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Hersteller: JSCJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-23
Vrrm(V): 40 V
If(A): 0,2 A
VF@IF: 0,38 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод.
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 0,6 A

Hersteller: JSCJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 45 V
U, V: 50 V
I, А: 0,5 A
h21,max: 600

Hersteller: JSCJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 170 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,5 A
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: SMD

Hersteller: JSCJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
fT: 130 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 45 V
Ic,A: 1 А
h21: 250
ZCODE: SMD

Hersteller: JSCJ
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
Rds(on),Om: 4,7 Ohm
/: SMD

Hersteller: JSCJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 50 MHz
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
ZCODE: SMD