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APT32M80J MICROCHIP TECHNOLOGY 6943-apt32m80j-c-pdf APT32M80J Transistor modules MOSFET
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APT33GF120B2RDQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY 6240-apt33gf120b2rdq2g-apt33gf120lrdq2g-datasheet APT33GF120B2RDQ2G THT IGBT transistors
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APT33GF120BRG APT33GF120BRG MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8E99F13C194474A&compId=apt33gf120brg.pdf?ci_sign=63c6bade637e3754ad248e96ed041e7f68d13589 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 33A; 297W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 33A
Pulsed collector current: 104A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 284ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 297W
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Technology: Fast IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT33GF120LRDQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY 6240-apt33gf120b2rdq2g-apt33gf120lrdq2g-datasheet APT33GF120LRDQ2G THT IGBT transistors
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APT34F100B2 MICROCHIP TECHNOLOGY 6951-apt34f100b2-apt34f100l-datasheet APT34F100B2 THT N channel transistors
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APT34F100L MICROCHIP TECHNOLOGY 6951-apt34f100b2-l-d-pdf APT34F100L THT N channel transistors
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APT34F60B MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=6954 APT34F60B THT N channel transistors
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APT34F60S MICROCHIP TECHNOLOGY 6954-apt34f60b-apt34f60s-datasheet APT34F60S SMD N channel transistors
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APT34M120J MICROCHIP TECHNOLOGY 6956-apt34m120j-datasheet APT34M120J Transistor modules MOSFET
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APT34M60B MICROCHIP TECHNOLOGY 6958-apt34m60b-s-c-pdf APT34M60B THT N channel transistors
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APT34M60S MICROCHIP TECHNOLOGY 6958-apt34m60b-apt34m60s-datasheet APT34M60S SMD N channel transistors
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APT35GA90B MICROCHIP TECHNOLOGY 123658-apt35ga90b-apt35ga90s-datasheet APT35GA90B THT IGBT transistors
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APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: POWER MOS 8®; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 35A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT35GN120BG MICROCHIP TECHNOLOGY 6968-apt35gn120bg-apt35gn120sg-datasheet APT35GN120BG THT IGBT transistors
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APT35GN120L2DQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY 6245-apt35gn120l2dq2g-datasheet APT35GN120L2DQ2G THT IGBT transistors
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APT35GN120SG MICROCHIP TECHNOLOGY 6968-apt35gn120bg-apt35gn120sg-datasheet APT35GN120SG SMD IGBT transistors
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APT35GP120B2D2G MICROCHIP TECHNOLOGY APT35GP120B2D2G THT IGBT transistors
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APT35GP120B2DQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY 6246-apt35gp120b2dq2g-datasheet APT35GP120B2DQ2G THT IGBT transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+75.25 EUR
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APT35GP120BG MICROCHIP TECHNOLOGY 6969-apt35gp120bg-datasheet APT35GP120BG THT IGBT transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+30.97 EUR
4+19.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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APT35GP120J APT35GP120J MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD082DF9B46FA3180DC&compId=APT35GP120J.pdf?ci_sign=353745cf56d0719c8815abf51f74b2490bcdafc0 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 29A
Pulsed collector current: 140A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+40.08 EUR
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APT35GP120JDQ2 MICROCHIP TECHNOLOGY 123955-apt35gp120jdq2-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 26A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 140A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT35GT120JU2 MICROCHIP TECHNOLOGY 6970-apt35gt120ju2-datasheet APT35GT120JU2 IGBT modules
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APT35GT120JU3 MICROCHIP TECHNOLOGY 6971-apt35gt120ju3-datasheet APT35GT120JU3 IGBT modules
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APT36GA60B MICROCHIP TECHNOLOGY 123674-apt36ga60b-apt36ga60s-datasheet APT36GA60B THT IGBT transistors
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APT36GA60BD15 MICROCHIP TECHNOLOGY 122681-apt36n90bc3g-datasheet APT36GA60BD15 THT IGBT transistors
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APT36GA60SD15 MICROCHIP TECHNOLOGY 123675-apt36ga60bd15-apt36ga60sd15-datasheet APT36GA60SD15 SMD IGBT transistors
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APT37F50B APT37F50B MICROCHIP TECHNOLOGY 6980-apt37f50b-apt37f50s-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 115A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 145nC
Technology: POWER MOS 8®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT37F50S MICROCHIP TECHNOLOGY 6980-apt37f50b-apt37f50s-datasheet APT37F50S SMD N channel transistors
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APT37M100B2 MICROCHIP TECHNOLOGY 6982-apt37m100b2-apt37m100l-datasheet APT37M100B2 THT N channel transistors
