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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IX4340UETR IX4340UETR IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4351NE IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=924c264a-4351-4978-8d58-1773d3df596a&filename=ix4351ne IX4351NE MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4351NETR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=924c264a-4351-4978-8d58-1773d3df596a&filename=ix4351ne IX4351NETR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4426MTR IX4426MTR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D863802577458BF&compId=IX4426-27-28.pdf?ci_sign=99fa057a30fafec2de1c6f12a1a5e55d8b525d9c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Number of channels: 2
Case: DFN8
Supply voltage: 4.5...30V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4426N IX4426N IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D863802577458BF&compId=IX4426-27-28.pdf?ci_sign=99fa057a30fafec2de1c6f12a1a5e55d8b525d9c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Number of channels: 2
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
53+1.37 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4426NTR IX4426NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=56368590-6fa3-453c-9630-e9feee6f9250 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Number of channels: 2
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4427MTR IX4427MTR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D863802577458BF&compId=IX4426-27-28.pdf?ci_sign=99fa057a30fafec2de1c6f12a1a5e55d8b525d9c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: DFN8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...30V
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
48+1.49 EUR
86+0.84 EUR
91+0.79 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4427N IX4427N IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D863802577458BF&compId=IX4426-27-28.pdf?ci_sign=99fa057a30fafec2de1c6f12a1a5e55d8b525d9c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
52+1.4 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
300+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4427NTR IX4427NTR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D863802577458BF&compId=IX4426-27-28.pdf?ci_sign=99fa057a30fafec2de1c6f12a1a5e55d8b525d9c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
70+1.02 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4428MTR IX4428MTR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D863802577458BF&compId=IX4426-27-28.pdf?ci_sign=99fa057a30fafec2de1c6f12a1a5e55d8b525d9c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Supply voltage: 4.5...30V
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of output: inverting; non-inverting
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
23+3.1 EUR
62+1.16 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4428N IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c6ab540e-0c18-4a06-ac19-7bd5332b5a89&filename=ix4426-27-28 IX4428N MOSFET/IGBT drivers
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4428NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=56368590-6fa3-453c-9630-e9feee6f9250 IX4428NTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX9907N IX9907N IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BA9E7AAE9A4C80C4&compId=IX9907.pdf?ci_sign=1c528a18bc3dd6c5a1da43fa7fa252678bebf06f Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX9907NTR IX9907NTR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BA9E7AAE9A4C80C4&compId=IX9907.pdf?ci_sign=1c528a18bc3dd6c5a1da43fa7fa252678bebf06f Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: 1.7A
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 650V DC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX9908N IX9908N IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BA9E77F90511C0C4&compId=IX9908.pdf?ci_sign=7d97fd2db8aecb60afa1d2239646bb1a84c4bffd Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
97+0.74 EUR
109+0.66 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX9908NTR IXYS IX9908.pdf IX9908NTR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX9915N IXYS IX9915.pdf IX9915N Integrated circuits - others
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1DC4F060958BF&compId=IXA12IF1200HB.pdf?ci_sign=299bea4b8317f292597b6ce020d3fb5193cac378 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Collector current: 13A
Case: TO247-3
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 85W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.08 EUR
20+3.66 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB63A1675A5820&compId=IXA12IF1200PB.pdf?ci_sign=3a3b930c74ed5ec2abbc2b27f4648ec3ddaa92c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO220-3
Collector current: 13A
Case: TO220-3
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 85W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA17IF1200HJ IXA17IF1200HJ IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB82D3B22D5820&compId=IXA17IF1200HJ.pdf?ci_sign=5f8dcaeccaed5bbf63ae08779ef9c5c0f87a4868 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 18A; 100W; PLUS247™
Collector current: 18A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20I1200PB IXA20I1200PB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB8BBC3A9FB820&compId=IXA20I1200PB.pdf?ci_sign=6dd16cf67d25fa1a3938eb8ec45c2d995057c8f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3
Collector current: 22A
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 165W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20IF1200HB IXA20IF1200HB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB94C0D704F820&compId=IXA20IF1200HB.pdf?ci_sign=f2c28f3fc9942fb2c8c7f7fa7414c698c8c5e144 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO247-3
Collector current: 22A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 165W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA72D372C388143&compId=IXA20PG1200DHGLB.pdf?ci_sign=92f5d9e5dd1ef2369a8aa01671aa29244ac7835a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA7B6B514524143&compId=SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief.pdf?ci_sign=8939cb3b27982fb8078171d673d8402b08fb3dc3 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Electrical mounting: SMT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SMPD-B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.13 EUR
7+10.64 EUR
10+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA27IF1200HJ IXA27IF1200HJ IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99ACFE35DEFE79820&compId=IXA27IF1200HJ.pdf?ci_sign=7d7443a73e4eebd7bc2cc9e0af76a6cac3154dfa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 27A; 150W; PLUS247™
Collector current: 27A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA759B209DC6143&compId=IXA30RG1200DHGLB.pdf?ci_sign=f6eb0238051d648061ebca520c13ec7c26cb22f3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA7B6B514524143&compId=SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief.pdf?ci_sign=8939cb3b27982fb8078171d673d8402b08fb3dc3 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Electrical mounting: SMT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SMPD-B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA33IF1200HB IXA33IF1200HB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1DEF404B5D8BF&compId=IXA33IF1200HB.pdf?ci_sign=02e291729e01b364bd485a7eae853dab33af3810 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Sonic FRD™; 1.2kV; 34A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA37IF1200HJ IXA37IF1200HJ IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F187B680865820&compId=IXA37IF1200HJ.pdf?ci_sign=d85df4621c1de3de20b1ce19f7cad76b3d699e55 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™
Collector current: 37A
Case: PLUS247™
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 195W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA40RG1200DHGLB IXYS IXA40RG1200DHGLB IGBT modules
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IXA45IF1200HB IXA45IF1200HB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD1FCD2218D820&compId=IXA45IF1200HB.pdf?ci_sign=a4799b66b629553e978da5dfb18f353571f2b1fb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 45A; 325W; TO247-3
Collector current: 45A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 325W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXA4I1200UC-TRL IXYS IXA4I1200UC.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.2kV; 9A; 45W; TO252
Collector current: 9A
Case: TO252
Technology: XPT™
Power dissipation: 45W
Gate charge: 12nC
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 250ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IXA4IF1200TC IXA4IF1200TC IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB42E85CA15820&compId=IXA4IF1200TC.pdf?ci_sign=9b440a49c097b86f76f829b7b6ea9edc28db0525 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXA55I1200HJ IXA55I1200HJ IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD44DED58B5820&compId=IXA55I1200HJ.pdf?ci_sign=f5b827cc15e451293be56c855e8b0bab6cbfdbec Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 54A; 290W; PLUS247™
Collector current: 54A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 290W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2C93212CC9820&compId=IXA60IF1200NA.pdf?ci_sign=f005dd90a5bbd4c174e2457adcfd338beb6074e0 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 290W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXA70I1200NA IXA70I1200NA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2CDC3016C5820&compId=IXA70I1200NA.pdf?ci_sign=1464344c37dfa780e4641b18a4a9fec667ded4ae Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 350W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2+40.18 EUR
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IXBA16N170AHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170ahv_datasheet.pdf.pdf IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
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IXBF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf IXBF20N300 THT IGBT transistors
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IXBF20N360 IXBF20N360 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB0764186D5D820&compId=IXBF20N360.pdf?ci_sign=18410bfd21cf1d94937ff17dfa086a0c8441bd5e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3.6kV; 20A; 230W
