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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA1210KEXIN09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1210-YTOSHIBASOT89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1210-YTE12L
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2SA1213Toshiba
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2SA1213GOODWORKDescription: PNP 2A 50V 500mW SOT-89
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SA1213KESENES09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1213-OTOSHIBASOT89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1213-O(TE12L,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
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2SA1213-O(TE12L,CFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SA1213-O-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 2A SOT-89
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1213-YShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 240@500MA,2V 500MW 2A PNP SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
101+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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2SA1213-YShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 240@500MA,2V 500MW 2A PNP SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1213-YToshibaТранзистори
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2SA1213-Y (2SA1213)
Produktcode: 51816
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SC-62
Spannung Uce, V: 50 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 2 A
Stromverstärkung h21, max: 240
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.83 EUR
10+0.77 EUR
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2SA1213-Y(TE12L)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
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2SA1213-Y(TE12L,C)TOSHIBASOT89
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1213-Y(TE12L,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
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2SA1213-Y(TE12L,ZCToshibaTrans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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2SA1213-Y(TE12L,ZCTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1213-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.73 EUR
197+1.18 EUR
321+0.67 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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2SA1213-Y(TE12LCFToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1213-Y(TE12LZCToshiba
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2SA1213-Y(TE12R)ToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MINI-PLN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
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2SA1213-Y-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 2A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1213-Y-TPMCC Corp.SOT-89-3 Транзистори
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2SA1213-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1213-Y-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 2A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
33+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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2SA1213-Y-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1213O-HFComchip TechnologyDescription: TRANS PNP 50V 2A SOT-89-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1213O-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS PNP 2A 50V SOT-89-3L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1213Y-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS PNP 2A 50V SOT-89-3L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1213Y-HFComchip TechnologyDescription: TRANS PNP 50V 2A SOT-89-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1214
auf Bestellung 121100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1215Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 160V 15A MT-200
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MT-200
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-ESIP
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1215
Produktcode: 112784
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: MT-200
Grenzfrequenz fT, MHz: 50 МГц
Spannung Uce, V: 160 В
Spannung Ucb, V: 160 В
Strom Ic, A: 15 А
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1216SANKENCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 17A; 200W; MT200
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 17A
Power dissipation: 200W
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: tube
Case: MT200
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1216
Produktcode: 37869
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1216Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 180V 17A MT-200
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8A, 4V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: MT-200
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1216Y
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA122NECCAN
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1220NEC09+
auf Bestellung 12108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1220AFSC09+
auf Bestellung 12108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1221-AZRenesasTrans GP BJT PNP 140V 0.5A 3-Pin SP-8
auf Bestellung 4914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
855+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 855 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1221-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 10579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
902+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1221-AZRenesasTrans GP BJT PNP 140V 0.5A 3-Pin SP-8
auf Bestellung 5665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
855+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 855 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1221-T-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
902+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1221-T-AZRenesasPNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
855+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 855 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1222-T-AZRenesasPNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
595+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
10000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 595 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1222-T-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
628+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 628 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1223NEC+/DC
auf Bestellung 274747 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1223+/NEC
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1224NEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1224ANEC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225
Produktcode: 116050
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(6L1DE,NQToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(6L1MK,NQToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(6L1PE,NXToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(6L1ST,NQToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 160V 1.5A PW-MOLD
Supplier Device Package: PW-MOLD
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT PWMOLD PLS PLN-N,ACTIVE,DISCON(09-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(T6L1,NQ)ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(T6L1,NV)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(T6L1,NV)ToshibaTrans GP BJT PNP 160V 1.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+0.77 EUR
311+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(T6L1PENQToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1225-Y(T6L1Ј¬NQ)TOS07PB
auf Bestellung 1314 Stücke:
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2SA1225-Y(T6LTOYOGToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1226(0)-T1B-ARenesasPNP SILICON EPITAXIAL GP BJT TRANSISTOR
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2SA1226-E3NEC01+ SOT-23
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2SA1226-T1B-ARenesasTrans GP BJT PNP 40V 0.03A 200mW Automotive 3-Pin SC-59
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2SA1226-T1B-ARenesasTrans GP BJT PNP 40V 0.03A 200mW Automotive 3-Pin Mini-Mold
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2SA1226-T2B/E3
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2SA123NECCAN
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2SA1232
Produktcode: 112783
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Gehäuse: TO-3FPA
Grenzfrequenz fT, MHz: 60 МГц
Spannung Uce, V: 130 В
Spannung Ucb, V: 130 В
Strom Ic, A: 10 A
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2SA1232NECPNP 10A 130V 100W 60MHz 2SA1232 T2SA1232
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2SA1235
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2SA1235MITSUBISHI1997
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2SA1235A
Produktcode: 122118
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Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 МГц
Spannung Uce, V: 50 В
Spannung Ucb, V: 60 В
Strom Ic, A: 0,2 А
Stromverstärkung h21, max: 150
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2SA1235A
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2SA1235A-T112-IFJANP07+ SOT-23
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2SA1235A-T12-1FMITSUBSHISOT23-MF
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2SA1235A-T12-1F SOT23-MFMITSUBSH
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