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3EZ56D/TR12 3EZ56D/TR12 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D/TR8 3EZ56D/TR8 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D10/TR12 3EZ56D10/TR12 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
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3EZ56D10/TR8 3EZ56D10/TR8 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
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3EZ56D10E3/TR12 3EZ56D10E3/TR12 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
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3EZ56D10E3/TR8 3EZ56D10E3/TR8 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D2/TR12 3EZ56D2/TR12 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
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3EZ56D2/TR8 3EZ56D2/TR8 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D2E3/TR12 3EZ56D2E3/TR12 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D2E3/TR8 3EZ56D2E3/TR8 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D5/TR12 3EZ56D5/TR12 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D5/TR8 3EZ56D5/TR8 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D5E3/TR12 3EZ56D5E3/TR12 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D5E3/TR8 3EZ56D5E3/TR8 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56DE3/TR12 3EZ56DE3/TR12 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56DE3/TR8 3EZ56DE3/TR8 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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APTM100A23SCTG APTM100A23SCTG.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Power - Max: 694W
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP4
Packaging: Bulk
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JANTX1N4973C 10913-sa5-37-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 43V 5W E AXIAL
Supplier Device Package: E, Axial
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 32.7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
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MX1H5615 MX1H5615 Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
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SK34/TR13 SK34/TR13 SK32-24,36,38,310B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AB
Part Status: Active
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SK34E3/TR13 SK34E3/TR13 SK32-24,36,38,310B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AB
Current - Average Rectified (Io): 3A
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
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UFT14140 UFT14140 Microsemi Corporation Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-249
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Screw Mount
Package / Case: TO-249AA
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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UFT14140A UFT14140A index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813 Microsemi Corporation Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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UFT14140D UFT14140D index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813 Microsemi Corporation Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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UFT20140 UFT20140 UFT200_201_202.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE MODULE 400V 100A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
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auf Bestellung 330 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
UFT20140A index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813 Microsemi Corporation Description: DIODE MODULE 400V 100A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
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UFT20140D index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813 Microsemi Corporation Description: DIODE MODULE 400V 100A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
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2731-200P Microsemi Corporation Description: RF TRANS 3.1GHZ MODULE
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Gain: 8.7dB
Frequency - Transition: 2.7GHz ~ 3.1GHz
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APT94N65B2C3G APT94N65B2C3G 123472-apt94n65b2c3g-datasheet Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.8mA
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 47A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13940 pF @ 25 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
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1N5811TR 1N5811TR 123509-lds-0168-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Current - Average Rectified (Io): 6A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bag
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auf Bestellung 322 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
APT20N60BC3G APT20N60BC3G APT20N60xC3G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
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APT20N60SC3G APT20N60SC3G APT20N60xC3G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
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MSD130-08 MSD130-08 10534-msd130-rev1-datasheet Microsemi Corporation Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 800 V
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MSD130-12 MSD130-12 10534-msd130-rev1-datasheet Microsemi Corporation Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
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MSD130-16 MSD130-16 10534-msd130-rev1-datasheet Microsemi Corporation Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.6KV 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1600 V
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auf Bestellung 34 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MSD130-18 10534-msd130-rev1-datasheet Microsemi Corporation Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.8KV 130A
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.8 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1800 V
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auf Bestellung 2 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
SD1309-01H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1330-05C Microsemi Corporation Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1330-05H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1330-06H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1332-05C Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
Packaging: Bulk
Package / Case: M150
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C
Gain: 17dB
Power - Max: 180W
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 14mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz
Supplier Device Package: M150
Part Status: Obsolete
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SD1332-05H Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
Packaging: Bulk
Package / Case: M150
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C
Gain: 17dB
Power - Max: 180W
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 14mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz
Supplier Device Package: M150
Part Status: Obsolete
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SD1372-01H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1372-03H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1372-06H Microsemi Corporation Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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JAN1N6116US 127892-lds-0277-1-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 20.6VWM 39.27V SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.73A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.6V
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.42V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 39.27V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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APTML102UM09R004T3AG doc_details Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 480W
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
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APTML10UM09R004T1AG doc_details Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 154A SP1
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875 pF @ 25 V
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
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SMBG4740C/TR13 11031-sd19a-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V
