Produkte > IMB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 10439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R260M1H | Infineon Technologies | SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R260M1H | Infineon Technologies | IMBG65R260M1H | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R260M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V | auf Bestellung 907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R260M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG75R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2 | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG75R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG75R016M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG75R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG75R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2 | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG75R033M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2 | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG75R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2 | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG75R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2 | auf Bestellung 1174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG75R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2 | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBH10D-060 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IMBH25-120 | MODULE | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBH50D-060 | N/A | 09+ | auf Bestellung 5018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBH50D-060A | auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IMBH60-100 | MODULE | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBH60-120 | MODULE | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBH75D-060S | auf Bestellung 962 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IMBI200F-120 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI200L-120 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI200S-120 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI300F-060 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI300F-120 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI300JN-120 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI300JP-120 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI300L-060 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI300L-120 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI300MN-120 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI300NP-120 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBI600NN-060-03 | FUJI | . | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBT2222 | MICRONAS | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBT2907 | auf Bestellung 8267 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IMBT2907A | National | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IMBT3903 | ITT | 05+ SOT-23 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBT3906 | T | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
