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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPB06CN10NGinfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06CNE8NGinfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03INFINEONTO-263
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LAinfineonto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LAGinfineonto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LATInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LBinfineonto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LBInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LB GINFTO-263
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06N03LBGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB06P001LATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB070N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB070N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB070N06LGinfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB070N06LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB070N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHAN D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB070N06NGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB070N06NGinfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB070N06NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3 GInfineonMOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+5.01 EUR
100+3.75 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.76 EUR
2000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3 GInfineon
auf Bestellung 83000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3 G E8187Infineon TechnologiesMOSFET PG-TO263-3-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GInfineonN-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.06 EUR
25+9.48 EUR
50+8.92 EUR
100+8.43 EUR
250+8.04 EUR
500+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GInfineonN-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.01 EUR
2000+1.96 EUR
3000+1.9 EUR
5000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 5243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.75 EUR
46+5.15 EUR
51+4.22 EUR
200+3.67 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.34 EUR
2000+2.3 EUR
5000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.69 EUR
57+2.96 EUR
60+2.73 EUR
100+2.34 EUR
250+2.23 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.35 EUR
42+4.05 EUR
100+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 79000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.76 EUR
2000+3.4 EUR
3000+3.17 EUR
5000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 79000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
auf Bestellung 14156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.7 EUR
10+7.1 EUR
100+5.05 EUR
500+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 178000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.08 EUR
2000+2.03 EUR
5000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.12 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+5.49 EUR
100+4.08 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.19 EUR
2000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.69 EUR
57+3.02 EUR
60+2.83 EUR
100+2.48 EUR
250+2.42 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.4 EUR
42+4.15 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1768 Stücke:
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28+6.43 EUR
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IPB072N15N3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB073N15N5ATMA1
Produktcode: 219572
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 280 Stücke:
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27+6.56 EUR
38+4.61 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.5 EUR
10+7 EUR
100+5 EUR
500+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
auf Bestellung 2218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.02 EUR
40+5.91 EUR
50+4.74 EUR
200+4.01 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+5.34 EUR
100+3.92 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.97 EUR
200+4.15 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB075N04LGINFINEON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB075N04LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB075N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB075N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB07N03
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB07N03Linfineonto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB07N03L E3045AInfineon
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB080N03L GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
693+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 693 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB080N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB080N03L GINFTO-263
auf Bestellung 46000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB080N03LGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB080N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
auf Bestellung 3239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
472+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB080N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB080N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB080N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB080N06NGinfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB081N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.14 EUR
5000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+2.27 EUR
100+1.54 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB081N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
90+2.59 EUR
130+1.65 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.08 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.49 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3 GInfineonMOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 5792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.64 EUR
100+2.08 EUR
250+1.93 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GInfineon technologies
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
79+2.98 EUR
110+1.96 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.33 EUR
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
101+2.14 EUR
200+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.33 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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