a7d42ec81caabad0953bf61c033b9e6baf24 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_14n85x_datasheet.pdf.pdf IXFH14N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh150n15p_datasheet.pdf.pdf IXFH150N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N20T IXFH150N20T IXYS IXFH(T)150N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA4N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100Q littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA4N100Q SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_4n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.70 EUR
23+3.16 EUR
24+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA50N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n20x3_datasheet.pdf?assetguid=4654016f-96e1-44c8-b50b-388f1e88194d
Hersteller: IXYS
IXFA50N20X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA56N30X3
Hersteller: IXYS
IXFA56N30X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
7+10.21 EUR
50+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4AC638DD75820&compId=IXFA(H%2CP)5N100P.pdf?ci_sign=eaec8f18293304ff9c1b338985bc5dd95037c9af
IXFA5N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA60N25X3
Hersteller: IXYS
IXFA60N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.88 EUR
11+6.78 EUR
12+6.41 EUR
50+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA6N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N20X3 IXF_72N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFA72N20X3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.95 EUR
11+6.68 EUR
100+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfa72n30x3-datasheet?assetguid=a7dc041c-d643-42db-b8fa-3c8eacfc3472
Hersteller: IXYS
IXFA72N30X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA76N15T2 DS100176B(IXFA-FP-FH76N15T2).pdf
Hersteller: IXYS
IXFA76N15T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA7N100P SMD N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.51 EUR
15+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFA7N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
17+4.20 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285C1284DCA7820&compId=IXFA80N25X3.pdf?ci_sign=d69856da52cdce40fb1d6a8962dc82941b4efd06
IXFA80N25X3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.78 EUR
10+7.36 EUR
60+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5
IXFA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N85XHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFA8N85XHV SMD N channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.55 EUR
12+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB797A284B78BF&compId=IXFA90N20X3.pdf?ci_sign=0f169ea34732fb9be2468462ed15b96fedff3046 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b
IXFA90N20X3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.55 EUR
11+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50P
Hersteller: IXYS
IXFB100N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50Q3
Hersteller: IXYS
IXFB100N50Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED44AB02F76EA18&compId=IXFB110N60P3.pdf?ci_sign=0293312a91129e825963c35231f446f72a37e881
IXFB110N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB132N50P3
Hersteller: IXYS
IXFB132N50P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.90 EUR
25+32.15 EUR
100+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB170N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFB170N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+40.61 EUR
3+32.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb210n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFB210N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N30P3
Hersteller: IXYS
IXFB210N30P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10P
Hersteller: IXYS
IXFB300N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120P IXFB30N120P.pdf
IXFB30N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110Q3
Hersteller: IXYS
IXFB40N110Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P IXFB44N100P.pdf
IXFB44N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.19 EUR
100+28.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3 IXFB44N100Q3.pdf
IXFB44N100Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 264nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED47DC7EBC6CA18&compId=IXFB52N90P.pdf?ci_sign=a749aeddde2cd217116ff866933808aa3cec515f
IXFB52N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB60N80P
Hersteller: IXYS
IXFB60N80P THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+41.61 EUR
3+29.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB62N80Q3
Hersteller: IXYS
IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
25+47.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED483D4DA614A18&compId=IXFB82N60P.pdf?ci_sign=dd1a9bcc358e003653cce67b74f6b719913560a2
IXFB82N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.20 EUR
25+28.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED4881A0D0D8A18&compId=IXFB82N60Q3.pdf?ci_sign=45d0b854272d2bfbbaa194f4db1d7265f64eef15
IXFB82N60Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB90N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfb90n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFB90N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC009820&compId=IXFH100N25P.pdf?ci_sign=8543bb8bfc45a45bf095f4e45a85eebb13fb2f81
IXFH100N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBCDA1FA5458BF&compId=IXF_100N30X3_HV.pdf?ci_sign=291cad4ee4c338832090f6d9d224fee09028d26c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH100N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.75 EUR
6+12.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECCF1314CB18BF&compId=IXFH10N100P.pdf?ci_sign=7f7b7c35add8447660ce7a497e76d475f7220bfa
IXFH10N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.08 EUR
11+6.64 EUR
120+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
510+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC01F820&compId=IXFH110N10P.pdf?ci_sign=2692b409156b87ba36b15cc212f6c4d34cf32b38
IXFH110N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.68 EUR
12+6.18 EUR
13+5.83 EUR
510+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC035820&compId=IXFH110N15T2.pdf?ci_sign=72224343f620ffa61176fabd9afc9a1c50cf9d78
IXFH110N15T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.15 EUR
10+7.32 EUR
11+6.84 EUR
30+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC04B820&compId=IXFH110N25T.pdf?ci_sign=865e81011edebf9d86100c2413f31800becab293
IXFH110N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 157nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.56 EUR
9+8.11 EUR
30+7.84 EUR
120+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N15P IXF_120N15P.pdf
IXFH120N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.81 EUR
9+8.19 EUR
10+7.75 EUR
120+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N20P IXFH(K)120N20P.pdf
IXFH120N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.27 EUR
7+10.85 EUR
510+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25T IXFH120N25T.pdf
IXFH120N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.67 EUR
6+12.93 EUR
10+12.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n25x3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH120N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.30 EUR
6+12.14 EUR
30+12.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3 IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH120N30X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.46 EUR
5+14.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100P IXFH12N100P.pdf
IXFH12N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.55 EUR
9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC077820&compId=IXFH12N120P.pdf?ci_sign=03e4ff54b9f94353d29ae1889cf223edf7d7b9d6
IXFH12N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 543W
Gate charge: 103nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.02 EUR
5+14.97 EUR
30+14.40 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N80P IXFH12N80P.pdf
IXFH12N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28565D40F6B3820&compId=IXFH(V)12N90P_S.pdf?ci_sign=6423cc2416d7c4bd0c10fe3e39ba843736b680a7
IXFH12N90P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH130N15X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7C22BFC8958BF&compId=IXF_130N15X3.pdf?ci_sign=ad746508387e68354eb422c9054cf3e95160f569
IXFH130N15X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 80ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 9mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
30+8.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BABAB2D6ACB820&compId=IXFH(T)140N10P.pdf?ci_sign=5701ce435fe4808d2405b7787e975ae09c0c54dd
IXFH140N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.30 EUR
10+7.31 EUR
11+6.91 EUR
30+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3 IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH140N20X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 90ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.34 EUR
6+12.30 EUR
7+11.63 EUR
30+11.61 EUR
120+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDF8DAC82F1820&compId=IXFH(Q%2CT)14N80P_S.pdf?ci_sign=54c4a7d42ec81caabad0953bf61c033b9e6baf24
IXFH14N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_14n85x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH14N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh150n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXFH150N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N20T IXFH(T)150N20T.pdf
IXFH150N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 30 60 90 120 150 180 210 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 270 300 302  [ Nächste Seite >> ]