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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1268+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 680-684 Tag (e)
3+1.59 EUR
10+1.42 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 110682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 110682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 350mW
Gain: 12dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 110911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
882+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 882 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4009SG4T1G - RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE AMPLIFIER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC-82FL
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 120mW
Gain: 17dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
45+0.48 EUR
50+0.42 EUR
100+0.37 EUR
250+0.33 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.81 EUR
100+0.57 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC-82FL
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 120mW
Gain: 17dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 3.5V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin MCPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4009SG4T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
auf Bestellung 3073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.5 EUR
100+0.4 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.74 EUR
407+0.57 EUR
535+0.4 EUR
650+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
37+0.57 EUR
42+0.51 EUR
100+0.44 EUR
250+0.4 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Bauform - HF-Transistor: SC-82FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.74 EUR
407+0.57 EUR
535+0.4 EUR
650+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.1A; 0.45W; MCPH4
Mounting: SMD
Case: MCPH4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.45W
Collector-emitter voltage: 12V
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 77788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4onsemionsemi BIP NPN 100MA 12V FT=10G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
226+1.04 EUR
331+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 450mW
Gain: 17dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
441+0.39 EUR
465+0.36 EUR
466+0.35 EUR
504+0.31 EUR
509+0.3 EUR
540+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
auf Bestellung 23995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.12 EUR
10+0.96 EUR
100+0.77 EUR
250+0.75 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
226+1.04 EUR
331+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Gain: 17dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 450mW
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GON Semiconductor
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+1.06 EUR
374+0.62 EUR
463+0.46 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+1.06 EUR
374+0.62 EUR
463+0.46 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
35+0.61 EUR
39+0.55 EUR
100+0.48 EUR
250+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF4020SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 150MA 8V FT=16G
auf Bestellung 3595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.07 EUR
10+0.99 EUR
100+0.67 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5488SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5488SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
378+0.62 EUR
565+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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NSVF5488SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 70MA 10V F
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.04 EUR
10+0.82 EUR
100+0.57 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.37 EUR
8000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NSVF5488SKT3GON Semiconductor
auf Bestellung 7925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5488SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5488SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
378+0.62 EUR
565+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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NSVF5490SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 30MA FT
auf Bestellung 13603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.81 EUR
100+0.63 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
auf Bestellung 7887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
24+0.88 EUR
26+0.82 EUR
100+0.65 EUR
250+0.61 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.62 EUR
326+0.51 EUR
632+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30mA
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.7 EUR
419+0.56 EUR
610+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.7 EUR
419+0.56 EUR
610+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.79 EUR
519+0.45 EUR
650+0.33 EUR
747+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5501SKT3GON Semiconductor
auf Bestellung 7950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-623/SSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 5.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Power - Max: 250mW
Gain: 11dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-623F
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
27+0.79 EUR
29+0.73 EUR
100+0.58 EUR
250+0.54 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5501SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 70MA FT=5 .5GHZ
auf Bestellung 10490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.42 EUR
100+0.33 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
264+0.88 EUR
354+0.61 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-623/SSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 5.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Power - Max: 250mW
Gain: 11dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-623F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF6001SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.25 EUR
10+1.04 EUR
100+0.76 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-CPH
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 6.7GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 11dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
20+1.09 EUR
25+1.04 EUR
100+0.84 EUR
250+0.79 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
290+0.8 EUR
350+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
16+1.36 EUR
25+1.13 EUR
100+0.87 EUR
250+0.74 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF6003SB6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 20950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF6003SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.64 EUR
100+0.51 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
290+0.8 EUR
350+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVFSB560ALT1GonsemiDescription: FSB560A-SN00165
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVFSB560ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT FSB560A-SN00165
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVFSB560ALT1GonsemiDescription: FSB560A-SN00165
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG1001MXTAGonsemiRF Switch ICs Middle power SPDT RF switch, 8.5GHz, 1.6V Automotive Grade
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Isolation: 20dB
Test Frequency: 8.5GHz
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Insertion Loss: 0.65dB
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Circuit: SPDT
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Isolation: 20dB
Test Frequency: 8.5GHz
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Insertion Loss: 0.65dB
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Circuit: SPDT
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG3109SG6T1GONSEMICategory: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 0.1÷3.6GHz; Ch: 1; 2.7÷3.3VDC; MCPH6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 0.1...3.6GHz
Number of channels: 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...3.3V DC
Case: MCPH6
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Test Frequency: 1GHz
P1dB: 6.4dBm
Noise Figure: 4.3dB
Current - Supply: 16mA
Gain: 27dB
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
RF Type: General Purpose
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
21+1.04 EUR
25+0.98 EUR
100+0.74 EUR
250+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG3109SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC AMPLIFIER 3 V 6 MA 0.1 TO 2.8 GHZ
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.69 EUR
25+0.62 EUR
100+0.54 EUR
250+0.5 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
RF Type: General Purpose
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Test Frequency: 1GHz
P1dB: 6.4dBm
Noise Figure: 4.3dB
Current - Supply: 16mA
Gain: 27dB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG3117SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC Wideband Amplifier, 5 V, 22.7 mA, 0.1 to 3 GHz, MCPH6 Automotive Grade part
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.67 EUR
25+0.6 EUR
100+0.51 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG3117SG6T1GONN
auf Bestellung 2709 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
32+0.68 EUR
35+0.61 EUR
100+0.52 EUR
250+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVIMD10AMT1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Power dissipation: 285mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Case: SC74R
Type of transistor: NPN / PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 68...600
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 13/0.13kΩ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVIMD10AMT1GonsemiDigital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.54 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ2394SA3T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.87 EUR
211+1.11 EUR
305+0.7 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 5644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.6 EUR
372+0.46 EUR
376+0.45 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 294 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ2394SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 700 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.4 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 5644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.65 EUR
284+0.6 EUR
294+0.55 EUR
372+0.42 EUR
376+0.39 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ2394SA3T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 10mA
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 15V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ2394SA3T1GonsemiJFETs N-Channel JFET, 15 V, 10 to 32 mA, 38 mS
auf Bestellung 5566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.99 EUR
100+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.87 EUR
211+1.11 EUR
305+0.7 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ2394SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 700 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
29+0.73 EUR
100+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3557SA3T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 10mA
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 15V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3557SA3T1GonsemiJFET NCH J-FET
auf Bestellung 31093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.93 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Power - Max: 200 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
auf Bestellung 10281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
28+0.76 EUR
100+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Power - Max: 200 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3557SA3T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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