Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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| IRFH8303TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 280A Power dissipation: 156W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V | auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 688000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8307TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8307TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | auf Bestellung 3465 Stücke: Lieferzeit 178-182 Tag (e) |
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| IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Power dissipation: 156W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V | auf Bestellung 41664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8311TRPBF Produktcode: 151197
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8311TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8311TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6 | auf Bestellung 1243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8316TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH8316TRPBF - IRFH8316 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 834 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 27A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8316TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6 | auf Bestellung 2287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF-IR | International Rectifier | Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V | auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8318 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8318TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8318TR2PBF. | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8318TR2PBF. - N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 27A, PQFN-8 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 27 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 3 - 168 hours Verlustleistung Pd: 3.6 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V | auf Bestellung 14699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8318TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 7916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC | auf Bestellung 4240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8318TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 7916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 3790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8318TRPBF | Infineon | auf Bestellung 428000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFH8318TRPBF Транзистор Produktcode: 196964
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| IRFH8321TR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFH8321TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6 | auf Bestellung 3660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8321TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8321TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 3.4W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8321TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8324TR2PBF Produktcode: 157383
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| IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 50A 4.1mOhm 15nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8324TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 54W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | auf Bestellung 3931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 10387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8324TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 23A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8324TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 54W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | auf Bestellung 3931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC | auf Bestellung 3335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 3300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8325TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC | auf Bestellung 4058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 37 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8325TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 54W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | auf Bestellung 304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 7249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8325TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 54W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | auf Bestellung 304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8325TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 7249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8330TR2PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8330TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8330TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8330TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8330TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC | auf Bestellung 6012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8330TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 35W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | auf Bestellung 2398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8330TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |