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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA1306
Produktcode: 74168
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220F
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 160 V
Spannung Ucb, V: 160 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 240
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1+1 EUR
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2SA1307TOS00+ Z-10LIA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1307
Produktcode: 152640
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220F
Grenzfrequenz fT, MHz: 60 МГц
Spannung Uce, V: 50 В
Spannung Ucb, V: 60 В
Strom Ic, A: 5 A
auf Bestellung: 8 St.
  • 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.75 EUR
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2SA1309
Produktcode: 152641
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-33
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 МГц
Spannung Uce, V: 25 В
Spannung Ucb, V: 30 В
Strom Ic, A: 0,1 А
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1+0.18 EUR
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2SA1309A-(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP AF AMP 50V 100MA NEW S
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2SA1309A-QPanasonic
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1309A-Q(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SA1309A-RPanasonic
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1309A-R(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SA1309A-SPanasonic
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1309A-S(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SA1309A0APanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: NS-B1
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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2SA1309ACTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP AF AMP 50V 100MA NEW S
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2SA1309AQAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1309AQCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SA1309AQTBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SA1309ARAPanasonic IndustryDescription: TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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2SA1309ARCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SA1309ARTBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SA1309ASAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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2SA1309ASCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SA1309ASTBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
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2SA1309ATBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP AF AMP 50V 100MA NEW S
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2SA131TO-39
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1311TOSHIBA
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1312ToshibaТранзистори
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2SA1312TOSHIBA
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1312Toshiba
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2SA1312-BLToshibaТранзистори
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2SA1312-BL(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07),
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2SA1312-BL(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
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2SA1312-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1312-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1312-GR(TE85L)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1312-GR(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1312GRTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700
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2SA1312GRTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313TOSHIBA
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1313ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SA1313-O(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
auf Bestellung 5759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.5 EUR
100+0.42 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-VTOSHIBA
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1313-YTOSHIBASOT23
auf Bestellung 49920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1313-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon PNP Epitaxial Type (Pct Process)
auf Bestellung 3264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1629+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
646+0.36 EUR
1025+0.21 EUR
1395+0.15 EUR
1585+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.64 EUR
646+0.36 EUR
1025+0.21 EUR
1395+0.15 EUR
1585+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313-Y/ACYTOSHIBA09+
auf Bestellung 8918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1313YT5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1314KEXIN09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1314-BTOSHIBASOT-89
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1314-CTOSHIBASOT89
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1315
Produktcode: 152642
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 МГц
Spannung Uce, V: 80 В
Spannung Ucb, V: 80 В
Strom Ic, A: 1 А
Stromverstärkung h21, max: 240
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1315-Y(6TOR1,AFToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1315-Y(DNSO,AF)ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1315-Y(T6FJT,AFToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1315-Y(T6ND,AF)ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1315-Y(T6PP,AF)ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1315-Y(T6TR,A,FToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1315-Y,F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1315-Y,F(MToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1315-Y,HOF(MToshibaToshiba
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2SA1315-Y,HOF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 80V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 900 mW
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2SA1315-Y,T6ASNF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 80V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 900 mW
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2SA1315-Y,T6ASNF(JToshibaToshiba
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2SA1315-Y,T6F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1315-Y,T6F(MToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1317S
Produktcode: 152643
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92S
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 МГц
Spannung Uce, V: 50 В
Spannung Ucb, V: 60 В
Strom Ic, A: 0,2 А
Stromverstärkung h21, max: 560
auf Bestellung: 10 St.
  • 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.18 EUR
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2SA1317S-ACON Semiconductor2SA1317S-AC
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
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2SA1317S-AConsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 74500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
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2SA1317S-ACON Semiconductor2SA1317S-AC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
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2SA1317S-ACONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1317S-AC - 2SA1317S-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SA1317S-ACON Semiconductor2SA1317S-AC
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
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2SA1317TonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 780 Stücke
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2SA1317T-ACON Semiconductor2SA1317T-AC
auf Bestellung 31500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.7 EUR
1014+0.64 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
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2SA1317T-ACON Semiconductor2SA1317T-AC
auf Bestellung 156700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.7 EUR
1014+0.64 EUR
10000+0.56 EUR
100000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
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2SA1317T-ACONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1317T-AC - 2SA1317T-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 163800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
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2SA1317T-ACON Semiconductor2SA1317T-AC
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.7 EUR
1014+0.64 EUR
10000+0.56 EUR
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2SA1317T-ACON Semiconductor2SA1317T-AC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.7 EUR
1014+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
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2SA1317T-AConsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 255700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
673+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 673 Stücke
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2SA1318
Produktcode: 152644
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 МГц
Spannung Uce, V: 50 В
Spannung Ucb, V: 60 В
Strom Ic, A: 0,2 А
Stromverstärkung h21, max: 560
auf Bestellung: 12 St.
  • 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.24 EUR
10+0.17 EUR
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2SA1318S-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1318S-AA - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP 0.2A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
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2SA1318S-AAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.2A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
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2SA1318S-AAON Semiconductor2SA1318S-AA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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2SA1318TonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 14100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3030+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3030 Stücke
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2SA1318TON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.2A 500mW 3-Pin NP
auf Bestellung 14100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4567+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4567 Stücke
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2SA1318TONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1318T - 2SA1318T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SA1319NEC
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1319
Produktcode: 152645
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SanyoTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 120 МГц
Spannung Uce, V: 160 В
Spannung Ucb, V: 180 В
Strom Ic, A: 0,7 А
Stromverstärkung h21, max: 100
auf Bestellung: 63 St.
  • 63 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.36 EUR
10+0.3 EUR
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2SA1319S-AAON Semiconductor2SA1319S-AA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2738+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2738 Stücke
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2SA1319S-AASanyoDescription: TRANS PNP 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: 3-NP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1817+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1817 Stücke
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