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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSS138KT-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET, SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138KT-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.25A 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138KV-TPMicro Commercial ComponentsBSS138KV-TP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138KV-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS138KV-TP - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 204 mA, 3.3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 204mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.3ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 289mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1053+0.24 EUR
1846+0.13 EUR
2445+0.088 EUR
2565+0.083 EUR
2696+0.08 EUR
5000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 1053 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138KV-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138KV-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS138KV-TP - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 204 mA, 3.3 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1053+0.24 EUR
1846+0.13 EUR
2445+0.088 EUR
2565+0.083 EUR
2696+0.08 EUR
5000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 1053 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138KV-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 4350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.29 EUR
116+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LonsemiMOSFETs FET 50V 35 OHM SOT23
auf Bestellung 543140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.19 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138L - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
532+0.15 EUR
693+0.12 EUR
787+0.11 EUR
939+0.09 EUR
1080+0.079 EUR
1260+0.068 EUR
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1177+0.14 EUR
1330+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138L - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
513+0.35 EUR
750+0.23 EUR
757+0.21 EUR
765+0.2 EUR
1177+0.13 EUR
1188+0.12 EUR
1330+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138L (SOT-23, ON Semiconductor)
Produktcode: 170471
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LTonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1ONSOT23
auf Bestellung 48116 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1onsemiMOSFETs 50V 200mA N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+0.48 EUR
556+0.3 EUR
587+0.27 EUR
885+0.18 EUR
894+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 100835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+0.76 EUR
690+0.33 EUR
878+0.25 EUR
1187+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.1 EUR
12000+0.096 EUR
27000+0.092 EUR
51000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GOn SemiconductorN-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1599000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3031+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3031 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 87855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.76 EUR
690+0.33 EUR
878+0.25 EUR
1187+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 24226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.37 EUR
321+0.26 EUR
401+0.21 EUR
478+0.18 EUR
569+0.15 EUR
828+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
3000+0.074 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
885+0.2 EUR
894+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 пФ @ 25 В, Rds = 3.5 Ом @ 200 мА, 5 В, Ugs(th) = 1.5 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Без свинцю,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 6218 Од. в
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GonsemiMOSFETs 50V 200mA N-Channel
auf Bestellung 264066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1599000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3031+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3031 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G (SOT-23, ON)
Produktcode: 28421
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 0,200 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 40/
Montage: SMD
verfügbar: 170 St.
  • 170 St. - stock Köln
1+0.15 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 115mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138LT1G-CN CHIPNOBO
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G-ESElecSuperTranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138LT1G-ES; BSS138NH6327-ES; ESBSS138LT1G; BSS138-13-F-ES; BSS138; BSS138-TP-ES; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; B
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 691 Stücke
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BSS138LT1G/J1ONSOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BSS138LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BSS138LT3G
Produktcode: 211590
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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BSS138LT3GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT3GOn SemiconductorN-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Транзистори
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BSS138LT3GonsemiMOSFETs 50V 200mA N-Channel
auf Bestellung 163244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS138LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BSS138LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT3GON SEMICONDUCTORMOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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BSS138LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138LT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.75V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 43365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
387+0.64 EUR
629+0.37 EUR
1036+0.2 EUR
1397+0.15 EUR
1774+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 115500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1048+0.17 EUR
5000+0.13 EUR
50000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1048 Stücke
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BSS138LT7GON SemiconductorMOSFET NFET SOT23 50V 200MA 3.5O
auf Bestellung 10470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSS138LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N
Produktcode: 74147
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NAnalog Power Inc.Description: DIODE SIL SIC 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS138NInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 230 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 41 @ 25, Qg, нКл = 1.4 @ 10 В, Rds = 3.5 Ом @ 230 мА, 10 В, Ugs(th) = 1.4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N E6433Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N E6908Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N E6908Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N E7854Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N E7854Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N E8004Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N E8004Infineon TechnologiesArray
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BSS138N H6327Infineon
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N H6433Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
auf Bestellung 107843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2500+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N L6908Infineon TechnologiesMOSFETs SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .23A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N L7854Infineon TechnologiesMOSFETs SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .23A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N-CTAnalog Power Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
22+1 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N-E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N-H6327Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N-H6327
Produktcode: 127157
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138N-L6327Infineon
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS138NH6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 117797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
336+0.75 EUR
654+0.36 EUR
878+0.25 EUR
1350+0.15 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6327XTSA2
Produktcode: 160339
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
verfügbar 31395 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6327XTSA2InfineonТранзистори
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BSS138NH6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 117797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
336+0.75 EUR
654+0.36 EUR
878+0.25 EUR
1350+0.15 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
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BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 28395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2584+0.068 EUR
18000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 2584 Stücke
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BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 28395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2578+0.068 EUR
18000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 2578 Stücke
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BSS138NH6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
391+0.21 EUR
578+0.14 EUR
694+0.12 EUR
1042+0.082 EUR
1177+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
719+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 719 Stücke
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BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
auf Bestellung 143410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS138NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 2301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+0.67 EUR
610+0.38 EUR
971+0.23 EUR
1316+0.17 EUR
1670+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
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BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BSS138NH6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BSS138NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 2301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+0.67 EUR
610+0.38 EUR
971+0.23 EUR
1316+0.17 EUR
1670+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
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BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.082 EUR
20000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BSS138NH6433XTMA1
Produktcode: 217244
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BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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BSS138NH6908XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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BSS138NL6327INFINEON07+
auf Bestellung 156010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS138NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NL6327XT
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS138NL6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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