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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC5876FRAT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876FRAT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106ROHM SemiconductorArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.61 EUR
306+0.56 EUR
335+0.5 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.31 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.76 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106QROHM09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106RROHMDescription: ROHM - 2SC5876T106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876T106RRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 136888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.61 EUR
306+0.56 EUR
335+0.5 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
12000+0.26 EUR
24000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorMedium Power Transistor for Automotive
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.65 EUR
415+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorMedium Power Transistor for Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A 0.2W SOT-323
auf Bestellung 4223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorMedium Power Transistor for Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorMedium Power Transistor for Automotive
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.07 EUR
264+0.63 EUR
415+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3HZGT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3T106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
322+0.73 EUR
658+0.32 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3T106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V VCEO 0.5A SOT-323
auf Bestellung 9585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1 EUR
10+0.67 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.21 EUR
9000+0.19 EUR
24000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3T106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
321+0.73 EUR
470+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 38398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 38300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3T106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
486+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5876U3T106QRohm Semiconductor2SC5876U3T106Q
auf Bestellung 1484 Stücke:
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2SC5876U3T106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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2SC5876U3T106QRohm Semiconductor2SC5876U3T106Q
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2SC5876U3T106RRohm Semiconductor0
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2SC5876U3T106RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-323 BIPOLAR BJT NPN
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2SC587ANECCAN
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2SC587AM
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2SC587AN
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2SC587M
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2SC587N
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2SC588TOSHIBA
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2SC5880
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2SC5880TV2QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A ATV
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: ATV
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2SC5880TV2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A ATV
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: ATV
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5881
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2SC5885ISC
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2SC5885 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 36636
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MatsTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220H
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 1500 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 6 A
Stromverstärkung h21: 10
Bemerkung: R+D
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1+2.21 EUR
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2SC5886ToshibaToshiba
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2SC5886On SemiconductorТранзистори
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2SC5886(TE16L1Ј¬NQ)TOS06PB
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2SC5886-T6L1S
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2SC5886A
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2SC5886A(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2000+0.5 EUR
4000+0.45 EUR
6000+0.44 EUR
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2SC5886A(T6L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5886A(T6L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
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2SC5886A(T6L1,NQ)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC5886A(T6L1,NQ) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6077 Stücke:
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98+2.57 EUR
171+1.36 EUR
261+0.82 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.51 EUR
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2SC5886A(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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2SC5886A(T6L1,NQ)ToshibaBipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SC5886A,L1XHQ(OToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN BIPO PWMOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2SC5887ISC
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2SC5888onsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TO-220ML
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
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2SC5888ToshibaNPN 50V 10A TO-220ML Транзистори
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2SC5888onsemiBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
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2SC5888
auf Bestellung 12000 Stücke:
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2SC5888 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31996
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SanyoTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220F
Transitfrequenz fT: 200 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 700
Montage: THT
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1+1.49 EUR
10+1.38 EUR
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2SC5889-ACRochester Electronics, LLCDescription: BIP NPN 5A 10V
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC589TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
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2SC5890FS-TL-ERenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 12V 7.8GHZ 3-MPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 75mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7.8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 888 Stücke
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2SC5890FS-TL-ERENESASSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC589N
auf Bestellung 3560 Stücke:
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2SC58A
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC59NEC
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC590TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5905
Produktcode: 87030
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC590N
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC591TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5916ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2SC5916TLQInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2SC5916TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5916TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 2A
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2SC5916TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5916TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5916TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5916TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5916TLRonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5916TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5918 T100QROHMSOT89
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC591N
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC592TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5928PANASONIC08+ TO3P
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5929
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC593TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5938-T112-1BISAHAYA04+ SOT-23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5938A-T112-1BISAHAYA06+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC593900LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3
auf Bestellung 8726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2SC593900LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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2SC593900LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3
auf Bestellung 8726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2SC5939G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3
auf Bestellung 6550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5939G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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