Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (360194) > Seite 3400 nach 6004
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT60D60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 60A; tube; Ifsm: 600A; TO247AC; 130ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 60A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 0.6kA Case: TO247AC Max. forward voltage: 1.6V Max. load current: 132A Reverse recovery time: 130ns Technology: FRED Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT60D60LCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60D60SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60DF20HJ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60DF60HJ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 60A; Ifsm: 500A Case: SOT227B Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Version: module Technology: FRED Type of bridge rectifier: single-phase Leads: M4 screws Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 2.3V Load current: 60A Max. forward impulse current: 0.5kA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT60DQ100BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 60A; tube; TO247AC; FRED Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 60A Semiconductor structure: single diode Case: TO247AC Kind of package: tube Application: automotive industry Features of semiconductor devices: ultrafast switching Technology: FRED Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT60DQ100LCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60DQ120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT60DQ120SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60DQ60BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT60DQ60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60DQ60SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60GA60JD60 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube Technology: POWER MOS 8®; PT Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 60A Pulsed collector current: 178A Max. off-state voltage: 0.6kV Application: for UPS Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT60GF120JRD | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT60GF120JRD IGBT modules |
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APT60GF120JRDQ3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60M60JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 280A; 694W Drain-source voltage: 600V Drain current: 70A On-state resistance: 60mΩ Power dissipation: 694W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 280A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT60M60JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 280A; 694W Drain-source voltage: 600V Drain current: 70A On-state resistance: 60mΩ Power dissipation: 694W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 280A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT60M75JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60M75JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60M75JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60M75L2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60M75L2LLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60M80L2VRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60N60BCSG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 431W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT60N60SCSG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 431W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT60S20B2CTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60S20BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT60S20SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT64GA90B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT64GA90B2D30 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT64GA90LD30 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT65GP60B2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT65GP60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube Technology: POWER MOS 7®; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 250A Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT65GP60JDQ2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube Technology: POWER MOS 7®; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 250A Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT65GP60L2DQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT66F60B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W Case: TO247MAX Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Gate charge: 330nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A Drain-source voltage: 600V Drain current: 44A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT66F60L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Gate charge: 330nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A Drain-source voltage: 600V Drain current: 44A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT66M60B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT66M60L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT68GA60B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT68GA60B2D40 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT68GA60LD40 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT70GR120B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1200V; 70A; 961W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A Turn-on time: 81ns Turn-off time: 394ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 961W Kind of package: tube Gate charge: 412nC Technology: NPT Ultra Fast IGBT Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT70GR120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT70GR120JD60 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT70GR120L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 70A; 961W; TO264 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A Turn-on time: 81ns Turn-off time: 394ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 961W Kind of package: tube Gate charge: 412nC Technology: NPT; POWER MOS 8® Mounting: THT Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT70GR65B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75DF170HJ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75DL120HJ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75DQ100BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75DQ120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75DQ120SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75DQ60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75DQ60SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75F50B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75F50L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75GN120B2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; T-Max Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 99A Power dissipation: 833W Case: T-Max Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 425nC Kind of package: tube Turn-on time: 101ns Turn-off time: 925ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT75GN120JDQ3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT75GN120LG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 99A Power dissipation: 833W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 425nC Kind of package: tube Turn-on time: 101ns Turn-off time: 925ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT75GN60BDQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 93A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 485nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 485ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT60D60BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 60A; tube; Ifsm: 600A; TO247AC; 130ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.6kA
Case: TO247AC
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 132A
Reverse recovery time: 130ns
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 60A; tube; Ifsm: 600A; TO247AC; 130ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.6kA
Case: TO247AC
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 132A
Reverse recovery time: 130ns
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60D60LCTG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60D60LCTG THT universal diodes
APT60D60LCTG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60D60SG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60D60SG SMD universal diodes
APT60D60SG SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60DF20HJ |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60DF20HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
APT60DF20HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60DF60HJ |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 60A; Ifsm: 500A
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Technology: FRED
Type of bridge rectifier: single-phase
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 2.3V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 60A; Ifsm: 500A
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Technology: FRED
Type of bridge rectifier: single-phase
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 2.3V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 71.5 EUR |
3+ | 27.46 EUR |
APT60DQ100BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 60A; tube; TO247AC; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 60A; tube; TO247AC; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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17+ | 4.25 EUR |
18+ | 4.09 EUR |
APT60DQ100LCTG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60DQ100LCTG THT universal diodes
APT60DQ100LCTG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60DQ120BG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60DQ120BG THT universal diodes
APT60DQ120BG THT universal diodes
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 7.24 EUR |
16+ | 4.7 EUR |
17+ | 4.45 EUR |
APT60DQ120SG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60DQ120SG SMD universal diodes
APT60DQ120SG SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60DQ60BCTG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60DQ60BCTG THT universal diodes
APT60DQ60BCTG THT universal diodes
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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8+ | 10.17 EUR |
11+ | 6.59 EUR |
12+ | 6.23 EUR |
APT60DQ60BG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60DQ60BG THT universal diodes
