Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFH7184TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7184TRPBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH_MOSFETS | auf Bestellung 1076 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7185TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 19A 8QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7185TRPBF Produktcode: 110203
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFH7185TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 123A 5.2 mOhm Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7185TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 19A 8QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7185TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 100V 19A QFN-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7187TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7188TRPBF | Infineon / IR | MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL | auf Bestellung 571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7188TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7188TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7190ATRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 8-TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7190TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 15A/82A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7191TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7191TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7191TRPBF | Infineon / IR | MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL | auf Bestellung 1773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7191TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7194TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 39 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: FastIRFET HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.6 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7194TRPBF | Infineon / IR | MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7194TRPBF | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7194TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 39 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: FastIRFET HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.6 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7440 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7440TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6 Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Power dissipation: 104W Gate charge: 92nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 85A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel On-state resistance: 2.4mΩ Trade name: StrongIRFET | auf Bestellung 3069 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 6241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 85A 2.4mOhm 92nC STrongIRFET | auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 6241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7440TRPBFTR | Infineon Technologies | Description: IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7446 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7446TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 526000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7446TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | auf Bestellung 11720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1136000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 85A 3.3mOhm 65nC StrongIRFET | auf Bestellung 3001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 588000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7545 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 3548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 85A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 6868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7545TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 54A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 83W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 85A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 68A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7787TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 6600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | auf Bestellung 5963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 68A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power | auf Bestellung 519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 68A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 68A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 7979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7787TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 6600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | auf Bestellung 5963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7882TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3186 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7885TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2311 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7911TR Produktcode: 99497
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 10/23 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8,6/3,0 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1060/4450/8.3/34 Montage: SMD | auf Bestellung: 20 St.
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| IRFH7911TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 18-PowerVQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC | auf Bestellung 2196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A/28A 18-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 18-PowerVQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7911TRPBF | auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A/28A 18-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7914TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7914TR2PBF Produktcode: 56503
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFH7914TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7914TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | auf Bestellung 2054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 5729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7914TRPBF | International Rectifier | Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH7921TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7921TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH7921TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |