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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC5738(TE85LF)ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5739
auf Bestellung 79580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC57390PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC574TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC575TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5750-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5750-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
651+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 651 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5750-T1-ARenesasTrans RF BJT NPN
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
905+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
10000+0.56 EUR
100000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 905 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5750-T1-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5751
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5751-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5751-T2-ARenesasTrans RF BJT NPN 6V 0.05A 205mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1112+0.58 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5751-T2-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
738+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 738 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5751-T2-ARenesasTrans RF BJT NPN 6V 0.05A 205mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1112+0.58 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5751-T2-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5752-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5752-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
284+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5752-T1-ARenesasNPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.82 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.45 EUR
10000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5752-T1-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5752-T1-ARenesasNPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.82 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.45 EUR
10000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5753NEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5753-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5753-T2-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5754-ACELRF Bipolar Transistors NPN Silicon 20GHz Pout (1dB 26dBm)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5754-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5754-ACELDescription: RF TRANS NPN 5V 20GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 735mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 20GHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5754-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5754-T2NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5754-T2-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5754-T2-ANEC06+ROHS SOT-343
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5754-T2-ACELDescription: RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT-343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 735mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 20GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5754-T2-ACELRF Bipolar Transistors NPN High Frequency
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5755TOSHIBA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5755(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 10V 2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC576TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5761NEC00+ SOT-143
auf Bestellung 6999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5761-T2/T16
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5763MON SemiconductorTrans GP BJT NPN 700V 7A 3-Pin (3+Tab) TO-220
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5763MONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5763M - 2SC5763M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5763MonsemiDescription: TRANS NPN 400V 7A TO-220AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 5V
Frequency - Transition: 17MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
308+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5763MON SemiconductorTrans GP BJT NPN 700V 7A 3-Pin (3+Tab) TO-220
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5764M-TTO220F 05+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5766
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC577TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5772NEC/CELRF Bipolar Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5772FE-TL-ESOT23-FRPB-FREERENESAS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5772FRHITACHA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5772FR-TL-ERenesasSILICON NPN RF Transistor
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1112+0.58 EUR
10000+0.51 EUR
100000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5772FR-TL-ERENESASSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5772FR-TL-ERenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 9V 9GHZ 3-MPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 75mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
738+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 738 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5772FR-TL-E SOT23-FRRENESAS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5773JR(TL-E)RenesasTrans RF BJT NPN 6V 0.08A 700mW 3-Pin MPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
905+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 905 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5773JR-TLHITACHISOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5773JR-TL-ERenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 6V 10.8GHZ 3-MPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.9dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10.8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
651+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 651 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5775ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 12A 2500mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5775ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5775 - 2SC5775, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5775onsemiDescription: TRANS NPN 160V 12A TO-3PB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.5 W
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
154+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5779PANASONICTO-220
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC578TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5784(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 1.5A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5784(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 1.5A 500mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
488+0.36 EUR
730+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5784(TE85LF)ToshibaArray
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2SC5785
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2SC5785(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 10V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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2SC57880PAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 60V 3A MT-4
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: MT-4-A1
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Cut Tape (CT)
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2SC57880PAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 60V 3A MT-4
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: MT-4-A1
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SC57880QAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 60V 3A MT-4-A1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: MT-4-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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2SC579TOSHIBA
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2SC5793
Produktcode: 55741
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SC58NECCAN
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2SC580TOSHIBA
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2SC5800NEC09+
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2SC5800-T1-ARENESASSOT23/SOT323
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2SC5801(NE851M13)NEC/CELRF Bipolar Transistors
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2SC5802ToshibaТранзистори
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2SC5803
Produktcode: 81823
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P-ISO
Transitfrequenz fT: 4 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 800 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21: 15
Bemerkung: 70W
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1+2.93 EUR
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2SC5803
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2SC5808-EonsemiDescription: BIP NPN 2.5A 8700V
Packaging: Bulk
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2SC5808-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5808-E - 2SC5808-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SC581TOSHIBA
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2SC5810TOSHIBA
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2SC5810(T2LPEDZF)ToshibaToshiba
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2SC5810(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 1A SC-62
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2SC5810(TE12L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns
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2SC5810(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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2SC5810(TE12L,ZF)Toshiba2SC5810(TE12L,ZF)
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2SC5810(TE12L,ZF)Toshiba2SC5810(TE12L,ZF)
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2SC5812WG-TRRENESAS
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2SC581300LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MINI3
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: Mini3-G1
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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2SC581300LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
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2SC5814-1RISA07+ SOT-23
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2SC5814-T112-1RISAHAYASOT-23 05+
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2SC5814-T12-1S02+
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2SC5814-T1R-1RMITSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2SC5819
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2SC5819ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC5819(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 1.5A SC-62
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC5819(TE12L,ZF)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 1.5A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Box
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2SC582TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5820WU-
auf Bestellung 9000 Stücke:
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