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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N7002ET1GON-SemiconductorN-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
797+0.23 EUR
1071+0.15 EUR
1525+0.1 EUR
1534+0.099 EUR
1989+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 797 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 278586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
85+0.25 EUR
136+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GOn SemiconductorMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1534+0.11 EUR
1989+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 1534 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 55544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.52 EUR
1010+0.23 EUR
1306+0.17 EUR
1707+0.13 EUR
1961+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 481 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
9000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
767+0.23 EUR
1247+0.14 EUR
1725+0.099 EUR
1993+0.083 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 767 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 278586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1597 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
767+0.23 EUR
1246+0.13 EUR
1725+0.095 EUR
1993+0.079 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 767 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 282000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3175+0.056 EUR
9000+0.051 EUR
27000+0.049 EUR
51000+0.045 EUR
102000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 55544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
1010+0.23 EUR
1306+0.17 EUR
1707+0.13 EUR
1961+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
667+0.13 EUR
966+0.088 EUR
1158+0.074 EUR
1749+0.049 EUR
1916+0.044 EUR
2017+0.042 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
auf Bestellung 190023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 31500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3500+0.054 EUR
7000+0.044 EUR
10500+0.039 EUR
24500+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET7GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET7GonsemiMOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO
auf Bestellung 222514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3500+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 31500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3500+0.054 EUR
7000+0.045 EUR
10500+0.042 EUR
24500+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3500+0.074 EUR
10500+0.073 EUR
28000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 5504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
92+0.23 EUR
150+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002EWAnBonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C; 2N7002EW T2N7002EW ANB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002EYAnbon Semiconductor2N7002EY
auf Bestellung 258000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10990+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10990 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002EYANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
220+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002EYANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.038 EUR
21000+0.036 EUR
30000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002FNXP08+ROHS SOT-23
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002F,215NexperiaMOSFETs N-CH TRNCH 60V .475A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002F,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002F,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
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2N7002HLGEMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори
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2N7002HNexperiaMOSFETs 2N7002H/SOT23/TO-236AB
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2N7002HLGETranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002H SOT23(T/R) LGE T2N7002h LGE
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2N7002HDiodes IncorporatedMOSFETs
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2N7002H-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; 510mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.51W
Case: SOT23
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
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1758+0.086 EUR
2500+0.074 EUR
5000+0.061 EUR
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2N7002H-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
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10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.096 EUR
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2N7002H-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 460000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 460000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.037 EUR
20000+0.036 EUR
30000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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2N7002H-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
auf Bestellung 460000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.071 EUR
20000+0.064 EUR
30000+0.061 EUR
50000+0.057 EUR
70000+0.055 EUR
100000+0.052 EUR
250000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 460000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002H-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 2805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+0.51 EUR
730+0.32 EUR
1278+0.17 EUR
1737+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 630000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 657000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.049 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
auf Bestellung 3539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
136+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 630000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 657000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 666000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 675000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3301+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3301 Stücke
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2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 558000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 648000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 660000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.044 EUR
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2N7002H-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
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2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
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2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002H-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
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730+0.32 EUR
1278+0.17 EUR
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2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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