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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS6673BZ-GonsemiDescription: -30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 126525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
758+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6674FSC00+ SOP
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675onsemiMOSFETs SO-8 P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675 - MOSFET, P SO-8 REEL 2500
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
50+0.95 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675
Produktcode: 160949
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675Aonsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675A-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675AZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.05 EUR
208+0.83 EUR
216+0.76 EUR
240+0.67 EUR
250+0.63 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 11330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3 EUR
10+1.44 EUR
100+1.04 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
143+1.62 EUR
178+1.2 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ
Produktcode: 57036
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ONTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1855/44
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 26632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
823+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.12 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2470 @ 15, Qg, нКл = 62 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.86 EUR
216+0.81 EUR
240+0.71 EUR
250+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
143+1.62 EUR
178+1.2 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
823+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ-NLFAIRCHILD0843+ SOP8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ/FSCFSC08+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675NLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 3028 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676FAIRCHILDFDS6676
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.69 EUR
500+3.46 EUR
1000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 13765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676FAIRCHILDFDS6676
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.69 EUR
500+3.46 EUR
1000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676onsemiMOSFETs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676FAIRCHILDFDS6676
auf Bestellung 7230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.69 EUR
500+3.46 EUR
1000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5103 pF @ 15 V
auf Bestellung 13765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
137+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.17 EUR
50+0.86 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FDS6676ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V NCH POWER TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1708 Stücke:
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563+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
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FDS6676ASFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
auf Bestellung 17869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
405+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
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FDS6676ASFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 142500 Stücke:
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563+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
10000+0.94 EUR
100000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
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FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1161 Stücke:
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563+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
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FDS6676ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
10000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
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FDS6676ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6676AS-GonsemiDescription: 30V N-CHANNEL POWERTRENCH SYNCFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
auf Bestellung 24005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
893+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 893 Stücke
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FDS6676AS-Gonsemionsemi
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FDS6676AS-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6676ASNLFAIRCHILD
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6676AS_GON SemiconductorFDS6676AS-G
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+1.76 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
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FDS6676AS_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, NCH SINGLE, SO8, POWER TRENCH SYNCFET
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FDS6676NLFAIRCHILD
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6676SFAIRCHILDFDS6676S
auf Bestellung 3079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.82 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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FDS6676SFAIRCHILDFDS6676S
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.82 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
10000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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FDS6676SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 15 V
auf Bestellung 47465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
293+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
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FDS6676SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 47465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 517 Stücke
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FDS6676SFAIRCHILDFDS6676S
auf Bestellung 19386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.82 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
10000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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FDS6676S-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6676SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6676S_NLFSC09+
auf Bestellung 5028 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6678AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6678AF40FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6679onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3939 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6679onsemiMOSFETs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6679ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.08 EUR
80+2.17 EUR
85+1.95 EUR
91+1.75 EUR
100+1.56 EUR
250+1.37 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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FDS6679-NLFDS
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 14733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.95 EUR
124+1.88 EUR
160+1.34 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3845 @ 15, Qg, нКл = 96 @ 10 В, Rds = 9,3 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 13553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.93 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDS6679AZUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
50+0.96 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.82 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.78 EUR
100+1.29 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 14733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
124+1.88 EUR
160+1.34 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ
Produktcode: 34125
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0093 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/68
Montage: SMD
verfügbar: 7 St.
  • 7 St. - stock Köln
auf Bestellung: 186 St.
  • 186 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.36 EUR
10+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6679AZ FairchildFairchildP-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS6679AZ-GonsemiDescription: FDS6P-CHANNPOWERTRENMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6679AZ-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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