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IX9908NTR IXYS IX9908.pdf IX9908NTR LED drivers
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IX9915N IXYS IX9915.pdf IX9915N Integrated circuits - others
auf Bestellung 271 Stücke:
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65+1.10 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1DC4F060958BF&compId=IXA12IF1200HB.pdf?ci_sign=299bea4b8317f292597b6ce020d3fb5193cac378 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Collector current: 13A
Case: TO247-3
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 85W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
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12+6.08 EUR
20+3.66 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB63A1675A5820&compId=IXA12IF1200PB.pdf?ci_sign=3a3b930c74ed5ec2abbc2b27f4648ec3ddaa92c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO220-3
Collector current: 13A
Case: TO220-3
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 85W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA17IF1200HJ IXA17IF1200HJ IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB82D3B22D5820&compId=IXA17IF1200HJ.pdf?ci_sign=5f8dcaeccaed5bbf63ae08779ef9c5c0f87a4868 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 18A; 100W; PLUS247™
Collector current: 18A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20I1200PB IXA20I1200PB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB8BBC3A9FB820&compId=IXA20I1200PB.pdf?ci_sign=6dd16cf67d25fa1a3938eb8ec45c2d995057c8f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3
Collector current: 22A
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 165W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20IF1200HB IXA20IF1200HB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB94C0D704F820&compId=IXA20IF1200HB.pdf?ci_sign=f2c28f3fc9942fb2c8c7f7fa7414c698c8c5e144 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO247-3
Collector current: 22A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 165W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA72D372C388143&compId=IXA20PG1200DHGLB.pdf?ci_sign=92f5d9e5dd1ef2369a8aa01671aa29244ac7835a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA7B6B514524143&compId=SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief.pdf?ci_sign=8939cb3b27982fb8078171d673d8402b08fb3dc3 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 23A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.13 EUR
7+10.64 EUR
10+10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA27IF1200HJ IXA27IF1200HJ IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99ACFE35DEFE79820&compId=IXA27IF1200HJ.pdf?ci_sign=7d7443a73e4eebd7bc2cc9e0af76a6cac3154dfa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 27A; 150W; PLUS247™
Collector current: 27A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA759B209DC6143&compId=IXA30RG1200DHGLB.pdf?ci_sign=f6eb0238051d648061ebca520c13ec7c26cb22f3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA7B6B514524143&compId=SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief.pdf?ci_sign=8939cb3b27982fb8078171d673d8402b08fb3dc3 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA33IF1200HB IXA33IF1200HB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1DEF404B5D8BF&compId=IXA33IF1200HB.pdf?ci_sign=02e291729e01b364bd485a7eae853dab33af3810 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Sonic FRD™; 1.2kV; 34A; 250W; TO247-3
Collector current: 34A
Case: TO247-3
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA37IF1200HJ IXA37IF1200HJ IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F187B680865820&compId=IXA37IF1200HJ.pdf?ci_sign=d85df4621c1de3de20b1ce19f7cad76b3d699e55 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™
Collector current: 37A
Case: PLUS247™
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 195W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA40RG1200DHGLB IXYS IXA40RG1200DHGLB IGBT modules
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
10+13.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA45IF1200HB IXA45IF1200HB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD1FCD2218D820&compId=IXA45IF1200HB.pdf?ci_sign=a4799b66b629553e978da5dfb18f353571f2b1fb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 45A; 325W; TO247-3
Collector current: 45A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 325W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA4I1200UC-TRL IXYS IXA4I1200UC.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.2kV; 9A; 45W; TO252
Collector current: 9A
Case: TO252
Technology: XPT™
Power dissipation: 45W
Gate charge: 12nC
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 250ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA4IF1200TC IXA4IF1200TC IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB42E85CA15820&compId=IXA4IF1200TC.pdf?ci_sign=9b440a49c097b86f76f829b7b6ea9edc28db0525 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA55I1200HJ IXA55I1200HJ IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD44DED58B5820&compId=IXA55I1200HJ.pdf?ci_sign=f5b827cc15e451293be56c855e8b0bab6cbfdbec Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 54A; 290W; PLUS247™
Collector current: 54A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 290W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2C93212CC9820&compId=IXA60IF1200NA.pdf?ci_sign=f005dd90a5bbd4c174e2457adcfd338beb6074e0 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+46.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA70I1200NA IXA70I1200NA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2CDC3016C5820&compId=IXA70I1200NA.pdf?ci_sign=1464344c37dfa780e4641b18a4a9fec667ded4ae Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+40.18 EUR
3+40.17 EUR
10+39.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBA16N170AHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170ahv_datasheet.pdf.pdf IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+41.76 EUR
3+26.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf IXBF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+82.08 EUR
2+67.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N360 IXYS IXBF20N360 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF40N160 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf40n160_datasheet.pdf.pdf IXBF40N160 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF42N300 IXYS DS100325A(IXBF42N300).pdf IXBF42N300 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N170 IXBH10N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE78C511FA9820&compId=IXBH(T)10N170.pdf?ci_sign=0c9673a4b5e2be6f1c4996b39032c9983fb1a0e9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.43 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
30+10.12 EUR
120+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N300HV IXBH10N300HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0705F5B2EB820&compId=IXBA(H)10N300HV.pdf?ci_sign=66b2088cfab2f34b3e26428941209f928e916c26 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+82.81 EUR
30+79.88 EUR
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IXBH12N300 IXYS IXBH12N300 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1D403AC24D8BF&compId=IXBH16N170_IXBT16N170.pdf?ci_sign=99fdcaa3f44a5923a6c9831dbd85a52c6be844b2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 940ns
Turn-on time: 220ns
Pulsed collector current: 120A
Kind of package: tube
Collector current: 16A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.37 EUR
7+11.70 EUR
10+11.47 EUR
30+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170A IXBH16N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300 IXBH20N300 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170 IXBH24N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF2EB66970D820&compId=IXBH(t)24N170.pdf?ci_sign=2bee8c9822cc9e5187f0a7830b316f81bec56b83 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170 IXBH42N170 IXYS IXBH42N170_IXBT42N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH42N170A IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170a_datasheet.pdf.pdf IXBH42N170A THT IGBT transistors
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IXBH6N170 IXBH6N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1B474D794F8BF&compId=IXBH6N170_IXBT6N170.pdf?ci_sign=11ff0739ef8a82a3156ed9b2978a4d7167a1a158 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBK55N300 IXYS IXBK55N300 THT IGBT transistors
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IXBK64N250 IXBK64N250 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF10A8A1ED318BF&compId=IXBK(X)64N250.pdf?ci_sign=1acedd6822cd20d6bde99e37f87b21e81c614e11 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBK75N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixbx75n170a-datasheet?assetguid=136c8b27-d568-45a4-9a6f-e3e01683adfd IXBK75N170 THT IGBT transistors
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IXBN42N170A IXYS IXBN42N170A IGBT modules
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IXBN75N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170_datasheet.pdf.pdf IXBN75N170 IGBT modules
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IXBN75N170A IXYS 98938.pdf IXBN75N170A IGBT modules
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IXBOD1-06 IXYS L024.pdf IXBOD1-06 Thyristors - others
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IXBOD1-07 IXYS L024.pdf IXBOD1-07 Thyristors - others
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IXBOD1-08 IXYS IXBOD1.pdf IXBOD1-08 Thyristors - others
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500+14.14 EUR
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IXBOD1-09 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bdb2ff13-fe36-4f76-b330-b8cce34a17c6&filename=littelfuse-power-semiconductors-ixbod1-datasheet IXBOD1-09 Thyristors - others
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IXBOD1-10 IXYS L024.pdf IXBOD1-10 Thyristors - others
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IXBOD1-12R IXBOD1-12R IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9ED8D961200940CE&compId=IXBOD1_v2.pdf?ci_sign=003f6685fd1d26f92c97ad563d51a9b6294d70a4 Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 1.25A; BOD; THT; bulk; 1.2kV
Kind of package: bulk
Breakover voltage: 1.2kV
Type of thyristor: BOD x2
Mounting: THT
Case: BOD
Max. load current: 1.25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
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1+87.19 EUR
10+85.73 EUR
20+83.84 EUR
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IXBOD1-12RD IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9ED8D961200940CE&compId=IXBOD1_v2.pdf?ci_sign=003f6685fd1d26f92c97ad563d51a9b6294d70a4 Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 0.2A; BOD; THT; bulk; 1.2kV
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: version RD (internal diode)
Breakover voltage: 1.2kV
Type of thyristor: BOD x2
Mounting: THT
Case: BOD
Max. load current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBOD1-13R IXYS L024.pdf IXBOD1-13R Thyristors - others
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IXBOD1-13RD IXYS L024.pdf IXBOD1-13RD Thyristors - others
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IXBOD1-14R IXYS L024.pdf IXBOD1-14R Thyristors - others
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IXBOD1-14RD IXYS L024.pdf IXBOD1-14RD Thyristors - others
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IXBOD1-15R IXYS IXBOD1_DS.pdf IXBOD1-15R Thyristors - others
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IXBOD1-15RD IXYS IXBOD1_DS.pdf IXBOD1-15RD Thyristors - others
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IXBOD1-16R IXYS L024.pdf IXBOD1-16R Thyristors - others
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IXBOD1-16RD IXYS L024.pdf IXBOD1-16RD Thyristors - others
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IXBOD1-17R IXYS L024.pdf IXBOD1-17R Thyristors - others
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IXBOD1-17RD IXYS L024.pdf IXBOD1-17RD Thyristors - others
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IXBOD1-18R IXYS L024.pdf IXBOD1-18R Thyristors - others
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1+87.09 EUR
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IXBOD1-18RD IXYS L024.pdf IXBOD1-18RD Thyristors - others
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1+101.64 EUR
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IXBOD1-19R IXYS L024.pdf IXBOD1-19R Thyristors - others
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IX9908NTR IX9908.pdf
Hersteller: IXYS
IX9908NTR LED drivers
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IX9915N IX9915.pdf
Hersteller: IXYS
