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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS6670A_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670SON SemiconductorFDS6670S
auf Bestellung 18785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
10000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2674 pF @ 15 V
auf Bestellung 28785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
314+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670SFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670SON SemiconductorFDS6670S
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670SON SemiconductorFDS6670S
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672FAIRCHIL00+ SOP
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.14 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
auf Bestellung 8822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.14 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6672A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 259608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
auf Bestellung 121838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.14 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.71 EUR
10000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
auf Bestellung 37000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.14 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.71 EUR
10000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
auf Bestellung 98091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.14 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.71 EUR
10000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
auf Bestellung 279334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
159+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672A_NLFSC09+
auf Bestellung 11318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AFDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZonsemi / FairchildMOSFET 30V SO8 PCH POWER TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZ-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZ_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZ_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V P-Channel PowerTrench® MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6673BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.5 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ
Produktcode: 109121
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.99 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+1.71 EUR
100+1.25 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 6580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
613+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
10000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 613 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.87 EUR
66+1.31 EUR
77+1.11 EUR
100+0.87 EUR
250+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.81 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZonsemi / FairchildMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.83 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ-F085
auf Bestellung 16080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ-GonsemiDescription: -30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 126525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
758+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6674FSC00+ SOP
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675onsemiMOSFETs SO-8 P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675 - MOSFET, P SO-8 REEL 2500
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675
Produktcode: 160949
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675Aonsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675A-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675AZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
auf Bestellung 8950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 12973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.59 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.58 EUR
68+1.26 EUR
78+1.11 EUR
109+0.79 EUR
125+0.68 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
823+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ
Produktcode: 57036
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ONTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1855/44
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.81 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 8473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.82 EUR
245+0.69 EUR
247+0.67 EUR
272+0.58 EUR
275+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.71 EUR
247+0.7 EUR
272+0.62 EUR
275+0.61 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2470 @ 15, Qg, нКл = 62 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
823+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ-NLFAIRCHILD0843+ SOP8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ/FSCFSC08+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675NLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 3028 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ON SemiconductorFDS6676
auf Bestellung 7230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.65 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ON SemiconductorFDS6676
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.65 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 13765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5103 pF @ 15 V
auf Bestellung 13765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
157+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676onsemi / FairchildMOSFET SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ON SemiconductorFDS6676
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.65 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
auf Bestellung 5369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
567+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V NCH POWER TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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