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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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APT40GR120B2D30 APT40GR120B2D30 MICROCHIP TECHNOLOGY APT40GR120B2D30_RevA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 232ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Part status: Not recommended for new designs
Mounting: THT
Case: T-Max
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GR120S APT40GR120S MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8E9C325C173274A&compId=apt40gr120.pdf?ci_sign=81b30b68baa02cc9baa801dc9b8250a6cdb17795 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 232ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.21µC
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Part status: Not recommended for new designs
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M35JVR MICROCHIP TECHNOLOGY Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 400V; 93A; ISOTOP; screw; 700W; Ugs: ±30V
Technology: POWER MOS 5®
Drain current: 93A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: ISOTOP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70JVR MICROCHIP TECHNOLOGY Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 400V; 53A; ISOTOP; screw; 450W; Ugs: ±30V
Technology: POWER MOS 5®
Drain current: 53A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: ISOTOP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70LVRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT40M70LVRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41F100J APT41F100J MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA82B2D692D6874A&compId=APT41F100J.pdf?ci_sign=33c570747a2a04d597a70798c2fc50eb7bfa5b71 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 42A; ISOTOP; screw; Idm: 260A; 960W
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 260A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 42A
On-state resistance: 0.2Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41M80B2 MICROCHIP TECHNOLOGY 7022-apt41m80b2-apt41m80l-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1.04kW
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 260nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41M80L APT41M80L MICROCHIP TECHNOLOGY 7022-apt41m80b2-apt41m80l-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1.04kW; TO264
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 260nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT42F50S MICROCHIP TECHNOLOGY 7028-apt42f50b-apt42f50s-datasheet APT42F50S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43GA90B MICROCHIP TECHNOLOGY 123659-apt43ga90b-apt43ga90s-datasheet APT43GA90B THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43GA90BD30 MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APT43GA90BD30 THT IGBT transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.57 EUR
6+11.95 EUR
7+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT44F80B2 MICROCHIP TECHNOLOGY 7042-apt44f80b2-datasheet APT44F80B2 THT N channel transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+44.56 EUR
3+30.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT44F80L APT44F80L MICROCHIP TECHNOLOGY 7042-apt44f80b2-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 29A; Idm: 173A; 1135W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 29A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 305nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 173A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT45GP120B2DQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY APT45GP120B2DQ2(G)_A.pdf APT45GP120B2DQ2G THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+45.82 EUR
3+28.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT45GP120BG MICROCHIP TECHNOLOGY 6278-apt45gp120bg-datasheet APT45GP120BG THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT45GP120J MICROCHIP TECHNOLOGY 6279-apt45gp120j-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 34A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 170A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT45GP120JDQ2 APT45GP120JDQ2 MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8F0389C3CFE074A&compId=APT45GP120JDQ2.pdf?ci_sign=4509e3f715467ed9ece6d887ff36807f318c2f5e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 34A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 170A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power dissipation: 329W
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT45GR65B MICROCHIP TECHNOLOGY 131953-apt45gr65b-apt45gr65s-datasheet APT45GR65B THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT45M100J MICROCHIP TECHNOLOGY 7053-apt45m100j-datasheet APT45M100J Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT46GA90JD40 MICROCHIP TECHNOLOGY 123670-apt46ga90jd40-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 46A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 46A
Pulsed collector current: 136A
Max. off-state voltage: 900V
Application: for UPS
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47F60J MICROCHIP TECHNOLOGY 7058-apt47f60j-datasheet APT47F60J Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47GA60JD40 MICROCHIP TECHNOLOGY 123663-apt47ga60jd40-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 47A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 47A
Pulsed collector current: 139A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: for UPS
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47M60J MICROCHIP TECHNOLOGY 7064-apt47m60j-datasheet APT47M60J Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47N60BC3G APT47N60BC3G MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA873D558421874A&compId=APT47N60BC3G.pdf?ci_sign=0699b97c03a1bae742a67f3bdde3db5092a1a926 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47N60SC3G APT47N60SC3G MICROCHIP TECHNOLOGY 6283-apt47n60bc3g-apt47n60sc3g-datasheet Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT48M80B2 MICROCHIP TECHNOLOGY 7069-apt48m80b2-datasheet APT48M80B2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT48M80L MICROCHIP TECHNOLOGY 7069-apt48m80b2-datasheet APT48M80L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4F120K MICROCHIP TECHNOLOGY APT4F120K.pdf APT4F120K THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4F120S MICROCHIP TECHNOLOGY 124030-apt4f120s-datasheet APT4F120S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4M120K APT4M120K MICROCHIP TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 225W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010B2FLLG MICROCHIP TECHNOLOGY APT5010%28B2%2CL%29FLL.pdf APT5010B2FLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010B2LLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6287-apt5010b2llg-apt5010lllg-datasheet APT5010B2LLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010B2VFRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT5010B2VFRG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010B2VRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6289-apt5010b2vrg-datasheet APT5010B2VRG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JFLL MICROCHIP TECHNOLOGY 6290-apt5010jfll-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 41A; ISOTOP; screw; Idm: 164A; 378W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 41A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 378W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 164A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JLL MICROCHIP TECHNOLOGY 6291-apt5010jll-datasheet APT5010JLL Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JLLU2 MICROCHIP TECHNOLOGY 7076-apt5010jllu2-datasheet APT5010JLLU2 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JLLU3 MICROCHIP TECHNOLOGY 7077-apt5010jllu3-datasheet APT5010JLLU3 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JVFR MICROCHIP TECHNOLOGY 6292-apt5010jvfr-datasheet APT5010JVFR Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JVR APT5010JVR MICROCHIP TECHNOLOGY 6293-apt5010jvr-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+53.4 EUR
