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MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Транзистори

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IPB072N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 1681 Stücke:

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1+	10.01 EUR
10+	6.56 EUR
100+	4.9 EUR
500+	4.27 EUR
1000+	3.58 EUR

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IPB072N15N3 G

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IPB072N15N3 G E8187

MOSFET PG-TO263-3-2

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IPB072N15N3G

N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

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50+	5.41 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IPB072N15N3G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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17+	10.46 EUR
25+	9.87 EUR
50+	9.28 EUR
100+	8.77 EUR
250+	8.38 EUR
500+	8.02 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IPB072N15N3G

N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	5.41 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm

auf Bestellung 4160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.38 EUR
200+	4.05 EUR
500+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5489 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	7 EUR
38+	4.46 EUR
50+	4.09 EUR
100+	3.38 EUR
500+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 74000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.64 EUR
3000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Транзистори

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IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 74000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.65 EUR
3000+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 894 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	2.93 EUR
60+	2.83 EUR
61+	2.73 EUR
100+	2.63 EUR
250+	2.55 EUR
500+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 59 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IPB072N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

auf Bestellung 12366 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.37 EUR
10+	6.2 EUR
50+	4.84 EUR
100+	4.4 EUR
500+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm

auf Bestellung 4160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	9.84 EUR
40+	5.84 EUR
50+	5.38 EUR
200+	4.05 EUR
500+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5489 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	7 EUR
38+	4.56 EUR
50+	4.25 EUR
100+	3.57 EUR
500+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 14710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

175+	3.7 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	3.19 EUR
10000+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 175 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 75924 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

175+	3.7 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	3.19 EUR
10000+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 175 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 894 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	2.93 EUR
60+	2.77 EUR
61+	2.63 EUR
100+	2.49 EUR
250+	2.34 EUR
500+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 59 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 1442 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.2 EUR
10+	4.77 EUR
100+	4.33 EUR
500+	3.8 EUR
1000+	3.58 EUR

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IPB072N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.39 EUR
3000+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

175+	3.7 EUR

Mindestbestellmenge: 175 Stücke

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IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB072N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB073N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

auf Bestellung 2835 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.47 EUR
10+	6.97 EUR
50+	5.47 EUR
100+	4.99 EUR
500+	4.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	7.52 EUR
36+	4.63 EUR
100+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IPB073N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.83 EUR
200+	5.08 EUR
500+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPB073N15N5ATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 3243 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.31 EUR
10+	5.38 EUR
100+	4.82 EUR
500+	4.36 EUR
1000+	4.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB073N15N5ATMA1
Produktcode: 219572

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB073N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.87 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	7.52 EUR
36+	4.74 EUR
100+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IPB073N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.22 EUR
33+	7.13 EUR
50+	5.83 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB073N15N5ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement

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IPB075N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPB075N04LG

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB075N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

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IPB07N03

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB07N03L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB07N03L E3045A

auf Bestellung 1564 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB080N03L G

INF

TO-263

auf Bestellung 46000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB080N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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IPB080N03L G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

693+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 693 Stücke

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IPB080N03LG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA

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IPB080N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

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IPB080N03LGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

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IPB080N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

auf Bestellung 3239 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

472+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 472 Stücke

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IPB080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB080N06NG

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB081N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.96 EUR
10+	2.51 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.19 EUR
2000+	1.14 EUR
5000+	1.09 EUR

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IPB081N06L3G

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1138 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	3.06 EUR
81+	2.12 EUR
91+	1.83 EUR
116+	1.4 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

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IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPB081N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

auf Bestellung 3649 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.49 EUR
10+	2.88 EUR
50+	2.18 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 11000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.43 EUR
6000+	1.29 EUR
9000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB081N06L3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 1368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.88 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.21 EUR
2000+	1.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1138 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	2.77 EUR
82+	2.03 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 62 Stücke

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IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.02 EUR
3000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB081N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm

auf Bestellung 745 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	4.77 EUR
83+	2.81 EUR
123+	1.75 EUR
500+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

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IPB081N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.44 EUR
3000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.02 EUR
3000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB083N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 5792 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.17 EUR
10+	2.64 EUR
100+	2.08 EUR
250+	1.93 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB083N10N3 G

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB083N10N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB083N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.03 EUR
101+	2.14 EUR
200+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 11000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.32 EUR
2000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N10N3GATMA1

auf Bestellung 1128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	4.52 EUR
79+	2.98 EUR
110+	1.96 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 11000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.31 EUR
2000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 736 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.49 EUR
74+	2.31 EUR
100+	1.87 EUR
200+	1.75 EUR
500+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 166 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.61 EUR
10+	2.64 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N15N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	14.9 EUR
23+	10.12 EUR
100+	7.56 EUR
500+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N15N5LFATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 2973 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.06 EUR
10+	7.79 EUR
100+	5.84 EUR
500+	5.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB083N15N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm

auf Bestellung 910 Stücke:

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17+	14.9 EUR
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IPB083N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

auf Bestellung 955 Stücke:

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10+	8.95 EUR
100+	6.5 EUR
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IPB083N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB085N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB085N06LG

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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IPB085N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

auf Bestellung 686 Stücke:

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1+	5.87 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	1.93 EUR

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IPB085N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB085N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V

auf Bestellung 163 Stücke:

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4+	5.99 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPB08CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 95A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 50 V

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IPB08CN10NG

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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IPB08CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 95A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6690 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB08CNE8NG

07+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB08NE8NEG

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB090N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 3524 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.02 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.31 EUR
2000+	1.25 EUR

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IPB090N06N3 G

INF

TO-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB090N06N3G