APT60DQ60BG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60DQ60SG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60DQ60SG SMD universal diodes
APT60DQ60SG SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60GA60JD60 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 178A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: for UPS
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 178A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: for UPS
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60GF120JRD |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60GF120JRD IGBT modules
APT60GF120JRD IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60GF120JRDQ3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60GF120JRDQ3 IGBT modules
APT60GF120JRDQ3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT60M60JFLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 280A; 694W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 280A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 280A; 694W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 280A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT60M60JLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 280A; 694W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 280A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 280A; 694W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 280A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
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APT60M75JFLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60M75JFLL Transistor modules MOSFET
APT60M75JFLL Transistor modules MOSFET
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APT60M75JLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60M75JLL Transistor modules MOSFET
APT60M75JLL Transistor modules MOSFET
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APT60M75JVR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60M75JVR Transistor modules MOSFET
APT60M75JVR Transistor modules MOSFET
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APT60M75L2FLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60M75L2FLLG THT N channel transistors
APT60M75L2FLLG THT N channel transistors
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APT60M75L2LLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60M75L2LLG THT N channel transistors
APT60M75L2LLG THT N channel transistors
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APT60M80L2VRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60M80L2VRG THT N channel transistors
APT60M80L2VRG THT N channel transistors
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APT60N60BCSG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT60N60SCSG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT60S20B2CTG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60S20B2CTG THT Schottky diodes
APT60S20B2CTG THT Schottky diodes
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APT60S20BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60S20BG THT Schottky diodes
APT60S20BG THT Schottky diodes
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APT60S20SG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60S20SG SMD Schottky diodes
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APT64GA90B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT64GA90B THT IGBT transistors
APT64GA90B THT IGBT transistors
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APT64GA90B2D30 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT64GA90B2D30 THT IGBT transistors
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APT64GA90LD30 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT64GA90LD30 THT IGBT transistors
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APT65GP60B2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT65GP60B2G THT IGBT transistors
APT65GP60B2G THT IGBT transistors
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APT65GP60J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
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Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
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APT65GP60JDQ2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
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APT65GP60L2DQ2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT65GP60L2DQ2G THT IGBT transistors
APT65GP60L2DQ2G THT IGBT transistors
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APT66F60B2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1135W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 330nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 245A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 44A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1135W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 330nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 245A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 44A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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APT66F60L |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1135W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 330nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 245A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 44A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1135W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 330nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 245A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 44A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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APT66M60B2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT66M60B2 THT N channel transistors
APT66M60B2 THT N channel transistors
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APT66M60L |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT66M60L THT N channel transistors
APT66M60L THT N channel transistors
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APT68GA60B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT68GA60B THT IGBT transistors
APT68GA60B THT IGBT transistors
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APT68GA60B2D40 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT68GA60B2D40 THT IGBT transistors
APT68GA60B2D40 THT IGBT transistors
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APT68GA60LD40 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT68GA60LD40 THT IGBT transistors
APT68GA60LD40 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT70GR120B2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 70A; 961W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 394ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 961W
Kind of package: tube
Gate charge: 412nC
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 70A; 961W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 394ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 961W
Kind of package: tube
Gate charge: 412nC
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT70GR120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 280A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 280A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT70GR120JD60 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 280A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 280A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT70GR120L |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 70A; 961W; TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 394ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 961W
Kind of package: tube
Gate charge: 412nC
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 70A; 961W; TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 394ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 961W
Kind of package: tube
Gate charge: 412nC
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT70GR65B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT70GR65B THT IGBT transistors
APT70GR65B THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75DF170HJ |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75DF170HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
APT75DF170HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75DL120HJ |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75DL120HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
APT75DL120HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75DQ100BG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75DQ100BG THT universal diodes
APT75DQ100BG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75DQ120BG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75DQ120BG THT universal diodes
APT75DQ120BG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75DQ120SG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75DQ120SG SMD universal diodes
APT75DQ120SG SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75DQ60BG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75DQ60BG THT universal diodes
APT75DQ60BG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75DQ60SG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75DQ60SG SMD universal diodes
APT75DQ60SG SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75F50B2 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75F50B2 THT N channel transistors
APT75F50B2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75F50L |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75F50L THT N channel transistors
APT75F50L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75GN120B2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 833W
Case: T-Max
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 101ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 833W
Case: T-Max
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 101ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75GN120JDQ3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75GN120JDQ3 IGBT modules
APT75GN120JDQ3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
APT75GN120LG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 833W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 101ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 833W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 101ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT75GN60BDQ2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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