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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N3439SMOTOROLA
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439TMOTOROLA
auf Bestellung 26900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A U4
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: U4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439U4Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin Case U4 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439U4/TRMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: U4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439U4/TRMicrochip TechnologyEpitaxial Planar NPN Transistor
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439U4/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT TR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439UAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle
auf Bestellung 6529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+36.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439UAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439UAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+36.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439UAMICROSEMINPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR 2N3439
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439UAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle
auf Bestellung 6529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+34.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439UAMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+89.7 EUR
100+83.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439UAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+36.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439UA/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT TR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439UA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3439UA/TRMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N343AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N343BMOTCAN
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N344MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440HARRIS2N3440
auf Bestellung 8066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+26.87 EUR
100+25.16 EUR
500+23.31 EUR
1000+21.54 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 250V 1A 5000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 1A TO-39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3440 - Hochspannungs-Bipolartransistor (BJT), einfach, planar, NPN, 250V, 1.2W, 800mA, TO-39
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.93 EUR
25+26.29 EUR
50+25.51 EUR
100+23.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440HARRIS2N3440
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+26.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440CDILNPN 1A 250V 1W 15MHz 2N3440 T2N3440
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440HARRIS2N3440
auf Bestellung 6103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+26.87 EUR
100+25.16 EUR
500+23.31 EUR
1000+21.54 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440onsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 250V 1A 5000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440MICROSEMITO-39/1000 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3440
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT THT
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440HARRIS2N3440
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+26.87 EUR
100+25.16 EUR
500+23.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440CentralsemiTRANS NPN 250V TO-39 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 1A; 1/5W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/5W
Case: TO39
Current gain: 40...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 15MHz
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.09 EUR
131+0.65 EUR
146+0.58 EUR
165+0.51 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440
Produktcode: 112785
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STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-39
Transitfrequenz fT: 15 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 250 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 300 В
Kollektorstrom Ic, A: 1 А
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440Harris CorporationDescription: TRANS NPN 250V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 14983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+27.95 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
auf Bestellung 4554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+3.88 EUR
100+2.7 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.92 EUR
5000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 1A; 1W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO39
Current gain: 30...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 15MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 250V TO-39
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 28814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.06 EUR
10+3.93 EUR
100+2.73 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.05 EUR
2000+1.9 EUR
5000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.86 EUR
100+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440 TIN/LEADCentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 250V 1A 1W TH TRANSISTOR-SMALL S
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 300Vcbo 250Vceo 7.0Vebo 10pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440-JQR-BWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440-JQR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 250V 1A 5000mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440-O-BWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440-O-BSemelab (TT electronics)2N3440-O-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440AMOTOROLA
auf Bestellung 11900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440DIE2HRSTMicroelectronicsArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440E3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Lead-Free Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440E3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440E3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440LMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-5 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO-5
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440LMOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440SMOTOROLA
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440T1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3440U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT SMT
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2N3440U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A U4
Power - Max: 5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tray
Part Status: Active
Supplier Device Package: U4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
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2N3440U4Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin Case U4 Tray
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2N3440UAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle
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2N3440UAMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT SMT
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2N3440UAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
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2N3441Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 140V 3A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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2N3441Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 140V 3A 3W NPN Power BJT THT
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2N3441Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 140V 3A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3 W
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2N3441Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 140V 3A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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2N3441Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 140V 3A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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2N3441MOTOROLA
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2N3441AMOTOROLA
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2N3441XMOTOROLA
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2N3441YMOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3442CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 10A; 117W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 10A
Power dissipation: 117W
Case: TO3
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 7.5...70
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 80kHz
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.17 EUR
44+1.94 EUR
48+1.78 EUR
100+1.69 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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2N3442Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 140V 10A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 6 W
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2N3442
Produktcode: 46391
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-204
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 140 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 160 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 12 / 72
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2N3442MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3442 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 7.5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 117W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80kHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
42+5.62 EUR
100+3.88 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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2N3442Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 140V 10A 6W NPN Power BJT THT
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2N3442onsemiDescription: TRANS NPN 140V 10A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 117 W
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2N3442Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 140V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3442 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 140V 10A TO-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 80kHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 117 W
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 Mindestbestellmenge: 220 Stücke
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2N3442 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power SW
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2N3442 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 160Vcbo 160Vcev 140Vceo 7.0V 10A
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2N3442..MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3442.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 7.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 117
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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2N3442G
Produktcode: 152390
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N3442GPMC-SierraNPN 140V 10A 200mA 117W 2N3442G 2N3442 ON Semiconductors T2N3442
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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2N3442GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 10A 117000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N3442GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 140V 117W NPN
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2N3442GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 10A; 117W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 10A
Power dissipation: 117W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 800kHz
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2N3442GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 10A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 80kHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 117 W
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2N3442GOn Semiconductorвозможная замена КТ 945, TO204 Транзистори
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2N3442GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 7.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 117
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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2N3443MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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