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SMBG4740CE3/TR13 11031-sd19a-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V
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SMBJ4740C/TR13 SMBJ4740C/TR13 11031-sd19a-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SMBJ (DO-214AA)
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V
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SMBJ4740CE3/TR13 SMBJ4740CE3/TR13 11031-sd19a-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SMBJ (DO-214AA)
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V
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P6KE200CAE3/TR13 10895-sa4-59-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 171VWM 274VC AXIAL
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.2A
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1N4755A G 1N4755A G 10912-sa5-35-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 43V 1W DO204AL
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 32.7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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APTML1002U60R020T3AG doc_details Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 520W
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
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SK110E3/TR13 SK12%20thru%20SK110.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
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1N332RB 77269-lds-0077-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 50W DO5
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V
Impedance (Max) (Zzt): 5.2 Ohms
Supplier Device Package: DO-5
Part Status: Active
Power - Max: 50 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 38.8 V
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MT8888CPR1 127044-mt8888c-datasheet-sep2005 Microsemi Corporation Description: IC TELECOM INTERFACE 28PLCC
Current - Supply: 7mA
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: DTMF Transceiver
Mounting Type: Surface Mount
Number of Circuits: 1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 28-PLCC
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MT8889CPR 127045-mt8889-datashet-july08-datasheet Microsemi Corporation Description: IC TELECOM INTERFACE 28PLCC
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: 28-PLCC
Current - Supply: 7mA
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: DTMF Transceiver
Mounting Type: Surface Mount
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ZL49031DCF1 127105-zl4901xx-datasheet-feb2007 Microsemi Corporation Description: IC TELECOM INTERFACE 18SOIC
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: DTMF Receiver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 18-SOIC
Current - Supply: 3mA
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CORE429-AN CORE429-AN Microsemi Corporation Description: IP MODULE CORE429
Type: License
For Use With/Related Products: Microsemi
Packaging: Electronic Delivery
Media Delivery Type: Electronically Delivered
Part Status: Obsolete
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CORE429-AR CORE429-AR Microsemi Corporation Description: IP MODULE CORE429
Part Status: Obsolete
Media Delivery Type: Electronically Delivered
Type: License
For Use With/Related Products: Microsemi
Packaging: Electronic Delivery
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1N5230BDO35 1N5230BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5335B 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 3.9V 5W T18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
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auf Bestellung 223 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
TL431CDM TL431CDM TL431(A,B).pdf Microsemi Corporation Description: IC VREF SHUNT ADJ 2% 8SOIC
Packaging: Tube
Tolerance: ±2%
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperature Coefficient: 30ppm/°C Typical
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Part Status: Obsolete
Current - Cathode: 1 mA
Current - Output: 100 mA
Voltage - Output (Max): 36 V
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TL431CLP TL431CLP TL431(A,B).pdf Microsemi Corporation Description: IC VREF SHUNT ADJ 2% TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
Temperature Coefficient: 30ppm/°C Typical
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Part Status: Obsolete
Current - Cathode: 1 mA
Current - Output: 100 mA
Voltage - Output (Max): 36 V
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auf Bestellung 6698 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
ZL50075GAC2 127189-zl50075-datasheet-jan2006 Microsemi Corporation Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
Current - Supply: 500mA
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: Switch
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 324-BGA
Packaging: Tray
Number of Circuits: 1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 324-PBGA (19x19)
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ZL50117GAG 127191-zl50115-120-datasheet-oct09 Microsemi Corporation Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 324-PBGA (23x23)
Current - Supply: 950mA
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: TDM
Function: Telecom Circuit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 324-BGA
Packaging: Tray
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ZL50119GAG 127191-zl50115-120-datasheet-oct09 Microsemi Corporation Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: TDM
Function: Telecom Circuit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 324-BGA
Packaging: Tray
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Current - Supply: 950mA
Supplier Device Package: 324-PBGA (23x23)
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
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1N3477 1N3477 Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 2.2V 250MW DO7
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-7
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.2 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
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1N3477A 1N3477A Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 2.2V 250MW DO7
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-7
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.2 V
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1N5221BDO35 1N5221BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bag
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1N5229A (DO-35) 1N5229A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±10%
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
auf Bestellung 10000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10000+ 2 EUR
Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
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1N5232A (DO-35)TR 1N5232A (DO-35)TR 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
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Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
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1N5233BDO35 1N5233BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 6V 500MW DO35
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
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1N5234BDO35 1N5234BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4 V
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
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1N5235BDO35 1N5235BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
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1N5236BDO35 1N5236BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 6 V
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5239BDO35 1N5239BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5245BDO35 1N5245BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
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1N5251BDO35 1N5251BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 22V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 17 V
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1N5252B (DO-35) 1N5252B (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
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Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
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1N5262BDO35 1N5262BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 39 V
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1N5263BDO35 1N5263BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 43 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bag
