Produkte > MJD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| MJD32CT4-A | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CT4-A | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 6045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | auf Bestellung 4166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 6045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP | auf Bestellung 7757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CT4G | On Semiconductor | TRANS PWR PNP 3A 100V DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CT4G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CT4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CT4GN | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CT4GN | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CT4GOS | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PWR PNP 3A 100V DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD32CTF - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 833 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 100V 3A TO252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | auf Bestellung 1297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CTF | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CTF-ON | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3 Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Power - Max: 1.56 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK) Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CTF_NBDD002 | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CTF_SBDD002 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CTF_SBDD002A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CTM | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CTM | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CUQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CUQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1661 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CUQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K | auf Bestellung 2203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32CUQ-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 3A 16000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CUQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252; 2500pcs. Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Manufacturer standard package: 2500pcs. Pulsed collector current: 5A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CUQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32CUQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1661 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32G | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32RL | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 23400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32RLG | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.56 W | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32RLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP | auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32RLG | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.56 W | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32T4 | auf Bestellung 1661 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD32T4 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 9791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32T4 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32T4 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32T4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD32T4 - MJD32T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP | auf Bestellung 3426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.56 W | auf Bestellung 11924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD32T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 11474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.56 W | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD32T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 11474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD32T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340 | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340 | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 51390
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| Fairchild | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: D-Pak Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 300 V Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A Stromverstärkung h21: 240 | Produkt ist nicht verfügbar
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| MJD340-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD340-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Current gain: 30...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10MHz Pulsed collector current: 0.75A Quantity in set/package: 2500pcs. | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340-13 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD340-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT | auf Bestellung 2636 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD340-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD340-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 115000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340D4 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD340G | On Semiconductor | NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD350T4) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 10, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340G | ON-Semiconductor | NPN 0.5A 300V 15W MJD340 TMJD340 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJD340G | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 27373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 2307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK Kind of package: tube Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 30...240 Case: DPAK Frequency: 10MHz Collector current: 0.5A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 300V | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 2307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN | auf Bestellung 8033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD340RL | auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD340RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD340RLG | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD340RLG | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 30...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MJD340RLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN | auf Bestellung 3911 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD340RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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