Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (360132) > Seite 3401 nach 6003
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT75GN60LDQ3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 93A Power dissipation: 536W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 485nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 485ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT75GN60SDQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; D3PAK Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 93A Power dissipation: 536W Case: D3PAK Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: SMD Gate charge: 485nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 485ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT75GP120B2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75GP120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: POWER MOS 7®; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT75GP120JDQ3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: POWER MOS 7® Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Power dissipation: 543W Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT75GT120JRDQ3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: NPT; POWER MOS 7® Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT75GT120JU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75GT120JU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 175A Application: motors Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Topology: buck chopper Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT75M50B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75M50L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT77N60BC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 49A Pulsed drain current: 272A Power dissipation: 481W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT77N60SC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 49A Pulsed drain current: 272A Power dissipation: 481W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT7F100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT7F120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT7F120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT7M120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT7M120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8011JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8011JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8014JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT8014JFLL Transistor modules MOSFET |
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APT8014JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8014L2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8014L2LLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8015JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8015JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8020B2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8020B2LLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8020JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 800V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 132A; 520W Drain-source voltage: 800V Drain current: 33A On-state resistance: 0.22Ω Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 132A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT8020JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8020LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8020LLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8024JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT8024JFLL Transistor modules MOSFET |
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APT8024JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8024LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8030B2VRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Case: TO247MAX Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT8030JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT8030LVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 510nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT8030LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 510nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT8043BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8043BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8043SFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8052BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8052BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8056BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT8065BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A Technology: POWER MOS 5® Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A On-state resistance: 0.65Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 52A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT8065BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A Technology: POWER MOS 5® Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A On-state resistance: 0.65Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 52A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT8065SVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A Technology: POWER MOS 5® Mounting: SMD Case: D3PAK Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A On-state resistance: 0.65Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 52A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT80F60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT80GA60B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT80GA60LD40 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT80GA90B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT80GA90LD40 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT80GA90S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT80GP60B2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT80GP60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B; tube Technology: POWER MOS 7®; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 330A Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT80GP60JDQ3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B; tube Technology: POWER MOS 7®; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 330A Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT80M60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT84F50B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT84F50L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT84M50B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75GN60LDQ3G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT75GN60SDQ2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; D3PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: D3PAK
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: SMD
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; D3PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: D3PAK
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: SMD
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT75GP120B2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75GP120B2G THT IGBT transistors
APT75GP120B2G THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
APT75GP120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75GP120JDQ3 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power dissipation: 543W
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power dissipation: 543W
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 59.79 EUR |
APT75GT120JRDQ3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: NPT; POWER MOS 7®
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: NPT; POWER MOS 7®
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75GT120JU2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75GT120JU2 IGBT modules
APT75GT120JU2 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75GT120JU3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 175A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 175A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 52.21 EUR |
3+ | 51.04 EUR |
10+ | 50.76 EUR |
APT75M50B2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75M50B2 THT N channel transistors
APT75M50B2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75M50L |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75M50L THT N channel transistors
APT75M50L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT77N60BC6 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT77N60SC6 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT7F100B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7F100B THT N channel transistors
APT7F100B THT N channel transistors
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APT7F120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7F120B THT N channel transistors
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APT7F120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7F120S SMD N channel transistors
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APT7M120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7M120B THT N channel transistors
APT7M120B THT N channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15 EUR |
8+ | 9.35 EUR |
APT7M120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7M120S SMD N channel transistors
APT7M120S SMD N channel transistors
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APT8011JFLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8011JFLL Transistor modules MOSFET
APT8011JFLL Transistor modules MOSFET
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APT8011JLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8011JLL Transistor modules MOSFET
APT8011JLL Transistor modules MOSFET
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APT8014JFLL |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8014JFLL Transistor modules MOSFET
APT8014JFLL Transistor modules MOSFET
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APT8014JLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8014JLL Transistor modules MOSFET
APT8014JLL Transistor modules MOSFET
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APT8014L2FLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8014L2FLLG THT N channel transistors
APT8014L2FLLG THT N channel transistors
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APT8014L2LLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8014L2LLG THT N channel transistors
APT8014L2LLG THT N channel transistors
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APT8015JVFR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8015JVFR Transistor modules MOSFET
APT8015JVFR Transistor modules MOSFET
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APT8015JVR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8015JVR Transistor modules MOSFET
APT8015JVR Transistor modules MOSFET
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APT8020B2FLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8020B2FLLG THT N channel transistors
APT8020B2FLLG THT N channel transistors
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APT8020B2LLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8020B2LLG THT N channel transistors
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APT8020JFLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 132A; 520W
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 33A
On-state resistance: 0.22Ω
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 132A; 520W
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 33A
On-state resistance: 0.22Ω
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT8020JLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8020JLL Transistor modules MOSFET
APT8020JLL Transistor modules MOSFET
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APT8020LFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8020LFLLG THT N channel transistors
APT8020LFLLG THT N channel transistors
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APT8020LLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8020LLLG THT N channel transistors
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APT8024JFLL |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8024JFLL Transistor modules MOSFET
APT8024JFLL Transistor modules MOSFET
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APT8024JLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8024JLL Transistor modules MOSFET
APT8024JLL Transistor modules MOSFET
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APT8024LFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8024LFLLG THT N channel transistors
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APT8030B2VRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT8030JVFR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT8030LVFRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT8030LVRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT8043BFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8043BFLLG THT N channel transistors
APT8043BFLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT8043BLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8043BLLG THT N channel transistors
APT8043BLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT8043SFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8043SFLLG SMD N channel transistors
APT8043SFLLG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT8052BFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8052BFLLG THT N channel transistors
APT8052BFLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT8052BLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8052BLLG THT N channel transistors
APT8052BLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT8056BVRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8056BVRG THT N channel transistors
APT8056BVRG THT N channel transistors
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APT8065BVFRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT8065BVRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT8065SVRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT80F60J |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT80F60J Transistor modules MOSFET
APT80F60J Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT80GA60B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT80GA60B THT IGBT transistors
APT80GA60B THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT80GA60LD40 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT80GA60LD40 THT IGBT transistors
APT80GA60LD40 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT80GA90B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT80GA90B THT IGBT transistors
APT80GA90B THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT80GA90LD40 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT80GA90LD40 THT IGBT transistors
APT80GA90LD40 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT80GA90S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT80GA90S SMD IGBT transistors
APT80GA90S SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT80GP60B2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT80GP60B2G THT IGBT transistors
APT80GP60B2G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT80GP60J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 330A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 330A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
APT80GP60JDQ3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 330A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 330A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT80M60J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT80M60J Transistor modules MOSFET
APT80M60J Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT84F50B2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT84F50B2 THT N channel transistors
APT84F50B2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT84F50L |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT84F50L THT N channel transistors
APT84F50L THT N channel transistors
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APT84M50B2 |
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APT84M50B2 THT N channel transistors
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