IX9915N Integrated circuits - others
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.10 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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IXA12IF1200HB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1DC4F060958BF&compId=IXA12IF1200HB.pdf?ci_sign=299bea4b8317f292597b6ce020d3fb5193cac378
IXA12IF1200HB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Collector current: 13A
Case: TO247-3
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 85W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.08 EUR
20+3.66 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXA12IF1200PB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB63A1675A5820&compId=IXA12IF1200PB.pdf?ci_sign=3a3b930c74ed5ec2abbc2b27f4648ec3ddaa92c4
IXA12IF1200PB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO220-3
Collector current: 13A
Case: TO220-3
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 85W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA17IF1200HJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB82D3B22D5820&compId=IXA17IF1200HJ.pdf?ci_sign=5f8dcaeccaed5bbf63ae08779ef9c5c0f87a4868
IXA17IF1200HJ
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 18A; 100W; PLUS247™
Collector current: 18A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20I1200PB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB8BBC3A9FB820&compId=IXA20I1200PB.pdf?ci_sign=6dd16cf67d25fa1a3938eb8ec45c2d995057c8f8
IXA20I1200PB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3
Collector current: 22A
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 165W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20IF1200HB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB94C0D704F820&compId=IXA20IF1200HB.pdf?ci_sign=f2c28f3fc9942fb2c8c7f7fa7414c698c8c5e144
IXA20IF1200HB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO247-3
Collector current: 22A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 165W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20PG1200DHGLB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA72D372C388143&compId=IXA20PG1200DHGLB.pdf?ci_sign=92f5d9e5dd1ef2369a8aa01671aa29244ac7835a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA7B6B514524143&compId=SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief.pdf?ci_sign=8939cb3b27982fb8078171d673d8402b08fb3dc3
IXA20PG1200DHGLB
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 23A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.13 EUR
7+10.64 EUR
10+10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA27IF1200HJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99ACFE35DEFE79820&compId=IXA27IF1200HJ.pdf?ci_sign=7d7443a73e4eebd7bc2cc9e0af76a6cac3154dfa
IXA27IF1200HJ
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 27A; 150W; PLUS247™
Collector current: 27A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA30RG1200DHGLB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA759B209DC6143&compId=IXA30RG1200DHGLB.pdf?ci_sign=f6eb0238051d648061ebca520c13ec7c26cb22f3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA7B6B514524143&compId=SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief.pdf?ci_sign=8939cb3b27982fb8078171d673d8402b08fb3dc3
IXA30RG1200DHGLB
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA33IF1200HB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1DEF404B5D8BF&compId=IXA33IF1200HB.pdf?ci_sign=02e291729e01b364bd485a7eae853dab33af3810
IXA33IF1200HB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Sonic FRD™; 1.2kV; 34A; 250W; TO247-3
Collector current: 34A
Case: TO247-3
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA37IF1200HJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F187B680865820&compId=IXA37IF1200HJ.pdf?ci_sign=d85df4621c1de3de20b1ce19f7cad76b3d699e55
IXA37IF1200HJ
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™
Collector current: 37A
Case: PLUS247™
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 195W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA40RG1200DHGLB
Hersteller: IXYS
IXA40RG1200DHGLB IGBT modules
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
10+13.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA45IF1200HB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD1FCD2218D820&compId=IXA45IF1200HB.pdf?ci_sign=a4799b66b629553e978da5dfb18f353571f2b1fb
IXA45IF1200HB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 45A; 325W; TO247-3
Collector current: 45A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 325W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA4I1200UC-TRL IXA4I1200UC.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.2kV; 9A; 45W; TO252
Collector current: 9A
Case: TO252
Technology: XPT™
Power dissipation: 45W
Gate charge: 12nC
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 250ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA4IF1200TC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB42E85CA15820&compId=IXA4IF1200TC.pdf?ci_sign=9b440a49c097b86f76f829b7b6ea9edc28db0525
IXA4IF1200TC
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA55I1200HJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD44DED58B5820&compId=IXA55I1200HJ.pdf?ci_sign=f5b827cc15e451293be56c855e8b0bab6cbfdbec
IXA55I1200HJ
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 54A; 290W; PLUS247™
Collector current: 54A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 290W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA60IF1200NA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2C93212CC9820&compId=IXA60IF1200NA.pdf?ci_sign=f005dd90a5bbd4c174e2457adcfd338beb6074e0
IXA60IF1200NA
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA70I1200NA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2CDC3016C5820&compId=IXA70I1200NA.pdf?ci_sign=1464344c37dfa780e4641b18a4a9fec667ded4ae
IXA70I1200NA
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+40.18 EUR
3+40.17 EUR
10+39.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBA16N170AHV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170ahv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+41.76 EUR
3+26.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXBF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+82.08 EUR
2+67.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N360
Hersteller: IXYS