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1N5264BDO35 1N5264BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 60V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bag
auf Bestellung 1935 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N5265BDO35 1N5265BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 62V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 185 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 47 V
auf Bestellung 8725 Stücke
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1N5266BDO35 1N5266BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 68V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 68 V
Impedance (Max) (Zzt): 230 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 52 V
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1N5267BDO35 1N5267BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 75V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 270 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 56 V
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1N5268BDO35 1N5268BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 330 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 62 V
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1N5270BDO35 1N5270BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 91V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 91 V
Impedance (Max) (Zzt): 400 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 69 V
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1N5272BDO35 1N5272BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 110V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V
Impedance (Max) (Zzt): 750 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 84 V
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1N5273BDO35 1N5273BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120 V
Impedance (Max) (Zzt): 900 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 91 V
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1N5274BDO35 1N5274BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 130V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 130 V
Impedance (Max) (Zzt): 1.1 kOhms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 99 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5276BDO35 1N5276BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 1.5 kOhms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 114 V
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1N5278BDO35TR 1N5278BDO35TR 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 170V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 170 V
Impedance (Max) (Zzt): 1.9 kOhms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 129 V
auf Bestellung 4842 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 4926 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5279BDO35TR 1N5279BDO35TR 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 180V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 180 V
Impedance (Max) (Zzt): 2.2 kOhms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 137 V
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auf Bestellung 3405 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5333B 1N5333B-88B.pdf техническая информация Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 3.3V 5W T18
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 104 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
3EZ56D/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D10/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D10/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D10/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D10/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D10E3/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D10E3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D10E3/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D10E3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D2/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D2/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D2/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D2/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D2E3/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D2E3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D2E3/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D2E3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D5/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D5/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D5/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D5/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D5E3/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D5E3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56D5E3/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56D5E3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56DE3/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56DE3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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3EZ56DE3/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ56DE3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42.6 V
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APTM100A23SCTG APTM100A23SCTG.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Power - Max: 694W
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP4
Packaging: Bulk
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JANTX1N4973C 10913-sa5-37-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 5W E AXIAL
Supplier Device Package: E, Axial
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 32.7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
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MX1H5615
MX1H5615
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
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SK34/TR13 SK32-24,36,38,310B.pdf
SK34/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AB
Part Status: Active
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SK34E3/TR13 SK32-24,36,38,310B.pdf
SK34E3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AB
Current - Average Rectified (Io): 3A
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
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UFT14140
UFT14140
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-249
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Screw Mount
Package / Case: TO-249AA
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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UFT14140A index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813
UFT14140A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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UFT14140D index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813
UFT14140D
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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UFT20140 UFT200_201_202.pdf
UFT20140
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 100A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
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auf Bestellung 330 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
UFT20140A index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 100A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
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UFT20140D index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=14813
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 100A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
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2731-200P
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS 3.1GHZ MODULE
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Gain: 8.7dB
Frequency - Transition: 2.7GHz ~ 3.1GHz
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APT94N65B2C3G 123472-apt94n65b2c3g-datasheet
APT94N65B2C3G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.8mA
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 47A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13940 pF @ 25 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
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1N5811TR 123509-lds-0168-datasheet
1N5811TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Current - Average Rectified (Io): 6A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bag
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auf Bestellung 322 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
