Produkte > BC8
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| BC849-B | FSC | auf Bestellung 2221 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BC849-B-RTK | KEC | SOT-23 | auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849-C | FSC | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BC849-C-MTF | auf Bestellung 5446 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BC849A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849A | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC849A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 250mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849A | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN | auf Bestellung 10959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849A | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC849A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849A-AQ | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849A-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC849A-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849A-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A Application: automotive industry | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849A-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849A-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849A-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC849A-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849A-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849AMTF | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849AW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849AW RF | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849AW RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849AW RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849AW RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849AW RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849B | DIOTEC | NPN 30V 100mA 250mW 100MHz BC859B BC849B SOT23 CDIL TBC849b Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC849B | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN | auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849B | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW | auf Bestellung 2981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849B | Diotec | BJT SOT23 30V NPN 0.25W 150C Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849B | DIOTEC | NPN 30V 100mA 250mW 100MHz BC859B BC849B SOT23 CDIL TBC849b Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC849B | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz | auf Bestellung 5525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 250mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B | KEXIN | Transistor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Substitute: BC849B-YAN; BC849B SOT23 TBC849B c Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC849B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A | auf Bestellung 4879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor Produktcode: 3064
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| Diotec | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-23 Transitfrequenz fT: 300 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A Stromverstärkung h21: 450 Montage: SMD | verfügbar: 250 St.
auf Bestellung: 1812 St.
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| BC849B /T3 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B T/R | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 1995 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC849B/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC849B,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 27950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC849B/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC849B,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B,235 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-AQ | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-AU-R1-000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-AU_R1_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA SOT-23 AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 120000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-QR | Nexperia USA Inc. | Description: BC849B-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-QR | Nexperia USA Inc. | Description: BC849B-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC849B-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: BC849B-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-QVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC849B-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: BC849B-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.1A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B-YAN | Yangzhou Yangjie Electronic | BC849B-YAN BC849B BJT SOT23 30V NPN 0.25W 150C Транзистори | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B.215 | NXP | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849BE6327 | auf Bestellung 14380 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BC849BE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 53990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC849BE6327HTSA1 - BC849 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SC59 Current gain: 200 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 40932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BE6327HTSA1 | Infineon | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BC849BLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 33000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849BLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN | auf Bestellung 41676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849BLT1G Produktcode: 183142
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 36870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, ft,МГц =100, Ic =100mA, Ptot,Вт =225mW, VCEO,В =30, Тип монт. smd,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 36870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | auf Bestellung 6003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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