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APT37M100L MICROCHIP TECHNOLOGY 6982-apt37m100b2-apt37m100l-datasheet APT37M100L THT N channel transistors
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APT38F50J MICROCHIP TECHNOLOGY 6985-apt38f50j-d-pdf APT38F50J Transistor modules MOSFET
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APT38F80B2 APT38F80B2 MICROCHIP TECHNOLOGY 6988-apt38f80b2-apt38f80l-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 260nC
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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APT38F80L MICROCHIP TECHNOLOGY 6988-apt38f80b2-apt38f80l-datasheet APT38F80L THT N channel transistors
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APT38M50J MICROCHIP TECHNOLOGY 6990-apt38m50j-c-pdf APT38M50J Transistor modules MOSFET
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APT38N60BC6 APT38N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 122682-apt38n60bc6-apt38n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT39F60J MICROCHIP TECHNOLOGY 6994-apt39f60j-d-pdf APT39F60J Transistor modules MOSFET
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APT39M60J MICROCHIP TECHNOLOGY 6999-apt39m60j-f-pdf APT39M60J Transistor modules MOSFET
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APT4014BVFRG APT4014BVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 28A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT4020BVFRG APT4020BVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 23A; Idm: 92A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 5®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40DQ100BCTG APT40DQ100BCTG MICROCHIP TECHNOLOGY APT40DQ100BCT_G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 40A; tube; TO247-3; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40DQ100BG MICROCHIP TECHNOLOGY APT40DQ100B%2CS%28G%29.pdf APT40DQ100BG THT universal diodes
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APT40DQ120BG MICROCHIP TECHNOLOGY 123686-apt40dq120bg-apt40dq120sg-datasheet APT40DQ120BG THT universal diodes
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APT40DQ120SG MICROCHIP TECHNOLOGY 1243236-apt40dq120sg-datasheet APT40DQ120SG SMD universal diodes
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APT40DQ60BCTG APT40DQ60BCTG MICROCHIP TECHNOLOGY 6263-apt40dq60bctg-datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 40A; tube; TO247-3; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: FRED
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APT40DQ60BG MICROCHIP TECHNOLOGY 6262-apt40dq60bg-apt40dq60sg-datasheet APT40DQ60BG THT universal diodes
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APT40DR160HJ MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA7CF77BD421620C7&compId=APT40DR160HJ.pdf?ci_sign=709a7cc85b4b4022d325503e337478715c2173da Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 40A; Ifsm: 400A
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: single-phase
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40GF120JRD MICROCHIP TECHNOLOGY APT40GF120JRD IGBT modules
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APT40GF120JRDQ2 MICROCHIP TECHNOLOGY 7007-apt40gf120jrdq2-b-pdf APT40GF120JRDQ2 IGBT modules
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APT40GL120JU2 MICROCHIP TECHNOLOGY 7008-apt40gl120ju2-datasheet APT40GL120JU2 IGBT modules
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APT40GL120JU3 MICROCHIP TECHNOLOGY 7009-apt40gl120ju3-datasheet APT40GL120JU3 IGBT modules
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APT40GLQ120JCU2 MICROCHIP TECHNOLOGY 125277-apt40glq120jcu2-rev0-datasheet APT40GLQ120JCU2 IGBT modules
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APT40GP60B2DQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY 6266-apt40gp60b2dq2g-datasheet APT40GP60B2DQ2G THT IGBT transistors
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APT40GP60BG MICROCHIP TECHNOLOGY 6265-apt40gp60bg-apt40gp60sg-datasheet APT40GP60BG THT IGBT transistors
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APT40GP60J MICROCHIP TECHNOLOGY 6267-apt40gp60j-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 40A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40GP60JDQ2 MICROCHIP TECHNOLOGY 6268-apt40gp60jdq2-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 40A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40GP90B2DQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY 6270-apt40gp90b2dq2g-datasheet APT40GP90B2DQ2G THT IGBT transistors
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APT40GP90BG MICROCHIP TECHNOLOGY 6269-apt40gp90bg-datasheet APT40GP90BG THT IGBT transistors
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APT40GP90J MICROCHIP TECHNOLOGY 6271-apt40gp90j-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 32A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 160A
Max. off-state voltage: 900V
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40GP90JDQ2 APT40GP90JDQ2 MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8EFC8C1C254A74A&compId=APT40GP90JDQ2.pdf?ci_sign=80e69e5144c495ae34a591b64304e259845e4786 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B; 284W
Technology: POWER MOS 7®
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 27A
Pulsed collector current: 160A
Max. off-state voltage: 900V
Power dissipation: 284W
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT40GR120B APT40GR120B MICROCHIP TECHNOLOGY APT40GR120B_S_RevA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 232ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.21µC