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 3.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 220A
Power dissipation: 230W
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXBF40N160 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf40n160_datasheet.pdf.pdf IXBF40N160 THT IGBT transistors
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IXBF42N300 IXYS DS100325A(IXBF42N300).pdf IXBF42N300 THT IGBT transistors
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IXBH10N170 IXBH10N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE78C511FA9820&compId=IXBH(T)10N170.pdf?ci_sign=0c9673a4b5e2be6f1c4996b39032c9983fb1a0e9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
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6+12.43 EUR
7+10.74 EUR
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30+10.12 EUR
120+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXBH10N300HV IXBH10N300HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0705F5B2EB820&compId=IXBA(H)10N300HV.pdf?ci_sign=66b2088cfab2f34b3e26428941209f928e916c26 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
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1+83.08 EUR
30+79.89 EUR
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IXBH12N300 IXBH12N300 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1CDC51AD698BF&compId=IXBH12N300_IXBT12N300.pdf?ci_sign=3b269cdf731a85c5368096fbeac6275dcc1a9602 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1D403AC24D8BF&compId=IXBH16N170_IXBT16N170.pdf?ci_sign=99fdcaa3f44a5923a6c9831dbd85a52c6be844b2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 940ns
Turn-on time: 220ns
Pulsed collector current: 120A
Kind of package: tube
Collector current: 16A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
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6+12.3 EUR
7+11.63 EUR
10+11.47 EUR
30+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXBH16N170A IXBH16N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300 IXBH20N300 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-20n300-datasheet?assetguid=70aa67f2-6f1d-44e3-9aec-3531d0e0a4cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170 IXBH24N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF2EB66970D820&compId=IXBH(t)24N170.pdf?ci_sign=2bee8c9822cc9e5187f0a7830b316f81bec56b83 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
10+23.45 EUR
30+23.44 EUR
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IXBH42N170 IXBH42N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1C570134958BF&compId=IXBH42N170_IXBT42N170.pdf?ci_sign=b7a57f2357e60d94d3088f969bde87ef72390bf7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170A IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n170a-datasheet?assetguid=1ac16b7d-7a34-4c4a-86e3-a2f8dcb4c5d9 IXBH42N170A THT IGBT transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXBH6N170 IXBH6N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1B474D794F8BF&compId=IXBH6N170_IXBT6N170.pdf?ci_sign=11ff0739ef8a82a3156ed9b2978a4d7167a1a158 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK55N300 IXYS IXBK55N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+125.51 EUR
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IXBK64N250 IXBK64N250 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF10A8A1ED318BF&compId=IXBK(X)64N250.pdf?ci_sign=1acedd6822cd20d6bde99e37f87b21e81c614e11 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXBK75N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixbx75n170a-datasheet?assetguid=136c8b27-d568-45a4-9a6f-e3e01683adfd IXBK75N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+92.09 EUR
2+71.44 EUR
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IXBN42N170A IXYS IXBN42N170A IGBT modules
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+43.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXBN75N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170_datasheet.pdf.pdf IXBN75N170 IGBT modules
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+113.93 EUR
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IXBN75N170A IXYS 98938.pdf IXBN75N170A IGBT modules
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+94.67 EUR
2+67.58 EUR
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IXBOD1-06 IXYS L024.pdf IXBOD1-06 Thyristors - others
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IXBOD1-07 IXYS L024.pdf IXBOD1-07 Thyristors - others
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IXBOD1-08 IXYS IXBOD1.pdf IXBOD1-08 Thyristors - others
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.23 EUR
5+14.49 EUR
500+14.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXBOD1-09 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bdb2ff13-fe36-4f76-b330-b8cce34a17c6&filename=littelfuse-power-semiconductors-ixbod1-datasheet IXBOD1-09 Thyristors - others
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IXBOD1-10 IXYS L024.pdf IXBOD1-10 Thyristors - others
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IX4340UETR
IX4340UETR
Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IX4351NE media?resourcetype=datasheets&itemid=924c264a-4351-4978-8d58-1773d3df596a&filename=ix4351ne
Hersteller: IXYS
IX4351NE MOSFET/IGBT drivers
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IX4351NETR media?resourcetype=datasheets&itemid=924c264a-4351-4978-8d58-1773d3df596a&filename=ix4351ne
Hersteller: IXYS
IX4351NETR MOSFET/IGBT drivers
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IX4426MTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D863802577458BF&compId=IX4426-27-28.pdf?ci_sign=99fa057a30fafec2de1c6f12a1a5e55d8b525d9c
IX4426MTR
Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Number of channels: 2
Case: DFN8
Supply voltage: 4.5...30V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IX4426N
Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Number of channels: 2
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
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IX4426NTR littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=56368590-6fa3-453c-9630-e9feee6f9250
IX4426NTR
Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Number of channels: 2
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IX4427MTR
Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: DFN8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...30V
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1347 Stücke:
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IX4427N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D863802577458BF&compId=IX4426-27-28.pdf?ci_sign=99fa057a30fafec2de1c6f12a1a5e55d8b525d9c
IX4427N
Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX4427NTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D863802577458BF&compId=IX4426-27-28.pdf?ci_sign=99fa057a30fafec2de1c6f12a1a5e55d8b525d9c
IX4427NTR
Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 789 Stücke:
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50+1.43 EUR
70+1.02 EUR
99+0.73 EUR
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500+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
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IX4428MTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D863802577458BF&compId=IX4426-27-28.pdf?ci_sign=99fa057a30fafec2de1c6f12a1a5e55d8b525d9c
IX4428MTR
Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Supply voltage: 4.5...30V
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of output: inverting; non-inverting
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
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IX4428N media?resourcetype=datasheets&itemid=c6ab540e-0c18-4a06-ac19-7bd5332b5a89&filename=ix4426-27-28
Hersteller: IXYS
IX4428N MOSFET/IGBT drivers
auf Bestellung 804 Stücke:
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Anzahl Preis
53+1.36 EUR
95+0.76 EUR
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2500+0.69 EUR
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IX4428NTR littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=56368590-6fa3-453c-9630-e9feee6f9250
Hersteller: IXYS
IX4428NTR MOSFET/IGBT drivers
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IX9907N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BA9E7AAE9A4C80C4&compId=IX9907.pdf?ci_sign=1c528a18bc3dd6c5a1da43fa7fa252678bebf06f
IX9907N
Hersteller: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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IX9907NTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BA9E7AAE9A4C80C4&compId=IX9907.pdf?ci_sign=1c528a18bc3dd6c5a1da43fa7fa252678bebf06f
IX9907NTR
Hersteller: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: 1.7A
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 650V DC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX9908N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BA9E77F90511C0C4&compId=IX9908.pdf?ci_sign=7d97fd2db8aecb60afa1d2239646bb1a84c4bffd
IX9908N
Hersteller: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
97+0.74 EUR
109+0.66 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX9908NTR IX9908.pdf
Hersteller: IXYS
IX9908NTR LED drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IX9915N IX9915.pdf
Hersteller: IXYS
IX9915N Integrated circuits - others
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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IXA12IF1200HB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1DC4F060958BF&compId=IXA12IF1200HB.pdf?ci_sign=299bea4b8317f292597b6ce020d3fb5193cac378
IXA12IF1200HB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Collector current: 13A
Case: TO247-3
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 85W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.08 EUR
20+3.66 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA12IF1200PB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB63A1675A5820&compId=IXA12IF1200PB.pdf?ci_sign=3a3b930c74ed5ec2abbc2b27f4648ec3ddaa92c4
IXA12IF1200PB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO220-3
Collector current: 13A
Case: TO220-3
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 85W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA17IF1200HJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB82D3B22D5820&compId=IXA17IF1200HJ.pdf?ci_sign=5f8dcaeccaed5bbf63ae08779ef9c5c0f87a4868
