Produkte > FGA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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| FGAF40N60SMD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGAF40N60SMD | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 115 W | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGAF40N60SMD | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGAF40N60SMD | ONS/FAI | IGBT 600V 80A 79W TO-3PF Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FGAF40N60UF | ON Semiconductor | ON Semiconductor PTPIGBT TO3PF 40A 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FGAF40N60UFDTU | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FGAF40N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 40A TO-3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PF Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 77 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 100 W | auf Bestellung 2512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGAF40N60UFDTU | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors Ultrafast | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FGAF40N60UFDTU | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FGAF40N60UFTU | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FGAF40N60UFTU | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT | auf Bestellung 2156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGAF40N60UFTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V MSL: - Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3PF Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGAF40N60UFTU | onsemi | Description: IGBT 600V 40A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PF Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 77 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 100 W | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGAF40N60UFTU | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 40W Case: TO3PF Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FGAF40N60UFTU | onsemi | IGBTs 40A/600V/ IGBT | auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGAF40S65AQ | ON Semiconductor | Description: 650V 40A FS4 SA IGBT | auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FGAF40S65AQ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-3PF Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGAF40S65AQ | onsemi | IGBTs 650V 40A FS4 SA IGBT | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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