Produkte > 2SC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5569-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 10953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 7A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89 Current gain: 560...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 330MHz | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | On Semiconductor | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W | auf Bestellung 2828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5569G-AB3-R | UTC | Bipolar Transistors sot-89 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5569L | UTC | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC557 | auf Bestellung 17400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC5570 | Toshiba | NPN 1700V 28A для строчной развертки в TV Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5570 Produktcode: 58609
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Toshiba | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: 2-21F1A Transitfrequenz fT: 2 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 800 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1700 V Kollektorstrom Ic, A: 28 A Stromverstärkung h21: 22 | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| 2SC5570 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(09-10), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5570 (Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5570(FA) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(09-10), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5570(Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5573001PT | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC558 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5583 | Toshiba | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5583 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 32803
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Panasonic | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TOP-3 Transitfrequenz fT: 3 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 1500 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V Kollektorstrom Ic, A: 17 A Stromverstärkung h21: 12 Bemerkung: R+D Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| 2SC5584 Produktcode: 47333
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TOP-3 Transitfrequenz fT: 3 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 600 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V Kollektorstrom Ic, A: 20 A Stromverstärkung h21: 14 | Produkt ist nicht verfügbar
|
| |||||||||||||||
| 2SC5585 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585 | ROHM | SOT523 | auf Bestellung 2854 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585 TL | ROHM | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2982 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585-TL | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 8939 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585E3TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 1658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585E3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585E3TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585E3TL | ROHM | Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585E3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585E3TL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor | auf Bestellung 2551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585E3TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585E3TL | ROHM | Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 270...680 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 320MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585TL Produktcode: 173466
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5585TL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416 | auf Bestellung 1902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 20345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585TL | ROHM | SOT523 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V | auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 20345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5585TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5585TL | ROHM | Description: ROHM - 2SC5585TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 270 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: 320 Bauform - Transistor: SOT-416 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5586 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 32868
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Panasonic | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-3PF Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 600 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 900 V Kollektorstrom Ic, A: 5 A | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| 2SC5587 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-3PH-IS,ACTIVE,DISCON(06-04)/PHASE-OUT(07-07)/OBSOLETE(07-10), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5587 | Toshiba | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5587 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 31738
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Toshiba | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-3P Transitfrequenz fT: 2 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 750 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V Kollektorstrom Ic, A: 17 A Stromverstärkung h21: 48 Bemerkung: Isoliertes Gehäuse Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| 2SC5588 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-3PH-IS,ACTIVE,DISCON(06-04)/PHASE-OUT(07-07)/OBSOLETE(07-10), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5588 (Q,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5588 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 48647
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5589 | EVVO | Description: SILICON NPN POWER TRANSISTOR,TO- | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5589 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 43362
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Toshiba | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TOP-3I Transitfrequenz fT: 2 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 750 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V Kollektorstrom Ic, A: 18 A Stromverstärkung h21: 18 Bemerkung: 200W | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| 2SC5589(Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(11-04), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC559 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC559200L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 15V 2.5A MINI3-G1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 50mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: Mini3-G1 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 600 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5594 | RENESAS | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5594XP-TL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 4.5V 24GHZ CMPAK-4 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: CMPAK-4 Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5594XP-TL-E | RENESAS | SOT-343 | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5594XP-TL-E | Renesas | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5594XP-TL-H | Renesas | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5594XP-TL-H | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 4.5V 24GHZ CMPAK-4 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: CMPAK-4 Part Status: Active | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5595T146 | ROHM | 09+ | auf Bestellung 24018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC56 | NEC | CAN | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC560 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5600-T1 | NEC | SOT423 | auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5600T1 | auf Bestellung 32304 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC5603-T1 | NEC | SOT23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5606 | NEC | 0603-3 | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5606-A | CEL | RF Bipolar Transistors NPN Silicon 21GHz NF 1.2dB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5606-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Frequency - Transition: 21GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 115mW Gain: 12.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Strip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5606-T1 | NEC | 0603-3 | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5606-T1-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 Supplier Device Package: SOT-523 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Frequency - Transition: 21GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 115mW Gain: 14dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5606-T1-A | CEL | RF Bipolar Transistors NPN High Frequency | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5606-T1-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 Supplier Device Package: SOT-523 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Frequency - Transition: 21GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 115mW Gain: 14dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC56065-Y(T5L.H) | TOSHIBA | SOT323-MAY | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC56065-Y(T5L.H) SOT323 | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5609 Produktcode: 81847
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Panasonic | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: SSS 3pin Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz Spannung Uce, V: 50 V Spannung Ucb, V: 60 V Strom Ic, A: 0,1 A | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| 2SC5609 | PANASONIC | 09+ | auf Bestellung 120036 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5609001JN | PAN | 06+ SOT-523 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5609009JN | Panasonic | 09+ | auf Bestellung 50018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC560900L | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC560N | auf Bestellung 3560 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC561 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5610 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 7A TO-220ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 290MHz Supplier Device Package: TO-220ML Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 18 W | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5610 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5610 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5611 | onsemi | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5611 | SANYO | TO-126F | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5612 | TOSHIBA | 2002 TO-3PL | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5612 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(09-10), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5613 | auf Bestellung 1966 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC5617 | NEC | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5617-T3 | NEC | 04+ | auf Bestellung 680000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5617-T3-A | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ 3-MINI Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8.5dB Power - Max: 140mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Supplier Device Package: 3-MINIMOLD Part Status: Active | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SC5617-T3/FB | NEC | 03+ 402 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5619 | MITSUBIS | SOT23 | auf Bestellung 1674 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC562 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