IXA17IF1200HJ
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 18A; 100W; PLUS247™
Collector current: 18A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20I1200PB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB8BBC3A9FB820&compId=IXA20I1200PB.pdf?ci_sign=6dd16cf67d25fa1a3938eb8ec45c2d995057c8f8
IXA20I1200PB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3
Collector current: 22A
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 165W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20IF1200HB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB94C0D704F820&compId=IXA20IF1200HB.pdf?ci_sign=f2c28f3fc9942fb2c8c7f7fa7414c698c8c5e144
IXA20IF1200HB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO247-3
Collector current: 22A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 165W
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA20PG1200DHGLB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA72D372C388143&compId=IXA20PG1200DHGLB.pdf?ci_sign=92f5d9e5dd1ef2369a8aa01671aa29244ac7835a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA7B6B514524143&compId=SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief.pdf?ci_sign=8939cb3b27982fb8078171d673d8402b08fb3dc3
IXA20PG1200DHGLB
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Electrical mounting: SMT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SMPD-B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.13 EUR
7+10.64 EUR
10+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA27IF1200HJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99ACFE35DEFE79820&compId=IXA27IF1200HJ.pdf?ci_sign=7d7443a73e4eebd7bc2cc9e0af76a6cac3154dfa
IXA27IF1200HJ
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 27A; 150W; PLUS247™
Collector current: 27A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA30RG1200DHGLB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA759B209DC6143&compId=IXA30RG1200DHGLB.pdf?ci_sign=f6eb0238051d648061ebca520c13ec7c26cb22f3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA7B6B514524143&compId=SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief.pdf?ci_sign=8939cb3b27982fb8078171d673d8402b08fb3dc3
IXA30RG1200DHGLB
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Electrical mounting: SMT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SMPD-B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA33IF1200HB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1DEF404B5D8BF&compId=IXA33IF1200HB.pdf?ci_sign=02e291729e01b364bd485a7eae853dab33af3810
IXA33IF1200HB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Sonic FRD™; 1.2kV; 34A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA37IF1200HJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F187B680865820&compId=IXA37IF1200HJ.pdf?ci_sign=d85df4621c1de3de20b1ce19f7cad76b3d699e55
IXA37IF1200HJ
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™
Collector current: 37A
Case: PLUS247™
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 195W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA40RG1200DHGLB
Hersteller: IXYS
IXA40RG1200DHGLB IGBT modules
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
10+13.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA45IF1200HB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD1FCD2218D820&compId=IXA45IF1200HB.pdf?ci_sign=a4799b66b629553e978da5dfb18f353571f2b1fb
IXA45IF1200HB
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 45A; 325W; TO247-3
Collector current: 45A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 325W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA4I1200UC-TRL IXA4I1200UC.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.2kV; 9A; 45W; TO252
Collector current: 9A
Case: TO252
Technology: XPT™
Power dissipation: 45W
Gate charge: 12nC
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 250ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA4IF1200TC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB42E85CA15820&compId=IXA4IF1200TC.pdf?ci_sign=9b440a49c097b86f76f829b7b6ea9edc28db0525
IXA4IF1200TC
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA55I1200HJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD44DED58B5820&compId=IXA55I1200HJ.pdf?ci_sign=f5b827cc15e451293be56c855e8b0bab6cbfdbec
IXA55I1200HJ
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 54A; 290W; PLUS247™
Collector current: 54A
Case: PLUS247™
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 290W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA60IF1200NA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2C93212CC9820&compId=IXA60IF1200NA.pdf?ci_sign=f005dd90a5bbd4c174e2457adcfd338beb6074e0
IXA60IF1200NA
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 290W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXA70I1200NA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2CDC3016C5820&compId=IXA70I1200NA.pdf?ci_sign=1464344c37dfa780e4641b18a4a9fec667ded4ae
IXA70I1200NA
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 350W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+40.18 EUR