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Part status: Not recommended for new designs
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT32M80J 6943-apt32m80j-c-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT32M80J Transistor modules MOSFET
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APT33GF120B2RDQ2G 6240-apt33gf120b2rdq2g-apt33gf120lrdq2g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT33GF120B2RDQ2G THT IGBT transistors
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APT33GF120BRG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8E99F13C194474A&compId=apt33gf120brg.pdf?ci_sign=63c6bade637e3754ad248e96ed041e7f68d13589
APT33GF120BRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 33A; 297W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 33A
Pulsed collector current: 104A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 284ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 297W
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Technology: Fast IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT33GF120LRDQ2G 6240-apt33gf120b2rdq2g-apt33gf120lrdq2g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT33GF120LRDQ2G THT IGBT transistors
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APT34F100B2 6951-apt34f100b2-apt34f100l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34F100B2 THT N channel transistors
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APT34F100L 6951-apt34f100b2-l-d-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34F100L THT N channel transistors
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APT34F60B index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=6954
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34F60B THT N channel transistors
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APT34F60S 6954-apt34f60b-apt34f60s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34F60S SMD N channel transistors
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APT34M120J 6956-apt34m120j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34M120J Transistor modules MOSFET
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34M60B THT N channel transistors
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APT34M60S 6958-apt34m60b-apt34m60s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34M60S SMD N channel transistors
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APT35GA90B 123658-apt35ga90b-apt35ga90s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GA90B THT IGBT transistors
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APT35GA90BD15 High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT35GA90BD15
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: POWER MOS 8®; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 35A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT35GN120BG 6968-apt35gn120bg-apt35gn120sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GN120BG THT IGBT transistors
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APT35GN120L2DQ2G 6245-apt35gn120l2dq2g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GN120L2DQ2G THT IGBT transistors
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APT35GN120SG 6968-apt35gn120bg-apt35gn120sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GN120SG SMD IGBT transistors
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APT35GP120B2D2G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120B2D2G THT IGBT transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120B2DQ2G THT IGBT transistors
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1+75.25 EUR
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120BG THT IGBT transistors
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APT35GP120J
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 29A
Pulsed collector current: 140A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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1+71.5 EUR
2+40.08 EUR
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APT35GP120JDQ2 123955-apt35gp120jdq2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 26A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 140A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT35GT120JU2 6970-apt35gt120ju2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GT120JU2 IGBT modules
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APT35GT120JU3 6971-apt35gt120ju3-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GT120JU3 IGBT modules
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APT36GA60B 123674-apt36ga60b-apt36ga60s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT36GA60B THT IGBT transistors
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APT36GA60BD15 122681-apt36n90bc3g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT36GA60BD15 THT IGBT transistors
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APT36GA60SD15 123675-apt36ga60bd15-apt36ga60sd15-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT36GA60SD15 SMD IGBT transistors
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APT37F50B 6980-apt37f50b-apt37f50s-datasheet
APT37F50B
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 115A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 145nC
Technology: POWER MOS 8®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT37F50S 6980-apt37f50b-apt37f50s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT37F50S SMD N channel transistors
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APT37M100B2 6982-apt37m100b2-apt37m100l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT37M100B2 THT N channel transistors
