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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HUFA76419D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419D3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419D3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
auf Bestellung 3786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419D3ST_QF085Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
auf Bestellung 18893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
390+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419S3SFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419S3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76419S3STFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76423D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76423D3SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76423D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76423D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
auf Bestellung 8598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76423P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76423S3SFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76423S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76423S3STFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76423S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3onsemi / FairchildMOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
auf Bestellung 4876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+4.3 EUR
25+4.05 EUR
100+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
auf Bestellung 2546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
377+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
auf Bestellung 38668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
268+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3ST-F085onsemi / FairchildMOSFETs 20a 60V 0.027 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3ST_QF085Fairchild SemiconductorDescription: 20A, 60V, 0.029OHM, N CHANNEL ,
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 294 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429D3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429P3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429S3SFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429S3STFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76429S3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76432P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76432S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76432S3SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76432S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76432S3STFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76432S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
592+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 592 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76437P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 71A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76437S3SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76437S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76437S3STRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76439P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
485+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76439S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76439S3SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76439S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76443P3onsemi / FairchildMOSFET 75a 60V 0.0095 Ohm Logic Level N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76443P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76443P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76443S3SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76443S3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76443S3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76445P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 25 V
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
281+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76445S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 25 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
260+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
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HUFA76445S3SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HUFA76445S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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HUFA76504DK8TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 5053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
701+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
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HUFA76504DK8TFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HUFA76609D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76609D3SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76609D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
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HUFA76609D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76609D3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA76609D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
844+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 844 Stücke
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HUFA76609D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76609D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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HUFA76609D3ST_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76609D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
auf Bestellung 2281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1567 Stücke
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HUFA76609D3ST_NLONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA76609D3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1885+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1885 Stücke
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HUFA76619D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 18A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76619D3SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76619D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76619D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
902+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76619D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76629D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76629D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
624+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76629D3SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76629D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA76633P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633P3onsemi / FairchildMOSFETs 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633S3SON Semiconductor / FairchildMOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633S3SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA76633S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
auf Bestellung 17119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
275+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76633S3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76639P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
452+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 452 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76639P3onsemi / FairchildMOSFETs 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76639P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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