10+51.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JVRU2 APT5010JVRU2 MICROCHIP TECHNOLOGY 7078-apt5010jvru2-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 176A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JVRU3 MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APT5010JVRU3 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010LFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY APT5010%28B2%2CL%29FLL.pdf APT5010LFLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010LLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6287-apt5010b2llg-apt5010lllg-datasheet APT5010LLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010LVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6294-apt5010lvfr-datasheet APT5010LVFRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010LVRG APT5010LVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6295-apt5010lvr-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5014BFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6298-apt5014bfll-apt5014sfll-datasheet APT5014BFLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5014BLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6299-apt5014bllg-apt5014sllg-datasheet APT5014BLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5014SLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6299-apt5014bllg-apt5014sllg-datasheet APT5014SLLG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5015BVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6301-apt5015bvfrg-apt5015svfrg-datasheet APT5015BVFRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5015BVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6302-apt5015bvrg-datasheet APT5015BVRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5015SVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6301-apt5015bvfrg-apt5015svfrg-datasheet APT5015SVFRG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5016BFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6303-apt5016bfllg-apt5016sfllg-datasheet APT5016BFLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5016BLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6304-apt5016bllg-apt5016sllg-datasheet APT5016BLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5017BVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6305-apt5017bvfrg-apt5017svfrg-datasheet APT5017BVFRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5017BVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6306-apt5017bvrg-datasheet APT5017BVRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5017SVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6307-apt5017svrg-datasheet APT5017SVRG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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APT5018BFLLG APT5018BFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6308-apt5018bfllg-apt5018sfllg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 108A
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.18Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5018BLLG APT5018BLLG MICROCHIP TECHNOLOGY APT5018_B%2CS_LL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 108A
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.18Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5018SFLLG APT5018SFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6308-apt5018bfllg-apt5018sfllg-datasheet Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: D3PAK
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 108A
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.18Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40GR120B2D30 APT40GR120B2D30_RevA.pdf
APT40GR120B2D30
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 232ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Part status: Not recommended for new designs
Mounting: THT
Case: T-Max
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40GR120S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8E9C325C173274A&compId=apt40gr120.pdf?ci_sign=81b30b68baa02cc9baa801dc9b8250a6cdb17795
APT40GR120S
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 232ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.21µC
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Part status: Not recommended for new designs
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M35JVR
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 400V; 93A; ISOTOP; screw; 700W; Ugs: ±30V
Technology: POWER MOS 5®
Drain current: 93A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: ISOTOP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70JVR
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 400V; 53A; ISOTOP; screw; 450W; Ugs: ±30V
Technology: POWER MOS 5®
Drain current: 53A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: ISOTOP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70LVRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40M70LVRG THT N channel transistors
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APT41F100J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA82B2D692D6874A&compId=APT41F100J.pdf?ci_sign=33c570747a2a04d597a70798c2fc50eb7bfa5b71
APT41F100J
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 42A; ISOTOP; screw; Idm: 260A; 960W
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 260A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 42A
On-state resistance: 0.2Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT41M80B2 7022-apt41m80b2-apt41m80l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1.04kW
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 260nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41M80L 7022-apt41m80b2-apt41m80l-datasheet
APT41M80L
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1.04kW; TO264
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 260nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT42F50S 7028-apt42f50b-apt42f50s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT42F50S SMD N channel transistors
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APT43GA90B 123659-apt43ga90b-apt43ga90s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT43GA90B THT IGBT transistors
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APT43GA90BD30 High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT43GA90BD30 THT IGBT transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
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5+15.57 EUR
6+11.95 EUR
7+11.3 EUR
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APT44F80B2 7042-apt44f80b2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT44F80B2 THT N channel transistors
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2+44.56 EUR
3+30.89 EUR
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APT44F80L 7042-apt44f80b2-datasheet
APT44F80L
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 29A; Idm: 173A; 1135W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 29A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 305nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 173A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT45GP120B2DQ2G APT45GP120B2DQ2(G)_A.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT45GP120B2DQ2G THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
