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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI87XXSDIP6-KITSilicon LabsInterface Development Tools Si871x in SO-6 Evaluation Kit
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI87XXSDIP6-KITSkyworks SolutionsSi87xx Digital Isolator Evaluation Kit
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI87XXSDIP6-KITSilicon LabsSi871x in SO-6 Evaluation Kit SI87
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI87XXSDIP6-KITSkyworks Solutions Inc.Description: KIT EVAL SI871X SO-6
Packaging: Bulk
Function: Digital Isolator
Type: Interface
Utilized IC / Part: Si87xx
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI87XXSOIC8-KITSkyworks SolutionsSi87xx Digital Isolator Evaluation Kit
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI87XXSOIC8-KITSilicon LabsSi871x in SOIC-8 Evaluation Kit SI87
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI87XXSOIC8-KITSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BOARD FOR SI87XX
Packaging: Box
Function: Digital Isolator
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si87xx
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI87XXSOIC8-KITSkyworks Solutions, Inc.Interface Development Tools
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8800EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 8 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
15000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8800EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
auf Bestellung 8650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.74 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8800EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 8 V
auf Bestellung 20418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
24+0.88 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
auf Bestellung 5917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.44 EUR
100+0.92 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
584+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 584 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 22280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
29+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+1.37 EUR
295+0.79 EUR
538+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A; 0.9W
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT®
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 8V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 135mΩ
Pulsed drain current: 15A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
21000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8802DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8805EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8805EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8805EDB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 8V P-CH Micro Foot
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8806DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFETs 12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
auf Bestellung 23552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8806DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
auf Bestellung 7196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8806DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8808DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8808DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8808DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
630+0.27 EUR
650+0.26 EUR
656+0.25 EUR
688+0.23 EUR
689+0.21 EUR
730+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 630 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8808DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8808DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
auf Bestellung 5792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.71 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8808DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
27+0.81 EUR
100+0.54 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8809EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8809EDB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 2.6A 0.9W 90mOhms @ 4.5V
auf Bestellung 8578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8810-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 20Vds 12Vgs 7.0A 30A 0.3W 185pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8810-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8810-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8810EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
auf Bestellung 4460 Stücke:
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SI8810EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8810EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
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SI8810EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI8810EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8812DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8812DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 4-Pin Micro Foot T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8812DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
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4+0.94 EUR
10+0.65 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI8812DB-T2-E1VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT®
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 93mΩ
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8812DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2683 Stücke:
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22+0.99 EUR
32+0.65 EUR
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500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8812DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8816EDB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8816EDB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.087 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8816EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8816EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8816EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 4753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
28+0.76 EUR
100+0.38 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8816EDB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
auf Bestellung 4243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.64 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8816EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8817DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+0.7 EUR
279+0.61 EUR
281+0.58 EUR
366+0.43 EUR
370+0.4 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8817DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+1.06 EUR
308+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8817DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
auf Bestellung 37105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8817DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8817DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8817DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+1.06 EUR
308+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8817DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8817DB-T2-E1VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Case: MICROFOOT®
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -2.9A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.32Ω
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8818EDB-T2-E1VishayMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.26 EUR
100+0.8 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8819EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
auf Bestellung 6572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.62 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8819EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8819EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 12V 2.1A 4-Pin Micro Foot
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8819EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8821EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.67 EUR
100+0.38 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8821EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
auf Bestellung 5231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
29+0.75 EUR
100+0.38 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8821EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.81 EUR
295+0.57 EUR
471+0.35 EUR
514+0.31 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8821EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
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SI8821EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI88220BC-ISSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 3.75 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
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SI88220BD-ISSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 5 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
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SI88220EC-ISSilicon LaboratoriesDigital Isolators with DC-DC Converter
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SI88220EC-ISRSilicon LabsDescription: DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
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SI88220ED-ISSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 5 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
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SI88220ED-ISRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 5kV high speed digital isolators with integrated DCDC converter
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SI88221BC-ISSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 3.75 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
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SI88221BD-ISSilicon LabsDigital Isolators 5 kV 2-channel digital isolator with integrated dc-dc
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SI88221EC-ASSkyworks Solutions Inc.Description: DGTL ISOLTR 5KV 2CH GP 16-SOIC
Qualification: AEC-Q100
Number of Channels: 2
Grade: Automotive
Pulse Width Distortion (Max): 7ns
Channel Type: Unidirectional
Isolated Power: Yes
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18ns, 23ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 40kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 2.5ns, 2.5ns
Supplier Device Package: 16-SOIC
Inputs - Side 1/Side 2: 1/1
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Technology: Capacitive Coupling
Data Rate: 100Mbps
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
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SI88221EC-ASRSkyworks Solutions Inc.Description: DGTL ISOLTR 5KV 2CH GP 16-SOIC
Qualification: AEC-Q100
Number of Channels: 2
Grade: Automotive
Pulse Width Distortion (Max): 7ns
Channel Type: Unidirectional
Isolated Power: Yes
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18ns, 23ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 40kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 2.5ns, 2.5ns
Supplier Device Package: 16-SOIC
Inputs - Side 1/Side 2: 1/1
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Technology: Capacitive Coupling
Data Rate: 100Mbps
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI88221EC-ASRSkyworks Solutions, Inc.Digital Isolators 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER
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SI88221EC-ISSilicon LaboratoriesDigital Isolators with DC-DC Converter
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