IXBF20N360 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF40N160 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf40n160_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXBF40N160 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF42N300 DS100325A(IXBF42N300).pdf
Hersteller: IXYS
IXBF42N300 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE78C511FA9820&compId=IXBH(T)10N170.pdf?ci_sign=0c9673a4b5e2be6f1c4996b39032c9983fb1a0e9
IXBH10N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.43 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
30+10.12 EUR
120+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N300HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0705F5B2EB820&compId=IXBA(H)10N300HV.pdf?ci_sign=66b2088cfab2f34b3e26428941209f928e916c26
IXBH10N300HV
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+82.81 EUR
30+79.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH12N300
Hersteller: IXYS
IXBH12N300 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1D403AC24D8BF&compId=IXBH16N170_IXBT16N170.pdf?ci_sign=99fdcaa3f44a5923a6c9831dbd85a52c6be844b2
IXBH16N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 940ns
Turn-on time: 220ns
Pulsed collector current: 120A
Kind of package: tube
Collector current: 16A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.37 EUR
7+11.70 EUR
10+11.47 EUR
30+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33
IXBH16N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300
IXBH20N300
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF2EB66970D820&compId=IXBH(t)24N170.pdf?ci_sign=2bee8c9822cc9e5187f0a7830b316f81bec56b83
IXBH24N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
10+23.45 EUR
30+23.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170 IXBH42N170_IXBT42N170.pdf
IXBH42N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170A littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170a_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXBH42N170A THT IGBT transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH6N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1B474D794F8BF&compId=IXBH6N170_IXBT6N170.pdf?ci_sign=11ff0739ef8a82a3156ed9b2978a4d7167a1a158
IXBH6N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK55N300
Hersteller: IXYS
IXBK55N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+125.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK64N250 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF10A8A1ED318BF&compId=IXBK(X)64N250.pdf?ci_sign=1acedd6822cd20d6bde99e37f87b21e81c614e11
IXBK64N250
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK75N170 littelfuse-discrete-igbts-ixbx75n170a-datasheet?assetguid=136c8b27-d568-45a4-9a6f-e3e01683adfd
Hersteller: IXYS
IXBK75N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.09 EUR
2+71.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN42N170A
Hersteller: IXYS
IXBN42N170A IGBT modules
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+43.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXBN75N170 IGBT modules
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+113.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170A 98938.pdf
Hersteller: IXYS
IXBN75N170A IGBT modules
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+94.67 EUR
2+67.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06 L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-06 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-07 L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-07 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08 IXBOD1.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-08 Thyristors - others
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.23 EUR
5+14.49 EUR
500+14.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-09 media?resourcetype=datasheets&itemid=bdb2ff13-fe36-4f76-b330-b8cce34a17c6&filename=littelfuse-power-semiconductors-ixbod1-datasheet
Hersteller: IXYS
IXBOD1-09 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10 L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-10 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9ED8D961200940CE&compId=IXBOD1_v2.pdf?ci_sign=003f6685fd1d26f92c97ad563d51a9b6294d70a4
IXBOD1-12R
Hersteller: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 1.25A; BOD; THT; bulk; 1.2kV
Kind of package: bulk
Breakover voltage: 1.2kV
Type of thyristor: BOD x2
Mounting: THT
Case: BOD
Max. load current: 1.25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+87.19 EUR
10+85.73 EUR
20+83.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12RD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9ED8D961200940CE&compId=IXBOD1_v2.pdf?ci_sign=003f6685fd1d26f92c97ad563d51a9b6294d70a4
Hersteller: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 0.2A; BOD; THT; bulk; 1.2kV
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: version RD (internal diode)
Breakover voltage: 1.2kV
Type of thyristor: BOD x2
Mounting: THT
Case: BOD
Max. load current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-13R L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-13R Thyristors - others
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+88.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-13RD L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-13RD Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-14R L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-14R Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-14RD L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-14RD Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-15R IXBOD1_DS.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-15R Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-15RD IXBOD1_DS.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-15RD Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-16R L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-16R Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-16RD L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-16RD Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-17R L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-17R Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-17RD L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-17RD Thyristors - others
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-18R L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-18R Thyristors - others
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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