10+39.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBA16N170AHV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170ahv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+41.76 EUR
3+26.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXBF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+82.08 EUR
2+67.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N360 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DB0764186D5D820&compId=IXBF20N360.pdf?ci_sign=18410bfd21cf1d94937ff17dfa086a0c8441bd5e
IXBF20N360
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3.6kV; 20A; 230W
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 3.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 220A
Power dissipation: 230W
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF40N160 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf40n160_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXBF40N160 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF42N300 DS100325A(IXBF42N300).pdf
Hersteller: IXYS
IXBF42N300 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE78C511FA9820&compId=IXBH(T)10N170.pdf?ci_sign=0c9673a4b5e2be6f1c4996b39032c9983fb1a0e9
IXBH10N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.43 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
30+10.12 EUR
120+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N300HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0705F5B2EB820&compId=IXBA(H)10N300HV.pdf?ci_sign=66b2088cfab2f34b3e26428941209f928e916c26
IXBH10N300HV
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+83.08 EUR
30+79.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH12N300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1CDC51AD698BF&compId=IXBH12N300_IXBT12N300.pdf?ci_sign=3b269cdf731a85c5368096fbeac6275dcc1a9602
IXBH12N300
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1D403AC24D8BF&compId=IXBH16N170_IXBT16N170.pdf?ci_sign=99fdcaa3f44a5923a6c9831dbd85a52c6be844b2
IXBH16N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 940ns
Turn-on time: 220ns
Pulsed collector current: 120A
Kind of package: tube
Collector current: 16A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.3 EUR
7+11.63 EUR
10+11.47 EUR
30+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33
IXBH16N170A
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300 littelfuse-discrete-igbts-ixb-20n300-datasheet?assetguid=70aa67f2-6f1d-44e3-9aec-3531d0e0a4cc
IXBH20N300
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF2EB66970D820&compId=IXBH(t)24N170.pdf?ci_sign=2bee8c9822cc9e5187f0a7830b316f81bec56b83
IXBH24N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
10+23.45 EUR
30+23.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1C570134958BF&compId=IXBH42N170_IXBT42N170.pdf?ci_sign=b7a57f2357e60d94d3088f969bde87ef72390bf7
IXBH42N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170A littelfuse-discrete-igbts-ixb-42n170a-datasheet?assetguid=1ac16b7d-7a34-4c4a-86e3-a2f8dcb4c5d9
Hersteller: IXYS
IXBH42N170A THT IGBT transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH6N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1B474D794F8BF&compId=IXBH6N170_IXBT6N170.pdf?ci_sign=11ff0739ef8a82a3156ed9b2978a4d7167a1a158
IXBH6N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK55N300
Hersteller: IXYS
IXBK55N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+125.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK64N250 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF10A8A1ED318BF&compId=IXBK(X)64N250.pdf?ci_sign=1acedd6822cd20d6bde99e37f87b21e81c614e11
IXBK64N250
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK75N170 littelfuse-discrete-igbts-ixbx75n170a-datasheet?assetguid=136c8b27-d568-45a4-9a6f-e3e01683adfd
Hersteller: IXYS
IXBK75N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.09 EUR
2+71.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN42N170A
Hersteller: IXYS
IXBN42N170A IGBT modules
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+43.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXBN75N170 IGBT modules
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+113.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170A 98938.pdf
Hersteller: IXYS
IXBN75N170A IGBT modules
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+94.67 EUR
2+67.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06 L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-06 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-07 L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-07 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08 IXBOD1.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-08 Thyristors - others
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.23 EUR
5+14.49 EUR
500+14.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-09 media?resourcetype=datasheets&itemid=bdb2ff13-fe36-4f76-b330-b8cce34a17c6&filename=littelfuse-power-semiconductors-ixbod1-datasheet
Hersteller: IXYS
IXBOD1-09 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10 L024.pdf
Hersteller: IXYS
IXBOD1-10 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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