APT20N60BC3G APT20N60xC3G.pdf
APT20N60BC3G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
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APT20N60SC3G APT20N60xC3G.pdf
APT20N60SC3G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
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MSD130-08 10534-msd130-rev1-datasheet
MSD130-08
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MSD130-12 10534-msd130-rev1-datasheet
MSD130-12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MSD130-16 10534-msd130-rev1-datasheet
MSD130-16
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.6KV 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1600 V
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auf Bestellung 34 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MSD130-18 10534-msd130-rev1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.8KV 130A
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.8 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1800 V
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auf Bestellung 2 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
SD1309-01H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1330-05C
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1330-05H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1330-06H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1332-05C
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
Packaging: Bulk
Package / Case: M150
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C
Gain: 17dB
Power - Max: 180W
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 14mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz
Supplier Device Package: M150
Part Status: Obsolete
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SD1332-05H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
Packaging: Bulk
Package / Case: M150
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C
Gain: 17dB
Power - Max: 180W
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 14mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz
Supplier Device Package: M150
Part Status: Obsolete
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SD1372-01H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1372-03H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SD1372-06H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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JAN1N6116US 127892-lds-0277-1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 20.6VWM 39.27V SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.73A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.6V
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.42V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 39.27V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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APTML102UM09R004T3AG doc_details
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 480W
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
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APTML10UM09R004T1AG doc_details
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 154A SP1
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875 pF @ 25 V
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
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SMBG4740C/TR13 11031-sd19a-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V
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SMBG4740CE3/TR13 11031-sd19a-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V
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SMBJ4740C/TR13 11031-sd19a-datasheet
SMBJ4740C/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SMBJ (DO-214AA)
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V
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SMBJ4740CE3/TR13 11031-sd19a-datasheet
SMBJ4740CE3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 2W SMBJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SMBJ (DO-214AA)
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7.6 V
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P6KE200CAE3/TR13 10895-sa4-59-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC AXIAL
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.2A
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1N4755A G 10912-sa5-35-datasheet
1N4755A G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 1W DO204AL
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 32.7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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APTML1002U60R020T3AG doc_details
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 520W
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
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SK110E3/TR13 SK12%20thru%20SK110.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
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1N332RB 77269-lds-0077-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 50W DO5
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V
Impedance (Max) (Zzt): 5.2 Ohms
Supplier Device Package: DO-5
Part Status: Active
Power - Max: 50 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 38.8 V
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MT8888CPR1 127044-mt8888c-datasheet-sep2005
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 28PLCC
Current - Supply: 7mA
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: DTMF Transceiver
Mounting Type: Surface Mount
Number of Circuits: 1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 28-PLCC
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MT8889CPR 127045-mt8889-datashet-july08-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 28PLCC
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: 28-PLCC
Current - Supply: 7mA
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: DTMF Transceiver
Mounting Type: Surface Mount
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ZL49031DCF1 127105-zl4901xx-datasheet-feb2007
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 18SOIC
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: DTMF Receiver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 18-SOIC
Current - Supply: 3mA
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CORE429-AN
CORE429-AN
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IP MODULE CORE429
Type: License
For Use With/Related Products: Microsemi
Packaging: Electronic Delivery
Media Delivery Type: Electronically Delivered
Part Status: Obsolete
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CORE429-AR
CORE429-AR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IP MODULE CORE429
Part Status: Obsolete
Media Delivery Type: Electronically Delivered
Type: License
For Use With/Related Products: Microsemi
Packaging: Electronic Delivery
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1N5230BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5230BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 19 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5335B 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 5W T18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
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auf Bestellung 223 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
TL431CDM TL431(A,B).pdf
TL431CDM
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC VREF SHUNT ADJ 2% 8SOIC
Packaging: Tube
Tolerance: ±2%
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperature Coefficient: 30ppm/°C Typical
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Part Status: Obsolete
Current - Cathode: 1 mA
Current - Output: 100 mA
Voltage - Output (Max): 36 V
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TL431CLP TL431(A,B).pdf
TL431CLP
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC VREF SHUNT ADJ 2% TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
Temperature Coefficient: 30ppm/°C Typical
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Part Status: Obsolete
Current - Cathode: 1 mA
Current - Output: 100 mA
Voltage - Output (Max): 36 V
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auf Bestellung 6698 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
ZL50075GAC2 127189-zl50075-datasheet-jan2006
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
Current - Supply: 500mA
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: Switch
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 324-BGA
Packaging: Tray
Number of Circuits: 1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 324-PBGA (19x19)