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2+45.82 EUR
3+28.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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APT45GP120BG 6278-apt45gp120bg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT45GP120BG THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT45GP120J 6279-apt45gp120j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 34A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 170A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT45GP120JDQ2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8F0389C3CFE074A&compId=APT45GP120JDQ2.pdf?ci_sign=4509e3f715467ed9ece6d887ff36807f318c2f5e
APT45GP120JDQ2
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 34A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 170A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power dissipation: 329W
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT45GR65B 131953-apt45gr65b-apt45gr65s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT45GR65B THT IGBT transistors
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APT45M100J 7053-apt45m100j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT45M100J Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT46GA90JD40 123670-apt46ga90jd40-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 46A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 46A
Pulsed collector current: 136A
Max. off-state voltage: 900V
Application: for UPS
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47F60J 7058-apt47f60j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT47F60J Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47GA60JD40 123663-apt47ga60jd40-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 47A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 47A
Pulsed collector current: 139A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: for UPS
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47M60J 7064-apt47m60j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT47M60J Transistor modules MOSFET
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APT47N60BC3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA873D558421874A&compId=APT47N60BC3G.pdf?ci_sign=0699b97c03a1bae742a67f3bdde3db5092a1a926
APT47N60BC3G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47N60SC3G 6283-apt47n60bc3g-apt47n60sc3g-datasheet
APT47N60SC3G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT48M80B2 7069-apt48m80b2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT48M80B2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT48M80L 7069-apt48m80b2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT48M80L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4F120K APT4F120K.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT4F120K THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4F120S 124030-apt4f120s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT4F120S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4M120K
APT4M120K
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 225W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010B2FLLG APT5010%28B2%2CL%29FLL.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010B2FLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010B2LLG 6287-apt5010b2llg-apt5010lllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010B2LLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010B2VFRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010B2VFRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010B2VRG 6289-apt5010b2vrg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010B2VRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JFLL 6290-apt5010jfll-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 41A; ISOTOP; screw; Idm: 164A; 378W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 41A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 378W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 164A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JLL 6291-apt5010jll-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010JLL Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JLLU2 7076-apt5010jllu2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010JLLU2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JLLU3 7077-apt5010jllu3-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010JLLU3 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JVFR 6292-apt5010jvfr-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010JVFR Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JVR 6293-apt5010jvr-datasheet
APT5010JVR
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+53.4 EUR
10+51.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JVRU2 7078-apt5010jvru2-datasheet
APT5010JVRU2
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 176A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010JVRU3 High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010JVRU3 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010LFLLG APT5010%28B2%2CL%29FLL.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010LFLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010LLLG 6287-apt5010b2llg-apt5010lllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010LLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010LVFRG 6294-apt5010lvfr-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010LVFRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5010LVRG 6295-apt5010lvr-datasheet
APT5010LVRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5014BFLLG 6298-apt5014bfll-apt5014sfll-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5014BFLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5014BLLG 6299-apt5014bllg-apt5014sllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5014BLLG THT N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5014SLLG SMD N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5015BVFRG THT N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5015BVRG THT N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5015SVFRG SMD N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5016BFLLG THT N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5016BLLG THT N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5017BVFRG THT N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5017BVRG THT N channel transistors
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APT5017SVRG 6307-apt5017svrg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5017SVRG SMD N channel transistors
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APT5018BFLLG 6308-apt5018bfllg-apt5018sfllg-datasheet
APT5018BFLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 108A
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.18Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT5018BLLG APT5018_B%2CS_LL.pdf
APT5018BLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 108A
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.18Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT5018SFLLG 6308-apt5018bfllg-apt5018sfllg-datasheet
APT5018SFLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: D3PAK
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 108A
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.18Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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