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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFB9N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.23 EUR
10+2.82 EUR
100+2.48 EUR
500+2.16 EUR
1000+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.29 EUR
50+3.13 EUR
100+2.77 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.61 EUR
10+2.22 EUR
100+2.09 EUR
500+2.02 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.97 EUR
5000+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65AInternational RectifierN-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65AVishayN-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65A
Produktcode: 191888
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBF
Produktcode: 100724
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 650 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
JHGF: THT
auf Bestellung 30 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+3.85 EUR
25+3.26 EUR
100+2.96 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.24 EUR
5000+2.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N65APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404PPBF
Produktcode: 186516
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404PPBFInfineonMOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404PPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.55 EUR
10+5.9 EUR
100+4.82 EUR
500+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1404PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1405IR2003 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1405PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1405PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1405PPBF
Produktcode: 59553
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA1405PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA22N50AТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA22N50AVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 500V 24 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA22N50APBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 500V 24 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA22N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220
Packaging: Tube
Package / Case: Super-220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA35N60CInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA3803PIR2003 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA90N20DInternational RectifierIRFBA 90 N 20 D SUPER220 IRF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA90N20DHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA90N20DPBF
Produktcode: 48871
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA90N20DPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 98A 23mOhm 160nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA90N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-273AA Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA90N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-273AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBADBOYIOR2007
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20International RectifierN-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A I2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC20LPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20LPBFVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC20L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 5008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.98 EUR
50+2.49 EUR
100+2.25 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.58 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.66 EUR
92+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF
Produktcode: 34302
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.01 EUR
100+1.61 EUR
5000+1.57 EUR
10000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
auf Bestellung 6862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+1.95 EUR
100+1.28 EUR
500+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
50+1.16 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SPBF
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.89 EUR
100+2.8 EUR
500+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30SiliconixN-MOSFET 3.6A 600V 74W 2.2Ω IRFBC30 TIRFBC30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30
Produktcode: 18143
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 600
Idd,A: 03.06.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 475/16.5
JHGF: THT
verfügbar: 12 St.
    1+0.76 EUR
    10+0.7 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30STMicroelectronicsMOSFETs
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30(94-4966)
    auf Bestellung 9750 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30A
    Produktcode: 106982
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 3.6A
    Pulsed drain current: 14A
    Power dissipation: 74W
    Case: I2PAK; TO262
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 2.2Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 23nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
    auf Bestellung 432 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+4.19 EUR
    10+2.69 EUR
    100+1.83 EUR
    500+1.56 EUR
    1000+1.25 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 95 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    60+2.44 EUR
    85+1.7 EUR
    Mindestbestellmenge: 60 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH
    auf Bestellung 757 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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    IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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    3+5.98 EUR
    50+3.03 EUR
    100+2.75 EUR
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    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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    IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    		 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBC30APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 3.6A
    Pulsed drain current: 14A
    Power dissipation: 74W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 2.2Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 23nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
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    32+2.27 EUR
    42+1.73 EUR
    53+1.36 EUR
    74+0.97 EUR
    Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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    IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    Mindestbestellmenge: 550 Stücke
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    IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRFBC30APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 600V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 74W
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    auf Bestellung 365 Stücke:
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    IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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