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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC5551F-TD-EonsemiDescription: BIP NPN 300MA 30V FT=3.5G
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC555600LPanasonic Electronic ComponentsDescription: RF TRANS NPN 10V 6GHZ MINI3-G1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Mini3-G1
Frequency - Transition: 6GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 20mA, 8V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 300mW
Gain: 11.5dB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC556TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5562(TP,Q)ToshibaTrans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5565-TDSANYOSOT-89
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5565-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) PCP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1955+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5565-TD-EonsemiDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5565-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) PCP T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1955+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566onsemi BIP NPN 4A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
178+1.31 EUR
273+0.79 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.75 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 4A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 400MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.27 EUR
106+0.8 EUR
138+0.62 EUR
155+0.55 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.92 EUR
190+0.89 EUR
194+0.86 EUR
268+0.61 EUR
370+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 115629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.48 EUR
10000+0.42 EUR
100000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 50, Ic = 4 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 400, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,225 @ 100 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 (PCP) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
178+1.31 EUR
273+0.79 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.75 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.48 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.92 EUR
191+0.87 EUR
194+0.82 EUR
269+0.57 EUR
371+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
auf Bestellung 7250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 4A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.48 EUR
10000+0.42 EUR
100000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E
Produktcode: 161288
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566/FCSANYO09+
auf Bestellung 206768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569onsemi BIP NPN 7A 50V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569UTCТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TDSANYO03+ SOT-89
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+0.52 EUR
333+0.51 EUR
339+0.49 EUR
344+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
163+1.43 EUR
194+1.11 EUR
241+0.89 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 10953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
952+0.68 EUR
1032+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 952 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
163+1.43 EUR
194+1.11 EUR
241+0.89 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 560...200
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 330MHz
Collector current: 7A
Mounting: SMD
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
97+0.88 EUR
120+0.71 EUR
133+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-ESANYOSOT89
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.54 EUR
328+0.51 EUR
333+0.48 EUR
339+0.45 EUR
344+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V
auf Bestellung 36650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.38 EUR
100+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 5372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569G-AB3-RUTCBipolar Transistors sot-89 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5569LUTCТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC557
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5570ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(09-10),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5570
Produktcode: 58609
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: 2-21F1A
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 800 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1700 V
Kollektorstrom Ic, A: 28 A
Stromverstärkung h21: 22
Produkt ist nicht verfügbar
1+4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5570ToshibaNPN 1700V 28A для строчной развертки в TV Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5570 (Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5570(FA)ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(09-10),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5570(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5573001PT
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC558TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5583ToshibaТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5583 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 32803
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PanasonicTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TOP-3
Transitfrequenz fT: 3 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 1500 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 17 A
Stromverstärkung h21: 12
Bemerkung: R+D
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.33 EUR
10+4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5584
Produktcode: 47333
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TOP-3
Transitfrequenz fT: 3 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 600 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 20 A
Stromverstärkung h21: 14
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585ROHMSOT523
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2SC5585ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2SC5585 TLROHMSOT23/SOT323
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2SC5585-TLROHMSOT23
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2SC5585E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2920 Stücke:
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28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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2SC5585E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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1103+0.15 EUR
1141+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1103 Stücke
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2SC5585E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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2SC5585E3TLROHMDescription: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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498+0.46 EUR
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2SC5585E3TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
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10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2SC5585E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC5585E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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2SC5585E3TLROHMDescription: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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498+0.46 EUR
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2SC5585TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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Mindestbestellmenge: 690 Stücke
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2SC5585TLROHMDescription: ROHM - 2SC5585TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 270
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 320
Bauform - Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2SC5585TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
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10+0.67 EUR
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1000+0.35 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2SC5585TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
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2SC5585TL
Produktcode: 173466
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SC5585TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
auf Bestellung 634 Stücke:
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21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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2SC5585TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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298+0.58 EUR
471+0.36 EUR
631+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
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2SC5585TLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Current gain: 270...680
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 320MHz
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2SC5585TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 20345 Stücke:
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298+0.58 EUR
471+0.36 EUR
631+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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2SC5585TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC5585TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC5585TLROHMSOT523
auf Bestellung 9000 Stücke:
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2SC5586 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 32868
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PanasonicTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PF
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 600 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 900 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
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1+2.62 EUR
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2SC5587ToshibaТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5587ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-3PH-IS,ACTIVE,DISCON(06-04)/PHASE-OUT(07-07)/OBSOLETE(07-10),
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5587 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31738
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 750 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 17 A
Stromverstärkung h21: 48
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
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1+5.16 EUR
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2SC5588ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-3PH-IS,ACTIVE,DISCON(06-04)/PHASE-OUT(07-07)/OBSOLETE(07-10),
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5588 (Q,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5588 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 48647
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5589EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTOR,TO-
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.72 EUR
10+30.88 EUR
200+25.18 EUR
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2SC5589 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 43362
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TOP-3I
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 750 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 18 A
Stromverstärkung h21: 18
Bemerkung: 200W
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5589(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(11-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC559TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC559200LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 15V 2.5A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 50mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 600 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594RENESAS
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5594XP-TL-ERenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 4.5V 24GHZ CMPAK-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
326+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-ERENESASSOT-343
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-ERenesasTrans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
408+1.58 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 408 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-HRenesasTrans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
408+1.58 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.27 EUR
10000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 408 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5594XP-TL-HRenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 4.5V 24GHZ CMPAK-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
Part Status: Active
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
326+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5595T146ROHM09+
auf Bestellung 24018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC56NECCAN
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC560TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5600-T1NECSOT423
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5600T1
auf Bestellung 32304 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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