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APT37M100L 6982-apt37m100b2-apt37m100l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT37M100L THT N channel transistors
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APT38F50J 6985-apt38f50j-d-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT38F50J Transistor modules MOSFET
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APT38F80B2 6988-apt38f80b2-apt38f80l-datasheet
APT38F80B2
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 260nC
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+23.27 EUR
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT38F80L THT N channel transistors
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APT38M50J 6990-apt38m50j-c-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT38M50J Transistor modules MOSFET
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APT38N60BC6 122682-apt38n60bc6-apt38n60sc6-datasheet
APT38N60BC6
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT39F60J 6994-apt39f60j-d-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT39F60J Transistor modules MOSFET
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APT39M60J 6999-apt39m60j-f-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT39M60J Transistor modules MOSFET
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APT4014BVFRG
APT4014BVFRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 28A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT4020BVFRG
APT4020BVFRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 23A; Idm: 92A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 5®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ100BCTG APT40DQ100BCT_G.pdf
APT40DQ100BCTG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 40A; tube; TO247-3; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ100BG APT40DQ100B%2CS%28G%29.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ100BG THT universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ120BG 123686-apt40dq120bg-apt40dq120sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ120BG THT universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ120SG 1243236-apt40dq120sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ120SG SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ60BCTG 6263-apt40dq60bctg-datasheet
APT40DQ60BCTG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 40A; tube; TO247-3; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DQ60BG 6262-apt40dq60bg-apt40dq60sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ60BG THT universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40DR160HJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA7CF77BD421620C7&compId=APT40DR160HJ.pdf?ci_sign=709a7cc85b4b4022d325503e337478715c2173da
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 40A; Ifsm: 400A
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: single-phase
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GF120JRD
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GF120JRD IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GF120JRDQ2 7007-apt40gf120jrdq2-b-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GF120JRDQ2 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GL120JU2 7008-apt40gl120ju2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GL120JU2 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GL120JU3 7009-apt40gl120ju3-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GL120JU3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GLQ120JCU2 125277-apt40glq120jcu2-rev0-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GLQ120JCU2 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60B2DQ2G 6266-apt40gp60b2dq2g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP60B2DQ2G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60BG 6265-apt40gp60bg-apt40gp60sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP60BG THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60J 6267-apt40gp60j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 40A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP60JDQ2 6268-apt40gp60jdq2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 40A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP90B2DQ2G 6270-apt40gp90b2dq2g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP90B2DQ2G THT IGBT transistors
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APT40GP90BG 6269-apt40gp90bg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP90BG THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP90J 6271-apt40gp90j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 32A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 160A
Max. off-state voltage: 900V
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GP90JDQ2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8EFC8C1C254A74A&compId=APT40GP90JDQ2.pdf?ci_sign=80e69e5144c495ae34a591b64304e259845e4786
APT40GP90JDQ2
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B; 284W
Technology: POWER MOS 7®
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 27A
Pulsed collector current: 160A
Max. off-state voltage: 900V
Power dissipation: 284W
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40GR120B APT40GR120B_S_RevA.pdf
APT40GR120B
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 232ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.21µC
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Part status: Not recommended for new designs
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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