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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.39 EUR
10+9.29 EUR
100+7.52 EUR
500+7.39 EUR
1000+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R072M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.07 EUR
50+22.02 EUR
100+19.97 EUR
250+19.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+7.09 EUR
100+6.65 EUR
500+6.15 EUR
1000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.17 EUR
21+8.26 EUR
100+6.35 EUR
500+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.79 EUR
10+10.73 EUR
100+7.88 EUR
500+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R072M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.53 EUR
9+28.14 EUR
10+24.07 EUR
50+22.02 EUR
100+19.97 EUR
250+19.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.17 EUR
21+8.44 EUR
100+6.6 EUR
500+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R072M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMBG65R075M2HXTMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.14 EUR
10+8.85 EUR
100+6.43 EUR
500+6.12 EUR
1000+5.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMBG65R075M2HXTMA1
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.39 EUR
10+9.02 EUR
100+6.56 EUR
500+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.69 EUR
11+22.88 EUR
12+19.36 EUR
50+17.72 EUR
100+16.04 EUR
250+15.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 4100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+6.15 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.77 EUR
99+1.73 EUR
100+1.65 EUR
102+1.59 EUR
250+1.55 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.69 EUR
11+22.88 EUR
12+19.36 EUR
50+17.72 EUR
100+16.04 EUR
250+15.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.77 EUR
99+1.69 EUR
100+1.59 EUR
102+1.51 EUR
250+1.43 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HInfineon TechnologiesIMBG65R107M1H
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.36 EUR
25+14.43 EUR
50+13.55 EUR
100+12.79 EUR
250+12.21 EUR
500+11.69 EUR
1000+11.14 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.21 EUR
27+6.45 EUR
100+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.53 EUR
10+9.13 EUR
100+6.63 EUR
500+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+6.03 EUR
500+5.64 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+8.25 EUR
100+6.51 EUR
500+6.2 EUR
1000+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.21 EUR
27+6.32 EUR
100+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.79 EUR
15+15.95 EUR
17+13.3 EUR
50+12.16 EUR
100+11.01 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.8 EUR
93+1.73 EUR
100+1.65 EUR
250+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 10439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+4.08 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.52 EUR
10000+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.79 EUR
15+15.95 EUR
17+13.3 EUR
50+12.16 EUR
100+11.01 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.83 EUR
10+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.5 EUR
32+5.4 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.5 EUR
32+5.28 EUR
100+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.84 EUR
93+1.8 EUR
100+1.75 EUR
250+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HInfineon TechnologiesIMBG65R260M1H
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.34 EUR
25+9.76 EUR
50+9.19 EUR
100+8.68 EUR
250+8.28 EUR
500+7.94 EUR
1000+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.72 EUR
19+12.7 EUR
100+9.59 EUR
500+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.2 EUR
10+6.12 EUR
100+4.33 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.72 EUR
19+12.7 EUR
100+9.59 EUR
500+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.37 EUR
10+6.2 EUR
50+4.84 EUR
100+4.4 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.38 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.59 EUR
10+53.54 EUR
100+47.29 EUR
500+47.23 EUR
1000+40.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG75R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.56 EUR
10+38.89 EUR
100+33.64 EUR
500+32.19 EUR
1000+27.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG75R016M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.59 EUR
10+27.33 EUR
100+23.62 EUR
500+22.6 EUR
1000+19.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG75R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.26 EUR
10+25.32 EUR
100+21.11 EUR
500+18.99 EUR
1000+16.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.42 EUR
10+20.88 EUR
100+17.41 EUR
500+15.66 EUR
1000+13.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.96 EUR
10+12.96 EUR
100+12.76 EUR
1000+12.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG75R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.43 EUR
10+13.74 EUR
100+11.46 EUR
500+10.47 EUR
1000+8.88 EUR
2000+8.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG75R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.42 EUR
10+11.9 EUR
100+9.82 EUR
500+8.96 EUR
1000+8.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG75R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.96 EUR
10+11.25 EUR
100+9.09 EUR
500+8.08 EUR
1000+6.66 EUR
2000+6.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBH10D-060
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBH25-120MODULE
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBH50D-060N/A09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBH50D-060A
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBH60-100MODULE
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBH60-120MODULE
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBH75D-060S
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI200F-120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI200L-120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI200S-120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI300F-060module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI300F-120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI300JN-120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI300JP-120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI300L-060module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI300L-120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI300MN-120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI300NP-120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBI600NN-060-03FUJI.
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBT2222MICRONAS
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBT2907
auf Bestellung 8267 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBT2907ANational
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBT3903ITT05+ SOT-23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBT3906T
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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