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ZL50117GAG 127191-zl50115-120-datasheet-oct09
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 324-PBGA (23x23)
Current - Supply: 950mA
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: TDM
Function: Telecom Circuit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 324-BGA
Packaging: Tray
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ZL50119GAG 127191-zl50115-120-datasheet-oct09
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 324BGA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: TDM
Function: Telecom Circuit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 324-BGA
Packaging: Tray
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Current - Supply: 950mA
Supplier Device Package: 324-PBGA (23x23)
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
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1N3477
1N3477
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 2.2V 250MW DO7
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-7
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.2 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
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1N3477A
1N3477A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 2.2V 250MW DO7
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-7
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.2 V
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1N5221BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5221BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bag
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1N5229A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5229A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±10%
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
auf Bestellung 10000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 23991 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10000+ 2 EUR
1N5229A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5229A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
auf Bestellung 11994 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 21997 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
7+ 3.93 EUR
10+ 3.54 EUR
25+ 3.34 EUR
100+ 2.84 EUR
1N5232A (DO-35)TR 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5232A (DO-35)TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 8618 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5232A (DO-35)TR 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5232A (DO-35)TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
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1N5233BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5233BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 6V 500MW DO35
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
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1N5234BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5234BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4 V
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
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1N5235BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5235BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
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1N5236BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5236BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 6 V
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5239BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5239BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5245BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5245BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
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1N5251BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5251BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 17 V
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1N5252B (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5252B (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
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1N5252B (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5252B (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
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1N5262BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5262BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 39 V
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1N5263BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5263BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 43 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bag
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1N5264BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5264BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 60V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 46 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bag
auf Bestellung 1935 Stücke
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1N5265BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5265BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 62V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 185 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 47 V
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1N5266BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5266BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 68V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 68 V
Impedance (Max) (Zzt): 230 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 52 V
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1N5267BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5267BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 75V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 270 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 56 V
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1N5268BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5268BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 330 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 62 V
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1N5270BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5270BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 91V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 91 V
Impedance (Max) (Zzt): 400 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 69 V
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1N5272BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5272BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 110V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V
Impedance (Max) (Zzt): 750 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 84 V
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1N5273BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5273BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120 V
Impedance (Max) (Zzt): 900 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 91 V
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1N5274BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5274BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 130 V
Impedance (Max) (Zzt): 1.1 kOhms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 99 V
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1N5276BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5276BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 1.5 kOhms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 114 V
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1N5278BDO35TR 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5278BDO35TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 170V 500MW DO35
Packaging: Bag
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 170 V
Impedance (Max) (Zzt): 1.9 kOhms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 129 V
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1N5279BDO35TR 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5279BDO35TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 180V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 180 V
Impedance (Max) (Zzt): 2.2 kOhms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 137 V
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auf Bestellung 3405 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5333B техническая информация 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.3V 5W T18
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Mounting Type: Through Hole
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